《精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)》筆記

1、?精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)?筆記三種根底拓?fù)鋌uck boost buck-boost的電路根底： 1， 電感的電壓公式，推出IV×T/L2， sw閉合時(shí)，電感通電電壓VON，閉合時(shí)間tON sw關(guān)斷時(shí)，電感電壓VOFF，關(guān)斷時(shí)間tOFF3， 功率變換器穩(wěn)定工作的條件：IONIOFF即，電感在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)，其電流變化相等。那么由1，2的公式可知，VON L×ION/tON ，VOFF L×IOFF/tOFF ，那么穩(wěn)定條件為伏秒定律：VON×tONVOFF×tOFF4， 周期T，頻率f，T1/f，占空比DtON/TtON/tONtOFFtOND/f T

2、DtOFF1D/f電流紋波率r P51 52 rI/ IL2IAC/IDC 對(duì)應(yīng)最大負(fù)載電流值和最惡劣輸入電壓值IEt/LH EtV×T時(shí)間為微秒為伏微秒數(shù)，LH為微亨電感，單位便于計(jì)算rEt/ IL ×LHIL ×LHEt/rLHEt/r* IL都是由電感的電壓公式推導(dǎo)出來r選值一般0.4比擬適宜，具體見 P53電流紋波率rI/ IL2IAC/IDC 在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)r2 見P51rI/ ILVON×D/Lf ILVO×1D/Lf ILLVON×D/rf IL電感量公式：LVO×1D/rf ILVON&

3、#215;D/rf IL設(shè)置r應(yīng)注意幾個(gè)方面：A,IPK1r/2×IL開關(guān)管的最小電流，此時(shí)r的值小于0.4，造成電感體積很大。B,保證負(fù)載電流下降時(shí)，工作在連續(xù)導(dǎo)通方式P24-26，最大負(fù)載電流時(shí)rI/ ILMAX,當(dāng)r2時(shí)進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式，此時(shí)rI/ Ix2負(fù)載電流Ixr /2ILMAX時(shí)，進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式,例如：最大負(fù)載電流3A，r0.4，那么負(fù)載電流為0.4/2×3時(shí)，進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式防止進(jìn)入臨界導(dǎo)通模式的方法有1，減小負(fù)載電流2，減小電感會(huì)減小I，那么減小r3，增加輸入電壓 P63電感的能量處理能力1/2×L×I2電感的能量處理能力用峰值電流計(jì)

4、算1/2×L×I2PK，防止磁飽和。確定幾個(gè)值:r要考慮最小負(fù)載時(shí)的r值 負(fù)載電流IL IPK 輸入電壓范圍VIN 輸出電壓VO最終確認(rèn)L的值根本磁學(xué)原理：P71以后花時(shí)間慢慢看?電磁場(chǎng)與電磁波?用于EMC和變壓器H場(chǎng)：也稱磁場(chǎng)強(qiáng)度，場(chǎng)強(qiáng)，磁化力，疊加場(chǎng)等。單位A/mB場(chǎng)：磁通密度或磁感應(yīng)。單位是特斯拉T或韋伯每平方米Wb/m2恒定電流I的導(dǎo)線，每一線元dl在點(diǎn)p所產(chǎn)生的磁通密度為dBk×I×dl×aR/R2dB為磁通密度，dl為電流方向的導(dǎo)線線元，aR為由dl指向點(diǎn)p的單位矢量，距離矢量為R，R為從電流元dl到點(diǎn)p的距離，k為比例常數(shù)。在SI

5、單位制中k0/4，0=4×10-7H/m為真空的磁導(dǎo)率。那么代入k后，dB0×I×dl×R/4R3 對(duì)其積分可得B磁通量：通過一個(gè)外表上B的總量 ，如果B是常數(shù)，那么BA，A是外表積HB/BH，是材料的磁導(dǎo)率?？諝獯艑?dǎo)率0=4×10-7H/m法拉第定律楞次定律：電感電壓V與線圈匝數(shù)N成正比與磁通量變化率VN×d/dtNA×dB/dt線圈的電感量：通過線圈的磁通量相對(duì)于通過它的電流的比值L=H*N/I磁通量與匝數(shù)N成正比，所以電感量L與匝數(shù)N的平方成正比。這個(gè)比例常數(shù)叫電感常數(shù)，用AL表示，它的單位是nH/匝數(shù)2有時(shí)也用nH/

