DLT859-2004高壓交流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子人工污穢試驗(yàn)教案資料

1、Good is good, but better carries it.精益求精，善益求善。DLT859-2004高壓交流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子人工污穢試驗(yàn)-目次前言1范圍2規(guī)范性引用文件3術(shù)語(yǔ)和定義4一般試驗(yàn)要求5鹽霧法附錄A（資料性附錄）評(píng)定試驗(yàn)設(shè)備是否符合要求的補(bǔ)充資料附錄B（規(guī)范性附錄）污穢水平和爬電比距的關(guān)系附錄C（規(guī)范性附錄）鹽霧閃絡(luò)試驗(yàn)方法附錄D（規(guī)范性附錄）評(píng)定或檢驗(yàn)絕緣子耐受特性的鹽霧法附錄E（規(guī)范性附錄）固體層法試驗(yàn)附錄F（資料性附錄）檢驗(yàn)污層均勻性的測(cè)量方法附錄G（規(guī)范性附錄）固體層閃絡(luò)試驗(yàn)方法附錄H（規(guī)范性附錄）評(píng)定或檢驗(yàn)絕緣子耐受特性的固體層法前言本標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)原國(guó)家經(jīng)貿(mào)委電力

2、司“關(guān)于確認(rèn)1998年度電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制、修訂計(jì)劃項(xiàng)目的通知”（電力199940號(hào)）文的安排制定的。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了高壓交流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法（鹽霧法和固體層法）的一般試驗(yàn)要求、試驗(yàn)程序及判定準(zhǔn)則。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由電力行業(yè)絕緣子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口并負(fù)責(zé)解釋。本標(biāo)準(zhǔn)負(fù)責(zé)起草單位：武漢高壓研究所。本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位：中國(guó)電力科學(xué)研究院、華東電力集團(tuán)、山東電力試驗(yàn)研究院、清華大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：吳光亞、劉燕生、錢之銀、梁曦東、沈慶河、蔡煒、肖國(guó)英、顧光和。高壓交流系統(tǒng)用復(fù)合絕緣子人工污穢試驗(yàn)1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了標(biāo)稱電壓高于1000V、頻率為（5060）Hz交流架空

3、電力線路、變電所和電氣化鐵路接觸網(wǎng)用戶外和暴露在污穢大氣中的復(fù)合絕緣子（以下簡(jiǎn)稱絕緣子）工頻污穢耐受特性的測(cè)定。線路柱式絕緣子、電站電器類高壓支柱絕緣子、高壓線路橫擔(dān)絕緣子及復(fù)合間隔棒絕緣子屬于本標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍。2規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T2900.5電工術(shù)語(yǔ)絕緣固體、液體和氣體eqvIEC60050（212）：1990GB/T2900.8電工術(shù)語(yǔ)

4、絕緣子（eqvIEC60471）GB/T16927.1高電壓試驗(yàn)技術(shù)第一部分：一般試驗(yàn)要求（eqvIEC600601：1989）GB/T16927.2高電壓試驗(yàn)技術(shù)第二部分：測(cè)量系統(tǒng)（eqvIEC600602：1994）IEC60507：1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢試驗(yàn)3術(shù)語(yǔ)和定義除了符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的術(shù)語(yǔ)外，還應(yīng)符合GB/T2900.5和GB/T2900.8的規(guī)定。3.1試驗(yàn)電壓testvoltage在整個(gè)試驗(yàn)期間連續(xù)地施加在絕緣子上電壓的均方根值。3.2試驗(yàn)設(shè)備的短路電流（lsc）short-circuitcurrentoftestdevice試品在試驗(yàn)電壓下短路時(shí)由試驗(yàn)設(shè)備所供給

5、電流的均方根值。3.3鹽度（Sa）salinity鹽在自來(lái)水中溶液的濃度，它由鹽量除以溶液體積來(lái)表示，kg/m3。3.4污穢層pollutionlayer由鹽和惰性材料組成的在絕緣子的絕緣表面上的導(dǎo)電電解層。3.5污層電導(dǎo)率（K）layerconductivity污層的電導(dǎo)與形狀因數(shù)的乘積，它通常以S表示。3.6污穢度pollutiongrade表征施加在被試絕緣子上的人工污穢的量（鹽度、污層電導(dǎo)率、附鹽密度）的值。3.7附鹽密度（SDD）saltdepositdensity沉積在絕緣子的絕緣表面上的鹽量除以該表面的面積，它通常以mg/cm2表示。3.8基準(zhǔn)鹽度referencesalinit

