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文檔簡介

.0165r芯片芯片內(nèi)部集成650v耐高壓POWERMOS,以滿足低功耗的要求。待機(jī)模式下,通過降低工作頻率來降低功耗同時(shí)輸出穩(wěn)定的工作電壓。頻率降低限制在20KHz/21.5KHz以下以避免產(chǎn)生音頻噪聲。在諸如開環(huán)、過壓或由短路引起的過載等失效模式下,芯片通過內(nèi)部的保護(hù)電路來使得芯片切換到重啟動(dòng)模式。通過內(nèi)部精密電流峰值控制,變壓器的尺寸和次級二極管的可以變得更小,從而來降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。芯片具有用戶定義軟起動(dòng)功能,以降低電磁干擾;工作電流可通過外部電阻調(diào)整; 同時(shí)芯片內(nèi)部集成了輸入欠壓保護(hù), 內(nèi)置過熱保護(hù), 內(nèi)置過載保護(hù)和開環(huán)保護(hù), 自動(dòng)重起期間可過壓保護(hù)等保護(hù)功能。通過頻率修調(diào),以降低EMI,100KHz開關(guān)頻率下,最大占空比72%,輸出電流容差<±5%。芯片外圍應(yīng)用電路設(shè)計(jì)簡單, DIP8封裝,滿足RoHS環(huán)保要求,低功耗待機(jī)模式,以滿足歐盟要求。;

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