6、1000匝數(shù)2L=AL*N2*10-9H所以增加線圈匝數(shù)會(huì)急劇增加電感量假設(shè)H是一閉合回路，可得該閉合回路包圍的電流總量HdlIA，安培環(huán)路定律結(jié)合楞次定律和電感等式可得到VN×d/dtNA×dB/dtL×dI/dt可得功率變換器2個(gè)關(guān)鍵方程：BLI/NA非獨(dú)立電壓方程 BLI/NABVt/NA獨(dú)立電壓方程 BACB/2VON×D/2NAf 見P72-73N表示線圈匝數(shù)，A表示磁心實(shí)際幾何面積通常指中心柱或磁心資料給出的有效面積AeBPKLIPK/NA不能超過磁心的飽和磁通密度由公式知道，大的電感量，需要大的體積，否那么只增加匝數(shù)不增加體積會(huì)讓磁心飽和磁

7、場(chǎng)紋波率對(duì)應(yīng)電流紋波率rr2IAC/IDC2BAC/BDCBPK1r/2BDCBDC2BPK /r2BPK12/rBACBACr BPK /r2B2 BAC2r BPK /r2磁心損耗，決定于磁通密度擺幅B，開關(guān)頻率和溫度磁心損耗單位體積損耗×體積，具體見P75-76Buck電路5， 電容的輸入輸出平均電流為0，在整個(gè)周期內(nèi)電感平均電流負(fù)載平均電流，所以有：ILIo6， 二極管只在sw關(guān)斷時(shí)流過電流，所以IDIL×1D7， 那么平均開關(guān)電流IswIL×D8， 由基爾霍夫電壓定律知：Sw導(dǎo)通時(shí)：VIN VONVOVSW VONVINVOVSWVINVO假設(shè)VSW相比

8、足夠小VOVINVONVSWVINVONSw關(guān)斷時(shí)：VOFF VOVD VOVOFFVDVOFF 假設(shè)VD相比足夠小9， 由3、4可得DtON/tONtOFFVOFF/VOFF VON由8可得：DVO/VINVOVODVO/ VIN10，直流電流IDC電感平均電流IL，即IDCILIo 見511，紋波電流IACI/2VIN1DD/ 2LfVO1D/2Lf由1，3、4、9得，IVON×tON/L VINVO×D/LfVINDVIN×D/LfVIN1DD/ LfI/ tONVON/LVINVO/LIVOFF×tOFF/L VOT1D/LVO1D/LfI/ t

9、OFFVOFF/LVO/L12，電流紋波率rI/ IL2IAC/IDC 在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)r2 見P51rI/ ILVON×D/Lf IL(VINVO)×D/Lf ILVO×1D/Lf ILVO×1D/Lf IL13，峰峰電流IPPI2IACr×IDCr×IL14，峰值電流IPKIDCIAC1r/2×IDC1r/2×IL1r/2×IO最惡劣輸入電壓確實(shí)定：VO、Io不變，VIN對(duì)IPK的影響：DVO/ VIN VIN增加DI, IDCIO,不變，所以IPK要在VIN最大輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)bu

10、ck電路 p49-51例題：變壓器的電壓輸入范圍是15-20v，輸出電壓為5v，最大輸出電流是5A。如果開關(guān)頻率是200KHZ，那么電感的推薦值是多大？解：也可以用伏微秒數(shù)快速求解，見P69（1） buck電路在VINMAX=20V時(shí)設(shè)計(jì)電感（2） 由9得到DVO/ VIN（3） L=VO×1D/ rf IL5*(1-0.25)/(0.4*200*103H（4） IPK1r/2×IO1+0.4/2*56A（5） H 6A附近的電感例題：buck變換器，電壓輸入范圍是18-24v，輸出電壓為12v，最大負(fù)載電流是1A。期望電流紋波率為0.3最大負(fù)載電流處，假設(shè)VSW1.5V，

11、VD0.5V，并且f150KHz。那么選擇一個(gè)產(chǎn)品電感并驗(yàn)證這些應(yīng)用。解：buck電路在最大輸入電壓VIN24V時(shí)設(shè)計(jì)15， 二極管只在sw關(guān)斷時(shí)流過電流負(fù)載電流，所以IDIL×1DIO16， 那么平均開關(guān)電流IswIL×D17， 由基爾霍夫電壓定律知：Sw導(dǎo)通時(shí)：VIN VONVSW VONVINVSWVONVIN 假設(shè)VSW相比足夠小Sw關(guān)斷時(shí)：VOFF VINVOVD VOVOFFVINVDVOVOFFVIN 假設(shè)VD相比足夠小VOFFVOVDVINVOFFVOVIN18， 由3、4可得DtON/tONtOFFVOFF/VOFF VON由17可得：DVOVIN/VOV

