外延薄膜中的缺陷

1、多晶薄膜：薄膜由大量微小晶體多晶薄膜：薄膜由大量微小晶體(晶粒晶粒)組成。組成。單晶薄膜：薄膜中的全部原子或分子呈規(guī)則排列。單晶薄膜：薄膜中的全部原子或分子呈規(guī)則排列。外延薄膜：在單晶基片上，生長出的單晶薄膜與基外延薄膜：在單晶基片上，生長出的單晶薄膜與基片保持一定的晶體學(xué)取向關(guān)系。片保持一定的晶體學(xué)取向關(guān)系。(薄膜和薄膜和襯底材料之間晶格的連續(xù)過渡襯底材料之間晶格的連續(xù)過渡)如如SiC(111)/Si(111)；Ag(001)/NaCl(001)同質(zhì)外延生長，異質(zhì)外延生長同質(zhì)外延生長，異質(zhì)外延生長標(biāo)記標(biāo)記: (HKL)/(hkl);UVW/uvw (001)Ni/(001)Cu;100Ni/

2、100Cu(111)PbTe/(111)MgAl2O4; 211PbTe/101MgAl2O4第九章第九章 外延薄膜中的缺陷外延薄膜中的缺陷()/seefaaa()/seefnamama公度失配：公度失配：失配度失配度a0a0a0=0.5654 nma0=0.2866 nmGaAs(001)Fe(001)f =(0.5654-2*0.2866)/(2*0.2866)= -1.38%都是面內(nèi)晶格常數(shù)都是面內(nèi)晶格常數(shù)(110)Fe/(110)GaAs:200Fe/100GaAsThose planes and directions which give the best lattice fit o

3、ften, but certainly not always, determine the film-substrate orientationSi(111)Si(100)b-FeSi2:a=9.86,b=7.79,c=7.88(101)b-FeSi2/(lll)Si:010 b-FeSi2/-110Si(100)b-FeSi2/(100)Si:010b-FeSi2/110SiTilted-Layer EpitaxyGraphoepitaxy外延薄膜示意圖：三維集成電路外延薄膜示意圖：三維集成電路外延薄膜示意圖：太陽能電池外延薄膜示意圖：太陽能電池材料的晶格常數(shù)、熱膨脹系數(shù)材料的晶格常數(shù)、熱膨

4、脹系數(shù)熱膨脹系數(shù)熱膨脹系數(shù)晶格常數(shù)晶格常數(shù)Material Studio模擬計算得到的Vergards LawVergard 規(guī)則規(guī)則常見半導(dǎo)體材料帶隙與晶格常數(shù)的關(guān)系圖常見半導(dǎo)體材料帶隙與晶格常數(shù)的關(guān)系圖虛線：間接帶隙虛線：間接帶隙四元合金四元合金AlxGa1-xAs晶格常數(shù)與帶隙匹配影響薄膜外延的因素影響薄膜外延的因素溫度溫度解理面的影響解理面的影響其它因素：殘留氣體，其它因素：殘留氣體，蒸鍍速率，襯底表面蒸鍍速率，襯底表面缺陷（電子束輻照），缺陷（電子束輻照），電場，表面離子化，電場，表面離子化，膜厚，失配度膜厚，失配度材料中的各類缺陷材料中的各類缺陷點缺陷：空位，間隙原子，替代雜質(zhì)原子

5、，點缺陷：空位，間隙原子，替代雜質(zhì)原子，間隙雜質(zhì)原子間隙雜質(zhì)原子線缺陷：刃型位錯，螺型位錯，層錯線缺陷：刃型位錯，螺型位錯，層錯面缺陷面缺陷: 孿晶界，小角晶界，共格晶界孿晶界，小角晶界，共格晶界金屬，半導(dǎo)體：不同的結(jié)構(gòu)不同的特性金屬，半導(dǎo)體：不同的結(jié)構(gòu)不同的特性表面點缺陷，表面線缺陷表面點缺陷，表面線缺陷金屬中的點缺陷：空位金屬中的點缺陷：空位間隙原子，替代雜質(zhì)間隙原子，替代雜質(zhì)平衡缺陷濃度：平衡缺陷濃度：)/exp()/exp(/ )(expkTEkSkTTSEn四面體間隙位坐標(biāo)：四面體間隙位坐標(biāo)：（1/4,1/4, 1/4)+各原子坐標(biāo)各原子坐標(biāo) 其余四面體間隙坐標(biāo)。其余四面體間隙坐標(biāo)。

