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文檔簡介

1、材料化學(xué)1、下列情形可能發(fā)生的是( D )A、周武王穿著鐵制鎧甲伐紂 B、秦朝兒童春天放紙風(fēng)箏C、周朝末年農(nóng)民使用鐵質(zhì)鋤頭 D、東漢末年兒童放紙風(fēng)箏2、新科技革命三大支柱通常指( D )j能源;k交通;l通訊;m材料;n信息;A、jkl B、jln C、kln D、jmn3、古代青銅是銅和哪種金屬的合金( A )A、錫或鉛 B、鐵或鉻 C、鎂或鋁 D、金或銀4、基本固態(tài)材料包括( B )金屬材料;無機(jī)非金屬材料;高分子材料;復(fù)合材料A、 B、 C、 D、5、下列關(guān)于無機(jī)非金屬材料的敘述中不正確的是( A )A、熱和電的傳導(dǎo)性好,材料硬而韌B、可用于高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)C、包括陶瓷、玻璃、水泥、金剛石、

2、硅等D、半導(dǎo)體材料可用于制作發(fā)光二極管、晶體管等6、下列哪種材料的出現(xiàn)使得人類的電子時(shí)代進(jìn)入跨越式發(fā)展( B )A、高分子材料 B、半導(dǎo)體材 C、金屬材料 D、炭材料7、納米材料發(fā)展自( A ) A、20世紀(jì)80年代中期 B、20世紀(jì)70年代中期 C、20世紀(jì)60年代中期 D、20世紀(jì)50年代中期8、復(fù)合材料按照基體材料的種類來分,不包括( D ) A、聚合物基復(fù)合材料 B、金屬基復(fù)合材料 C、陶瓷基復(fù)合材料 D、夾層復(fù)合材料9、將材料分為結(jié)構(gòu)材料和功能材料,劃分依據(jù)為( C ) A、功能和用途 B、晶體結(jié)構(gòu) C、使用時(shí)對性能的側(cè)重點(diǎn) D、化學(xué)組成10、納米材料最可能不關(guān)注下列哪一性質(zhì)( C

3、)A、強(qiáng)度 B、韌性 C、抗疲勞性 D、磁性11、下列不屬于功能材料范疇的是( A ) A、無機(jī)非金屬材料 B、絕緣材料 C、導(dǎo)電材料 D、感光材料12、按材料的發(fā)展過程出現(xiàn)的先后順序,以下正確的是( A )A、天然材料、燒煉材料、合成材料、可設(shè)計(jì)材料、智能材料B、天然材料、燒煉材料、可設(shè)計(jì)材料、合成材料、智能材料C、天然材料、燒煉材料、合成材料、智能材料、可設(shè)計(jì)材料D、天然材料、可設(shè)計(jì)材料、燒煉材料、合成材料、智能材料13、煉鐵過程中焦炭的作用不包括( A ) A、吸附 B、還原 C、供熱 D、支撐14、關(guān)于復(fù)合材料敘述正確的是( C )1復(fù)合材料是由兩種或多種不同材料結(jié)合而成的2復(fù)合材料在

4、自然界中不常見3復(fù)合材料以一種材料為連續(xù)相,作為基體,其他材料作為分散相4復(fù)合材料既保留原組分材料的特性,又具有單一組分所無法獲得的特性A、1,2,3 B、1,2,3,4 C、1,3,4 D、1,2,415、下列關(guān)于材料的敘述錯(cuò)誤的是( B )A、是指具有使其能夠用于機(jī)械、結(jié)構(gòu)、設(shè)備和產(chǎn)品的性質(zhì)的物質(zhì)B、在使用過程中被轉(zhuǎn)變?yōu)閯e的物質(zhì)C、是指可重復(fù)、持續(xù)使用,除了正常損耗不會(huì)不可逆地轉(zhuǎn)變成別的物質(zhì)D、是人類生產(chǎn)和生活的物質(zhì)基礎(chǔ),是社會(huì)生產(chǎn)力發(fā)展的重要支柱16、三大合成高分子材料是( D )A、塑料、橡膠、陶瓷 B、陶瓷、纖維、橡膠C、纖維、橡膠、陶瓷 D、塑料、合成纖維、合成橡膠17、下列歷史時(shí)

5、期的正確排列順序是( B )A、鐵器時(shí)代、舊石器時(shí)代、青銅器時(shí)代、新石器時(shí)代B、舊石器時(shí)代、新石器時(shí)代、青銅器時(shí)代、鐵器時(shí)代C、舊石器時(shí)代、新石器時(shí)代、鐵器時(shí)代、青銅器時(shí)代D、青銅器時(shí)代、舊石器時(shí)代、新石器時(shí)代、鐵器時(shí)代18、把固態(tài)物質(zhì)分為晶體和非晶體的依據(jù)是( C )A、物質(zhì)的組成 B、物質(zhì)的性質(zhì)C、構(gòu)成物質(zhì)的微粒排列的有序性 D、構(gòu)成物質(zhì)的微粒的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)19、從乙烷分子的重疊構(gòu)象出發(fā),經(jīng)過非重疊非交叉構(gòu)象,最后變?yōu)榻徊鏄?gòu)象,點(diǎn)群的變化是( B )A、D3h-D3-D3d B、D3-D3h-D3d C、C3h-C3-C3v D、C3-C3h-C3v20、CH4分子所屬的點(diǎn)群為( B )A、D