12、INVIN VOVIN/ VOVINVO×1D19，直流電流IDC電感平均電流IL，即IDCIO/1D20，紋波電流IACI/2VIN×D/2LfVO1DD/2Lf由1，3、4、17，18得，IVON×tON/LVIN×TD/L VIN×D/LfI/ tONVON/LVIN/LIVOFF×tOFF/L VOVINT1D/LVO1DD/Lf I/ tOFFVOFF/LVOVIN/L21，電流紋波率rI/ IL2IAC/IDC 在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)r2 見P51rI/ ILVON×D/Lf ILVO×1

13、D/Lf ILLVON×D/rf ILrVON×D/Lf ILVIN×D/Lf IL=VO×1D/Lf IL(VOVIN)×1D/Lf IL電感量公式：LVO×1D/rf ILVON×D/rf ILr的最正確值為0.4，見P5222，峰峰電流IPPI2IACr×IDCr×IL23，峰值電流IPKIDCIAC1r/2×IDC1r/2×IL1r/2×IO/1D最惡劣輸入電壓確實(shí)定：要在VIN最小輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)boost電路 p49-51例題：輸入電壓范圍12-15V，輸出電壓24

14、V，最大負(fù)載電流2A，開關(guān)管頻率分別為100KHz、200KHz、1MHz，那么每種情況下最適宜的電感量分別是多少？峰值電流分別是多大？能量處理要求是什么？解：只考慮最低輸入電壓時(shí)，即VIN12V時(shí)，DVOVIN/ VOILIO/1D2/1-0.54A假設(shè)r0.4，那么IPK1r/2×IL1+0.5/2×4電感量LVON×D/rILH37.5*106HH24，二極管只在sw關(guān)斷時(shí)流過電流負(fù)載電流，所以IDIL×1DIO25，那么平均開關(guān)電流IswIL×D26， 由基爾霍夫電壓定律知：Sw導(dǎo)通時(shí)：VIN VONVSW VONVINVSWVIN 假

15、設(shè)VSW相比足夠小Sw關(guān)斷時(shí)：VOFF VOVD VOVOFFVDVOFF 假設(shè)VD相比足夠小VOFFVO27，由3、4可得DtON/tONtOFFVOFF/VOFF VON由26可得：DVO/VOVIN VINVO×1D/D28，直流電流IDC電感平均電流IL，即IDCILIO /1D29，紋波電流IACI/2VIN×D/2LfVO1D/2Lf由1，3、4、26，27得，IVON×tON/LVIN×TD/L VIN×D/LfI/ tONVON/L= VIN/LIVOFF×tOFF/L VOT1D/LVO1D/LfI/ tOFFVOF

16、F/LVO/L30，電流紋波率rI/ IL2IAC/IDC 在臨界導(dǎo)通模式下，IACIDC，此時(shí)r2 見P51rI/ ILVON×D/Lf ILVO×1D/Lf ILLVON×D/rf ILrVON×D/Lf ILVIN×D/Lf IL rVO×1D/Lf IL= VO×1D/Lf IL31，峰峰電流IPPI2IACr×IDCr×IL32，峰值電流IPKIDCIAC1r/2×IDC1r/2×IL1r/2×IO /1D最惡劣輸入電壓確實(shí)定：要在VIN最小輸入電壓時(shí)設(shè)計(jì)buck-

17、boost電路 p49-51第3章 離線式變換器設(shè)計(jì)與磁學(xué)技術(shù)在正激和反激變換器中，變壓器的作用：1、電網(wǎng)隔離2、變壓器“匝比決定恒比降壓轉(zhuǎn)換功能。繞組同名端，當(dāng)一個(gè)繞組的標(biāo)點(diǎn)端電壓升至某一較高值時(shí)，另一個(gè)繞組標(biāo)點(diǎn)端電壓也會(huì)升至較高值。同樣，所有標(biāo)點(diǎn)端電壓也可以同一時(shí)間變低。因?yàn)樗鼈兝@組不相連，但在同一個(gè)磁心上，磁通量的變化相同。P89漏感：可看作與變壓器一次電感串聯(lián)的寄生電感。開關(guān)關(guān)斷的時(shí)刻，流過這兩個(gè)電感的電流為IPKP，也即為一次電流峰值。然而，當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)，一次電感所存儲(chǔ)的能量可沿續(xù)流通路通過輸出二極管傳遞，但是漏感能量卻無傳遞通路，所以就以高壓尖峰形式表現(xiàn)出來。一般把尖峰簡(jiǎn)單的消耗掉

