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文檔簡介
1、投資摘要關鍵結(jié)論與投資建議集成電路產(chǎn)業(yè)鏈龐大而復雜,主要分為集成電路設計、集成電路制造以及集成 電路封裝測試等三個主要環(huán)節(jié),同時每個環(huán)節(jié)配套以不同的制造設備和生產(chǎn)原 材料等輔助環(huán)節(jié)。我們下文將從制造設備及原材料、集成電路設計、集成電路 制造和封裝測試等四個環(huán)節(jié)出發(fā),分析每個環(huán)節(jié)國內(nèi)相關環(huán)節(jié)的現(xiàn)狀、面臨的 問題,并提出對策建議。核心假設或邏輯第一,從2012年開始,中國政府開始出臺一系列集成電路政策加速國產(chǎn)半導 體產(chǎn)業(yè)開展。主要政策包括:1、2012年國務院主導,科技部印發(fā)“02專項” 即極大規(guī)模集成電路制造技術及成套工藝工程;2、2014年6月國務院頒 布國家集成電路產(chǎn)業(yè)開展推進綱要;3、20
2、15年發(fā)布國家10年戰(zhàn)略計劃中國 制造2025;4、2016年,國務院印發(fā)“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)開展規(guī)劃。 第二,集成電路產(chǎn)品的價值非常高,集成電路制造企業(yè)對原材料等進入門檻非 常高,導致原材料供應商的選擇非常嚴謹,上游原材料國產(chǎn)化道路相對較長。 上游設備方面,國內(nèi)在先進制程領域還存在較大差距,國際競爭力較弱。上游 產(chǎn)業(yè)升級亟需在政府引導合理規(guī)劃下,國內(nèi)企業(yè)加大研發(fā)投入,引進國際高端 人才,培養(yǎng)核心人才和后備人才。第三、在集成電路設計領域,美國企業(yè)仍然占據(jù)了絕對主流。前10大芯片設計 公司中有8家都來自美國,其他僅有海思半導體和聯(lián)發(fā)科(中國臺灣)上榜。中國芯片設計產(chǎn)業(yè)目前主要的問題主要包
3、括:企業(yè)規(guī)模小,核心市場和客戶供 應體系進入難度較大,技術能力仍與國外企業(yè)具有較大差距。核心開展可以參 考海思半導體的成功開展路徑:1、獲取大客戶支持;2、充分利用FAB產(chǎn)業(yè)紅 利;3、結(jié)合需求,利用國內(nèi)優(yōu)勢的下游產(chǎn)業(yè)開展壯大。第四、目前全球IC代工制造領頭企業(yè)為中國臺灣的臺積電,18年收入為303.89 億美元,占全球前十大IC制造收入比例超過50%o大陸企業(yè)在前十位的分別 有中芯國際和華虹半導體,18年收入分別為33.78億美元和9.45億美元,占 全球前十大IC制造收入比例分別為5.64%和1.58%o在量產(chǎn)制程方面,國內(nèi)企 業(yè)與國際一流企業(yè)差距在2代2.5代。建議國內(nèi)企業(yè)在積極做好14
4、nm量產(chǎn)準備的同時、在設備、制造工藝、人才等 方面及早做好儲藏,加大國際頂尖人才的引進。目前國家半導體產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境 相對較好,先進制程方面國際領先企業(yè)已經(jīng)成熟量產(chǎn),說明設備、材料等產(chǎn)業(yè) 鏈配套環(huán)節(jié)已經(jīng)成熟。國內(nèi)企業(yè)需要追趕的核心要素是培養(yǎng)人才,引進人才。第五、半導體封測目前屬于國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈中有望率先實現(xiàn)全面國產(chǎn)替代的 領域,并且當前全球封測市場份額的重心繼續(xù)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。根據(jù)中國半導體行 業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)封測業(yè)銷售額達333億美元,而全球 封測行業(yè)2018年約560億美元,中國封測行業(yè)占全球市場份額約達59%o 目前中國龍頭企業(yè),如長電科技、華天科技已擁有國際先進封裝測
5、試技術,與 國際一流企業(yè)差距較小。建議國內(nèi)企業(yè)加強精細化運營,優(yōu)化內(nèi)部管理流程, 積極提升服務能力,在服務全球頂級客戶方面做好全面準備。在此基礎上,力 爭國內(nèi)封裝測試產(chǎn)業(yè)鏈,到達全球一流水平。股價變化的催化因素第一,產(chǎn)業(yè)政策持續(xù)加碼第二,國際并購及龍頭企業(yè)合作加強從地方產(chǎn)業(yè)政策來看,多地退出集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策及開展規(guī)劃,從投融資、企 業(yè)培 育、研發(fā)、人才、知識產(chǎn)權(quán)、進出口以及政府管理等方面退出一系列政策,對 符合要求 的企業(yè)給予獎勵和研發(fā)補助。表3:集成電路生產(chǎn)企業(yè)稅收優(yōu)惠政策情況年份文件產(chǎn)線要求A配套減 稅政策 A產(chǎn)線要求B配套減稅政策B獲利起始年份其他要求2018關于集成電路生產(chǎn)企業(yè) 有