6、面心密堆積中的間隙面心密堆積中的間隙面心密堆積中的間隙：面心密堆積中的間隙：面心立方金屬的間隙面心立方金屬的間隙八面體間隙位坐標(biāo)：八面體間隙位坐標(biāo)：（1/2,1/2, 1/2)+各原子坐標(biāo)各原子坐標(biāo) 其余八面體間隙坐標(biāo)。其余八面體間隙坐標(biāo)。（1/2,0, 1/2) +（1/2,1/2, 1/2)（1,1/2, 1) 晶胞中原子、四面體間隙、八面體間隙數(shù)目：4,8,4八面體和四面體間隙相互獨立、間隙大小八面體和四面體間隙相互獨立、間隙大小八面體間隙位坐標(biāo)：八面體間隙位坐標(biāo)：（1/2,0, 1/2)+各原子坐標(biāo)各原子坐標(biāo) 其余八面體間隙坐標(biāo)。其余八面體間隙坐標(biāo)。體心立方金屬的間隙體心立方金屬的間隙

7、面心棱體心立方密堆積的四面體間隙體心立方密堆積的四面體間隙體心立方密堆積的間隙不是正體心立方密堆積的間隙不是正多面體，四面體間隙包含于八多面體，四面體間隙包含于八面體間隙之中面體間隙之中晶胞中原子、四面體間隙、晶胞中原子、四面體間隙、八面體間隙數(shù)目：八面體間隙數(shù)目：2,12,6半導(dǎo)體中的點缺陷半導(dǎo)體中的點缺陷半導(dǎo)體具有敞形結(jié)構(gòu)：金剛石結(jié)構(gòu)堆積系數(shù)為半導(dǎo)體具有敞形結(jié)構(gòu)：金剛石結(jié)構(gòu)堆積系數(shù)為0.34FCC,HCP,BCC的堆積系數(shù)為的堆積系數(shù)為0.74, 0.74, 0.68半導(dǎo)體凝結(jié)成固體時體積膨脹。半導(dǎo)體凝結(jié)成固體時體積膨脹。半導(dǎo)體：結(jié)構(gòu)復(fù)雜，間隙大，半導(dǎo)體：結(jié)構(gòu)復(fù)雜，間隙大，半導(dǎo)體中的點缺陷

8、：雜質(zhì)原子多，具有不同半導(dǎo)體中的點缺陷：雜質(zhì)原子多，具有不同的荷電狀態(tài)，的荷電狀態(tài)，間隙位置坐標(biāo)：間隙位置坐標(biāo)：（1/2,1/2, 1/2)+各原子坐標(biāo)各原子坐標(biāo) 其余間隙位置坐標(biāo)。其余間隙位置坐標(biāo)。金剛石結(jié)構(gòu)中的間隙金剛石結(jié)構(gòu)中的間隙金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子在底面的投影金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子在底面的投影, 數(shù)字是垂直數(shù)字是垂直方向上的坐標(biāo)方向上的坐標(biāo), 其單位是晶格常數(shù)的其單位是晶格常數(shù)的1/8(b), 四面體間四面體間隙隙(方形方形)和六角間隙和六角間隙(三角形三角形)在底面的投影在底面的投影, 晶胞中有晶胞中有8個原子，個原子，8個四面?zhèn)€四面體間隙，體間隙，16個六面體間隙個六面體間隙原子

9、半徑：原子半徑：0.2165，T間隙到最近鄰原子中心的間隙到最近鄰原子中心的距離距離0.433，到次近鄰的距離，到次近鄰的距離0.500;H間隙到最近鄰原子中心距間隙到最近鄰原子中心距離為離為0.415為什么半導(dǎo)體中的填隙雜質(zhì)為什么半導(dǎo)體中的填隙雜質(zhì)原子比金屬中的多？原子比金屬中的多？點缺陷的畸變組態(tài)點缺陷的畸變組態(tài)(局部對稱性改變局部對稱性改變)硅、鍺中的點缺陷有空位、自填隙原子、填隙雜質(zhì)硅、鍺中的點缺陷有空位、自填隙原子、填隙雜質(zhì)原子、空位原子、空位-雜質(zhì)原子等雜質(zhì)原子等.硅中空位四周的懸鍵硅中空位四周的懸鍵(a)，懸鍵形成兩個新鍵，懸鍵形成兩個新鍵(b)和失去一和失去一個電子后個電子后(

