IRF540中文數(shù)據(jù)手冊

1、IRF540N溝道MOS管QUICK REFERENCE DATA"匚5呂士 100 V= 23 A上 77 mQ特性'Thrench'工藝低的導(dǎo)通內(nèi)阻快速開關(guān)低熱敏電阻綜述使用溝渠工藝封裝的N通道增強型場效應(yīng)功率晶體管應(yīng)用：DC到DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電視及電腦顯示器電源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常規(guī)鉛的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(DPAK)表面安裝的包裹。管腳管腳描述1Gate2Drain3SourceTabDrain30178(TO220AB)極限值系統(tǒng)絕對最大值依照限制值符號參數(shù)條件最小值最大值單位V_DSS漏源極電壓Tj=

2、25?Cto175?C-100VV_DGR漏門極電壓Tj=25?Cto175?C;-100VV_GS門源極電壓RGS=20k?-±20VI_D連續(xù)漏電流-23ATmb=25?C;VGS=10-16AI_DM脈沖漏電流V-92AP_D總功耗Tmb=100?C;VGS=10-100WTj,Tsig操作點和V-55175C存儲溫度Tmb=25?CTmb=25?C雪崩能量極限值符號參數(shù)條件最小值取大值單位Eas非重復(fù)性雪Unclampedinductiveload,IAS=10-230mJIAS崩能量A;最大非重復(fù)tp=350sTjpriortoavalanche=-23A性雪崩電流25?C

3、;VDD<25V;RGS=50?;VGS=10V;refertofig:14熱敏電阻符號參數(shù)條件最小值典型值取大值單位Rthjmb安裝底座交界-1.5K/WRthja處的熱阻周圍環(huán)境熱阻SOT78封裝，自由空間-60-K/WSOT404封裝,PCB上-50-K/W電特性25c除非另有說明符號參數(shù)條件最小值典型值取大值單位V(BR)DSSVgs(to)漏源極崩潰電壓門閥電壓VGS=0V;ID=0.25mAGSDDTj=-55?C100892-3-4VVVVDS=VGS;ID=1mATj=175?C1-V漏源極導(dǎo)通電阻Tj=-55?C-6VRDS(ON)VGS=10V;ID=17A-4977

4、mQ向前跨導(dǎo)Tj=175?C132193mQgfs門源極泄漏電流VDS=25V;ID=17A8.715.5-SIGSS0門極電壓漏電流VGS=±20V；VDS=0V-10100nAIDSSVDS=100V;VGS=0V-0.0510uAVDS=80V;VGS=0V;Tj=-250uA175?CQg(tot)總共門極電荷ID=17A-65nCQgs門源極電荷VDD=80V;-10nCQgd門漏極電荷VGS=10V-29nCTdon開啟延遲時間VDD=50V;Rd=2.2?;-8-nsTr開啟上沿時間VDD=10V;Rg=5.6?-39-nsTdoff關(guān)閉延遲時間Resistiveloa

5、d-26-nsTf關(guān)閉卜沿時間-24-nsLd內(nèi)部漏電）感Measuredtabtocentreofdie-3.5-nHLd內(nèi)部漏電）感Measuredfromdrainleadto-4.5-nHcentreofdie(SOT78packageLs內(nèi)部源極電感only)Measuredsourcebondpadfromsourceleadto-7.5-nHCiSS輸入電容Vgs=0V;Vds=25V;f=1-8901187pFCoSS輸出電容MHz-139167pFCrSS反饋電容-83109pF反向二極管極限值及特性符號參數(shù)條件最小值典型值取大值單位IS連續(xù)源極電流IF=28A;-23AIS

6、MVgs=0VVds脈沖源極電流-92A二極管正向電壓-0.941.5Vtrr反向恢復(fù)之間If=17A;VGS=0V;-61-nsQrr反向恢復(fù)命令-dIF/dt=100A/us;VR=25V-200-nCWord專業(yè)資料Fig.1*Normalisedpowerdissipation.PD%=100PD/PD25V=f(T)底座溫度-自然功率降低百分比圖i：自然功率損耗圖2:自然持續(xù)漏電流Fig3Safeoperatingarea.Tmb=25'ClD&'dm=f(VDs)；s/ngtepulse;parametert。漏源極電壓-脈沖漏極電流峰值脈寬圖3:安全操作區(qū)

7、域Pulsewidth,tp(s)林鋪Fig.4.Transientthermalimpedance,乙切-=f(t)；ParameterD=t/T瞬態(tài)熱阻抗圖4:瞬態(tài)熱阻抗012315678910Drain Source Vo tage, VDS (V)Drain Current, ID (A)555。4540353C2520151050Fig,5,Typicaloutputcharactenstics,25C.b=Wos)漏源極電壓-漏極電流圖5:典型輸出特性Fig.6.Typicalon-stateresistance,Ti=25CR網(wǎng)on產(chǎn)Wd)111- in v Esrv-a、一 H

8、L> AEUOl JJ7/;l一f j17 4 C _L/Ti =7 je p J? /一 一 一Drain current. ID (A)圖6:典型導(dǎo)通阻抗30282624222018161412108620012345678910Gate-sourcevoltage,VGS(V)Fig.7、Typicaltransfercharacteristics.Id=Wgs)圖7:典型傳遞特性Fig. 8. Typical transconductance, T= 25 C. g玷=f(后圖8:典型跨導(dǎo)2.92.72.5232.11.91.71.5131.10.90.70.5Normalise

9、d On-sTate Resistance-6040-20020406。8010012014Q160180Junctiontemperature,Tj(C)Fig.9.Normaliseddrain-sourceon-stateresistance.ds(on/ds(on)25c=圖9:漏源極導(dǎo)通阻抗Fig.10.Gatethresholdvoltage.gs(tq)=町)；conditions:1D=1mA;VDS=VGS圖io:門閥電壓Fig.11.Sub-thresholddraincurrent,ID=f(VGSi;conditions:7=25CVDS=匕圖ii：閾漏極電流Capacitencu,Ci宮s,Coss,eras(pF)Fig.12.Typicalcapacitances,CiiStG3s型C/ss.C=f(VDS);conditions:VGS=0V;f=1MHz圖12:典型電容值30262624222018161412108642OSource-DrainVoltage,VSDS(V)Fig.13.TypicalreversediodecurrentlF=f(VSDS);conditions:VGS=0V;parameter116圖13:典型的反向二極管電流Maximu