6、關企業(yè)所得稅政策問 題的通知線 寬130nm兩免三 減半線寬要求v65nm,或投資 額150億經(jīng)營期在15年以上,五 免五減半企業(yè)按照獲利年實行 優(yōu)惠,工程按照收入年 實行優(yōu)惠針對2018年以后投資的 企業(yè)或工程2012關于進一步鼓勵軟件產(chǎn) 業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)開展線 寬800nm兩免三 減半線寬要求250nm,或投經(jīng)營期在15年以上,五 免五減半,經(jīng)營期在15自獲利年起計算優(yōu)惠 期在2017年底錢自獲利年 起計算優(yōu)惠期,并享受到企業(yè)所得稅政策的通知資額80億年以下,減按15%征稅期滿為止財政部、國家稅務總局關線 寬800nm兩免三 減半線寬要求經(jīng)營期在15年以上,五2008于企業(yè)所得稅假設干優(yōu)惠
7、 Cadence和Mentor全球的市場 份額分別為32%、22%和10%o國內(nèi)EDA設計軟件廠商主要有華大九天、杭州廣立微、蘇州芯禾、濟南概倫、天 津藍海微等企業(yè)。與國際巨頭能提供整套EDA工具不同,國內(nèi)EDA企業(yè)產(chǎn)品不 全,只在局部形成一定突破。作為國內(nèi)最大的EDA公司,華大九天也只能提供1/3左右的EDA工具。2018年國內(nèi)EDA銷售額約5億美元(約合人民幣33億元)。 其中,國產(chǎn)EDA工具銷售額3.4億元,只占了國內(nèi)市場的10%0而Synopsys、 Cadence去年的年銷售額分別達30億美元和21億美元,差距甚大。EDA設計軟件具備壁壘高,投入期長,生態(tài)圈缺失,產(chǎn)業(yè)鏈支持薄弱,人才
8、缺失 等問題,一個EDA工具從技術開發(fā)到能夠被市場接受基本上需要五六年的時間。 EDA是芯片設計和制造的紐帶和橋梁,需要制造和設計的支持,只有不斷應用和 迭代,產(chǎn)品才能不斷進步。開展EDA產(chǎn)業(yè)最關鍵的還是要靠人,不管是基礎人才 還是高端人才,都是國內(nèi)目前匱乏的。國內(nèi)EDA設計公司平均每年工資上漲10%, 但是和國外同行比仍差20%30%,而與局部互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)差50%o企業(yè)還在生死 線上掙扎時,根本無暇顧及人才培養(yǎng)。解決EDA的國產(chǎn)化問題,除了政府加大支持,要做好持續(xù)大投入的準備,并出臺 一些人才激勵的政策,從國外吸引優(yōu)秀的人才回來。模擬芯片設計能力較低。相較數(shù)字集成電路設計,模擬集成電路設計與半
9、導體 器件的物理材料性質(zhì)有著更大的關聯(lián)。模擬芯片的設計除了電路設計之外,更 多需要對材料物理性質(zhì)的理解。不同模擬器件的設計需要設計電氣、材料參數(shù)、 材料加工等多方面的能力,同時不同應用場景所用的芯片要求不同,使得模擬 芯片設計需要多種類跨學科的知識。我國模擬芯片產(chǎn)業(yè)開展交往,導致模擬芯 片設計能力缺乏。中國芯片設計產(chǎn)業(yè)對策我們認為要想解決這些問題,可以參考海思半導體的成功開展路徑:1、大客戶支持:海思半導體能夠成功最核心的競爭力在于華為母公司的訂單支持。 華為技術2018年半導體芯片總采購額高達211億美元,這給海思半導體提供 了巨大的優(yōu)先市場,可以說沒有母公司華為的大力支持就沒有海思半導體今
10、天 的成功。華為能夠如此大規(guī)模的采購,一方面是對子公司的全力支持,同時也 是基于其強大的經(jīng)營實力。2、高強度研發(fā)投入:華為是一家業(yè)務多元化同時營收規(guī)??焖僭鲩L的企業(yè),同時 還一直保持著高強度的研發(fā)投入,2018年華為營業(yè)收入7200億元,研發(fā)投入 1015億元,近十年研發(fā)投入超過4850億元,超過中國BAT等互聯(lián)網(wǎng)公司研 發(fā)投入總和。對于半導體行業(yè),持續(xù)高強度的研發(fā)投入是企業(yè)開展的必須。如 果比照海外半導體龍頭的研發(fā)投入,華為是唯一能夠跟上國外龍頭企業(yè)的中國 企業(yè),這也是國內(nèi)大局部半導體企業(yè)一直在成長但是卻與國外企業(yè)差距越來越 大的核心原因。3、充分利用FAB產(chǎn)業(yè)紅利:不同于美國,歐洲,日本和
11、韓國這些半導體行業(yè) 先進的國家,中國,包括臺灣地區(qū)的半導體產(chǎn)業(yè)模式有著著根本的不同。歐洲, 日本和韓國都是以IDM企業(yè)為主,F(xiàn)abless產(chǎn)業(yè)比例基本為零;只有美國是IDM 模式和Fabless模式均衡開展,并且都占據(jù)全球較高的份額;而中國和臺灣那么 正好相反,F(xiàn)abless占據(jù)份額很高,而IDM占比明顯偏低。我們認為這主要源 于中國和臺灣的半導體開展時點最晚,并且主要得益于全球Fabless模式向臺 灣和大陸轉(zhuǎn)移的產(chǎn)業(yè)趨勢,這就導致中國已經(jīng)錯失了早期IDM模式開展的黃金 階段,只能從相對容易的Fabless開始介入半導體行業(yè)。因此,我們認為至少 在未來相當長一段時間內(nèi),中國半導體產(chǎn)業(yè)仍然更適