6、4h B、Td C、Oh D、D4d21、晶族、晶系、點(diǎn)群、空間點(diǎn)陣、空間群的數(shù)目分別是( A )A、3、7、32、14、230 B、3、7、14、32、230C、3、5、32、14、230 D、3、7、24、32、20022、某元素的原子最外層只有一個(gè)電子,當(dāng)它跟鹵素結(jié)合時(shí)可形成的化學(xué)鍵為( C )A、一定是離子鍵 B、一定是共價(jià)鍵C、可能是離子鍵,也可能是共價(jià)鍵 D、以上說法都不正確23、下列原子間的鍵合作用既有飽和性又有方向性的是( D )離子鍵;金屬鍵;共價(jià)鍵;氫鍵A、 B、 C、 D、24、下列有關(guān)晶體和非晶體的說法錯(cuò)誤的是( A )A、晶體和非晶體都有整齊、規(guī)則的外形B、晶體具有各

7、向異性C、非晶體沒有固定的熔點(diǎn)D、非晶體由于微粒的排列是混亂的,表現(xiàn)為各向異性25、常溫下,F(xiàn)2和Cl2為氣體,I2為固體,主要是由于下列哪種因素決定的( D )A、氫鍵 B、誘導(dǎo)力 C、靜電力 D、色散力26、以下定義中不正確的是( C )A、晶體中質(zhì)點(diǎn)的中心用直線連起來構(gòu)成的空間格子,為晶格B、構(gòu)成晶格的最基本的幾何單元為晶胞C、晶胞的大小、形狀由邊長a、b、c(晶軸)和軸間夾角(、)確定,為晶體參數(shù)D、具有相同密勒指數(shù)的兩個(gè)相鄰平面之間的距離,為晶面間距27、C60是由( )構(gòu)成,屬于( )點(diǎn)群。( B )A、20個(gè)五邊形,12個(gè)六邊形;IhB、12個(gè)五邊形,20個(gè)六邊形;IhC、20個(gè)

8、五邊形,12個(gè)六邊形;OhD、12個(gè)五邊形,20個(gè)六邊形;Oh28、下列化合物中,既含有極性鍵又含有非極性鍵的物質(zhì)是( A )A、H2O2 B、NH4Cl C、Na2O2 D、CH429、立方晶系中晶軸、軸間夾角等晶格參數(shù)特征為( D )A、a=b=c,=90 B、a=bc,=90C、a=bc,=90,=120 D、a=b=c,=9030、以下所列操作與其對稱元素對應(yīng)關(guān)系正確的是( C )A、反映操作映軸B、旋轉(zhuǎn)反演操作旋轉(zhuǎn)軸C、反演操作對稱中心D、旋轉(zhuǎn)反映操作反軸31、Cn軸和通過該軸并與它平行的鏡面,存在n個(gè)鏡面,則鏡面的夾角為( A )A、2/2n B、2/n C、/2n D、/n32、

9、下列物質(zhì)既存在分子內(nèi)氫鍵,又存在分子間氫鍵的是( D )A、H2O B、HF2 C、對硝基苯酚 D、鄰硝基苯酚33、下列操作中屬于實(shí)操作的是( B )A、反映 B、旋轉(zhuǎn) C、反演 D、旋轉(zhuǎn)反映34、順式二氯二乙烯所屬的點(diǎn)群是( A )A、C2v B、C2 C、C2h D、C135、下列屬于d群的分子為( C )A、SF6 B、C8H8 C、(CH2)6N4 D、H2C=CH236、以下關(guān)于元素周期表中元素性質(zhì)變化規(guī)律的說法不正確的是( D )A、同一周期的主族元素,從左到右電離能逐漸增大B、同周期元素的電子親和勢從左到右呈增加趨勢C、同一周期的元素,從左到右電負(fù)性逐漸增大D、同族元素電負(fù)性從上

10、到下逐漸增大37、A1型的最密堆積對應(yīng)的晶格結(jié)構(gòu)是( A )A、面心立方 B、體心立方 C、六方最密堆積 D、簡單立方38、下列關(guān)于正交晶系的對稱元素說法正確的是( B )A、存在四個(gè)三次旋轉(zhuǎn)軸B、存在三個(gè)互相垂直的二次旋轉(zhuǎn)軸C、存在一個(gè)三次旋轉(zhuǎn)軸D、一個(gè)二次旋轉(zhuǎn)軸,鏡面對稱39、晶胞特征為a=bc,=90,則該晶胞所屬晶系為( C )A、正交晶系 B、斜方晶系 C、四方晶系 D、立方晶系40、下列鍵型鍵合強(qiáng)弱順序正確的最有可能是( A )A、離子鍵共價(jià)鍵金屬鍵氫鍵范德華力B、范德華力共價(jià)鍵離子鍵金屬鍵氫鍵C、離子鍵范德華力共價(jià)鍵金屬鍵氫鍵D、范德華力離子鍵共價(jià)鍵金屬鍵氫鍵41、下列結(jié)合鍵中,