6、y表征某一試驗(yàn)所使用的鹽度值。3.9基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率referencelaverconductivity表征某一試驗(yàn)所使用的污層電導(dǎo)率的數(shù)值，它定義為僅僅在進(jìn)行電導(dǎo)測(cè)量時(shí)帶電的一絕緣子的潮濕污層的電導(dǎo)率的最大值。3.10基準(zhǔn)附鹽密度referencesaltdepositdensity表征某一試驗(yàn)所使用的附鹽密度的數(shù)值，它定義為從進(jìn)行任一試驗(yàn)前染污了的絕緣子中選取的幾個(gè)絕緣子或在所選取的幾個(gè)絕緣子的幾個(gè)部分上測(cè)得的附鹽密度的平均值。3.11規(guī)定的耐受污穢度specifiedwithstandpollutiongrade絕緣子在5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定試

7、驗(yàn)電壓的絕緣子的基準(zhǔn)污穢度。3.12最大耐受污穢度maximumwithstandpollutiongrade絕緣子在5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，在規(guī)定的試驗(yàn)電壓下四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏〉淖罡呶鄯x度。3.13規(guī)定耐受電壓specifiedwithstandvoltage施加到絕緣子上的試驗(yàn)電壓，絕緣子在此試驗(yàn)電壓和5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定的污穢度。3.14最大耐受電壓maximumwithstandvoltage絕緣子在5.5或E.7.3規(guī)定的條件下，四次試驗(yàn)中至少有三次試驗(yàn)?zāi)苣褪茏∫?guī)定的污穢度的最高試驗(yàn)電壓。4一般試驗(yàn)要求4.1試驗(yàn)方

8、法第5章和附錄E中所規(guī)定的鹽霧法和固體層法推薦為標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)法。試驗(yàn)時(shí)電壓在至少為幾分鐘的一段時(shí)間內(nèi)保持不變。電壓持續(xù)升高至閃絡(luò)的方法不作為標(biāo)準(zhǔn)化的方法，僅供特殊目的使用。4.2試品的清洗如果需要，絕緣子的金屬附件應(yīng)在第一次試驗(yàn)之前涂上抗鹽水涂料，以保證試驗(yàn)期間沒(méi)有腐蝕物落到絕緣子表面。絕緣子在第一次試驗(yàn)之前，應(yīng)仔細(xì)用自來(lái)水清洗，除去所有污物的痕跡。然后用自來(lái)水徹底沖洗。以后每次染污前，僅需用自來(lái)水徹底清洗，以除去污穢物的所有痕跡。每次清洗后，手不應(yīng)觸及絕緣子的絕緣表面。4.3試品布置絕緣子一般應(yīng)垂直安裝于霧室中，并完整地裝上運(yùn)行時(shí)所具有的全部金屬附件（如均壓環(huán)、線夾等）。模擬實(shí)際運(yùn)行條件的安裝方

9、式（如水平、傾斜等），可經(jīng)供需雙方協(xié)商確定。對(duì)特殊不應(yīng)在垂直安裝方式試驗(yàn)的絕緣子（如穿墻套管和電力斷路器的縱向絕緣），僅考慮運(yùn)行位置。除絕緣子的支持物以及噴嘴柱外，絕緣子與任何接地物體之間的最小間距應(yīng)為每100kV試驗(yàn)電壓不小于0.5m，但至少為1.5m。支持結(jié)構(gòu)以及帶電金屬附件的布置，應(yīng)在絕緣子的最小間距內(nèi)模擬運(yùn)行中的情況。噴嘴的布置及其結(jié)構(gòu)應(yīng)符合5.2的要求。電容效應(yīng)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果的影響可作如下考慮：a）至少在450kV及以下試驗(yàn)電壓，可認(rèn)為金屬附件不會(huì)明顯影響試驗(yàn)結(jié)果；b）特別是采用固體層法試驗(yàn)時(shí)，內(nèi)部的大電容對(duì)表面電氣性能會(huì)產(chǎn)生影響。4.4對(duì)試驗(yàn)設(shè)備的要求4.4.1試驗(yàn)電壓試驗(yàn)電壓的頻率應(yīng)

10、在（4862）Hz之間。通常要求試驗(yàn)電壓應(yīng)與絕緣子在正常運(yùn)行條件下能耐受住的最高相電壓相一致，該值為。其中Um是設(shè)備的最大線電壓。當(dāng)試驗(yàn)相對(duì)相配置或中性點(diǎn)絕緣的系統(tǒng)用絕緣子時(shí)，試驗(yàn)電壓可高于此值。4.4.2最小短路電流試驗(yàn)設(shè)備的最小短路電流要求如下：a）最小短路電流峰值Iscmin與試驗(yàn)中絕緣子的表面電應(yīng)力（用爬電比距Ls表示）有關(guān)，應(yīng)滿足如圖1所示的關(guān)系曲線；b）除了a）外，試驗(yàn)設(shè)備還應(yīng)滿足電阻與電抗之比（R/X）不小于0.1和電容電流與短路電流比（Ic/Isc）在0.0010.1范圍內(nèi)的要求（評(píng)定是否符合該要求的判定準(zhǔn)則見(jiàn)附錄A）；c）若Isc大于6A，但不滿足圖1中的要求值，本標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)