12、合Fabless模式開展,而 IDM模式需要國內(nèi)相關上游設備,材料以及晶圓代工廠的逐步摸索合作,這會 是一個相對漫長的過程。4、布局國內(nèi)優(yōu)勢下游產(chǎn)業(yè):過去40年改革開放開展中,國內(nèi)企業(yè)在家電、電 腦、安防監(jiān)控、服務器、路由器、無線通信設備以及智能手機等產(chǎn)品的制造能 力全球首屈一指。下游系統(tǒng)產(chǎn)品端的巨大需求將成為未來國內(nèi)電子產(chǎn)業(yè)自主可 控、創(chuàng)新升級的核心優(yōu)勢。未來在產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化配套需求趨勢下,國內(nèi)終端產(chǎn) 品使用國產(chǎn)芯片,在應用端提供試錯改進提升的機會,同時通過上游國產(chǎn)配套 降低采購本錢促進下游整機產(chǎn)品形成核心競爭力,這將是是國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)的有 效突破機會。集成電路制造環(huán)節(jié)現(xiàn)狀、問題及應對措施集成電
13、路(IC, integrated circuit)制造是將設計成型的集成電路圖實現(xiàn)的過程,在 硅片等襯底材料基礎上,通過高尖端設備,經(jīng)過氧化、光刻、擴散、外延、測試等半 導體制造工藝,把構(gòu)成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們 之間的連接導線全部集成在一小塊硅片上,制備出具備特定功能的集成電路,又稱芯 片。集成電路,按其功能、結(jié)構(gòu)的不同,可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模 混合集成電路三大類。模擬集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種幅度隨時間變化的模擬 信號(例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等),其輸入信號和輸出信 號成比例關系。數(shù)字集成電路那么是用來產(chǎn)生、放
14、大和處理各種數(shù)字信號(例 如5G手機、 數(shù)碼相機、電腦CPU、數(shù)字電視的邏輯控制和重放的音頻信號和視頻信號)。集成電路制造環(huán)節(jié)現(xiàn)狀隨著半導體產(chǎn)業(yè)的開展,投資規(guī)模越來越大,產(chǎn)業(yè)分工越來越明確。產(chǎn)業(yè)龍頭公司逐 步從早期的垂直整合生產(chǎn)(IDM, integrated device manufacturer)轉(zhuǎn)向?qū)I(yè)化分工, 出現(xiàn)專業(yè)化的芯片設計公司(Fabless),專業(yè)的芯片制造公司(Foundry)以及專業(yè)的封裝 測試公司。我們從技術能力、規(guī)模等角度分析目前全球芯片制造領域的格局。全球IC制造領域格局。目前全球IC代工制造領頭企業(yè)為中國臺灣的臺積電,2018 年收入為303.89億美元,占全球前
15、十大IC制造規(guī)模收入比例超過50%o中國大陸 企業(yè)在前十位的分別有中芯國際和華虹半導體,2018年收入分別為33.78億美元和 9.45億美元,占全球前十大IC制造規(guī)模收入比例分別為5.64%和1.58%o資料來源:IC Insight,拓撲產(chǎn)業(yè)研究院、公司公告、整理表6:全球前十大晶圓代工公司收入規(guī)模排名(單位:億美元)排名公司名稱2015 年2016 年2017 年2018 年2018占比國家/地區(qū)1臺積電 (TSMC)日265.74292.43328.65303.8950.78%中國臺灣2二星 (Samsung)26.742.9443.9899.5016.63%韓國3格羅方德 (Goba
16、lFoun dires)50.1949.9954.0762.0910.38%阿聯(lián)酋4聯(lián)電(UMC)44.6445.6250.1944.567.45%中國臺灣5中芯國際 (SMIC)22.3629.1431.1133.785.64%中國6高塔半導體 (Tower Jazz)9.6112.4913.8813.112.19%以色列7華虹半導體(Hua Hong)ill. m * *44-9.717.218.079.451.58%中國8世界先進 (VIS)9力積電 (PSC) r ,8.018.179.591.60%中國臺灣10東部向科(DB HiTek)12.688.710.3516.332.73%
17、中國臺灣6.666.766.151.03%韓國技術水平格局。集成電路的技術水平核心指標是特征尺寸,特征尺寸是指半導體器 件 中的最小尺寸。特征尺寸越小,芯片的集成度越高,性能越好,功耗越低,公司 的制造水平越高。從競爭格局現(xiàn)狀來看,目前國內(nèi)IC制造能力與國際先進比擬, 制造能力落后5-6年,制程能力相差2代至U 2.5代。隨著進入7nm以及更高制程周期,領頭企業(yè)與追趕企業(yè)的差距在逐步擴大。例如,隨著工藝難度的提升,開發(fā)難度不斷增大,投入資金要求越來越大,格羅方德以及聯(lián)電短期內(nèi)已經(jīng)放棄往7nm制程的升級。表7:全球主要晶圓制造工廠制程水平進展公司名稱28nm14nm7nm5nm2nm目前量產(chǎn)的最
