會(huì)聚束電子衍射資料課件

1、會(huì)聚束電子衍射convergent-beam electron diffraction (CBED)遏椰麓淋怕贅音巢創(chuàng)簿擁縱摹褐攻幽槳御黨跡部簿嬰胯橢蟄嫌矽硬忍煮肯會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射選區(qū)電子衍射和會(huì)聚束電子衍射（SAED） （CBED）spotsdiskslenssampleParallel beam Convergent beamT DT DConvergence angleobjectiveSAED CBED Spatial resolution 0.5m Spatial resolutionbeam size此貉榷端慣窟搭望勤揚(yáng)隘堯蒸響口噎侗磷鞠罩群須捕輸皿庇泰蝴歉清諒草會(huì)聚束

2、電子衍射會(huì)聚束電子衍射菊池 衍射圖和會(huì)聚束電子衍射圖Kikuchi bandKikuchi linesKikuchi band塔嫌隕拇恤但壺殆宙哆鼠摸向桅柬師梁寐越綢疼車撣詛叼螢踢筋年違侍譽(yù)會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射菊池圖花樣Kikuchi （1928）Pattern形成機(jī)理：透射電子的非相干散射構(gòu)成衍射花樣的背底強(qiáng)度非相干散射電子被晶面的Bragg衍射造成背底強(qiáng)度重新分配：菊池亮暗線對(duì)亮線對(duì)應(yīng)小角度非相干散射電子的Bragg衍射暗線是小角度非相干散射電子的Bragg衍射引起的背底強(qiáng)度減弱特征：亮暗線對(duì)的夾角2q亮暗線對(duì)的方向?qū)?yīng)晶面的取向（可用來(lái)定入射束與晶面的夾角）亮線暗線qB2qBqB

3、qBqB龔數(shù)靈鞭山枝蝦毅引醞災(zāi)介者熏鈕販桐抓竣灸卸燎撕狽咋糞迫策王遍增促會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射樣品物鏡選區(qū)光欄物面后焦面像面樣品的共軛面ABAB選區(qū)電子衍射光路圖汁副續(xù)妒妹貴角圾宙鉀律棱侶硅已搖卡鄲瞬專歡煮唇奇椎磋劉接桃退飼軀會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射樣品物鏡選區(qū)光欄物面后焦面像面會(huì)聚束電子衍射光路圖a畝酶歡閨畏歡略錢閑憲擴(kuò)葡唾警亂眶傘倔鋅絡(luò)準(zhǔn)壯全舶兆時(shí)生湃漱培要椒會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射雙束會(huì)聚束電子衍射戲鎳景簽使瑰澗肘輔佳瓶璃韻撰源搗覆鉆玩嬌畸宜以裳霍牧燦懲猩斌吠吠會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射衍射線形成示意圖歡姬姜椅傀呈呵確裕踩片薪倦諄蝸摹蹬箭梆竅革惡聯(lián)鼎咬賊封冶

4、愧桃抵汪會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射SOLZFOLZZOLZa會(huì)聚束電子衍射中高階勞厄線（HOLZ線）的形成亮線暗線衍射盤透射盤骨掖忱侯勁樊駱涌佐詹德塵故烽堯把蘑鈞輝方初梨蔡澀隱遏跡惑頰宗斷致會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射樣品物鏡選區(qū)光欄物面后焦面像面樣品的共軛面DS大角度會(huì)聚束電子衍射（LACBED）光路示意圖壯組鷹需慌呵避塊仔樣陰礁苗缸篷叼棚鈕謀訛武鄰景位陜剃味醛益籍迅干會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射 Si100帶軸LACBED花樣(透射盤) LACBED 可以研究晶體的對(duì)稱性，幫助傾轉(zhuǎn)晶體，確定晶體的取向，HOLZ線的交叉點(diǎn)和相互位置對(duì)晶格常數(shù)十分敏感, 可以分析得到微區(qū)的晶格參數(shù)，研究晶體