11、定的耐受特性試驗(yàn)還可進(jìn)行，僅需電源滿足d）的規(guī)定；d）在每次耐受特性的試驗(yàn)中，應(yīng)記錄測(cè)量最高泄漏電流脈沖的幅值Ihmax，并在能耐受住的三次試驗(yàn)結(jié)果中確定最大值Ihmax，該值應(yīng)滿足下列條件：Isc/Ihmax11（1）式中Isc取方均根值，Ihmax是峰值。圖1對(duì)試驗(yàn)設(shè)備要求的最小短路電流峰值Iscmin與被試絕緣子爬電比距Ls的關(guān)系4.5污穢水平和爬電比距的關(guān)系污穢水平和爬電比距的關(guān)系見(jiàn)附錄B。5鹽霧法5.1鹽溶液鹽溶液由商業(yè)用純的氯化鈉（NaCl）和自來(lái)水按所要求的鹽度配制。鹽度應(yīng)從2.5，3.5，5，7，10，14，20，28，40，56，80，112，180kg/m3和224kg/m

12、3等級(jí)中選取，允許最大誤差為規(guī)定值的5。規(guī)定鹽度的鹽溶液在20時(shí)的體積電導(dǎo)率和密度值間的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1所示。表1在鹽溶液溫度為20時(shí)體積電導(dǎo)率和密度值間的對(duì)應(yīng)關(guān)系鹽度Sakg/m3體積電導(dǎo)率20S/m密度20kg/m32.50.433.50.6050.8371.15101.6142.2203.0284.11018.0405.61025.9567.61037.380101052.7112131074.6160171104.5224201140.0當(dāng)鹽溶液溫度不是20時(shí)，電導(dǎo)率可按下式校正：（2）式中：溶液溫度，；溫度為時(shí)的體積電導(dǎo)率，S/m；20溫度為20時(shí)的體積電導(dǎo)率，S/m；b系數(shù)，系數(shù)b如

13、表2所示。表2不同溫度下系數(shù)b溶液溫度系數(shù)b50.03156100.02817200.02277300.01905當(dāng)鹽溶液溫度不是20時(shí)，密度可按下式校正：（3）式中：溶液溫度，；溫度時(shí)的密度，kg/cm3；20溫度20時(shí)的密度，kg/cm3；Sa鹽度，kg/cm3。該校正公式僅對(duì)鹽度大于20kg/m3時(shí)有效。5.2噴霧系統(tǒng)5.2.1噴霧器結(jié)構(gòu)霧在實(shí)驗(yàn)室中由規(guī)定數(shù)量的噴霧器產(chǎn)生，典型的噴霧器結(jié)構(gòu)如圖2所示。此噴霧器借垂直吹向溶液噴嘴的壓縮空氣使溶液霧化。噴嘴由耐蝕管制成，空氣噴嘴內(nèi)徑為1.2mm0.02mm，而溶液噴嘴內(nèi)徑為2.0mm0.02mm。二種噴嘴的外徑均為3.0mm0.05mm，并且

14、噴嘴的末端應(yīng)切成直角并拋光。溶液噴嘴的末端應(yīng)裝在空氣噴嘴軸線上，偏差在0.05mm內(nèi)。壓縮空氣噴嘴的末端和溶液噴嘴中心線間的距離應(yīng)為3.0mm0.05mm。二個(gè)噴嘴的軸線應(yīng)位于同一平面內(nèi)，偏差在0.05mm內(nèi)。5.2.2噴霧器的排列噴霧器應(yīng)排成二縱列，平行于絕緣子并排在其兩側(cè)，絕緣子的軸線在二縱列所構(gòu)成的同一平面內(nèi)，即對(duì)垂直的絕緣子試驗(yàn)時(shí)應(yīng)排成垂直的二縱列，而對(duì)水平的絕緣子試驗(yàn)時(shí)排成水平的兩縱列。在傾斜的絕緣子情況下，如圖3所示，包含絕緣子和兩縱列的平面與水平面的交線應(yīng)垂直絕緣子的軸線；在此情況下，溶液噴嘴的軸線應(yīng)是垂直的。溶液的噴嘴和絕緣子軸線間的距離應(yīng)為3.0m0.05m。a傾斜角圖2噴霧