10、c)引起畸變，引起畸變，(d)是啞鈴狀空位是啞鈴狀空位.局局部部對對稱稱性性下下降降Si中四面體間隙處中四面體間隙處(T位位, 即即1/2, 1/2, 1/2)的自填隙的自填隙原子原子(a)和和(b)、(c)啞鈴狀自填隙原子啞鈴狀自填隙原子離子晶體的點缺陷和元素晶體有所不同離子晶體的點缺陷和元素晶體有所不同. . 許多離子晶體的正許多離子晶體的正離子和負(fù)離子各占一半離子和負(fù)離子各占一半, , 如如NaClNaCl等等. . 但是但是, , 空位可以是負(fù)離空位可以是負(fù)離子空位為主子空位為主, , 此時離子晶體為了此時離子晶體為了保證電中性保證電中性, , 可以俘獲電子可以俘獲電子, , 如如Na

11、ClNaCl晶體的晶體的ClCl離子空位上俘獲電子形成著名的離子空位上俘獲電子形成著名的“色心色心”. . 許多金屬氧化物的組分顯著偏離化學(xué)比許多金屬氧化物的組分顯著偏離化學(xué)比, , 由此引起的點缺陷由此引起的點缺陷濃度很大濃度很大. . 如如TiOTiO中的中的x x可以由可以由0.690.69變到變到1.33. 1.33. TiOTiO體內(nèi)正、負(fù)離子空位濃度約體內(nèi)正、負(fù)離子空位濃度約0.0015. 0.0015. TiOTiO1.331.33體內(nèi)氧離子空位濃度達(dá)體內(nèi)氧離子空位濃度達(dá)0.02, 0.02, 正離子空位濃度達(dá)正離子空位濃度達(dá)0.260.26TiOTiO0.690.69體內(nèi)正離子

12、空位濃度達(dá)體內(nèi)正離子空位濃度達(dá)0.040.04、氧離子空位濃度達(dá)、氧離子空位濃度達(dá)0.34.0.34. 離子晶體中的點缺陷離子晶體中的點缺陷形變與滑移形變與滑移材料中的線缺陷材料中的線缺陷刃型位錯刃型位錯螺型位錯螺型位錯滑移方向的不同滑移方向的不同刃型位錯刃型位錯 螺型位錯螺型位錯兩種基本位錯示意圖兩種基本位錯示意圖(簡單立方結(jié)構(gòu)簡單立方結(jié)構(gòu))伯格斯回路和伯格斯矢量伯格斯回路和伯格斯矢量刃型位錯：伯格斯矢量和位錯線方向垂直；刃型位錯：伯格斯矢量和位錯線方向垂直；螺型位錯：伯格斯矢量和位錯線方向平行；螺型位錯：伯格斯矢量和位錯線方向平行；混合位錯混合位錯：伯格斯矢量和位錯線方向成一角度；位錯線是

13、一：伯格斯矢量和位錯線方向成一角度；位錯線是一條曲線。條曲線。位錯線能量位錯線能量 b2, 所以有的情況下位錯分解以降低能量所以有的情況下位錯分解以降低能量全位錯、部分位錯全位錯、部分位錯(不全位錯不全位錯):（1） b 等于單位點陣矢量的稱為等于單位點陣矢量的稱為“單位位錯單位位錯”。 （2） b等于單位點陣矢量的整數(shù)倍的為等于單位點陣矢量的整數(shù)倍的為“全位錯全位錯” （3） b 不等于單位點陣矢量或其整數(shù)倍的為不等于單位點陣矢量或其整數(shù)倍的為“不全位不全位錯錯”或稱或稱“部分位錯部分位錯” 伯格斯矢量守恒伯格斯矢量守恒21bbb與點缺陷不同，位錯并不是熱力學(xué)上的要求，因為位與點缺陷不同，位

14、錯并不是熱力學(xué)上的要求，因為位錯具有特定的晶體學(xué)方向，所以對熵增的貢獻(xiàn)很小。錯具有特定的晶體學(xué)方向，所以對熵增的貢獻(xiàn)很小。密排原子示意圖密排原子示意圖ZnO中的伯格斯回路及部分位錯中的伯格斯回路及部分位錯Schokley不全位錯不全位錯位錯的滑移和相互作用位錯的滑移和相互作用Thompson四面體兩個英文大寫字母組成的矢量, 如AB等, 表示全位錯的柏格斯矢量, 即110/2. 希文字母和英文字母組成的一組處于滑移面內(nèi)的矢量, 如A, B等, 表示Shockley部分位錯的柏格斯矢量, 即112/6. 希文字母和英文字母組成的另一組和滑移面垂直的矢量, 如A, Bb等, 表示Frank部分位錯