18、先進制程臺積電(TSMC)2011 年2016 年2018 年2020年 預計在2024年7nm三星(Samsung)2012 年2015 年2019 年10nm格羅方德(GlobalFoundires)2013 年2015年(三星授權(quán))2018年宣布不再向12nm以下的制程工藝投入研發(fā)資14nm聯(lián)電(UMC)2012 年2017 年2018年宣布退守14nm及以上制程工藝的晶圓代工市場。14nmIntel2011 年2015 年14nm中芯國際(SMIC)2017 年預計2020年無無無28nm華虹半導體(Hua Hong)2019 年預計2020年無無無28nm資料來源:公司公告、整理提升
19、芯片制造能力的應對措施隨著下游終端產(chǎn)品例如智能手機要求的性能越來越高,高端芯片如華為海思麒麟990 芯片、蘋果A12系列芯片、高通驍龍855系列芯片等都采用7nm制程,兩家具備 高端制程能力的公司如三星、英特爾等公司由于自身產(chǎn)業(yè)鏈因素,高端制程主 要用于 自身產(chǎn)品生產(chǎn)。目前大局部高端芯片特別是7nm制程及以上的芯片制造,目前大 局部市場主要由臺積電占據(jù)。國內(nèi)兩家芯片制造公司中芯國際、華虹半導體都已經(jīng)進入14nm制程的風險量產(chǎn)階 段,但其核心量產(chǎn)制程僅在28nm,意味著能夠生產(chǎn)市場上60%的芯片。國內(nèi)企業(yè) 與國際先進水平企業(yè)仍然存在較大差距,并且未來在進入更高階制程過程中面臨的 壓 力越來越大。
20、應對措施方面,我們建議國內(nèi)企業(yè)在積極做好14nm量產(chǎn)準備的同時,在設備、制造 工藝、人才等方面及早做好儲藏,加大國際頂尖人才的引進。目前國家半導體產(chǎn)業(yè)政 策環(huán)境相對較好,先進制程方面國際領先企業(yè)已經(jīng)成熟量產(chǎn),說明設備、材料等產(chǎn)業(yè)鏈配 套環(huán)節(jié)已經(jīng)成熟。國內(nèi)企業(yè)需要追趕的核心要素是培養(yǎng)人才,引進人才,例如中芯國際在 2017年10月份引進臺積電及三星前技術核心梁孟松后只用了一年半左右時間,就在 2018年上半年就實現(xiàn)14nmFinFET工藝正式的量產(chǎn),目前的良品率到達95%以上, 所以引進國際頂尖人才實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)升級是核心環(huán)節(jié)。半導體封測行業(yè)現(xiàn)狀、問題及應對措施半導體封測目前屬于國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈中有望
21、率先實現(xiàn)全面國產(chǎn)替代的領域,并且 當前全球封測市場份額的重心繼續(xù)向國內(nèi)轉(zhuǎn)移。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計, 2018年中國集成電路產(chǎn)業(yè)封測業(yè)銷售額達333億美元,而全球封測行業(yè)2018年 約560億美元,中國封測行業(yè)占全球市場份額約達59%。圖10 :全球及中國封測行業(yè)規(guī)模及占比(億美元)中國封測行業(yè)全球封測行業(yè) 中國占全市場份額資料來源:yole,中國半導體協(xié)會,整理從封測行業(yè)企業(yè)競爭格局看,雖然全球目前排名前2的公司為日月光和安靠,但中 國企業(yè)在國際上已擁有較強競爭力。2018年長電科技、華天科技、通富微電三家 企業(yè)在全球市場市占率達17%,且在封裝技術能力較為全面,掌握了全球較為領 先的先
22、進封裝技術,未來有望進一步搶占更多市場份額。圖11 :全球主要封測企業(yè)市場份額圖12 :全球主要封測企業(yè)營收規(guī)模(億美元)資料來源:半導體行業(yè)觀察,整理資料來源:,整理從技術開展趨勢,目前國際先進封裝技術開展趨勢主要有FC BGA(倒裝芯片球柵 格陣列的封裝格式)、WLCSP(晶圓級封裝)、F6WLP隔圓級扇出封裝)、Sip(系統(tǒng) 級封裝)等技術。這些先進封裝技術主要應用在手機、可穿戴設備等小型化高附加值 電子設備中。目前中國龍頭企業(yè)如長電科技、華天科技已擁有此類先進封裝技術,其技術水平雖第三,貿(mào)易戰(zhàn)加速半導體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代進度核心假設或邏輯的主要風險第一,下游需求疲軟第二,國產(chǎn)半導體替代低于
23、預期第三,國外半導體上游產(chǎn)業(yè)鏈封鎖有所落后國際龍頭企業(yè),但差距較小,預計未來58年,有望實現(xiàn)全面趕超。建議國內(nèi)企業(yè)加強精細化運營,優(yōu)化內(nèi)部管理流程,積極提升服務能力,在服務全 球 頂級客戶方面做好全面準備。在此基礎上,力爭國內(nèi)封裝測試產(chǎn)業(yè)鏈,到達全球 一流水 平。表7:封測企業(yè)主要封裝技術及工藝能力比照資料來源:公司公告、整理FC BGA BumpingTSVWLCSPFO-WLPSip日月光(臺灣)JJJJ安靠科技(美國)VVVV長電科技JJJJ華天科技JJJJ通富微電JJVJVJJJJJJ國信證券投資評級類別級別定義股票投資評級買入預計6個月內(nèi),股價表現(xiàn)優(yōu)于市場指數(shù)20%以上增持預計6個月