15、器典型結(jié)構(gòu)圖3傾斜絕緣子的試驗(yàn)裝置兩個(gè)噴霧器間應(yīng)相隔0.6m的間隔，每一噴霧器應(yīng)與該縱列軸線的方向相垂直并朝向另一縱列的相應(yīng)噴霧器，與噴霧器平面夾角在1以內(nèi)，對(duì)垂直的噴霧器是否符合此要求可這樣核對(duì)：將溶液噴嘴降低，通水經(jīng)空氣噴霧器噴出。調(diào)節(jié)方向與對(duì)面噴來(lái)的方向一致。二縱列應(yīng)超出絕緣子每端至少0.6m。對(duì)于長(zhǎng)度為H（m）的絕緣子，每一縱列噴霧器的最少數(shù)量N應(yīng)為：（4）5.2.3壓力和溶液流量供給噴霧器相對(duì)壓力為700kPa35kPa的過(guò)濾過(guò)的無(wú)油空氣。試驗(yàn)期間每一噴霧器的溶液流量應(yīng)為0.5dm3/min+0.05dm3/min，并且全部噴霧器的總流量允差應(yīng)為標(biāo)稱值的5。5.3試驗(yàn)開(kāi)始前的條件當(dāng)試

16、品按4.2清洗后完全潮濕時(shí)試驗(yàn)即應(yīng)進(jìn)行。試驗(yàn)開(kāi)始時(shí)試品應(yīng)與霧室的溫度處于熱平衡狀態(tài)。試品周圍溫度既不應(yīng)低于5也不應(yīng)高于40，且與水溶液溫差不應(yīng)超過(guò)15K。對(duì)試品施加電壓，啟動(dòng)鹽溶液泵和空氣壓縮機(jī)，當(dāng)噴嘴處壓縮空氣達(dá)到正常操作壓力時(shí)試驗(yàn)就可以進(jìn)行。5.4預(yù)處理過(guò)程試品預(yù)處理過(guò)程及要求為：a）試驗(yàn)時(shí)，將滿足4.2要求的試品按4.3的規(guī)定安裝于霧室中，啟動(dòng)噴霧器。b）在基準(zhǔn)鹽度下施加80的規(guī)定試驗(yàn)電壓并持續(xù)3h。c）在預(yù)處理過(guò)程期間，電源的特性應(yīng)不低于4.4的規(guī)定。5.5耐受試驗(yàn)5.5.1試驗(yàn)?zāi)康谋驹囼?yàn)的目的是驗(yàn)證絕緣子在規(guī)定試驗(yàn)電壓Up下是否能耐受規(guī)定的鹽度。5.5.2試驗(yàn)程序試驗(yàn)程序如下：a）當(dāng)

17、被試品和霧室條件滿足5.3和5.4的規(guī)定后，進(jìn)行試驗(yàn)。b）在規(guī)定試驗(yàn)電壓下，對(duì)絕緣子施加5.1中規(guī)定鹽度的鹽溶液，然后對(duì)絕緣子進(jìn)行一個(gè)系列試驗(yàn)。每一次試驗(yàn)施加的電壓為Up，持續(xù)時(shí)間為1h，且在2次耐受試驗(yàn)之間的時(shí)間間隔不大于30min。每次試驗(yàn)前應(yīng)用自來(lái)水徹底清洗絕緣子，使鹽全部清洗干凈。5.5.3接收準(zhǔn)則應(yīng)按5.5.2規(guī)定的程序共進(jìn)行12次連續(xù)試驗(yàn)，若耐受次數(shù)不低于8次，則認(rèn)為絕緣子滿足了本標(biāo)準(zhǔn)。5.6閃絡(luò)試驗(yàn)鹽霧閃絡(luò)試驗(yàn)方法見(jiàn)附錄C。5.7評(píng)定或檢驗(yàn)絕緣子耐受特性的方法絕緣子耐受特性的評(píng)定或檢驗(yàn)方法見(jiàn)附錄D。附錄A（資料性附錄）評(píng)定試驗(yàn)設(shè)備是否符合要求的補(bǔ)充資料各種表面電應(yīng)力水平和該試驗(yàn)設(shè)

18、備規(guī)定條件下在任何試驗(yàn)位置和所有型式絕緣子上記錄到的最高泄漏電流脈沖Ih的最大值Ihmax如表A.1所示。表A.1爬電比距與Ihmax的對(duì)應(yīng)關(guān)系爬電比距aLsmm/kVIhmaxA（rms）160.55200.85251.35a爬電距離除以試驗(yàn)電壓的倍。試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Isc/Ihmax超過(guò)某極限值時(shí)，耐受電壓或耐受污穢度試驗(yàn)結(jié)果就不再受該比值影響。因此，這種情況可以認(rèn)為該試驗(yàn)設(shè)備的極限值等于11。至于比值Ic/Isc，其規(guī)定極限一些試驗(yàn)設(shè)備通常都能符合。特別是其下限，會(huì)由于等值電源電容、集中電容（套管和電容分壓器）以及回路中的雜散電容加在一起而達(dá)到。附錄B（規(guī)范性附錄）污穢水平和爬電比距的關(guān)系這