11、既具有方向性又具有飽和性的是( D )離子鍵;共價(jià)鍵;金屬鍵;范德華力;氫鍵A、 B、 C、 D、42、下列說話正確的是( D )A、金屬晶體的最密堆積方式是體心立方 B、面心立方和體心立方結(jié)構(gòu)的配位數(shù)均為12C、CsCl型結(jié)構(gòu)是體心立方 D、六方密堆積結(jié)構(gòu)是堆積系數(shù)最大的堆積方式之一43、離子晶體中,正離子的配位數(shù)取決于( D )A、離子半徑之和 B、原子數(shù) C、負(fù)離子大小 D、正負(fù)離子半徑之比44、下列屬于晶體的是( B )A、玻璃 B、石英 C、橡膠 D、松香45、下列金屬晶體中既有體心立方結(jié)構(gòu),又有六方密堆積的是( D )注:題目不清楚,請根據(jù)書本P22頁做、Na 、a46、下列說法不

12、正確的是( C )、金屬鍵有方向性但無飽和性、在離子晶體的堆積結(jié)構(gòu)中心必須保持局域的電中性、離子晶體中配位多面體類型傾向于最少、正負(fù)離子半徑比越小,配位數(shù)就越低47、晶體中( C )晶系既無對稱軸也無對稱面A、單斜 B、菱方 C、三斜 D、六角48、不屬于化學(xué)鍵的是( D )A、離子鍵 B、共價(jià)鍵 C、金屬鍵 D、氫鍵49、晶體的雜質(zhì)缺陷中,雜質(zhì)原子進(jìn)入晶體可能是置換式的或者是間歇式的,這主要取決于( A )A、雜質(zhì)原子與基質(zhì)原子幾何尺寸的相對大小和電負(fù)性B、雜質(zhì)原子幾何尺寸大小C、基質(zhì)原子幾何尺寸大小D、基質(zhì)原子的電負(fù)性50、下列產(chǎn)品中不是以硅酸鹽為主要生產(chǎn)材料的是( C )A、水泥 B、玻

13、璃 C、壓電陶瓷 D、耐火材料51、對于晶體性質(zhì)影響最嚴(yán)重的缺陷應(yīng)該是( D )A、點(diǎn)缺陷 B、線缺陷 C、面缺陷 D、體缺陷52、下列缺陷中屬于線缺陷的是( B )A、空位 B、位錯(cuò) C、夾渣 D、晶界53、1999年美國Science雜志報(bào)道:在40GPa高壓下,用激光器加熱到1800K,成功制得了原子晶體干冰,下列推斷正確的是( B )A、原子晶體干冰有很高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn),有很大的硬度B、原子晶體干冰易汽化,可用作制冷材料C、原子晶體干冰硬度小,不能用作耐磨材料D、每摩爾原子晶體干冰含2molC-O鍵54、金剛石屬立方晶系,C的配位數(shù)為( ),每個(gè)晶胞中共( C )個(gè)C原子。A、6,6 B

14、、4,6 C、4,8 D、6,855、下列物質(zhì)的熔點(diǎn)均按由高到低排列,其中化學(xué)鍵相同,僅因鍵能大小影響其熔點(diǎn)的是( B )A、Al,Na,干冰 B、金剛石,碳化硅,晶體硅C、碘化氫,溴化氫,氯化氫 D、二氧化硅,二氧化碳,一氧化碳56、下列不屬于共價(jià)晶體的是( B )A、金剛石 B、剛玉 C、晶體硅 D、碳化硅57、對普通硅酸鹽熔體,隨溫度升高,表面張力( A )A、降低 B、升高 C、不變 D、可能升高也可能降低58、下列關(guān)于金屬固溶體的表述,不正確的是( D )A、可看為晶態(tài)固體下的“溶液” B、溶質(zhì)含量可適當(dāng)變化C、有明顯的金屬性質(zhì) D、是非均相的59、Al2O3少量Al3+被下列哪個(gè)離

15、子取代后呈現(xiàn)紅色( B )A、Fe3+ B、Cr3+ C、Ti3+ D、Fe2+60、下列關(guān)于高分子材料耐老化性能的表述不正確的是( C )A、羰基化合物易吸收紫外光而被氧化分解B、聚四氟乙烯由于氟原子與碳原子形成牢固的化學(xué)鍵而具有極好的耐老化性C、分子鍵中含有不飽和鍵可提高高分子材料的耐老化性D、加入適當(dāng)?shù)目寡趸瘎┖凸夥€(wěn)定劑可提高高分子材料的抗氧化性能61、對高分子材料來說,無定形高分子通常都無色透明,光透過率高,而高度結(jié)晶的高分子不透明或透明性差,這是由于晶粒對光的( A )A、散射作用 B、反射作用 C、折射作用 D、透射作用62、下列材料中,一般具有較好的酸堿耐受性的為( C )A、無

