方阻對(duì)電性能的影響

1、方阻問(wèn)題電阻率(Qm)(resistivity)國(guó)際單位制中，電阻率的單位是歐姆米(Qm或ohmm)，常用單位是歐姆毫米和歐姆米。電阻率的計(jì)算公式為：p=RS/L.方阻就是方塊電阻,僅與導(dǎo)電膜的厚度等因素有關(guān)，而與面積的大小無(wú)關(guān)。方阻異常處理方法：如果方塊電阻不在規(guī)定范圍內(nèi)，輕微超出范圍要求重新擴(kuò)散，嚴(yán)重超出要求重新制絨，方阻偏低或，色斑，偏磷酸等由硅片表面問(wèn)題引起的玷污需去PSG后從新制絨。幾種異常表現(xiàn)及工藝調(diào)整方法：1如果擴(kuò)散不到，增大N2的攜帶流量。2方塊電阻偏高，加大源量，延長(zhǎng)擴(kuò)散時(shí)間，通入足夠量的小N2和O2。3一般偏差幾個(gè)歐姆通過(guò)溫度調(diào)整。方塊電阻偏低，減少擴(kuò)散溫度，減少擴(kuò)散時(shí)間。

2、擴(kuò)散后單片上電阻不均勻，調(diào)整擴(kuò)散氣流量。說(shuō)到高方阻的意義，大家應(yīng)該都很懂:較低的表面雜質(zhì)濃度，有效降低了表面的雜質(zhì)復(fù)合中心，提高了表面少子的存活率，同時(shí)增加短波的響應(yīng)，如此有效的增加了Isc和Uoc，達(dá)到提高效率的目的；(電流電壓低可能是擴(kuò)散方塊電阻低了)問(wèn)題但是與此同時(shí)表面薄層電阻明顯增加，增大了Rs，降低了FF。要使最終的效率有所提高，就需要Uoc、Isc的提高大于FF的降低。PECVD調(diào)整大家可能不明白，高方阻為什么需要PECVD調(diào)整？那就仔細(xì)往下看表面鈍化的改善：高方阻的目的就是降低表面復(fù)合，提高短波響應(yīng)，如果表面鈍化很糟糕，那Isc的損失會(huì)很明顯。反射光譜改善：高方阻是提高短波的響應(yīng)

3、，那就需要在一定的程度上減少短波的反射，需要PECVD的n和d的調(diào)整。絲網(wǎng)印刷如果效率有提高，那只需要調(diào)節(jié)燒結(jié)爐的工藝即可，一般是在原有的工藝基礎(chǔ)上降低溫度，因?yàn)闇\結(jié)更容易燒穿；當(dāng)然不排除提高帶速增加溫度的可能。如果效率沒(méi)有提高，或很少，那就需要變更正電極網(wǎng)版的設(shè)計(jì)，增加?xùn)啪€、降低細(xì)柵線寬度（細(xì)線密柵原則）,最好是在不增加遮光面積的前提下進(jìn)行網(wǎng)版的設(shè)計(jì)，這是最理想的。岡子下降;恆Eec退出全屏悴克卄路電甌和紐路電流均F障低酚戟了藝戀就/：采用就會(huì)產(chǎn)生熏摻雜毀応】在一定范圍內(nèi)*E隨結(jié)深増大，超出范雨后.咼勢(shì)相反滸詰瀝犀響載流子收集敦率extL2*6高阻I.；口1：1丨隹花L|.過(guò)和丄血i：花！W1）髙方陰邀味希淺結(jié).可以握囪電池的短潑響應(yīng).進(jìn)而提崗喩路電流；打和普通方阻相比.