19、里的污穢水平和爬電比距的關(guān)系僅作為示例對(duì)特定的盤形和長(zhǎng)棒形絕緣子給出，不能用作線路絕緣子的型式試驗(yàn)。給出的耐受污穢度也不應(yīng)解釋為對(duì)支柱絕緣子和空心絕緣子的技術(shù)要求。按IEC60507的試驗(yàn)程序進(jìn)行人工污穢試驗(yàn)所得到的污穢水平列于表B.1中，表B.1中給出了污穢度耐受值的范圍。表B.1污穢水平和爬電比距之間的關(guān)系爬電比距mm/kV人工污穢試驗(yàn)，相對(duì)地電壓下污穢度耐受值鹽霧法kg/m3固體層法鹽密mg/cm2污層電導(dǎo)率S185140.030.0615202014400.10.20243525401120.300.603631160附錄C（規(guī)范性附錄）鹽霧閃絡(luò)試驗(yàn)方法C.1試驗(yàn)程序鹽霧閃絡(luò)試驗(yàn)方法及

20、程序如下：a）試驗(yàn)時(shí)，將按4.2要求準(zhǔn)備好的試品，置于盛有水的容器中96h后，立即放置霧室中，按4.3的規(guī)定安裝于霧室中，然后啟動(dòng)噴霧器。b）對(duì)已按a）準(zhǔn)備好的試品，在基準(zhǔn)鹽度下施加試驗(yàn)電壓持續(xù)20min，或直至絕緣子閃絡(luò)；如果絕緣子不發(fā)生閃絡(luò)，則將電壓每隔5min按10試驗(yàn)電壓逐級(jí)升高至閃絡(luò)。閃絡(luò)后，重新施加電壓并盡可能地升高至先前得到的閃絡(luò)電壓的90，然后每隔5min按初始閃絡(luò)電壓的5逐級(jí)升高至閃絡(luò)。升壓閃絡(luò)過(guò)程應(yīng)重復(fù)2次。c）用自來(lái)水徹底沖洗絕緣子，使鹽全部清洗干凈，然后按C.1的b）再重復(fù)2次。d）絕緣子應(yīng)有9次閃絡(luò)電壓值，且各次閃絡(luò)電壓與平均值之差的絕對(duì)值不大于平均值的15。C.2說(shuō)

21、明鹽霧閃絡(luò)試驗(yàn)方法不作為本標(biāo)準(zhǔn)的標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法，但可以作為特殊目的使用。附錄D（規(guī)范性附錄）評(píng)定或檢驗(yàn)絕緣子耐受特性的鹽霧法D.1最大耐受鹽度的測(cè)定D.1.1測(cè)定方法絕緣子在某一給定試驗(yàn)電壓下的最大耐受鹽度用逐級(jí)耐受法求得。首先從5.1規(guī)定的鹽度等級(jí)中選取預(yù)期的最大耐受鹽度作為起始鹽度，然后按該條規(guī)定的鹽度等級(jí)逐級(jí)進(jìn)行耐受試驗(yàn)，每級(jí)鹽度下的試驗(yàn)程序與5.5相同。若在任意鹽度下，耐受次數(shù)低于8次，就不應(yīng)在相同或較高鹽度下進(jìn)行試驗(yàn)；若在任一鹽度下，耐受次數(shù)大于或等于8次，就不應(yīng)在相同的或較低鹽度下進(jìn)行試驗(yàn)。D.1.2判定準(zhǔn)則絕緣子能通過(guò)耐受鹽度試驗(yàn)的最高鹽度為在該電壓下的最大耐受鹽度。若在224kg

22、/m3鹽度下，通過(guò)了12次耐受，則可以認(rèn)為最大耐受鹽度等于或大于224kg/m3；若在224kg/m3鹽度下至多發(fā)生4次閃絡(luò)則可認(rèn)為此鹽度為最大耐受鹽度。D.2最大耐受電壓的測(cè)定D.2.1測(cè)定方法絕緣子在某一給定鹽度下的最大耐受電壓用逐級(jí)耐壓法求得。以預(yù)期的耐受電壓作起始電壓，每級(jí)升降電壓級(jí)差約為起始電壓值的5。每級(jí)電壓下的試驗(yàn)程序與5.5相同。若在任一電壓下，耐受次數(shù)低于8次，就不應(yīng)在相同的或較高鹽度下進(jìn)行。若在任一鹽度下，耐受次數(shù)大于或等于8次，就不應(yīng)在相同的或較低鹽度下進(jìn)行試驗(yàn)。D.2.2判定準(zhǔn)則絕緣子能通過(guò)耐受鹽度試驗(yàn)的最高電壓為在該鹽度下的最大耐受電壓。附錄E（規(guī)范性附錄）固體層法試

