服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)詳解

1、服務(wù)器內(nèi)存技術(shù)詳解技術(shù)創(chuàng)新，變革未來IT1什么是內(nèi)存2內(nèi)存的分類以及演進(jìn)目錄content3服務(wù)器內(nèi)存的使用35內(nèi)存的介紹內(nèi)存(Memory)也被稱為內(nèi)存儲(chǔ)器，其作 用是用于暫時(shí)存放CPU中的運(yùn)算數(shù)據(jù)， 以及與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換的數(shù)據(jù)。 計(jì)算機(jī)中所有程序的運(yùn)行都是在內(nèi)存中進(jìn) 行的，因此內(nèi)存的性能對(duì)計(jì)算機(jī)的影響非 常大。36DRAM分類37分類注釋用途SDRAM同步DRAM(SDRAM)當(dāng)前主流內(nèi)存顆粒SGRAM同步圖形RAM(Synchronous Graphics Random-Access Memory)顯卡使用VRAMVideo RAM,一種用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)圖像數(shù)據(jù)的 DRAMMDRAM

2、多BANK動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MultibankDynamic RAM)，一種高性能VRAMWRAMWindow RAM,一種高性能的雙端口VRAMEDRAM增強(qiáng)型DRAM處理器片上DRAM，一般用 于集成顯卡DRAM在系統(tǒng)中的位置早期內(nèi)存通過存儲(chǔ)器總線 和北橋（MCH）相連，北 橋通過前段總線與CPU通 信。從Intel Nehalem起，北橋被集成到CPU內(nèi)部后，內(nèi)存直接通過存儲(chǔ)器總線和CPU相連。381什么是內(nèi)存2內(nèi)存的分類以及演進(jìn)目錄content3服務(wù)器內(nèi)存的使用39內(nèi)存演進(jìn)內(nèi)核頻率（MHz）總線時(shí)鐘（MHz）預(yù)取數(shù)據(jù)速率（MT/s）傳輸速率（GB/s）電壓（V）SDRAM100-1

3、66100-1661n100-1660.8-1.33.3DDR1133-200133-2002n266-4002.1-3.22.5-2.6DDR2133-200266-4004n533-8004.2-6.41.8DDR3133-200533-8008n1066-16008.5-14.91.35/1.5DDR4133-2001066-16008n2133-320017-21.31.24041內(nèi)存演進(jìn)的目標(biāo)容量、功耗、性能電壓：DDR1(2.5V) - DDR2(1.8V) - DDR3(1.5v) -DDR3L(1.35v) - DDR4(1.2v)-DDR5（1.1V）演進(jìn)方向：容量越來越大（

4、4GB - 8GB - 16GB -32GB - 64GB-.512GB）電壓越來越低（1.5v - 1.35v - 1.2v）頻率越來越高（1333 - 1600 - 1866 - 2133 - 2400-.3200）42內(nèi)存條的組成內(nèi)存由內(nèi)存芯片、電路板、金手指等部分組成DDR1= 大片+圓口；DDR2= 小片+圓口； DDR3= 小片+方口；DDR4= 小片+方口；DDR4 金手指為中間稍突出、邊緣收矮（這么設(shè)計(jì)主要為了比較好插入，并減 少印刷電路板，在安裝DDR4記憶體模組時(shí)，所承受的壓力?。粌?nèi)存條類型介紹類型全稱主要差別特點(diǎn)UDIMMUnbuffered DIMM無緩沖DIMM無B

5、uffer芯片適用于低端CPU平臺(tái)RDIMMRegistered DIMM帶寄存器的DIMM地址控制信號(hào)經(jīng)過Register芯片后輸出到DRAM芯片。適用于主流場景LRDIMMLoad-Reduced DIMM低負(fù)載DIMM數(shù)據(jù)和地址控制信號(hào)都經(jīng)過Register芯片。適用于大容量場景*主流CPU平臺(tái)選用4GB、8GB、16GB、32GB內(nèi)存請(qǐng)引導(dǎo)客戶使用RDIMM內(nèi) 存；主流CPU平臺(tái)選用64GB、128GB內(nèi)存請(qǐng)引導(dǎo)客戶使用LRDIMM內(nèi)存，以便 提按升體系積統(tǒng)分整體內(nèi)存容量。DIMM、Mini-DIMM、SODIMM（Small Outline DIMM）、 MicroDIMM 、 VL

6、P（Very Low Profile） 、 ULP（Ultra Low Profile）43按功能分1什么是內(nèi)存2內(nèi)存的分類以及演進(jìn)目錄content3服務(wù)器內(nèi)存的使用45主流內(nèi)存條廠家介紹廠家國家/地區(qū)工廠特點(diǎn)Samsung 三星韓國西安質(zhì)量優(yōu)，價(jià)格貴。SK Hynix 海力士韓國無錫質(zhì)量較優(yōu)，價(jià)格適中。Micron 美光美國成都可提供定制1.5H高度內(nèi)存。Ramaxel記憶科技大陸深圳、 東莞模組廠家，價(jià)格優(yōu)勢。Kingston金士頓臺(tái)灣臺(tái)灣模組廠家。內(nèi)存顆粒（DRAM）三大原廠：Samsung、SK Hynix和Micron。模組廠家：Ramaxel 和Kingston購買三大原廠顆粒制

7、作內(nèi)存條（DIMM）服務(wù)器常用內(nèi)存生產(chǎn)廠家：4647內(nèi)存條規(guī)格識(shí)別方法什么是RANK?答：CPU與內(nèi)存的接口位 寬是64bit，單個(gè)內(nèi)存顆 粒的位寬僅有4bit、 8bit。因此，必須把多個(gè)顆粒 并聯(lián)起來，組成一個(gè)位寬為64bit的數(shù)據(jù)集合，才 可以和CPU互連。64bit 集合稱為一個(gè)RANK。*適用于Samsung、SK Hynix、Micron和Ramaxel內(nèi)存條。*內(nèi)存顆粒越多性能越優(yōu)（理論上x4 比 x8性能優(yōu)）。*內(nèi)存Rank 數(shù)越多性能越優(yōu)。內(nèi)存帶寬的計(jì)算49內(nèi)存帶寬計(jì)算：滿配最大內(nèi)存帶寬 = 內(nèi)存標(biāo)稱頻率*內(nèi)存總線位數(shù)*通道數(shù)*CPU個(gè)數(shù)實(shí)際使用的內(nèi)存帶寬 = 內(nèi)存標(biāo)稱頻率*內(nèi)存總線位數(shù)*實(shí)際使用的通道數(shù)舉例：2288H V5滿配2666的內(nèi)存條時(shí)內(nèi)存的帶寬為：2666 * 64 * 6 * 2 =2047488 Mbit/s=250GB/s怎么查看內(nèi)存運(yùn)行的