18、反激變換器P93一次等效模型二次等效模型VinVINVINR= VIN /ni_inIINIINR=IIN*nCinCINn2* CINlLpLs=Lp/ n2VswVswVsw/nVoVOR=VO*nVOi_outIOR=IO/nIO中心值IOR/(1-D)= IO /n*(1-D)IO/(1-D)CoCo/ n2CoVdVD *nVD占空比DD紋波率rr反激在輕負(fù)載時(shí)進(jìn)入DCM，在重載時(shí)進(jìn)入CCM模式例子：P9674w的常用輸入90VAC270VAC反激變換器，欲設(shè)計(jì)輸出為5A/10A和12V/2A。設(shè)計(jì)適宜的反激變壓器，假定開關(guān)頻率為150KHz，同時(shí)，盡量使用較經(jīng)濟(jì)的額定值為600V的

19、MOSFET。解：反激可簡(jiǎn)化為buckboost拓?fù)?，確定VOR和VZ最大輸入電壓時(shí)，加在變化器上的整流直流電壓是VINMAX*VACMAX=270=382VMosfet的額定電壓600v，裕量取30v，漏極的尖峰電壓為VINVZ382+ VZ570VZ188V，需選取標(biāo)準(zhǔn)的180v穩(wěn)壓管VZ /VOR1.4時(shí)，穩(wěn)壓管消耗明顯下降，那么VORVZ /1.4128V匝比假設(shè)5V輸出二極管正向壓降為0.6V，那么匝比為：nVOR/VOVD最大占空比理論值VINMIN*VACMAX=90=127VD= VOR /( VOR + VINMIN)=128/(128+127)=0.5這時(shí)為100效率一次

20、與二次有效負(fù)載電流假設(shè)輸出功率集中在5V，其負(fù)載電流為IO74/515A一次輸入負(fù)載電流為IORIO /n15/22.86占空比輸入功率PINPo/效率平均輸入電流IINPIN/VIN105.7/127IIN/DILR因?yàn)檩斎腚娏髦辉陂_關(guān)導(dǎo)通時(shí)才有IOR/1DILR因?yàn)檩敵鲭娏髦辉陂_關(guān)斷開時(shí)才有IIN/DIOR/1DDIIN /IINIOR一次和二次電流斜坡實(shí)際中心值二次電流斜坡中心值為集中功率時(shí)ILIO/1D15/10.559一次電流斜坡中心值ILRIL/n34.01/22.86峰值開關(guān)電流 那么IPK1r/2×ILR×1.488伏秒數(shù)輸入電壓為VINMIN時(shí)，VONVI

21、N127V導(dǎo)通時(shí)間tOND/f0.559/150*103µs所以伏秒數(shù)為EtVON×tON127×3.727473 Vµs一次電感LHEt/r* ILR473/0.5*1.488636µH磁心選擇P99，為經(jīng)驗(yàn)公式，待實(shí)踐磁心面積Ae2匝數(shù)如前面的電壓相關(guān)方程BLI/NA，那么NLI/BA，此時(shí)的B應(yīng)該為BLI伏秒數(shù)Et，B2 BAC2r BPK /r2鐵氧體磁心BPK那么有一次繞組匝數(shù)和書上的計(jì)算公式不一樣，需要公式變換npLI/B*AeEt/2r BPK /r2*A(1+2/r)*Et/(2 BPK*Ae)473*10-6(1+2/0.5)

22、/(2*0.3*1.11*10-4)匝2匝 取整數(shù)46匝實(shí)際的磁通密度變化范圍BLI/NAEt/ NA TBPKBr2磁隙磁芯間距導(dǎo)線規(guī)格和銅皮厚度選擇是個(gè)問題，后續(xù)看反激電源設(shè)計(jì)實(shí)例：34006820的待機(jī)局部，變壓器1100387720w待機(jī)電源5V/4A，超薄電源用，要求變壓器體積小，待機(jī)電流小于30mA，開關(guān)頻率67KHz，電壓輸入范圍85-264VAC，650V的芯片內(nèi)置MOSFET1，假設(shè) 效率 Po20WPinPo/2，DC電壓輸入范圍：最小輸入電壓VDCMIN*85120.19V，如下列圖，電容充電的問題，電壓有1015的變化，所以VDCMIN VDCMAX*3，確定最大占空比