23、驗(yàn)E.1污液的組成E.1.1硅藻土混合物硅藻土混合物的組成為：100g硅藻土；10g高度分散的二氯化硅，顆粒大?。?20）m；1000g自來(lái)水；適量的商業(yè)純氯化鈉。當(dāng)自來(lái)水的體積電導(dǎo)率高于0.05S/m時(shí)，推薦使用軟化水。表E.1中列出了絕緣子絕緣表面上基準(zhǔn)污穢度與20時(shí)污液體積電導(dǎo)率間近似的對(duì)應(yīng)關(guān)系。表E.2列出了硅藻土的主要特性，表E.2中顆粒分布表示硅藻土總質(zhì)量百分?jǐn)?shù)值的顆粒能通過(guò)的篩孔直徑（m），其體積電導(dǎo)率是使用軟化水測(cè)得的值。污染絕緣子絕緣表面上污穢度的最大誤差為規(guī)定值的15。表E.1絕緣子絕緣表面上基準(zhǔn)污穢度和溫度20污液體積電導(dǎo)率間近似的對(duì)應(yīng)關(guān)系硅藻土混合物的基準(zhǔn)污穢度污液的體

24、積電導(dǎo)率20S/m附鹽密度SDDmg/cm2污層電導(dǎo)率K20S0.017670.210.025100.300.0353140.420.050200.600.0705280.850.10401.200.141561.690.20802.40表E.2硅藻土的主要特性重量組成顆粒分析（累積分布）m體積電導(dǎo)率20S/mSiO2Al2O3Fe2O3H2O1650840.00150.0270905250.567140.10.20.41210E.2污染試品預(yù)處理E.2.1清潔試品預(yù)處理將試品用自來(lái)水及酒精清洗干凈，干燥后用塑料布包裹，封存待用。E.2.2染污試品預(yù)處理涂污前對(duì)試品進(jìn)行預(yù)處理，方法如下：用干燥

25、的海棉團(tuán)或軟毛刷在復(fù)合絕緣子表面輕輕的均勻涂敷一層干燥的硅藻土，再用洗耳球等氣吹裝置吹掉表面多余的硅藻土，使得絕緣子表面附著了很薄的一層親水性物質(zhì)。由于這層硅藻土極薄，因此并不影響復(fù)合絕緣子的灰密。涂污應(yīng)在試品預(yù)處理后1h內(nèi)完成。E.3染污E.3.1基本要求染污應(yīng)在E.2后1h內(nèi)完成。試品染污可采用澆染法、噴污法、浸染法和定量涂刷法四種方法中的任一種。推薦檢驗(yàn)污層均勻性的污層電導(dǎo)率的測(cè)量方法按附錄F進(jìn)行。E.3.2澆染法將按E.2進(jìn)行預(yù)處理的試品水平安裝于染污機(jī)上，開(kāi)動(dòng)染污機(jī)，其轉(zhuǎn)動(dòng)速度一般以60r/min為宜。然后將攪拌均勻的污穢物懸浮液澆到絕緣子的絕緣體表面上，使其均勻地覆蓋于絕緣體上，其

26、均勻程度可用目力檢查，待絕緣子上的污穢物不再流動(dòng)后即可停止轉(zhuǎn)動(dòng)。用澆染法染污時(shí)，同一批試驗(yàn)，在染污前應(yīng)有相同的溫度和濕度，在染污過(guò)程中應(yīng)保持相同的環(huán)境和工藝條件。E.3.3噴污法用噴槍將攪拌均勻的污穢物懸浮液噴到清潔而干燥的試品絕緣體表面上，使其均勻地覆蓋一層污穢物，其均勻程度用目力檢查即可。同一批試品在染污前應(yīng)有相同的溫度和濕度，在染污過(guò)程中應(yīng)保持相同的環(huán)境和工藝條件。E.3.4浸染法推薦使用的浸污法具體程序如下：a）浸污糟的尺寸及污液量應(yīng)保證試品被全部浸沒(méi)于污液中。參照?qǐng)DE.1、圖E.2曲線，根據(jù)試驗(yàn)要求的鹽密灰密及污液體積，得到所需的NaCl、硅藻土及去離子水（或蒸餾水）的量。配置污液并