16、機(jī)非金屬材料 B、金屬材料 C、高分子材料 D、金屬氧化物63、下列物質(zhì)的老化性能按由大到小排列正確的是( B )、聚四氟乙烯、聚丙苯、聚乙烯 、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙苯、聚乙烯、聚丙苯、聚四氟乙烯 、聚丙苯、聚乙烯、聚四氟乙烯64、在i中摻雜適量的,s等,材料的導(dǎo)電性將( C )、不變、降低、增加、不確定65、下列不屬于e的電化學(xué)腐蝕過程的是( D )、ee+e 、2O+2O2+2e2OH- 、e2+2OH-Fe(OH)2 、FeFe3+3e66、紅寶石和藍(lán)寶石是在Al2O3中分別加入( B )形成的、Ti3+ Cr3+ 、Cr3+ Ti3+ 、Cu2+ Cr3+ 、Ti3+ Fe3+ 6

17、7、材料的尺度隨溫度的變化稱為( C )、熱熔 、熱傳導(dǎo)、熱膨脹、熱導(dǎo)率68、半導(dǎo)體能夠?qū)щ姷脑蚴牵?A ) A、 禁帶較窄 B、 無禁帶 C、 價(jià)帶未滿 D、 價(jià)帶與空帶相互重疊69、下列材料中( A )的熱導(dǎo)率最低 A、 高分子材料 B、 金屬材料 C、 無機(jī)陶瓷 D、 半導(dǎo)體材料70、享有“第三金屬”和“未來的金屬”稱號(hào)的是( C ) A、 鋁合金 B、 鐵錳鋁合金鋼 C、 鈦合金 D、 奧氏體不銹鋼71、下列光纖材料中抗彎曲和沖擊性能最好的是( D ) A、 石英光纖 B、 多元氧化物光纖 C、 晶體光纖 D、 聚合物光纖72、孔隙率增大,材料的( B )降低 A、 真密度 B、 表

18、觀密度 C、 憎水性 D、 抗凍性73、下列材料中硬度最低的材料最有可能是( C )A、金剛石 B、無機(jī)非金屬材料 C、高分子材料 D、金屬材料74、鋪設(shè)鋼軌時(shí),兩條鋼軌接頭處要留有間隙,這是考慮到鋼的( D )的影響A、導(dǎo)熱性 B、導(dǎo)電性 C、磁性 D、熱膨脹性75、下列關(guān)于材料耐有機(jī)溶劑的敘述錯(cuò)誤的是( D )A.金屬材料和無機(jī)非金屬材料有良好的耐有機(jī)溶劑性能B.高分子材料需考慮對有機(jī)溶劑的耐受性C.熱塑型高分子材料一般由線性高分子構(gòu)成很多有機(jī)溶劑可將其溶解D.交聯(lián)高分子在有機(jī)溶劑中能溶解,能熔融76、下列關(guān)于埃靈罕姆圖的敘述正確的是( C )A、金屬氧化物的G-T曲線越在上方,其穩(wěn)定性越

19、低B、給定溫度下,位于上方的G-T曲線所對應(yīng)的元素能使下方G-T曲線的金屬氧化物還原C、所研究的氧化還原反應(yīng)兩條直線間的距離在給定溫度下就代表了反應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)自由能變化GD、C與O2反應(yīng)生成CO2,此反應(yīng)在圖中為一條斜率為負(fù)的直線77、Cu-Ni合金形成的相圖為勻晶相圖,在兩相平衡區(qū)中,獨(dú)立變量數(shù)為( D )A、2 B、0 C、3 D、178、對于H=Qp,下列敘述中正確的是( D )A、 因?yàn)镠=Qp,所以Qp也有狀態(tài)函數(shù)的性質(zhì)B、 因?yàn)镠=Qp,所以焓可被認(rèn)為是體系所含的熱量C、 因?yàn)镠=Qp,所以定壓過程中才有焓變D、 在不做非體積功條件下,定壓過程所吸收的熱量,全部用來增加體系的焓值79、

20、三元凝聚態(tài)體系中,最多可能存在的相數(shù)和最大的自由度數(shù)分別為( B )A、 3,4 B、 5,4 C、 4,3 D、 6,380、在定壓條件下,NaCl晶體和蔗糖晶體與它們的飽和水溶液平衡共存時(shí),獨(dú)立組分?jǐn)?shù)和條件自由度f分別是( A )A、 C=3 F=1 B、 C=3 F=2 C、 C=4 F=2 D、 C=4 F=381、體系的自由度為零,意味著( C )A、獨(dú)立組分?jǐn)?shù)等于相數(shù) B、體系的狀態(tài)不變C、確定體系相平衡所需的最少強(qiáng)度變量數(shù)為零 D、三相共存82、下列關(guān)于埃靈罕姆圖說法錯(cuò)誤的是( C )A、當(dāng)反應(yīng)過程中不存在物質(zhì)狀態(tài)變化時(shí),G-T為近似線性關(guān)系B、金屬氧化物形成過程中,反應(yīng)物中有氣

