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文檔簡介

1、第三章 制造(zhzo)和版圖3.1 IC制造(zhzo)工藝3.2 版圖基礎(chǔ)共十九頁3.1 IC制造(zhzo)工藝共十九頁單（N）阱槽隔離(gl) CMOS 工藝共十九頁現(xiàn)代 CMOS 工藝(gngy)雙阱槽隔離 共十九頁多層金屬(jnsh)互連共十九頁互連的電容(dinrng)和電阻共十九頁電容計算(j sun)中的連線尺寸共十九頁工藝等比例(bl)縮小時的互連線橫截面共十九頁3.2 版圖(bnt)基礎(chǔ)共十九頁兩類設(shè)計規(guī)則：精度(jn d)和定位共十九頁最小尺寸(ch cun)晶體管的兩種可選版圖共十九頁CMOS 工藝(gngy)層次LayerPolysiliconMetal1Metal

2、2Contact To PolyContact To DiffusionViaWell (p,n)Active Area (n+,p+)ColorRepresentationYellowGreenRedBlueMagentaBlackBlackBlackSelect (p+,n+)Green共十九頁0.25 m CMOS 工藝(gngy)層次共十九頁同一層設(shè)計(shj)規(guī)則金屬2Metal2431090 阱Well有源區(qū)Active33多晶硅Polysilicon22不等電勢Different Potential等電勢Same Potential金屬1Metal1332引線孔Contact或通

3、孔Via選擇層Select2或62共十九頁晶體管版圖設(shè)計(shj)規(guī)則1253晶體管Transistor共十九頁通孔（Via） 和接觸(jich)孔（ Contact）121金屬包通孔（過孔）Metal to Poly Contact金屬包多晶引線孔金屬包有源區(qū)引線孔Metal to Active Contact1254322共十九頁選擇(xunz)層（離子注入等）133222阱Well襯底Substrate選擇Select35共十九頁CMOS 反相器版圖(bnt)共十九頁內(nèi)容摘要第三章 制造和版圖。第三章 制造和版圖。單（N）阱槽隔離 CMOS 工藝?，F(xiàn)代 CMOS 工藝雙阱槽隔離。Contact To Diffusion。Active Area (n+,p+)。Select (p+,n+)。0.25 m CMO

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