15、的柏格斯矢量, 即111/3.與螺型位錯垂直的生長表面的形貌與螺型位錯垂直的生長表面的形貌從01方向觀察的內(nèi)稟層錯(a)和外稟層錯(b)的結(jié)構(gòu)示意圖層錯層錯金剛石結(jié)構(gòu)中位錯的兩種滑移類型金剛石結(jié)構(gòu)中位錯的兩種滑移類型金剛石結(jié)構(gòu)中的位錯和層錯金剛石結(jié)構(gòu)中的位錯和層錯金剛石結(jié)構(gòu)中的內(nèi)稟層錯金剛石結(jié)構(gòu)中的內(nèi)稟層錯(a)外稟層錯外稟層錯(b)閃鋅礦結(jié)構(gòu)中的位錯和層錯閃鋅礦結(jié)構(gòu)中的位錯和層錯帶有不同原子懸鍵的兩種60位錯六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)的俯視圖(a)和側(cè)視圖(b)Zn纖鋅礦結(jié)構(gòu)的位錯和層錯纖鋅礦結(jié)構(gòu)的位錯和層錯垂直位錯列垂直位錯列孿晶界和其他面缺陷孿晶界和其他面缺陷面心立方金屬(111)原子面的堆垛次序是

16、ABCABC, 以(111)為界面的孿晶中的堆垛次序是ABCABCBACBA, 這是以中心的C面為對稱面的兩個面心立方晶體的結(jié)合, 形成所謂的孿晶(孿生的晶體). 共格相界面兩側(cè)的晶體具有完全確定的位向關(guān)系, 一側(cè)的原子面和另一側(cè)的原子面可以取向不同或有扭折, 但可以逐一對應(yīng)和過渡, 具體的例子有Co的面心立方結(jié)構(gòu)和六角密堆結(jié)構(gòu)之間的界面、GaAs和InGaAs之間的界面等. Al中固溶少量Cu原子后形成的富Cu的一、二原子層厚的GP區(qū)和基體之間也可以認(rèn)為形成了共格相界面. 部分共格界面的典型例子是GaAs(001)上生長的較厚的InGaAs層, 界面兩側(cè)晶粒取向雖有確定的取向關(guān)系, 但界面兩

17、側(cè)的原子面已無逐一對應(yīng)和過渡的關(guān)系. 此時界面上出現(xiàn)一系列刃型失配位錯, 那些多余的半原子面一直插到界面處. 思考題思考題:1. 歸納薄膜中的晶體缺陷類型歸納薄膜中的晶體缺陷類型2. 畫圖說明全位錯畫圖說明全位錯, 部分位錯的區(qū)別和聯(lián)系部分位錯的區(qū)別和聯(lián)系3. 畫圖說明外稟層錯的獲得畫圖說明外稟層錯的獲得外延薄膜中的失配位錯外延薄膜中的失配位錯異質(zhì)半導(dǎo)體膜外延時由于二種材料晶格常數(shù)不同異質(zhì)半導(dǎo)體膜外延時由于二種材料晶格常數(shù)不同引起的應(yīng)變稱為引起的應(yīng)變稱為失配應(yīng)變失配應(yīng)變. 溫度變化后由二種材料熱膨脹系數(shù)不同引起的應(yīng)溫度變化后由二種材料熱膨脹系數(shù)不同引起的應(yīng)變稱為變稱為熱應(yīng)變熱應(yīng)變. 溫度變化幾