23、DMAX在CCM下，一般D小于0.5，防止諧波振蕩。取典型值DMAX反射電壓VRODMAX/1DMAX×VDCMIN0.43/1-0.43*120.19公式原理是初級(jí)次級(jí)繞在同一個(gè)磁心上，其磁通總量相等P90變壓器的磁心面積一樣，不同的就是匝數(shù)初級(jí)的pBp*AeBs*Aes次級(jí)的磁通總量BpVt/NAVINtON/NpAeVDCMIN* DMAX /fNpAe 在開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間BsVo*tOFF/ NsAeVo+VF*1 DMAX /fNsAe 在開關(guān)斷開時(shí)間推出VDCMIN* DMAX /NpVo+VF*1 DMAX /Ns匝比nNp /Ns =VDCMIN* DMAX /Vo+VF

24、*1 DMAX 實(shí)際為14VROnVo+VF= VDCMIN* DMAX /1 DMAX 108.2*0.43/0.57V4，變壓器的初級(jí)電感Lp反激有CCM和DCM兩種工作模式，隨負(fù)載和輸入電壓的變化而變化，超薄電源為將變壓器最小化，將初級(jí)電感取小，在最小輸入電壓時(shí)，將電路工作在臨界導(dǎo)通模式，那么正常工作時(shí)都是在DCM模式。此時(shí)電流的紋波率r2LVON×tON/IVIN×D/f rILVIN×D/f r(PIN/ DVIN)(VINMIN×DMAX)2/ f rPIN*0.432/26.667*2*67*103H 實(shí)際600H5，確定磁芯和初級(jí)線圈的最

25、小匝數(shù)選擇磁心有有幾種不同的公式，有算磁心體積的，有算磁心截面積和開窗面積乘積的?？傊?，要適應(yīng)本電源的實(shí)際應(yīng)用，就要選擇扁平的磁心。?精通開關(guān)電源設(shè)計(jì)?提供的公式磁心體積Ve0.7*2+r2/r * PIN/f f單位為KHz p99Ve2229mm3實(shí)際選擇變壓器，要求是扁平的形狀，壓低高度，利于超薄電源設(shè)計(jì)。Np1+2/r*VON*D/2*BPK*Ae*f1+2/r*VINMIN*Dmax/2*BPK*Ae*f P100 P721+2/2*0.43/2*0.3*141*10-6*67*103規(guī)格書沒有磁心的Ae，實(shí)際測(cè)量的為Ae141mm2，供給商提供的實(shí)際變壓器為28匝6確定輸出匝數(shù)匝比

26、nNp/NsVRO/VoVF90.67/5.1+0.61 實(shí)際為14那么5V輸出的匝數(shù)為Ns/15.911.55 那么為2匝，1匝漏感大，實(shí)際是2匝那么Np2*15.9131.8232匝，實(shí)際28匝VCC匝數(shù)為nVCCVF/VoVF16+0.6/5.1+0.62.91NVCC2*2.915.826匝，實(shí)際為7匝磁心氣隙計(jì)算，也有不同的計(jì)算方式第5章 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比Vgs電壓增大，到超過MOSFET提供的最大負(fù)載電流值后，那么是“過驅(qū)動(dòng)，有助于減小導(dǎo)通電阻。MOSFET導(dǎo)通關(guān)斷的損耗過程P1451、 導(dǎo)通過程中，開關(guān)兩端電壓，直到電流轉(zhuǎn)換完成才開始變化。即VI有交迭2

27、、 關(guān)斷過程中，直到開關(guān)兩端電壓轉(zhuǎn)換完成，其電流轉(zhuǎn)換才開始導(dǎo)通損耗，mosfet的導(dǎo)通損耗與占空比有關(guān)，與頻率無關(guān)寄生電容有效輸入電容Ciss，輸出電容Coss，反向傳輸電容Crss，他們與極間電容的關(guān)系如下：CissCgsCgdCossCdsCgdCrssCgd那么有下式Ciss，Coss ，Crss在產(chǎn)品資料中有CgdCrssCgsCissCrssCdsCossCrss門極開啟電壓Vt，mosfet的柵極有開啟電壓，只有柵極電壓超過開啟電壓，才能使mosfet完全導(dǎo)通，即把流過mosfet的電流超過1mA時(shí)的狀態(tài)定義為導(dǎo)通狀態(tài)。所以傳導(dǎo)方程要改gId/Vgs gId/VgsVt如上圖簡(jiǎn)化模