21、體O2,生成物為固體,所以S0C、C氧化成CO2的反應(yīng)G-T斜率為正D、埃靈罕姆圖為材料的制備和使用以及新材料的研究發(fā)展提供依據(jù)83、從材料熱力學(xué)的埃靈罕姆圖,可知下列說法錯(cuò)誤的是( D )A、Mn可還原ZnO B、低于1000時(shí),Pb可還原Cu2OC、Ca可以還原MgO D、Al可以還原CaO84、下面給出的函數(shù)中哪些是熱力學(xué)狀態(tài)函數(shù)( B )1焓H 2熵S 3吉布斯自由能G 4熱U 5功W A、1,2,3,4,5 B、1,2,3,4 C、1,3,4,5 D、1,2,385、下列關(guān)于二元金屬相圖中共晶點(diǎn)的表述錯(cuò)誤的是( B )A、共晶點(diǎn)處同時(shí)析出兩種晶體 B、共晶點(diǎn)析出兩種晶體不遵從杠桿原則

22、C、共晶點(diǎn)處發(fā)生的反應(yīng)生成共晶體 D、共晶反應(yīng)線為水平線86、下列關(guān)于相圖說法正確的是( D )A、在二元相圖中,相鄰相區(qū)的相數(shù)相差2 B、三相平衡水平線可以與單相區(qū)直線接觸C、三相線與單相區(qū)無點(diǎn)接觸 D、三相線與三個(gè)兩相區(qū)相鄰87、已知A和B可構(gòu)成固溶體,在A中,若加入B可使A的熔點(diǎn)提高。則B在此固溶體中的含量應(yīng)( A )B在液相中的含量A、大于 B、等于 C、小于 D、不等于88、下列不屬于化學(xué)熱力學(xué)的范疇是( B )A、化學(xué)系統(tǒng)在各種條件下的物理過程和化學(xué)變化伴隨著能量轉(zhuǎn)化所遵循的規(guī)律B、化學(xué)系統(tǒng)的微觀性質(zhì)和行為C、材料變化過程中進(jìn)行的方向D、材料變化過程中進(jìn)行的限度89、下列相圖中,含

23、有由兩種互不相溶的液體組成的兩相區(qū)(L1+L2)的是( B )A、二元均晶相圖 B、二元偏晶相圖 C、二元共晶相圖 D、二元包晶相圖90、1mol理想氣體,從同一始態(tài)出發(fā)經(jīng)過絕熱可逆壓縮和絕熱不可逆壓縮到系統(tǒng)壓力相同的終態(tài),終態(tài)的熵分別為S1和S2,則S1和S2的關(guān)系為( B )A、S1=S2 B、S1S2 D、S1S291、下列關(guān)于溶膠-凝膠法的特點(diǎn)敘述錯(cuò)誤的是( B )A、溶膠-凝膠法反應(yīng)容易進(jìn)行,溫度較低B、所使用的材料便宜,有些原料為有機(jī)物,對健康無害C、此方法容易均勻的摻入一些微量元素,實(shí)現(xiàn)分子水平上的均勻摻雜D、通常反應(yīng)過程所需的時(shí)間較長,長達(dá)數(shù)天或數(shù)周92、非晶金屬材料的制備一般

24、采用的方法是( A )A、液相驟冷法 B、溶膠-凝膠法 C、化學(xué)氣相沉積法 D、自蔓延高溫合成法93、材料制備方法中,PVD和CVD的中文全稱分別是( C )A、物理氣相沉積法和復(fù)合沉積法B、化學(xué)氣相沉積法和物理氣相沉積法C、物理氣相沉積法和化學(xué)氣相沉積法D、水溶液法和光化學(xué)氣相沉積法94、生長紅寶石和藍(lán)寶石,所采用的方法最可能是( D )A、提拉法 B、區(qū)熔法 C、液相外延法 D、焰熔法95、下列說法錯(cuò)誤的是( D )A、真空蒸鍍技術(shù)最早由M提拉法提出的B、CVD技術(shù)按照氣體壓力大小可分為APCVD、LPCVD、SACVD、UHCVDC、CVD所涉及的反應(yīng)主要有熱分解、氫還原、碳化和氮化等反

25、應(yīng)D、固態(tài)與固態(tài)反應(yīng)不可能轉(zhuǎn)變成氣態(tài)與固態(tài)反應(yīng)96、在陰極濺射法中,通入的惰性氣體一般是( C )A、氮?dú)?B、氦氣 C、氬氣 D、氖氣97、大的堿鹵化物及氟化物等光學(xué)晶體最適宜用( B )方法生長A、提拉法 B、坩堝下降法 C、區(qū)熔法 D、焰熔法98、化學(xué)氣相運(yùn)輸過程的表達(dá)式為( B )A、 B、C、 D、 99、水晶主要用( B )來合成A、高溫溶液生長法 B、水熱法 C、焰熔法 D、水溶液法100、固相反應(yīng)中,物料顆粒尺寸愈小,其比表面愈( ),反應(yīng)界面和擴(kuò)散界面愈( A )A、大,大 B、大,小 C、小,小 D、小,大101、下列合成方法中,可以避免晶體相變引起物理缺陷的是( B )A