18、百度引起它們晶格常數(shù)的變化約溫度變化幾百度引起它們晶格常數(shù)的變化約10 3. 一一般情況下兩種材料外延生長中產(chǎn)生應(yīng)變的主要因素般情況下兩種材料外延生長中產(chǎn)生應(yīng)變的主要因素是晶格常數(shù)的不同是晶格常數(shù)的不同, 但冷卻后熱膨脹系數(shù)引起的應(yīng)變但冷卻后熱膨脹系數(shù)引起的應(yīng)變的影響也不能忽略的影響也不能忽略 fitstrainrelax外延薄膜中的應(yīng)變與失配位錯外延薄膜中的應(yīng)變與失配位錯pseudomorphic, 晶體結(jié)構(gòu)一樣晶體結(jié)構(gòu)一樣0 膜內(nèi)張應(yīng)力膜內(nèi)張應(yīng)力f無位錯薄膜單位面積內(nèi)的應(yīng)變能無位錯薄膜單位面積內(nèi)的應(yīng)變能2121evEhfv e 切變模量；切變模量；v 泊松比泊松比h 薄膜厚度；薄膜厚度；f

19、 失配度失配度位錯產(chǎn)生后，應(yīng)變由位錯產(chǎn)生后，應(yīng)變由f 變?yōu)樽優(yōu)?= f-b/S位錯產(chǎn)生后的位錯產(chǎn)生后的總能量為彈性能和位總能量為彈性能和位錯能之和錯能之和2121evEhv b考慮產(chǎn)生位錯在能量上是否有利考慮產(chǎn)生位錯在能量上是否有利產(chǎn)生位錯的臨界厚度產(chǎn)生位錯的臨界厚度產(chǎn)生失配位錯的驅(qū)動力來自產(chǎn)生失配位錯的驅(qū)動力來自薄膜應(yīng)變能的降低薄膜應(yīng)變能的降低. 單位面積內(nèi)刃型位錯能單位面積內(nèi)刃型位錯能2ln( / ) 12 (1)esdesbEr bv e、 s薄膜和襯底的切變模量；薄膜和襯底的切變模量；v 泊松比泊松比r 位錯應(yīng)變場的有效范圍；位錯應(yīng)變場的有效范圍；b 伯格斯矢量伯格斯矢量單位長度單位長

20、度位錯能：位錯能：s單位面積內(nèi)位錯總長度：單位面積內(nèi)位錯總長度：2/S2ln(/ )2 (1)esdesbEr bv b72.2701.0:b)/ln(4)/ln()1 (40202rRbrRb螺位錯：刃位錯：或：附：位錯能的其它表達(dá)式附：位錯能的其它表達(dá)式2ln( / ) 1/(1)esdesbEr bSv 單位面積內(nèi)位錯能：單位面積內(nèi)位錯能：對于薄膜，對于薄膜，r h, r h = f-b/S()ln( / ) 1(1)esdesb fEh bv 應(yīng)變薄膜的臨界厚度應(yīng)變薄膜的臨界厚度S = b/(f- )2121evEhv ()ln( / ) 1(1)esdesb fEh bv 產(chǎn)生位錯后

21、的總能量E=Ed+Eln( / ) 14(1)scesbh bhvE對求極小值臨界厚度：臨界厚度：ln(/ ) 14(1)sccesbhhbfv薄膜應(yīng)變隨薄膜應(yīng)變隨膜厚的變化膜厚的變化膜厚增大時， r as, e s(b) aeas, e s(c) ae s(d) aeas, e s應(yīng)變對晶格常數(shù)的影響應(yīng)變對晶格常數(shù)的影響失配位錯的成核機(jī)制主要有兩種失配位錯的成核機(jī)制主要有兩種: 1.來自襯底的穿過位錯的增殖來自襯底的穿過位錯的增殖, 2.薄膜表面位錯環(huán)的均勻成核薄膜表面位錯環(huán)的均勻成核. F =2 e(1+ )/(1- )h bsinb bcos 應(yīng)變場對位錯的作用力應(yīng)變場對位錯的作用力Fd

22、= eb2(1- cos2b b)/4 (1- )ln( h/b) 位錯自身的張力位錯自身的張力失配位錯的成核和增殖失配位錯的成核和增殖穿過位錯引起失配位錯的過程穿過位錯引起失配位錯的過程(穿過位錯的增殖穿過位錯的增殖)而穿過位錯自身的線張力隨膜厚對數(shù)地緩慢增大而穿過位錯自身的線張力隨膜厚對數(shù)地緩慢增大, 它的表它的表達(dá)式是達(dá)式是: Fd= eb2(1- cos2b b)/4 (1- )ln( h/b)這里的這里的 是位錯線芯部尺寸參數(shù)是位錯線芯部尺寸參數(shù), 對金屬它可以取為對金屬它可以取為1, 即即位錯線芯部尺寸為位錯線芯部尺寸為b, 對半導(dǎo)體它可以取為對半導(dǎo)體它可以取為4, 即位錯線芯即位