24、內(nèi),股價表現(xiàn)優(yōu)于市場指數(shù)10%-20%之間中性預計6個月內(nèi),股價表現(xiàn)介于市場指數(shù)10%之間賣出預計6個月內(nèi),股價表現(xiàn)弱于市場指數(shù)10%以上行業(yè)投資評級超配預計6個月內(nèi),行業(yè)指數(shù)表現(xiàn)優(yōu)于市場指數(shù)10%以上中性預計6個月內(nèi),行業(yè)指數(shù)表現(xiàn)介于市場指數(shù)10%之間低配預計6個月內(nèi),行業(yè)指數(shù)表現(xiàn)弱于市場指數(shù)10%以上分析師承諾作者保證報告所采用的數(shù)據(jù)均來自合規(guī)渠道,分析邏輯基于本人的職業(yè)理解, 通過合理判斷并得出結(jié)論,力求客觀、公正,結(jié)論不受任何第三方的授意、影 響,特此聲明。風險提不本報告歸國信證券股份(以下簡稱“我公司”)所有,僅供我公司客戶 使用。未經(jīng)書面許可任何機構(gòu)和個人不得以任何形式使用、復制或
25、傳播。任何 有關本報告的摘要或節(jié)選都不代表本報告正式完整的觀點,一切須以我公司向 客戶發(fā)布的本報告完整版本為準。本報告基于已公開的資料或信息撰寫,但我 公司不保證該資料及信息的完整性、準確性。本報告所載的信息、資料、建議 及推測僅反映我公司于本報告公開發(fā)布當日的判斷,在不同時期,我公司可能 撰寫并發(fā)布與本報告所載資料、建議及推測不一致的報告。我公司或關聯(lián)機構(gòu) 可能會持有本報告中所提到的公司所發(fā)行的證券頭寸并進行交易,還可能為這 些公司提供或爭取提供投資銀行業(yè)務服務。我公司不保證本報告所含信息及資 料處于最新狀態(tài);我公司將隨時補充、更新和修訂有關信息及資料,但不保證 及時公開發(fā)布。本報告之用,不
26、構(gòu)成出售或購買證券或其他投資標的要約或邀請。在 任何情況下,本報告中的信息和意見均不構(gòu)成對任何個人的投資建議。任何形 式的提供證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。投 資者應結(jié)合自己的投資目標和財務狀況自行判斷是否采用本報告所載內(nèi)容和信 息并自行承當風險,我公司及雇員對投資者使用本報告及其內(nèi)容而造成的一切 后果不承當任何法律責任。證券投資咨詢業(yè)務的說明本公司具備中國證監(jiān)會核準的證券投資咨詢業(yè)務資格。證券投資咨詢業(yè)務是指 取得監(jiān)管部門頒發(fā)的相關資格的機構(gòu)及其咨詢?nèi)藛T為證券投資者或客戶提供證 券投資的相關信息、分析、預測或建議,并直接或間接收取服務費用的活動。證券研究報告是證券
27、投資咨詢業(yè)務的一種基本形式,指證券公司、證券投資咨 詢機構(gòu)對證券及證券相關產(chǎn)品的價值、市場走勢或者相關影響因素進行分析, 形成證券估值、投資評級等投資分析意見,制作證券研究報告,并向客戶發(fā)布 的行為。內(nèi)容目錄 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark34 o Current Document 我國半導體行業(yè)政策歷史演變6 HYPERLINK l bookmark36 o Current Document 全球與中國半導體設備現(xiàn)狀9 HYPERLINK l bookmark38 o Current Document 中國半導體設備現(xiàn)狀9 HYPERLINK l boo
28、kmark40 o Current Document 中國半導體設備的政策支持10 HYPERLINK l bookmark6 o Current Document 中國半導體設備的問題、缺乏與解決方案 11 HYPERLINK l bookmark8 o Current Document 半導體材料現(xiàn)狀、問題及應對措施 11 HYPERLINK l bookmark12 o Current Document 芯片設計現(xiàn)狀、問題以及對策14 HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 全球芯片設計產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀14 HYPERLINK l bookmark16
29、 o Current Document 中國芯片設計現(xiàn)狀15 HYPERLINK l bookmark18 o Current Document 國內(nèi)芯片設計的問題15 HYPERLINK l bookmark20 o Current Document 中國芯片設計產(chǎn)業(yè)對策16 HYPERLINK l bookmark22 o Current Document 集成電路制造環(huán)節(jié)現(xiàn)狀、問題及應對措施18 HYPERLINK l bookmark24 o Current Document 集成電路制造環(huán)節(jié)現(xiàn)狀 18 HYPERLINK l bookmark26 o Current Document
