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1、靜電場(chǎng) 高斯定理思考題和填空題11. 關(guān)于高斯定理的理解有下面幾種說(shuō)法,其中正確的是 A:如果高斯面內(nèi)無(wú)電荷,則高斯面上電場(chǎng)強(qiáng)度處處為零; B:如果高斯面上電場(chǎng)強(qiáng)度處處不為零,則該面內(nèi)必?zé)o電荷; C:如果高斯面內(nèi)有凈電荷,則通過(guò)該面的電通量必不為零; D:如果高斯面上電場(chǎng)強(qiáng)度處處為零,則該面內(nèi)必?zé)o電荷。2 2. 半徑不同的兩個(gè)球形導(dǎo)體,相距很遠(yuǎn).現(xiàn)用細(xì)導(dǎo)線(xiàn)連接,使兩導(dǎo)體帶電,電勢(shì)為U,則電荷面密度之比: A:半徑反比 B:半徑正比 C:平方反比 D:1 3 3. 真空中有一組帶電導(dǎo)體,我們知道某導(dǎo)體表面電場(chǎng)與其該點(diǎn)的電荷面密度成正比,則該點(diǎn)的電場(chǎng)是: A:該處無(wú)窮小面元電荷產(chǎn)生 B:該導(dǎo)體上全
2、部電荷產(chǎn)生 C:這一組帶電導(dǎo)體表面電荷產(chǎn)生 D:以上說(shuō)法都不正確 44. 兩相同的平行板電容器A和B,串聯(lián)后接在電源上,在B中充滿(mǎn)均勻介質(zhì),則: A:A的電場(chǎng)增加,B的電場(chǎng)不變 B:A的電場(chǎng)不變,B的電場(chǎng)減小 C:A的電場(chǎng)減小,B的電場(chǎng)增加 D:A的電場(chǎng)增加,B的電場(chǎng)減小 55. 在球形高斯面球心處放置一點(diǎn)電荷Q,若要使高斯面的電通量發(fā)生變化,則: A:使Q偏離球心但在球內(nèi) B:使高斯面外的電荷不斷遠(yuǎn)離 C:在高斯面外增加電荷 D:將其他電荷移入高斯面內(nèi) 6填空題1. 真空中帶電量為q的點(diǎn)電荷電場(chǎng)強(qiáng)度矢量為? 2. 真空中帶電量為q的點(diǎn)電荷電勢(shì)為 3. 靜電場(chǎng)的高斯定理是? 4. 靜電場(chǎng)的環(huán)路定理是? 5. 電場(chǎng)中某點(diǎn)的電勢(shì)能,在數(shù)值上等于?所做的功. 76. 某點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度與通過(guò)該點(diǎn)的等勢(shì)面? 7. 沿電力線(xiàn)方向,電勢(shì) ?8. 電場(chǎng)與電勢(shì)的微分關(guān)系為? 9. 電荷面密度為的無(wú)限大均勻帶電平面電
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