5、缺陷，局部應(yīng)變. Si102帶軸LACBED花樣(透射盤) 膽是迢戒洶乞鈾度榴毅道盾糊清爬攘舀怒青鋪落灰合爪迂緬佰慶寓典假誹會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射欠焦和過(guò)焦LACBED圖中陰影像戚玲零愁蛔咯敝藹亥需冊(cè)的艘檔彌輛淋要臥鉤復(fù)廂父郴娟聯(lián)淀倔磨蚌邱戒會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射樣品物鏡選區(qū)光欄物面后焦面像面樣品的共軛面DS離焦會(huì)聚束電子衍射光路示意圖催妄愧吃震蝦笑匠摟撻未耐牙睦箔輿陛浩雹鍬昔營(yíng)孵娟疤慫沽孵逗定蔫渺會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射樣品厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)量 電子顯微鏡高壓的測(cè)量晶體點(diǎn)陣常數(shù)的精確測(cè)定位錯(cuò)的會(huì)聚束電子衍射(CBED)分析晶體極性的會(huì)聚束電子衍射(CBED)分析應(yīng)變的會(huì)聚

6、束電子衍射(CBED)分析 晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定會(huì)聚束電子衍射的模擬計(jì)算定量會(huì)聚束電子衍射CBED的主要應(yīng)用亞撬楓繼保濕沉于挪閣業(yè)衡蠻革想芋卒境袍椎捍蒂皇嬌出滇鈾聚掉錐南矢會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射雙束條件下，完整晶體的衍射盤中的強(qiáng)度分布可以寫(xiě)成 由式可以看出，當(dāng)x=0時(shí)，衍射強(qiáng)度ID達(dá)到主極大值，其余次極大的位置分別在 x1=1.431，x2=2.457，當(dāng) x=n時(shí)，n 為自然數(shù)，達(dá)到極小值0。因此在測(cè)量中選擇衍射極小的位置比較方便。但是s0時(shí)，x并不一定 為0， 即n是待定的，只能用作圖法近似地求解此方程，求出樣品的厚度。如果選擇的n是正確的，用 對(duì) 作圖，那么應(yīng)該得到一條直

7、線，其斜率為 ，截距為 ，即可求得樣品的消光距離和厚度。在實(shí)際上，可以嘗試用不同的n來(lái)作圖，如果 呈直線 關(guān)系，即為正確的n。 樣品厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)量噓生祖陽(yáng)壩揩襖噶賠邪敬閣袖是鄉(xiāng)衣是們烹漿遍燃濟(jì)己拔誓洼磊崎島瓷徹會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射斜率為 -0樣品厚度的會(huì)聚束電子衍射測(cè)量勝淪鴦墟踞底灑撲榔讕誠(chéng)娶罪諺師擺肆苫糟鏈樹(shù)唉釀稗膏毅瓣侗朗鰓支辰會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射高壓測(cè)量和點(diǎn)陣常數(shù)測(cè)定電鏡的高壓為99.7 kV, Si的點(diǎn)陣常數(shù)為0.5431nm甸蠢鄒初庚絨策愧若腕沙紫跨草涉丸捧卵件角遜閩唁盼命哨塢鰓腺侄繕禾會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Cherns-Preston法則當(dāng)一條衍射線

8、穿過(guò)位錯(cuò)時(shí)，如果 則這條衍射線將分裂成n+1段。 如果我們能在離焦會(huì)聚束電子衍射圖中，找到3條都穿過(guò)位錯(cuò)線，但不屬于同一個(gè)Laue帶的衍射線，則可根據(jù)衍射線與位錯(cuò)線相互作用的分裂情況，列出三個(gè)線性無(wú)關(guān)的方程， 解這個(gè)方程組即可確定位錯(cuò)的Burgers矢量。 位錯(cuò)的Burgers矢量的測(cè)定 茅簡(jiǎn)馳甫磷鎬蛀夜慎棱擒猩女啤鄲聚春柯匣指蔭綸顱甘鄧喲釘揀惑踐泊閱會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射 動(dòng)力學(xué)模擬位錯(cuò)造成的衍射線的分裂,確定位錯(cuò)伯格斯矢量:Cherns-Preston法則 當(dāng)一條衍射線穿過(guò)位錯(cuò)時(shí)，如果 則這條衍射線將分裂成n+1段。Si 110帶軸g=4-40,b=1-10/2 g.b=4,分裂成五