27、攪拌均勻。b）將預(yù)處理過(guò)的試品小心浸入，轉(zhuǎn)動(dòng)一兩周后拿出，在實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件下干燥。對(duì)傘裙邊緣積聚的污液，應(yīng)予以清除。在試品浸入染污的過(guò)程中應(yīng)不斷攪拌污液以保證其均勻性。c）為了涂污的準(zhǔn)確性，一般浸污后應(yīng)校核該試品部分傘裙或同樣條件下另一只染污陪試品的鹽密及灰密，確定所涂污穢是否與預(yù)定污穢度相符合，測(cè)量方法見(jiàn)E.4.2。E.3.5定量涂刷法試品的污穢度用鹽密表示時(shí)，根據(jù)試品所需染的鹽密、灰密及絕緣子的絕緣體表面積，計(jì)算出每只試品所需的氯化鈉和硅藻土量，氯化鈉的稱量誤差應(yīng)不超過(guò)所需量的1，硅藻土的稱量誤差不超過(guò)所需量的10，然后加上適量的蒸餾水。如果需要，還可加上適量糊精，將其攪拌均勻后，全部

28、均勻地涂刷到試品絕緣體表面上。試品的污穢程度用污層電導(dǎo)率表示時(shí)，根據(jù)試品所需的污層電導(dǎo)率及絕緣子的絕緣體表面積估算并稱量每只試品所需的氯化鈉量，其稱量誤差不作嚴(yán)格規(guī)定。又根據(jù)試品所需染的灰密及絕緣子的絕緣體表面積計(jì)算并稱所需硅藻土量，其稱量誤差應(yīng)不超過(guò)所需量的10，然后加上適量的蒸餾水，如果需要還可加入適量的糊精，將其攪拌均勻后，全部均勻地涂刷到試品絕緣體表面上。E.4被試絕緣子污穢度的測(cè)定E.4.1污層電導(dǎo)率污層電導(dǎo)率應(yīng)在試品濕潤(rùn)期間反復(fù)測(cè)量污層電導(dǎo)，直到測(cè)出污層最大電導(dǎo)為止，此最大電導(dǎo)即為該只試品的電導(dǎo)。測(cè)量時(shí)應(yīng)對(duì)試品每米爬電距離施加電壓不低于700V（rms），施加電壓的時(shí)間只需維持至能

29、讀出儀表讀數(shù)即可。當(dāng)施加較高值電壓時(shí)，測(cè)量時(shí)間應(yīng)縮短至足以避免由于污層的發(fā)熱或干燥而引起嚴(yán)重的誤差。為了這個(gè)目的應(yīng)該校驗(yàn)脈沖波的頻度及波幅的變化都不應(yīng)影響到被測(cè)電流的波形。污層電導(dǎo)率應(yīng)按下式換算至基準(zhǔn)溫度20：（E.1）式中：絕緣子表面的溫度，；K溫度時(shí)的污層電導(dǎo)率，S；K20溫度為20時(shí)的污層電導(dǎo)率，S；b5章已定義過(guò)的系數(shù)。E.4.2附鹽密度用于測(cè)量附鹽密度的試品，應(yīng)在進(jìn)行任何一項(xiàng)試驗(yàn)之前，從被染污試品中隨機(jī)抽取。用定量涂刷法染污后的試品可以不測(cè)量。應(yīng)仔細(xì)清洗絕緣子的絕緣體的整個(gè)表面，或?qū)⑸媳砻婧拖卤砻娣謩e地清洗，但金屬部件除外。當(dāng)僅有一只試品時(shí)，附鹽密度的測(cè)量可在它的幾個(gè)傘裙上進(jìn)行。測(cè)量

30、后應(yīng)對(duì)清洗過(guò)的表面再涂覆污層予以恢復(fù)。用于SDD測(cè)量用的試品，在污層干燥前應(yīng)仔細(xì)地除去污滴。最后將沉積物溶解在已知量的水中，最好使用軟化水。得到的污液在溫度（）下測(cè)量體積電導(dǎo)率（S/m）前應(yīng)至少保持?jǐn)噭?dòng)2min。然后按5章求得20值。當(dāng)20在（0.0040.4）S/m范圍內(nèi)時(shí)污液的鹽度Sa（kg/m3）可按下式求得：（E.2）按下式計(jì)算附鹽密度SDD（mg/cm2）：（E.3）式中：V污液的體積，cm3；A清洗表面的面積，cm2。E.5染污試品憎水性的遷移為模擬具有憎水性遷移特性的復(fù)合絕緣子在憎水性遷移充分后的耐污性能，必須使涂污試品遷移一段時(shí)間后再進(jìn)行試驗(yàn)。在實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件下人工污穢絕緣