30、 提升芯片制造能力的應對措施19 HYPERLINK l bookmark28 o Current Document 半導體封測行業(yè)現(xiàn)狀、問題及應對措施20國信證券投資評級22分析師承諾22風險提不22證券投資咨詢業(yè)務的說明22圖表目錄 TOC o 1-5 h z 圖1 :半導體產(chǎn)業(yè)鏈6圖2 :集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈示意圖6圖3 :國家科技重大專項列表7圖4 :國家級相關集成電路重要政策7圖5 :新建晶圓廠資本支出占比拆分9圖6 :晶圓制造設備投資占比拆分9圖7 :主要半導體設備國產(chǎn)化率及供應商10圖8 :全球芯片設計產(chǎn)業(yè)規(guī)模(億美元)15圖9 :中國芯片設計產(chǎn)業(yè)規(guī)模(億元)15圖10 :全球及中
31、國封測行業(yè)規(guī)模及占比(億美元)20圖11 :全球主要封測企業(yè)市場份額20圖12 :全球主要封測企業(yè)營收規(guī)模(億美元)20表1 :歷年來主要政策匯總表8表2 :半導體制造核心設備市占率情況9表3 :集成電路生產(chǎn)企業(yè)稅收優(yōu)惠政策情況11表4: 2018年全球IC設計前十企業(yè)14表5: 2018年中國IC設計前十企業(yè)15表6 :全球前十大晶圓代工公司收入規(guī)模排名(單位:億美元)18表8 :封測企業(yè)主要封裝技術及工藝能力比照21我國半導體行業(yè)政策歷史演變1956年國務院制定的1956-1967科學技術開展遠景規(guī)劃中,已將半導體技 術列為四大科研重點之一,明確提出“在12年內(nèi)可以制備和改進各種半導體器
32、材、器件”的目標。同期教育部集中各方資源在北京大學設立半導體專業(yè),培 養(yǎng)了包括王陽元院士、許居衍院士等第一批半導體人才。半導體產(chǎn)業(yè)鏈復雜、技術難度高、需要資金巨大,且當時國內(nèi)外特定的社會環(huán) 境,中國在資金、人才及體制等各方面困難較多,導致中國半導體的開展舉步 維艱。(圖表1、2為半導體產(chǎn)業(yè)鏈圖)圖1 :半導體產(chǎn)業(yè)鏈圖1 :半導體產(chǎn)業(yè)鏈資料來源:,整理資料來源:半導體行業(yè)觀察,整理直到70年代,中國半導體產(chǎn)業(yè)的小規(guī)模生產(chǎn)才正式啟動。原電子工業(yè)部部長在其 著作芯路歷期中回介段歷史,提開展中第TS嫗“有設備箱姓產(chǎn)70年 代從日本、美國引進了大量二手、淘汰設備建立了超過30條生產(chǎn)線,但引進后無法 解決
33、技術、設計問題,也沒有管理、運營能力,第一批生產(chǎn)線未能發(fā)揮應有 的作用, 就淡出了市場。90年代,國家再度啟動系列重大工程,為改變半導體行業(yè)開展困境,最知名的為 908、909工程,中國半導體人從中獲得較多珍貴的經(jīng)驗教訓,收獲了兩家較為成 功的案例,分別為華虹及海思。908工程在1990年啟動,投資20億元建設國際 領先的1微米(1000nm)制程工藝的晶圓制造產(chǎn)線。由于中國彼時整體經(jīng)濟力量還 在蓄積,因此經(jīng)費、設備引進、建廠等環(huán)節(jié)仍然阻力較大,直至1998年產(chǎn)線得以 竣工。此時國際工藝節(jié)點到達0.18微米,中國生產(chǎn)線剛建成就落后兩代。在1996 年國家啟動了909工程,整體投資約100億元,
34、并且做出很多打破審批的特事特 辦,參與其中的公司如今只剩兩家,一個是909工程的主體華虹集團,另一個那么是 完全自籌L355億元資金的華為設計公司,也就是后來的海思。2012年之后,國家領導層逐漸認識到“政策在發(fā)改委、科研在科技部、產(chǎn)業(yè)在工 信部、資金歸財政部”的格局,導致半導體行業(yè)政出多門、相互牽制、難以統(tǒng)籌等 現(xiàn)實 困難,因此積極調(diào)整開展思路,設立集成電路產(chǎn)業(yè)領導小組、發(fā)布集成電路 產(chǎn)業(yè)推進 剛要、籌建大基金等舉措,進一步自上而下的理順了半導體行業(yè)開展框 架。在產(chǎn)業(yè)領導 小組成立之后,各方面的政策、資金及配套資源得以集中,為半導體行業(yè)的攻堅克難 奠定良好的基礎。近年來國家層面發(fā)布的政策較多
35、,其中最重耍目標性政策有:1、2012年國務院主導,科技部印發(fā)“02專項”即極大規(guī)模集成電路制造技術及 成套工藝工程,也標志著集成電路成為國家級重點優(yōu)先戰(zhàn)略目標?!?2專項”核 心要點為開展極大規(guī)模集成電路制造裝備、成套工藝和材料技術攻關,掌握制約產(chǎn)業(yè) 開展的核心技術,形成自主知識產(chǎn)權(quán);開發(fā)滿足國家重大戰(zhàn)略需求、具有市場競爭力的關鍵產(chǎn)品,批量進入生產(chǎn)線,改變制造裝備、成套工藝和材料依賴進口的局 面。圖3 :國家科技重大專項列表【幡“1oH.an片/I, n .金*.栽N .-+C5 EiTNS 用MM aSeRt” MM* 崎,朔+ -W3“,,t Un (OMI T2.鼻if耽誤他1 m 3
36、Mmbs aeUBiOtXBCH+URM, vms仍ib ttmftAi .十二&- WMeWFria bMBTTTWg*”,Mik西融RIC 二 IT IMEEW5 三彳三AXTB”IK3一品HIHItyrWlHgW AHO * X * r; e T+r. wKtewj gm-;網(wǎng),;twrs ruihWjMMn-hn ,-ftgUtHMtWfieiRiti0R4M川m vr,Rui,5 域口 中 s bw/rm .wa5,大型編1y e n鼎wrmsB-M ZB0% 裝軍色,力R*Rd-iW+a* imafRin DlfHWIVi 81|/大雪負. *rri. wyx .7,c, BiMg