26、、氣相沉積法 B、水熱法 C、自蔓延高溫合成法 D、提拉法102、下列關(guān)于鍍膜說法不正確的是( C )見書本P93頁A、真空鍍膜密度低 B、離子鍍膜附著力大 C、離子鍍膜氣孔多 D、真空鍍膜附著力較差103、下列關(guān)于水熱法合成晶體說法不正確的是( D )A、用水熱法可在較低的溫度下實(shí)現(xiàn)單晶體的生長B、用水熱法制備的粉體晶粒發(fā)育完整、粒徑小且分布均勻C、可以得到合適的化學(xué)計(jì)量物和晶粒形態(tài)D、水熱法可用于制備堿鹵化物及氟化物等晶體104、下列關(guān)于晶體生長認(rèn)識(shí)錯(cuò)誤的是( B )A、熔體生長法是使熔體達(dá)到一定的過冷度而形成晶體B、提拉法中,籽晶先垂直生長,后徑向生長C、溶液生長法是使溶液達(dá)到一定的過飽

27、和度而析出晶體D、焰熔法的缺點(diǎn)是生長的晶體內(nèi)應(yīng)力很大105、高溫溶液生長發(fā)生長晶體常用的溶劑有( C )丙酮 液態(tài)金屬 離子溶液 熔融無機(jī)化合物A、 B、 C、 D、106、下列關(guān)于液相外延法制備晶體材料表述錯(cuò)誤的是( A )A、常用來生長納米膜B、可得到逐層外延不同成分的單晶膜C、晶體生長速率快D、下層位錯(cuò)密度通常低于襯底位錯(cuò)密度107、下列關(guān)于沉淀法表述錯(cuò)誤的是( A )A、液相沉淀法不需要加沉淀劑B、尿素是均勻沉淀法中常用的一種沉淀劑C、共沉淀法可以獲得兩種以上金屬的復(fù)合氧化物D、液相沉淀法可分為直接沉淀法、共沉淀法、均勻沉淀法水解法等108、CVD法中常用的原材料不包括( A )A、金

28、屬氧化物 B、金屬鹵化物 C、碳?xì)浠衔?D、有機(jī)金屬109、下列關(guān)于溶液生長法中敘述錯(cuò)誤的是( D )A、溶液生長法制備單晶的主要原理是使溶液達(dá)到過飽和狀態(tài)而結(jié)晶B、升高或降低溫度能使溶液達(dá)到過飽和狀態(tài)C、采用蒸發(fā)等方法移去溶劑,使溶液濃度增高而達(dá)到過飽和狀態(tài)D、溶液生長法主要有液相外延法、水熱法、高溫溶液生長發(fā)和水溶液法等110、1864年,法國科學(xué)家( B )用SiCl4和乙醇混合后,發(fā)現(xiàn)在濕空氣中發(fā)生水解形成了凝膠A、W.Geffcken B、J.JEbelman C、B.E.Yoldas D、M.Yamane111、下列關(guān)于固相反應(yīng)的特點(diǎn)敘述錯(cuò)誤的是( C )A、固相法應(yīng)是固態(tài)直接參

29、與的化學(xué)反應(yīng)B、固態(tài)反應(yīng)一般包括固相界面上的反應(yīng)和物質(zhì)遷移兩個(gè)過程C、在固相法應(yīng)中,氣體或液體對反應(yīng)所起作用較大D、其反應(yīng)開始溫度常遠(yuǎn)低于反應(yīng)物的熔點(diǎn)或系統(tǒng)低共熔溫度112、固相反應(yīng)過程涉及相界面的化學(xué)反應(yīng)和相內(nèi)部或外部的物質(zhì)擴(kuò)散等若干環(huán)節(jié),影響固相反應(yīng)的因素可能有( D )溫度壓力反應(yīng)物的化學(xué)組成反應(yīng)物的特性反應(yīng)物的結(jié)構(gòu)狀態(tài)影響晶格活化的因素A、 B、 C、 D、113、下列關(guān)于均勻沉淀說法錯(cuò)誤的是( C )A、均勻沉淀是通過化學(xué)反應(yīng)使沉淀劑在整個(gè)溶液中緩慢生成B、均勻沉淀法可獲得粒子均勻、夾帶少、純度高的超細(xì)粒子C、氧化物納米粉體的制備中常用的沉淀劑為氨水D、硫化物的制備可采用硫代乙酰胺作

30、硫源114、對于能夠進(jìn)行的純固相反應(yīng)有( B )A、H0 B、H多晶微晶非晶118、對于氧化物納米粉體的制備,所用的沉淀劑可能是( D )A、NH3H2O B、NaOH C、Na2CO3 D、CO(NH3)2119、利用現(xiàn)有晶體材料為基礎(chǔ),有選擇性地移去某些原子制備新材料的方法是( B )A、CVD法 B、反插層法 C、SHS法 D、插層法120、固相反應(yīng)中使用的礦化劑。其作用主要有( C )改變反應(yīng)機(jī)制,降低反應(yīng)活化能影響晶核生長速率影響結(jié)晶速率及晶格結(jié)構(gòu)降低其體系溫度,改善液相性質(zhì)A、 B、 C、 D、121、溶膠-凝膠法中組分的擴(kuò)散在( B )范圍內(nèi),因此反應(yīng)容易進(jìn)行,溫度較低。A、厘米