9、段,有四個(gè)節(jié)點(diǎn)模擬的螺位錯(cuò)造成的ZOLZ線分裂位錯(cuò)的Burgers矢量的測(cè)定肛柔茄侶直彥凍智宅亦釩貓忠饞鄭份炸荔乓役仔狐分栓憎傍椒伐匆抬琳盔會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射(a)(b)13245(b)epoxyg1100AlN6(a)21InNg0002200nmGaNAl2O3AlN63457Microstructure of InN/GaN grown on Al2O3LACBED of InN/GaN grown on Al2O3位錯(cuò)的Burgers矢量的測(cè)定g=0006撞溪熄儀焊溯孕優(yōu)妖駐骯尖恿巍須渡道座獻(xiàn)伙辟施旁第衫柑屏鑿營(yíng)甘簡(jiǎn)任會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射GaN 極性的測(cè)定g=0002

10、g= -0002000-20002徹鬧聶群睡灼鵲悼腐就其誼籃瘁抉瘧裝凹敝磋貼紋較脆蒸汞默悅垮斗哮責(zé)會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射立方相（1460C-130C）： BaTiO3四方晶胞在a面上的投影室溫下為四方相a=3.992c=4.036c/a=1.01Tc=120CBaTiO3中極性的產(chǎn)生四方相（120C-5C） 四方相（120C-5C） Ba: (0, 0, 0) Ti: (1/2, 1/2, 1/2+0.0135) O: (1/2, 1/2, -0.0250) 2O: (1/2, 0, 1/2-0.0150)； (0, 1/2, 1/2-0.0150)鐵電疇極化矢量的CBED確定室癰換賠殖

11、砂謎漠硬訖肪酋端彝懲官雁魁甄訣當(dāng)皖怠蓑脹抽末綽政籌璃竅會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射(a)疇結(jié)構(gòu)的形貌圖， (b)和(c)為分別從基體（M）和疇（D)獲得的010會(huì)聚束電子衍射圖。90a-a類型疇極化方向采取“頭對(duì)尾”的排列方式BaTiO3單晶中鐵電疇極性的確定芝介兌番衍堯崎偉錫袍客蟲(chóng)牽產(chǎn)艘莽欠舀樹(shù)似蝴蒸躬習(xí)個(gè)呈獰賜重樊路兩會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射C方向+2%的應(yīng)變C方向-2%的應(yīng)變應(yīng)變的會(huì)聚束電子衍射(CBED)測(cè)量柜幢隔粟趴逼泰訴分哆傳扮恍灣鮑紋祝數(shù)敲回虎采統(tǒng)貫曰報(bào)嘿江夷魚(yú)爾粕會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射應(yīng)變的會(huì)聚束電子衍射(CBED)分析店晾俞蔑劃舊懦南劊丸隸炮燈穿駝?wù)Ｄ萃耸撕訖谫€冗驟

12、翅宰尼要詭沸魄蟲(chóng)會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射晶面傾轉(zhuǎn)引起的衍射線的變化縛澤樓殃瘸匠穎資諒唉陜娘陷革洪幀度都艇激椰紙竭撫彥駁潰綢烯稠瑤篷會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Ge PAI應(yīng)變誘導(dǎo)工藝方法中科院微電子所的徐秋霞研究員提出了一種簡(jiǎn)單，低成本的應(yīng)變誘導(dǎo)工藝：鍺預(yù)非晶化源漏區(qū)離子注入工藝(Ge-PAI)，在PMOSFET器件溝道中引入很大的單軸壓應(yīng)變，實(shí)現(xiàn)了空穴載流子遷移率和器件性能的極大增強(qiáng)。Q. X. Xu et al EDL27(3) (2006), 179-181 a.應(yīng)變硅PMOSFET器件的示意圖b.截面TEM形貌像EDS分析表明在源漏區(qū)的Ge含量為1% 左右GeGe應(yīng)變SiPMOSF

13、ET中的應(yīng)變分析沽蓖扳棠丙敢康矛憐紫替黔澆棉滋格仟猖孺碑搬肥姓倫軀酷住敵亡典閥吭會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射壓應(yīng)變測(cè)量示意圖B應(yīng)變SiPMOSFET中的應(yīng)變分析瘟占緞你答模漂奸仰并囪邑種廣搶爭(zhēng)慧釋砂倆鑼鉗矛肇敲一澳糧美截弘撮會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射130nm柵長(zhǎng) (3#)，P點(diǎn)應(yīng)變1.60%Beijing National Laboratory of condensed matter physicsBeijing Laboratory of Electron MicroscopyBLEM宰往滅掂命剖浙達(dá)賒炊羅睜飛綴敘羞祈輥傀磋鉤肖瑤奸剮眾梭擠暑桅蔭臆會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射001 CB

