IGBT特性參數(shù)定義

1、術(shù)語(yǔ)集電極-發(fā)射極間電壓Ct-Ett門(mén)級(jí)-發(fā)射極間電壓Gat-Ettt集電極電流CCt最大集電極電流ttat正向?qū)娏鰿a最大正向?qū)娏鱰ta符號(hào)VCESVGESaICICMIFtIFM定義與說(shuō)明在門(mén)級(jí)-發(fā)射極之間處于短路狀態(tài)時(shí)，集電極-ta射極間能夠時(shí)間的最大電壓在集電極-發(fā)射極間處于短路狀態(tài)時(shí)，門(mén)級(jí)-發(fā)射極間能夠施加的最大電壓（通常20V集電極的電極上容許的最大直流電流集電極的電極上容許的最大脈沖電流集成二極管上容許的最大直流正向電流集成二極管上容許的最大脈沖正向電流t短路電流ShttISCIGBT短路時(shí)的電流最大損耗tta結(jié)溫tt電流二次方時(shí)間積I2tssTTatTatI2t正向峰值

2、浪涌電流IFSMIFSM絕緣強(qiáng)度Isat安裝力矩SttaVSMt術(shù)語(yǔ)集電極-發(fā)射極間斷路電流attat門(mén)極-發(fā)射極間的漏電流Gat-ttat門(mén)極-發(fā)射極間的閾值電壓Gat-ttthta集電極-發(fā)射極間的飽和電壓Ct-ttsatatta每個(gè)IGBT所容許的最大功率損耗使元件能夠連續(xù)性工作的最大芯片溫度在不破壞元件的范圍內(nèi)所允許的過(guò)電流焦耳積分值在不破壞元件的范圍內(nèi)所允許的一周期以上商用正弦半波（50、60Hz）的電流最大值在電極全部處于短路狀態(tài)時(shí)，電極與冷卻體的安裝面間所容許的正弦波電壓的最大有效用特定的螺釘將元件和冷卻體（散熱器）間夾緊時(shí)所用的最大力矩值用特定的螺釘將端子和外部配線夾緊時(shí)所用的

3、最大力矩值符號(hào)定義與說(shuō)明門(mén)極（下稱G）-發(fā)射極（下稱E）間處于短ICES路的狀態(tài)時(shí)，在集電極（下稱C）-E間外加t指定的電壓時(shí)C-E間的漏電流C-E間處于短路狀態(tài)時(shí)，在G-E間外加指定的電壓時(shí)G-E間的漏電流處于指定的C-E間的電流（下稱集電極電流）和C-E間的電壓（下稱VCE）之間的G-EVGE（th）的電壓（下稱VGE）（C-E間有微小電流開(kāi)始通過(guò)時(shí)的VGE值用于作為衡量IGBT開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的VGE值的尺度）在指定的VGE下，額定集電極電流流過(guò)時(shí)的VCE（saVCE值（通常，VGE=15V,計(jì)算損耗時(shí)重要值）輸入電容IptcapacitaceCiesC-E間交流性短路狀態(tài)下，G-E間和C-E

4、間外加指定電壓時(shí)G-E間的電容輸出電容tptcapacitaceCesG-E間交流性短路狀態(tài)下，G-E間和C-E間外加指定電壓時(shí)C-E間的電容反向傳輸電容ReersetrasfercapacitaceCres在E接地的情況下，G-E間外加指定電壓是C-G間的電容二極管正向電壓rartaVe在內(nèi)置二極管中流過(guò)指定的正方向電流（通常為額定電流）時(shí)的正方向電壓（與VCE（sat）相同，也是計(jì)算損耗時(shí)的重要值開(kāi)通時(shí)間Tr-tietIGBT開(kāi)通時(shí)，VGE上升到0V后，VCE下降到最大值的10%時(shí)為止的時(shí)間上升時(shí)間RaisetietrIGBT開(kāi)通時(shí)，從集電極電流上升到最大值的10%開(kāi)始，到VCE下降到最大

5、值的10%為止的tr(i)IGBT開(kāi)通時(shí)，從集電極電流上升到最大值的10%開(kāi)始，到達(dá)90%為止的時(shí)間。關(guān)斷時(shí)間Tr-fftietfIGBT關(guān)斷時(shí)，從VGE下降到最大值的90%時(shí)開(kāi)汝臺(tái)，到集電極電流在下降電流的切線上下降至到10%為止時(shí)間下降時(shí)間atietfIGBT關(guān)斷時(shí)，集電極電流從最大值90%開(kāi)始，在下降電流的切線上下降到10%為止的反向恢復(fù)時(shí)間Reerserecerti（trr、到內(nèi)置二極管中的反向恢復(fù)電流消失為止所需要的時(shí)間反向恢復(fù)電流ReerserecercriIrr(Ii、et到內(nèi)置二極管中正方向電流斷路時(shí)反方向流動(dòng)的電流的峰值逆向偏壓安全操作區(qū)Reerseiassafeperati

6、areaRB關(guān)斷時(shí)在指定的條件下，能夠使IGBT斷路的電流與電壓的區(qū)域（一旦超出該區(qū)域，元件可能遭到破壞）門(mén)極電阻Gate-resistaceRG門(mén)極串聯(lián)電阻值（標(biāo)準(zhǔn)值記載在交換時(shí)間測(cè)定條件中）門(mén)極充電電量Gatecharecapacit為了使IGBT開(kāi)通，G-E間充電的電荷量術(shù)語(yǔ)符號(hào)定義與說(shuō)明熱阻TheraresistaceRth(j-DT或內(nèi)置二極管的芯片與外殼間的熱阻Rth(e-運(yùn)動(dòng)散熱絕緣混合劑，在推薦的力矩值的條件下，將元件安裝到冷卻體上時(shí)，外殼與冷卻體間的熱阻外殼溫度CaseteperatreTeIGBT的外殼溫度（通常情況指IGBT或內(nèi)置二極管正下方的銅基下的溫度）術(shù)語(yǔ)符號(hào)定義與說(shuō)明熱敏電阻ResistaceResistan定溫度下熱敏電阻端子之間的電阻值B值BaeB表示在電阻-溫度特性上任意2個(gè)溫度間的電阻變化大小的常數(shù)術(shù)語(yǔ)開(kāi)通損耗tr-eerpse符號(hào)定義與說(shuō)明開(kāi)通過(guò)程