31、 B、納米 C、微米 D、毫米122、利用某一化學(xué)反應(yīng)使溶液中的構(gòu)晶離子由溶液中緩慢均勻釋放出來的方法是( A )A、均勻沉淀法 B、直接沉淀法 C、共沉淀法 D、水解法123、下列關(guān)于液相沉積法的表述錯(cuò)誤的是( D )A、液相沉積法可分為直接沉淀法、共沉淀法、均勻沉淀法和水解法B、共沉淀法可獲得含兩種以上金屬元素的復(fù)合物C、均勻沉淀法通常通過化學(xué)反應(yīng)使沉淀劑在整個(gè)溶液中緩慢生成D、直接沉淀法得到的粒子粒徑分布較窄,分散性較好124、下列關(guān)于固相反應(yīng)的說法錯(cuò)誤的是( B )A、化學(xué)組成是影響固相反應(yīng)的內(nèi)因,是決定反應(yīng)方向和速度的重要條件B、反應(yīng)速率參數(shù)數(shù)值正比于顆粒半徑的平方C、一般可認(rèn)為溫度

32、升高有利于反應(yīng)進(jìn)行D、礦化物也會(huì)影響固相反應(yīng)125、下列關(guān)于非晶態(tài)金屬材料表述錯(cuò)誤的是( C )A、在熱力學(xué)上處于亞穩(wěn)態(tài) B、主要制備方法為液相驟冷法C、與晶態(tài)金屬相比,微觀結(jié)構(gòu)上有序度更高 D、急冷噴鑄技術(shù)可制備非晶金屬帶126、從位置上來說,SHS反應(yīng)的某一瞬間可以將反應(yīng)體系燃燒波反向劃分為( C )A、起始原料、預(yù)熱區(qū)、放熱區(qū)、結(jié)構(gòu)化區(qū)、完全反應(yīng)區(qū)和最終產(chǎn)物B、起始原料、放熱區(qū)、預(yù)熱區(qū)、完全反應(yīng)區(qū)、結(jié)構(gòu)化區(qū)和最終產(chǎn)物C、起始原料、預(yù)熱區(qū)、放熱區(qū)、完全反應(yīng)區(qū)、結(jié)構(gòu)化區(qū)和最終產(chǎn)物D、起始原料、放熱區(qū)、預(yù)熱區(qū)、結(jié)構(gòu)化區(qū)、完全反應(yīng)區(qū)和最終產(chǎn)物127、固相反應(yīng)一般包括( B )兩個(gè)過程A、所有離子

33、的擴(kuò)散過程、界面上反應(yīng)過程 B、界面上反應(yīng)過程、物質(zhì)遷移過程C、接觸過程、界面上反應(yīng)過程 D、接觸過程、物質(zhì)遷移過程128、下列不屬于純鐵的同素異形體的是( B )A、-Fe B、-Fe C、-Fe D、-Fe129、以下四類金屬中不屬于黑色金屬的是( D)A、鐵B、錳C、鉻D、鈀130、下列關(guān)于金屬材料的說法中,錯(cuò)誤的是( B )A、金屬鍵的實(shí)質(zhì)就是眾多的金屬陽離子與眾多自由電子間的相互電性作用B、與常規(guī)晶體材料不同,金屬晶體結(jié)構(gòu)中不存在晶格缺陷C、金屬材料最常見的結(jié)構(gòu)形態(tài)為晶型結(jié)構(gòu)D、根據(jù)加工條件不同,有些金屬可能有兩種或三種晶格131、熱力學(xué)溫度Tm是( A ) A、金屬熔點(diǎn) B、晶格轉(zhuǎn)

34、變溫度 C、使用溫度上限 D、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度132、作為氫化物電極的儲(chǔ)氫合金必須滿足的基本要求是( A )在酸性電解質(zhì)溶液中良好的化學(xué)穩(wěn)定性 高的陰極儲(chǔ)氫量 合適的室溫平臺(tái)壓力 良好的電催化活性和抗陰極氧化能力 良好的電極反應(yīng)動(dòng)力學(xué)特性 A、 B、 C.、 D、133、當(dāng)代文明的三大支柱不包括( C ) A、信息技術(shù) B、能源 C、化石燃料 D、材料134、密度大于4.5 g/cm3 的有色金屬稱為重有色金屬,下列不是重有色金屬的是( B )A、鎳 B、鈣 C、銅 D、鈷135、習(xí)慣上區(qū)別鐵和鋼的含碳量是 ( B ) A、1.2% B、2.11% C、2.5% D、6.67%136、銅只有通過

35、冷加工并經(jīng)過隨后加熱能使晶粒細(xì)化,而鐵則不需冷加工,只需加熱到一定溫度即可使晶粒細(xì)化,其原因是( C )A、鐵總是存在加工硬化,而銅沒有 B、銅有加工硬化現(xiàn)象,而鐵沒有C、鐵在固態(tài)下有同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變,而銅沒有 D、鐵和銅的再結(jié)晶溫度不同137、從金屬學(xué)的觀點(diǎn)來看,冷加工和熱加工是以( D )溫度為界限區(qū)分的。A、結(jié)晶 B、再結(jié)晶 C、常溫 D、相變138、將鋼加熱到發(fā)生相變的溫度,保溫一定時(shí)間,然后緩慢冷卻到室溫的熱處理為( A )A、退火 B、淬火 C、回火 D、正火139、下列有關(guān)儲(chǔ)氫合金說法不正確的一項(xiàng)是( B )A、儲(chǔ)氫合金做儲(chǔ)氫容器具有重量輕,體積小的優(yōu)點(diǎn)B、鎂系合金有很高的儲(chǔ)氫密度,