23、錯線芯部尺寸為部尺寸為b/4. 穿過位錯引起失配位錯的過程穿過位錯引起失配位錯的過程(穿過位錯的增殖穿過位錯的增殖) 用薄膜應(yīng)變場對穿過位錯的作用應(yīng)力用薄膜應(yīng)變場對穿過位錯的作用應(yīng)力 (=2F /hb)和位錯自身和位錯自身的線張應(yīng)力的線張應(yīng)力 d (=2Fd/b)相等為判據(jù)相等為判據(jù) ( e=0), 也可以得到薄膜臨界厚度的表達(dá)式也可以得到薄膜臨界厚度的表達(dá)式. 但是但是, 要求上述兩個應(yīng)力要求上述兩個應(yīng)力相等的判據(jù)實際上是過低了相等的判據(jù)實際上是過低了, 因為此時位錯受到的凈作用力為因為此時位錯受到的凈作用力為零零, 即使依靠熱激活即使依靠熱激活, 位錯運(yùn)動速度也太小位錯運(yùn)動速度也太小, 因

24、此更合理的判據(jù)因此更合理的判據(jù)是：是：對穿過位錯的作用應(yīng)力應(yīng)超過位錯線張力對穿過位錯的作用應(yīng)力應(yīng)超過位錯線張力, 即即: - d=0.024 e用這樣的判據(jù)得到的臨界厚度隨失配度的理論曲線比用這樣的判據(jù)得到的臨界厚度隨失配度的理論曲線比 - d=0得到的曲線提高了幾倍得到的曲線提高了幾倍, 并且和并且和Si(100)基底上基底上500-550 C生長的生長的若干外延若干外延SiGe薄膜的實驗臨界厚度曲線也符合得很好薄膜的實驗臨界厚度曲線也符合得很好 表面成核的半位錯環(huán)表面成核的半位錯環(huán)(a)擴(kuò)展后引起失配位錯擴(kuò)展后引起失配位錯(b)穿過位錯可滑移線段AB的增殖過程穿過位錯上Frank-Reed

25、源的增殖過程 一定失配度條件下薄膜中的應(yīng)變和位錯的演化過程一定失配度條件下薄膜中的應(yīng)變和位錯的演化過程:1. 薄膜厚度小于臨界值時薄膜厚度小于臨界值時, 薄膜和襯底完全共格薄膜和襯底完全共格, 薄膜薄膜中沒有失配位錯中沒有失配位錯, 薄膜是應(yīng)變膜薄膜是應(yīng)變膜. 2. 薄膜厚度大于臨界值時薄膜厚度大于臨界值時, 開始形成失配位錯開始形成失配位錯, 薄膜薄膜應(yīng)變開始松弛應(yīng)變開始松弛, 但由于位錯滑移運(yùn)動摩擦力的存在但由于位錯滑移運(yùn)動摩擦力的存在, 應(yīng)變的松弛比較緩慢應(yīng)變的松弛比較緩慢.3. 薄膜厚度繼續(xù)增大薄膜厚度繼續(xù)增大, 位錯增殖機(jī)制起動位錯增殖機(jī)制起動, 產(chǎn)生大量產(chǎn)生大量失配位錯失配位錯,

26、應(yīng)變的松弛顯著加快應(yīng)變的松弛顯著加快. 4. 在失配位錯增加的同時穿過位錯也顯著增加在失配位錯增加的同時穿過位錯也顯著增加. 要使要使薄膜中失配位錯和穿過位錯減少薄膜中失配位錯和穿過位錯減少, 需要減小失配度需要減小失配度和薄膜厚度和薄膜厚度, 或采取適當(dāng)?shù)拇胧┤缡褂锰荻冗^渡層或采取適當(dāng)?shù)拇胧┤缡褂锰荻冗^渡層等等. 島狀薄膜中的應(yīng)變和失配位錯島狀薄膜中的應(yīng)變和失配位錯 失配度大時薄膜的生長模式將從大面積地一層一層失配度大時薄膜的生長模式將從大面積地一層一層生長改變?yōu)閸u狀生長或單層加島狀生長生長改變?yōu)閸u狀生長或單層加島狀生長, 隨著島的不隨著島的不斷增大斷增大, 其中的應(yīng)變和失配位錯也有一個演化過程其中的應(yīng)變和失配位錯也有一個演化