單片機原理及應用_第八講_MSP430單片機的比較器和Flash存儲器實驗報告(共6頁)

1、單片機原理(yunl)及應用(yngyng)第八(d b)講 MSP430單片機的比較器和Flash存儲器實驗報告報告人： 實驗內容實驗一 比較器輸入電壓的比較端口P6.6設置成輸入模式，獲取電位器電壓后與比較器中設置參考電壓比較，比較器所得結果通過設置成輸出模式的端口P4.1輸出。實驗二 Flash讀寫操作實驗步驟步驟：(1) 將PC 和板載仿真器通過USB 線相連；(2) 打開CCS 集成開發(fā)工具，選擇樣例工程或自己新建一個工程，修改代碼；(3) 選擇對該工程進行編譯鏈接，生成.out 文件。然后選擇，將程序下載到實驗板中。程序下載完畢之后，可以選擇全速運行程序，也可以選擇單步調試程序，選

2、擇F3 查看具體函數。也可以程序下載之后，按下，軟件界面恢復到原編輯程序的畫面。再按下實驗板的復位鍵，運行程序。（調試方式(fngsh)下的全速運行和直接上電運行(ynxng)程序在時序(sh x)有少許差別，建議上電運行程序）。關鍵代碼：實驗一：#include int main(void) WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; / Stop WDT P4DIR |= BIT1; / P1.0/LED output direction/ Setup ComparatorB CBCTL0 |= CBIPEN + CBIPSEL_6; / Enable V+, input chan

3、nel CB6 CBCTL1 |= CBPWRMD_1; / normal power mode CBCTL2 |= CBRSEL; / VREF is applied to -terminal CBCTL2 |= CBRS_3+CBREFL_1; / R-ladder off; bandgap ref voltage (1.2V) / supplied ref amplifier to get Vcref=1.5V (CBREFL_2) CBCTL3 |= BIT6; / Input Buffer Disable P6.6/CB6 _delay_cycles(75); / delay for

4、 the reference to settle CBINT &= (CBIFG + CBIIFG); / Clear any errant interrupts CBINT |= CBIE; / Enable CompB Interrupt on rising edge of CBIFG (CBIES=0) CBCTL1 |= CBON; / Turn On ComparatorB _bis_SR_register(LPM4_bits+GIE); / Enter LPM4 with inetrrupts enabled _no_operation(); / For debug/ Comp_B

5、 ISR - LED Toggle#pragma vector=COMP_B_VECTOR_interrupt void Comp_B_ISR (void) CBCTL1 = CBIES; / Toggles interrupt edge CBINT &= CBIFG; / Clear Interrupt flag P4OUT = 0 x02; / Toggle P1.0實驗(shyn)二：#include char value; / 8-bit value to write to seg C/ Function prototypesvoid write_SegC(char value);vo

6、id copy_C2D(void);int main(void)WDTCTL = WDTPW+WDTHOLD; / Stop WDTvalue = 0; / initialize valuewhile(1) write_SegC(value+); / Write segment C, increment value_no_operation(); / Loop forever, SET BREAKPOINT HEREcopy_C2D(); / Copy segment C to D_no_operation(); / Loop forever, SET BREAKPOINT HERE /-/

7、Input = value, holds value to write to Seg C/-void write_SegC(char value) unsigned int i; char * Flash_ptr; / Initialize Flash pointer Flash_ptr = (char *) 0 x1880; FCTL3 = FWKEY; / Clear Lock bit FCTL1 = FWKEY+ERASE; / Set Erase bit *Flash_ptr = 0; / Dummy write to erase Flash seg FCTL1 = FWKEY+WRT

8、; / Set WRT bit for write operation for (i = 0; i 128; i+) *Flash_ptr+ = value; / Write value to flash FCTL1 = FWKEY; / Clear WRT bit FCTL3 = FWKEY+LOCK; / Set LOCK bit/-/ Copy Seg C to Seg D/-void copy_C2D(void) unsigned int i; char *Flash_ptrC; char *Flash_ptrD; Flash_ptrC = (char *) 0 x1880; / In

9、itialize Flash segment C ptr Flash_ptrD = (char *) 0 x1800; / Initialize Flash segment D ptr _disable_interrupt(); / 5xx Workaround: Disable global / interrupt while erasing. Re-Enable / GIE if needed FCTL3 = FWKEY; / Clear Lock bit FCTL1 = FWKEY+ERASE; / Set Erase bit *Flash_ptrD = 0; / Dummy write

10、 to erase Flash seg D FCTL1 = FWKEY+WRT; / Set WRT bit for write operation for (i = 0; i 128; i+) *Flash_ptrD+ = *Flash_ptrC+; / copy value segment C to seg D FCTL1 = FWKEY; / Clear WRT bit FCTL3 = FWKEY+LOCK; / Set LOCK bit實驗(shyn)現(xiàn)象分析:實驗(shyn)一：旋轉電位器RP1，改變(gibin)比較器輸入端CB6的電壓：當輸入電壓大于設定比較電壓時，P4.1的LE

11、D亮；當輸入電壓小于設定比較電壓時，P4.1的LED滅。實驗二：程序設置斷點后每運行一次，在Memory Browser中參看以0 x1800起始的塊區(qū)域中，有部分存儲單元自動加1。思考題MSP430系列單片機FLASH存儲器的主要特點是什么？答：在對Flash存儲器進行寫操作時，可以以字節(jié)或字為單位進行寫操作，但對Flash存儲器進行擦除操作時，必須以段為單位進行擦除。換句話說，即使要改變存儲器中某個地址處的字節(jié)內容，也必須首先將該字節(jié)所在的段先擦除，然后再將該地址的字節(jié)內容寫入，由于擦除操作會擦掉整段的內容，所以建議將有用的內容先保存到RAM中，然后再進行擦除操作。擦除后Flash存儲器的

12、值為邏輯1。每一位可以單獨通過編程，從1變到0，但是要將其重新編程從0到1需要擦除操作。MSP430F66xx單片機FLASH存儲器可以分為哪幾種類型？答：Flash存儲器分為主存儲區(qū)、信息存儲區(qū)和引導加載存儲器（BSL）。MSP430F66xx單片機FLASH存儲器通過哪些位來控制寫入/擦除的？答：Flash存儲器通過BLKWRT，WRT，MERAS和ERASE位選擇寫入/擦除模式。MSP430系列單片機的flash有哪幾種編程方式？答：1、通過JTAG接口2、通過BSL編程3、用戶自定義編程簡述MSP430系列單片機比較器的主要特性和應用。答：主要特性正向反向(fn xin)終端輸入多路選擇器通過軟件(run jin)選擇比較器輸出的RC濾波可輸出到TA的捕獲(bhu)輸入軟件控制端口輸入緩沖具有中斷能力可選的參考電壓發(fā)生器、電壓磁滯發(fā)生器參考電壓輸入可選擇共用參考電壓超低功耗的比較模式低功耗模式支持中斷驅動測量系統(tǒng)應用：比較器B是為精確的比較測量而設計的，如電池電壓監(jiān)測、產生外部模擬信號、測量電流、電容和電阻，結合其他模塊還可實現(xiàn)精確