31、子應(yīng)遷移4d再進(jìn)行試驗(yàn)。為模擬現(xiàn)場(chǎng)極端條件下完全喪失憎水性的復(fù)合絕緣子的耐污性能，可在人工污穢絕緣子污層干燥后立即進(jìn)行試驗(yàn)。在實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件下，從涂污到試驗(yàn)的時(shí)間不應(yīng)超過(guò)1h。E.6污層濕潤(rùn)的一般要求污層濕潤(rùn)的一般要求如下：a）污層應(yīng)用人工霧濕潤(rùn)。試品周圍的霧應(yīng)均勻分布，其均勻程度應(yīng)使試品各部分的受潮狀態(tài)基本相同。濕潤(rùn)開(kāi)始時(shí)試品的溫度與試驗(yàn)室周圍溫差在2K內(nèi)。b）在試驗(yàn)室中的霧發(fā)生器應(yīng)保持一恒定的均勻的流速直至一次單個(gè)的試驗(yàn)結(jié)束。c）當(dāng)污層達(dá)到一定的濕潤(rùn)程度以后，水分開(kāi)始從絕緣子傘緣滴落；這樣某些污穢量就從污層中除去并預(yù)期會(huì)逐漸地清洗試品。E.7試驗(yàn)程序E.7.1程序A試驗(yàn)程序A如下：a）

32、對(duì)于本程序，帶電前和帶電期間污層濕潤(rùn)，其污穢度通常用污層電導(dǎo)率來(lái)表達(dá)，但也可以使用附鹽密度。b）啟動(dòng)霧發(fā)生器時(shí)，按E.3的規(guī)定將準(zhǔn)備好的試品置于霧室中。推薦使用蒸汽霧來(lái)濕潤(rùn)污層，也可采用冷霧或冷熱混合霧。c）應(yīng)按E.4的規(guī)定測(cè)定被試品的污層電導(dǎo)。d）在正常周圍溫度下，輸入霧室中霧的濃度和流動(dòng)速度應(yīng)滿足在（2040）min內(nèi)使試品污層電導(dǎo)率達(dá)到最大值。試驗(yàn)時(shí)測(cè)得的污層電導(dǎo)率的最大值作為基準(zhǔn)污層電導(dǎo)率。然后瞬時(shí)地或在不超過(guò)5s的時(shí)間內(nèi)對(duì)試品加上試驗(yàn)電壓并維持至閃絡(luò)，如不出現(xiàn)閃絡(luò)則維持15min。e）將試品從霧室中取出并讓它干燥，并將這個(gè)試品第二次放入霧室中，由霧再次濕潤(rùn)直至污層電導(dǎo)率達(dá)到它的最大值

33、。如果此時(shí)污層電導(dǎo)率不低于上面提到的基準(zhǔn)值的90，可以再一次施加試驗(yàn)電壓直至閃絡(luò)。如果不出現(xiàn)閃絡(luò)則維持15min；如果低于90，則應(yīng)按E.3對(duì)該絕緣子重新染污。f）同一污層的一個(gè)絕緣子可以進(jìn)行不多于二次的連續(xù)試驗(yàn)。E.7.2程序B試驗(yàn)程序B如下：a）對(duì)于本程序僅帶電后污層濕潤(rùn)，其污穢度通常用附鹽密度表示。b）按E.3的規(guī)定將準(zhǔn)備好的試品置于霧室中。c）應(yīng)使用蒸汽霧。霧發(fā)生器應(yīng)在試品的下面并盡可能地接近地面。在所有情況下，它離試品至少1m，且霧的流動(dòng)不應(yīng)直接朝向試品。d）施加試驗(yàn)電壓后供霧。在正常周圍溫度下，蒸汽霧的輸入速率應(yīng)在0.05kg/（hm3）0.01kg/（hm3）范圍內(nèi)，該值也可按IEC60507：1991附錄D中D.3的方法檢驗(yàn)。e）試驗(yàn)電壓應(yīng)維持至閃絡(luò)，否則應(yīng)從試驗(yàn)開(kāi)始算起維持100min?；蚴侵敝疗湫孤╇娏鞣逯党掷m(xù)下降至最大峰值的70。f）對(duì)于本程序，污層僅能使用一次。E.7.3耐受試驗(yàn)和判定準(zhǔn)則（程序A和B）本試驗(yàn)的目的是檢驗(yàn)在規(guī)定試驗(yàn)電壓下是否能耐受規(guī)定的污穢度。如果按程序A和程序B進(jìn)行的三次連續(xù)的試驗(yàn)期間未發(fā)生閃絡(luò)，則認(rèn)為該絕緣子符合本標(biāo)準(zhǔn)。如僅出現(xiàn)一次閃絡(luò)，則應(yīng)進(jìn)行第四次試驗(yàn)，如果不發(fā)生閃絡(luò)，則認(rèn)為該絕緣子滿足本標(biāo)準(zhǔn)。E.8閃絡(luò)試驗(yàn)固體層閃絡(luò)試驗(yàn)方法見(jiàn)附錄G。E.9評(píng)定或檢驗(yàn)絕緣子的