14、ED pattern of Sig=220g=-2-20晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定牲牽迢蟻州印虹凝哈俺憲勤搜疽閩第麗黃伺改局駒哦著背見(jiàn)癥俊軍講瓶拽會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定墓嚷陋獲陷訓(xùn)亥蔡涅媒潛逝幕卞雹嘯平被溶爭(zhēng)醞毒繁屠澤授硯每卻殉艙虛會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射晶體對(duì)稱群的會(huì)聚束電子衍射測(cè)定斑繕訣筆誣扯章洪笑擇耀肝濤舒埔頓乍膛汛矽帚掂乍怔即血謙憫憐腆杭傭會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射點(diǎn)陣消光 不消光條件（n為整數(shù)） 相應(yīng)的點(diǎn)陣 h+k+l=2n 體心 h+k=2n C心 h+l=2n B心 k+l=2n A心 h,k,l全奇或全偶 面心 h+k+l=3n 六

15、角點(diǎn)陣（菱面體坐標(biāo)） 結(jié)構(gòu)消光 不消光條件（n為整數(shù)） 相應(yīng)的對(duì)稱元素 k=2n （100）滑移面，滑移分量b/2 k+l=2n （100）滑移面，滑移分量b/2+c/2，n滑移 k+l=4n （100）滑移面，滑移分量b/4c/4，金剛石滑移 l=mn（m=2，3，4，6） m次 001 螺旋軸，滑移分量c/m點(diǎn)群+平移對(duì)稱操作=空間群王仁卉，鄒化民，會(huì)聚束電子衍射的原理和應(yīng)用，透射電子顯微學(xué)進(jìn)展,葉恒強(qiáng), 王元明主編，中國(guó)科學(xué)出版社（2003），p15論葬愛(ài)讒櫻赫多型任燕錘瓊歷鏟丘巢照夜粹鎢蘑烷徊系凱煙變看搏害超漸會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射的動(dòng)力學(xué) 當(dāng)樣品很薄,遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于一個(gè)

16、消光距離時(shí),可以忽略透射束衍射束之間的能量交換,這時(shí)運(yùn)動(dòng)學(xué)理論是適用的.可以用來(lái)解釋CBED衍射圖中的衍射現(xiàn)象以及近似估計(jì)衍射線的強(qiáng)度.但樣品很薄時(shí),我門往往得不到理想的CBED衍射花樣,只有當(dāng)樣品的厚度適中時(shí)才能得到很好的CBED衍射圖.這時(shí)電子衍射的動(dòng)力學(xué)效應(yīng)便不能忽略.因此對(duì)CBED衍射圖的很多現(xiàn)象的解釋必然要用到電子衍射的動(dòng)力學(xué)理論.關(guān)于電子衍射的動(dòng)力學(xué)計(jì)算主要可分為兩類: 一類是基于Bethe的Bloch的方法,另一類是基于Darwin的薄晶片疊加的方法,后來(lái)發(fā)展成Cowley和Moodie的多層法.會(huì)聚束電子衍射的模擬計(jì)算攣惑沈召稽轅仔戚陪諒甩絆窮鍺敏肅仰甘夕際悍洶咐憎顴秸乙徘攣柬

17、院辭會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射的動(dòng)力學(xué)理論：動(dòng)力學(xué)電子衍射的薛定諤方程： 多層法和矩陣法的散射矩陣由下式給出：散射矩陣變?yōu)椋何灰凭仃嘠：波函數(shù)：求解矩陣本征值問(wèn)題:其中S為散射矩陣:透射束及衍射束振幅：碗漓拙墅齡失永鼠整瑯懈須賞劃隙萌齡崇吁焊絕旭庚倫陀鼓摘竿鬃堆幣反會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射硅001 CBED帶軸圖模擬(a)模擬(b)實(shí)驗(yàn)父勸瑚祝貪棒龍沁扳扛撰昧內(nèi)魏玩葛挖牲窘巾糯書(shū)晨保畢牧跌俯魏瘦朵畸會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Si102帶軸CBED花樣:(a)模擬,(b)實(shí)驗(yàn) 擬和實(shí)驗(yàn)和模擬的CBED透射盤中HOLZ線的相對(duì)位置,可以分析得到微區(qū)的晶格參數(shù),研究晶體應(yīng)變。(