37、cuynIIIAlUMIFUl -4B - umrcamDit 。”引: 5MlM川3Vt!Ure”*Q電*Q.T幺由“raw HAMM- eSM/安M資料來源:政府官網(wǎng),整理0由“VBI.a戶任ND!r IM nnMM1 KS b awW*lRQl Z4Mwm xvftfVitcmrM* 2、2014年6月國務院公布國家集成電路產(chǎn)業(yè)開展推進綱要。綱要明確提出, 到2020年,集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年均 增速超過20%, 16/14nm制造工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),封裝測試技術到達國際領先水 平,關鍵裝備和材料進入國際采購體系,基本建成技術先進、平安可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)
38、 體系。圖4 :國家級相關集成電路重要政策資料來源:政府官網(wǎng),整理3、2015年發(fā)布國家10年戰(zhàn)略計劃中國制造2025。計劃提出,2020年中國芯 片自給率要到達40%, 2025年要到達70%。4、2016年,國務院印發(fā)“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)開展規(guī)劃。規(guī)劃提出,到2020年,戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)增加值(含半導體產(chǎn)業(yè))占國內(nèi)生產(chǎn)總值比重到達15%。 rp % I- AA 1 .+木女蟻甲/I心不時間相關部門政策政策要點2018年7月工信部、發(fā)改委擴大和升級信息消費三年行動計劃(2018-2020年)加大資金支持力度,支持信息消費前沿技術研 發(fā),拓展各類新型產(chǎn)品和融合應用。各地工業(yè)和2018年7
39、月國務院關于優(yōu)化科研管理提升科研績效假設干措施的通知對試驗設備依賴程度低和實驗材料耗費少的基 礎研究、軟件開發(fā)、集成電路設計等智力密集型2018年6月工信部智能傳感器產(chǎn)業(yè)三年行動指南(2017-2019年)涵寶智能傳感器模擬寫數(shù)字,數(shù)字與模擬轉(zhuǎn)換 (AD/DA、專用集成電路(ASIC)、軟件算法2018年3月財政部、稅務總局、 發(fā)改委、工信部關于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關企業(yè)所得稅政策問題的通知該文件涉及的優(yōu)惠政第內(nèi)容有,集成電路相關企 業(yè)根據(jù)對應政策要求可享受1、兩免三減半。2、2018年1月國務院關于深化“互聯(lián)網(wǎng)+先進制造開展工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的指導意見雅動固正負產(chǎn)加速抓目、企業(yè)研友費用加計于n 除上軟
40、件和集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅優(yōu)惠笠政一策2017年4月科技部國家高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)”十三五”開展規(guī)劃優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),推進集成電路及專用裝備關鍵核 心技術突破和應用2016年12月國家發(fā)改委、工信部信息產(chǎn)業(yè)開展指南著力提升集成電路設計水平;建成技術先進、安 全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系;重點開展12英寸集2016年12月國務院”十三五”國家信息化規(guī)劃大力推進集成電路創(chuàng)新突破。加大面向新型計 算、5G、智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)的芯2016年11月國務院十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)開展規(guī)劃啟動集成電路重大生產(chǎn)力布局規(guī)劃工程,實施一 批帶動作用強的工程,推動產(chǎn)業(yè)能力實現(xiàn)快速躍2016年8月質(zhì)檢總局、國家標準