28、型，mosfet導(dǎo)通和關(guān)斷各有4個(gè)階段P150導(dǎo)通是Id電流先增加t2，Vd電壓后減小t3。電流增加時(shí)間是對(duì)Cg充電從Vt到VtIo/g的時(shí)間。電壓減小的時(shí)間是利用Cgd流出電流驅(qū)動(dòng)電阻電流關(guān)斷是Vd電壓先增加t2，Id電流后減少t3。電壓增加時(shí)間是利用Cgd流出電流驅(qū)動(dòng)電阻電流；電流減少是Cg放電從VtIo/g到Vt的時(shí)間t1階段導(dǎo)通過程t1，Vgs從0上升到開啟電壓Vt，對(duì)CgCgsCgd充電關(guān)斷過程t1，Vgs下降到最大電流時(shí)電壓VtIo/g，CgCgsCgd放電t2階段，有交越損耗導(dǎo)通過程t2，Id從0上升到Iog*VgsVt，Vgs繼續(xù)上升到VtIo/g，對(duì)CgCgsCgd充電Vd因

29、漏感出現(xiàn)小尖峰，其余VdVin不變。t2是對(duì)Cg充電從Vt到VtIo/g的時(shí)間。關(guān)斷過程t2，Vgs被鉗位于VtIo/g不變，因?yàn)镮o不變，VgsVtIo×g也不變。所以Cgs沒有電流Vd從0變至Vin，所以有電流流過Cgd注入柵極，同時(shí)有同樣電流通過Rdrive流出。t2時(shí)間，由ICdv/dt /t由上行知道=VtIo/gVsat/Rdrive Vsat那么t2階段時(shí)間為Cgs×Vin×Rdrive/VtIo/gVsatt3階段，有交越損耗導(dǎo)通過程t3Vgs被鉗位于VtIo/g不變，因?yàn)镮dIo不變，VgsVtIo×g也不變。所以Cgs沒有電流Vd從V

30、in變至0，所以有電流流過Cgd流出柵極，同時(shí)有同樣電流通過Rdrive流入。用這個(gè)來計(jì)算該階段的時(shí)間。關(guān)斷過程t3Vgs由VtIo/g繼續(xù)下降到Vt，CgCgsCgd放電，Id從Iog*VgsVt下降到0Vd因漏感出現(xiàn)小尖峰，其余VdVin不變t4階段該階段，導(dǎo)通Vgs繼續(xù)Cg充電，關(guān)斷Cg繼續(xù)放電。其它不變柵荷系數(shù)，用來描述寄生緩沖電容的影響。目前都基于極間電容為定值來分析通斷 P155Idrive是驅(qū)動(dòng)電路，通過Rdrive的電流根據(jù)CQ/V，QgsCiss×VtIo/g Qgs將ICdV/dt代入t3Vin變化為0，QgdCgd×Vin Qgd單獨(dú)分析t3，將CQ/

31、V代入該點(diǎn)，QgCiss××VdriveQgdQg實(shí)際例子：假設(shè)開關(guān)管的工作條件是：電流22A、電壓15V、頻率500KHz。其最低驅(qū)動(dòng)電阻一個(gè)幅值4.5V的脈沖通過它作用于柵極是2。關(guān)斷時(shí)，開關(guān)管的關(guān)斷電阻是1。據(jù)此計(jì)算出其開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。CissQgs/VtIo/g8/1.05+22/1006299pF在指定的曲線上Ciss4200pF那么Ciss4200*1.56300pFCoss800*1.51200pFCrss500*1.5750pF那么CgdCrss750pFCgsCissCrss63007505550 pFCdsCossCrss1200750450 pFCgCgsCgd6300 pF導(dǎo)通時(shí)時(shí)間常數(shù)是TgRdrive×電流傳輸時(shí)間為t2Tg×In1Io/g×Vdrive×In122/100×電壓傳輸時(shí)間為t3Vin×Rdrive×Cgd/ 所以，導(dǎo)通過程的交叉時(shí)間是tcross_turn因此，導(dǎo)通的交叉損耗是P cross_turnon1/2×Vin×Io×tcross_turnon×fsw1/2*15*22*7.8*10-9*5*105關(guān)斷時(shí)時(shí)間常數(shù)是