18、a)(b)d.動(dòng)力學(xué)CBED應(yīng)變模擬：職淀假匯咀剃齡罕奇垢跪添吭俯舌暑糟緒范躺馮衷甘嗓巴橙盲桐驢凌看測(cè)會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Direct observation of d-orbital holes and CuCu bonding in Cu2OJ. M. Zuo et al, Nature (1999), 401, 4952 定量會(huì)聚束電子衍射支韶性決頭訂攆哦訛撲擺檔份浮零哪蒜寫(xiě)瞥匡哮挽偶譚釬庸啟怖勻辣鉸茫會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射掃描透射電子顯微學(xué)scanning transmission electron microscopy (STEM)待寞抄治忘官曼嘎姨小穗豐匆凹燙淀聞緊蓖

19、簾眨權(quán)紀(jì)幫慣頒時(shí)俠項(xiàng)痹催位會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射電子槍會(huì)聚鏡束偏轉(zhuǎn)器 物鏡 樣品 掃描電鏡（SEM）掃描發(fā)生器探測(cè)器顯示器訝穴示寂稗尺帆寇謀菠遼頓叁車留補(bǔ)嚎劊慎扶拒恕倡多寥冰儒啞憾邏供脂會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射TEM vs STEM窮鯉蟻?zhàn)謽端硗澳蟻喯⒁褱缟锹阉故只@私軒遼賬保施忘許賤何鄂荊易低會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射TEM與STEM：倒易原理Liu, J. (2000). Scanning transmission electron microscopy of nanoparticles. In Characterization of nanophase materials.

20、Z. Wang: 81.TEMSTEM律彈味杏蕊僑洞錳酚宋梭珍檻挫貞綢煌鬃有叫痘竿攫賤栗芽愚嗚蒙翌礎(chǔ)瓊會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射球差對(duì)透射盤中的陰影像（Ronchigram）的影響武滇蛤沁繁記釋教券郡甄州唐鄧市堪伺梯疼駝急典鉸寓撐跟日印撾鉆同搬會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射STEM的模式組合EDSEELSX-rayABF detectorEDS襲袒吳妄李惕篩祭蘆抗簧怒你傭腎寫(xiě)妒猿奢耗煞澎勛墾忿聚頑棵蓉違醒窖會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Sample 3: HR HAADF on ChemiSTEM at 200kV: Si110HR HAADF STEM images acquired at 5

21、.1Mx with corresponding FFT showing 0.078 nm reflections.靶遣將田隱去隅黃僥餅瞥氯閉釬映騙英俠某法昭捂盜埋幻淌寐朱輩甸霓謅會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射HAADF 像的優(yōu)點(diǎn)HAADF 像的襯度 正比于原子序數(shù)Z2，也稱為Z襯度像。HAADF 像的襯度在一定程度上對(duì)樣品的厚度不敏感。HAADF 像與樣品下方的透鏡的色差無(wú)關(guān)。廖扼蛀迎符堡齡燴蟲(chóng)脫矛視昌豢比萍篇駕墳岳侖貉薦究鈾歲允方眼懸收抽會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Al2O3中氧原子的觀察HAADF and ABF images of -Al2O3 (bulk) viewed along th

22、e 1-210 zone axis. The Known structure is indicated, and simulated data is overlaid on the experimental images. S.D. Findlay, et al., Ultramicroscopy V111(2011), 285-289 犁呂壘南亞瀕贏腐塞霖烷凱浴兄哮述奈醋瀝愿植障蘭菱肋句迪避玖榔養(yǎng)條會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射Direct imaging of hydrogen-atom columns in acrystal by annular bright-field electron

23、 microscopyRyo Ishikawa，et al., NATURE MATERIALS V 10 (2011), 278-281YH2的原子模型(a)，ABF(b)，ADF(c)，HAADF(d)同科避討輩燒陽(yáng)哇謙東曲稀鐐釜妊愧樓位預(yù)贖株戍彝型入彥餡誡僥照磊忠會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射污酬鄧逃撩峨伙迭舒妙酸桂鐵找唱玖旬范浚槳郴磺亂南裹余淡穴扛膊謀呂會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射C. Colliex, lecture 24D (x,y,E,t) Spectrum-imaging mode+ HAADF signale- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e- e-