41、 委、工信部裝備制造業(yè)標準化和質(zhì)量提升規(guī)劃加快完善集成電路標準體系,推進高密度封裝、 三維微組裝、處理器、高端存儲器等領域集成電2016年7月國務院“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃支持面向集成電路等優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)領域建設假設干科 技創(chuàng)新平臺;推動我國信息光電子器件技術和集2016年5月國務院國家創(chuàng)新驅(qū)動開展戰(zhàn)略綱要加大集成電路等自主軟硬件產(chǎn)品和網(wǎng)絡平安技 卷攻關邳推廣力度;攻克集成收跟裝備等方面的2016年5月國家發(fā)改委、財政 部、工言部關于軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)所得稅優(yōu)惠政策有關問題的通知明確7色矍成電南粽我的猴咬弗黛登露認空等嶗撰郭卿批譽翦蠲套殿型繇法白舍業(yè)和”極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”列為
42、2015年6月科技部科技部重點支持集成電路曲專項2015年5月國務院中國制適2025將集成電膿作為新一代信息技術聲業(yè)”納入大力2015年3月財政部、稅務局、發(fā) 改委、匚信部關于進一步鼓勵集成電路產(chǎn)業(yè)開展企業(yè)所得稅政策的通知集成電跆封裝、測試企業(yè)以及集成電路關鍵專用 材料牛產(chǎn)企業(yè)、集成申路專用設備牛產(chǎn)企,根2014年6月國務院國家集成電路產(chǎn)業(yè)開展推進綱要到2020年集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距 我霄穎玲獻嘴瞬始霆超曾速修產(chǎn)肄識產(chǎn)權(quán)、市場等方面皮.持集成中路的龍展C講2011年1月國務院進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成甩路產(chǎn)業(yè)開展的假設干政策資料來源:政府官網(wǎng),整理集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要分為集成電路設計、
43、集成電路制造以及集成電路封裝測試 等三個主要環(huán)節(jié),同時每個環(huán)節(jié)配套以不同的制造設備和生產(chǎn)原材料等輔助環(huán) 節(jié)。我們下文將從制造設備及原材料、集成電路設計、集成電路制造和封裝測 試等四個環(huán)節(jié)出發(fā),分析每個環(huán)節(jié)國內(nèi)相關環(huán)節(jié)的現(xiàn)狀、面臨的問題,并提出 對策建議。全球與中國半導體設備現(xiàn)狀半導體設備位于整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈的上游,在新建晶圓廠中半導體設備支出的占比 普 遍到達80%。一條晶圓制造新建產(chǎn)線的資本支出占比方下:廠房20%、晶圓制造 設備65%、組裝封裝設備5%,測試設備7%,其他3%o其中晶圓制造設備在半 導體設備中占比最大,進一步細分晶圓制造設備類型,光刻機占比30%,刻蝕 20%, PVD15
44、%, CVD10%,量測 10%,離子注入 5%,拋光 5%,擴散 5%。圖6 :晶圓制造設備投資占比拆分資料來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),整理圖5:新建晶圓廠資本支出占比拆分資料來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),整理17年全球半導體設備市場總量約為566億美元,同比+37%, 2018年預計在600 億美元規(guī)模。中國是全球半導體設備的第三大市場,17年中國半導體設備82.3億 元,增速27%O中國半導體設備現(xiàn)狀半導體設備具備極高的門檻和壁壘,全球半導體設備主要被日美所壟斷,核心設備 如光刻、亥IJ蝕、PVD、CVD、氧化/擴散等設備的top3市占率普遍在90%以上。 目前光刻機、刻蝕、鍍膜、量測、清洗、離子注入
45、等核心設備的國產(chǎn)率普遍較低。經(jīng) 過多年培育,國產(chǎn)半導體設備已經(jīng)取得較大進展,整體水平到達28nm,并在 14nm和7nm實現(xiàn)了局部設備的突破。具體來講,28nm的刻蝕機、薄膜沉積設備、氧化擴散爐、清洗設備和離子注入機 已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn);14nm的硅/金屬刻蝕機、薄膜沉積設備、單片退火設備和清洗設備 已經(jīng)開發(fā)成功。8英寸的CMP設備也已在客戶端進行驗證;7nm的介質(zhì)刻蝕機已 被中微半導體開發(fā)成功;上海微電子已經(jīng)實現(xiàn)90nm光刻機的國產(chǎn)化。在中低端制 程,國產(chǎn)化率有望得到顯著提升,先進制程產(chǎn)線為保證產(chǎn)品良率,目前仍將以采購海 外設備為主。表2 :半導體制造核心設備市占率情況資料來源:中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng),整理光刻刻蝕PVDCVD氧化/擴散第一ASMLLAMAMATAMATHitachi第二NikonTELEvatecTELTEL第三CanonAMATUI vacLAMASM前三市占率92.80%90.50%96.20%70%94.80%光刻機:高精度光刻機被ASML、尼康、佳能三家壟斷,上海微電子是國內(nèi)頂尖的 光刻機制造商,公司封裝光刻機國內(nèi)市占率80%,全球40%,光刻機實
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