36、放氫溫度低,吸放氫速度快C、目前發(fā)展的儲(chǔ)氫合金,主要有鈦系儲(chǔ)氫合金,鋯系儲(chǔ)氫合金,鐵系儲(chǔ)氫合金及稀土系儲(chǔ)氫合金D、儲(chǔ)氫合金目前在應(yīng)用時(shí)初始活化比較困難140、非晶態(tài)金屬材料屬于( A )的體系A(chǔ)、熱力學(xué)上亞穩(wěn)定,動(dòng)力學(xué)上穩(wěn)定 B、熱力學(xué)穩(wěn)定,動(dòng)力學(xué)上穩(wěn)定C、熱力學(xué)上穩(wěn)定,動(dòng)力學(xué)上亞穩(wěn)定 D、熱力學(xué)上亞穩(wěn)定,動(dòng)力學(xué)上亞穩(wěn)定141、下列關(guān)于超低溫合金說法錯(cuò)誤的是( D )A.在合金材料中加入適量的Ni可以有效防止低溫脆性B.帶有磁性的合金不能用于超低溫材料C.采用面心立方結(jié)構(gòu)的金屬可防止低溫脆性D.在鐵錳鋁合金鋼中添加硅,既可增加材料的耐腐蝕性,又有助于保持奧氏體結(jié)構(gòu)142、耐熱合金又稱高溫合金,

37、它對于在高溫條件下的工業(yè)部門和應(yīng)用技術(shù),有著重大的意義,最具有代表性的領(lǐng)域包括航天航空發(fā)動(dòng)機(jī)燃燒及相關(guān)零部件制造。下列關(guān)于耐熱合金性質(zhì)敘述錯(cuò)誤的是( D )A.超耐熱合金在7001200高溫下仍能長時(shí)間保持所需力學(xué)性能B.在高溫下應(yīng)具有優(yōu)良的抗腐蝕性能 C.在高溫下應(yīng)具有較高的強(qiáng)度和韌性D.高熔點(diǎn)是超耐熱合金的充分條件143、金屬材料是人類認(rèn)識(shí)和開發(fā)利用較早材料之一,公元前300年出現(xiàn)的( A ),即被認(rèn)為是最早的人工合成材料。A.青銅器 B.鐵器 C.紅銅 D.陶器144、下列方法屬于化學(xué)儲(chǔ)氫的是( C )A.液氫儲(chǔ)存 B.活性炭吸附儲(chǔ)氫 C.金屬氫化物儲(chǔ)氫 D.碳纖維儲(chǔ)氫145、半徑較小的

38、碳原子可進(jìn)入鐵的晶格中,在一定條件下形成多種相態(tài)的合金結(jié)構(gòu),下列關(guān)于合金結(jié)構(gòu)敘述錯(cuò)誤的是( D )A. 奧氏體不具有磁性,塑性好,其溶碳能力較大B. 馬氏體晶體為體心四方結(jié)構(gòu),且馬氏體鋼具有較高的強(qiáng)度和硬度C. 鐵素體的力學(xué)性能是塑性、韌性好,而強(qiáng)度、硬度低D. 滲碳體既有較高的硬度,其塑性,韌性也較好146、物體不但能記憶高溫的形狀,而且能記憶低溫的形狀,當(dāng)溫度在高低溫反復(fù)變化時(shí),物體的形狀也有自動(dòng)反應(yīng)在兩種形狀之間變化,這是記憶合金的( A )特征。A、可逆記憶 B、一次記憶 C、全方位記憶 D、自動(dòng)記憶147、下列哪項(xiàng)是CVD合成晶體的優(yōu)點(diǎn)( B )具有高的沉積速度,并可獲得厚的涂層 大

39、于99.9%之高密度鍍層,有良好的真空密封性 PCD設(shè)備比CVD簡單、經(jīng)濟(jì) 可控制晶粒大小與微結(jié)構(gòu)A、 B、 C、 D、金屬晶體中,哪兩種密堆積結(jié)構(gòu)的配位數(shù)相同( B )A、A1和A2 B、A1和A3 C、A2和A3 D、都不相同149、常見的堿金屬一般屬于哪種結(jié)構(gòu)( B )A、面心立方 B、體心立方 C、立方密堆積 D、A1150、以下各項(xiàng)屬于固相反應(yīng)的熱力學(xué)方面的因素是( B )A、反應(yīng)物的形態(tài) B、反應(yīng)物比例 C、化學(xué)組成 D、顆粒尺寸151、下列具有順磁性的物質(zhì)是( A )A、 Al B、 Hg C 、Cu D、 MgO152、首個(gè)商業(yè)化的全合成高分子材料是( C )A、尼龍 B、硝酸纖維素 C、電木 D、聚

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