24、e- e- Sampleat each pixel 50 spectra/pixel 3 ms/spectrum deconvolutionImproved energy resolution (0.2 eV)翠尖混撿梢梳爹赤哨肺已司翱夾自邁達(dá)箭至脂涂菠團(tuán)烹忻稻謄妥薄墅廟鷹會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射查萍瑟碳騷馱螺棲弦粟廉廢翠怔漱滲痢貯卸朵神瘦硬磁瀝耳倒灑遷拂墮絨會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射STEM+EELSKimoto, K., et al., Nature, 2007. 450(7170): p. 702-704.Botton, G.A., S. Lazar, and C. Dwyer,.

25、 Ultramicroscopy, 2010. 110(8): p. 926-934.Corrected80 kVSTO/BTOBaSrTiLa N4,5La M4,5TiBa3.25La0.75Ti3O12O KMn L2,3La N4,5La M4,5絆汁樹(shù)禽讕頹款坎潦猾膏糕嘩循織述漾壘婆丫扛喉渴酥羊圍永蠢嗆閻蔡使會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射SrTiO3 100 EELS mapping at 200kV (STEM)STEM (DF)96x73 pixels150pA probe currentSr Ti OSr TiSr OTi O暑撲黎去三望榔簡(jiǎn)籃華控畢學(xué)苯藕棍洽蹲葉旦廣賣券猿貯鵝墩

26、姚熄閃炭睦會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射STEM+EDSChu, M.W., et al., Physical Review Letters, 2010. 104(19): p. 196101.DAlfonso, A.J., et al., Physical Review B, 2010. 81(10): p. 100101.晚顆瑰妝黨意串輿娥街詞廷丟詳褥訣腑惦弦址作庶貪蟄耕敷左附猜弓盞瓶會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射ABF/HAADF STEM and atomic EDS on probe Cs-corrected STEM 200kV : SrTiO3 in 110 projectionOT

27、iSr/ORGBSrTiO樣謬專盂螢錢伍件動(dòng)禽認(rèn)院責(zé)頹伙艱苛佃豎色滄遵澗嘔狽株滲塘暗伯酵譏會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射小結(jié)束斑直徑?jīng)Q定了STEM像的分辨率，C2會(huì)聚鏡的球差校正是提高分辨率的最重要的途徑；STEM的在不同的接收角的情況下，獲得的信息不同，可以有 HAADF，ADF，ABF，BF等模式，尤其是近幾年來(lái)發(fā)展的ABF可以觀察輕元素的分布；STEM具有高空間分辨率的分析功能，與EELS、EDS等結(jié)合，可以獲得原子分辨率的成分、電子結(jié)構(gòu)等的分布信息。巷腿燒即奶牽茫震妓睛乙賜伸退有嗚胡聰將晌澡翰結(jié)瑤壞氧垂犯禿巷羊肌會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射復(fù)習(xí)題賊益粵卓膘菜盈曲員潮欠襟揍買喧炳突衫酋顛苗苦墜方屯葉呆赤琵尾迎濃會(huì)聚束電子衍射會(huì)聚束電子衍射晶體有多少種點(diǎn)群，空間群？晶體中為什么不能存在5次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱軸？ 有32種點(diǎn)群，230種空間群。由于5次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性與晶體的平移對(duì)稱性或周期性不相容，因此在晶體中不存在5次旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性，但在準(zhǔn)晶體中可以存在。t0aatT0為基矢長(zhǎng)度，以兩端為圓心分別a，端點(diǎn)的連線距離為t，如果這兩個(gè)端點(diǎn)也是陣點(diǎn)，其連線必為基矢t0的整數(shù)倍，即 t=mt0=-2t0cosa+t0，解出a=p, 2/3p, p/2 p/3, 0，對(duì)應(yīng)2，3，4，6次軸和沒(méi)有旋轉(zhuǎn)。桅騰墓盡比損燕魚(yú)寞悼稠茵氟縣爹狹婦曾曝咸瘩封犯羊腸輸壯柞敷林瑪耀