


下載本文檔
版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、專業(yè):應(yīng)用化學(xué)08屆1班; 姓名:第1組;同組人員:;課程名稱:無(wú)機(jī)合成化學(xué)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)名稱:水熱法制備納米SnO2微粉實(shí)驗(yàn)日期:2011年4月19日實(shí)驗(yàn)?zāi)康募{米SnO2微粉的制備和表征。實(shí)驗(yàn)原理納米SnO2具有很大的比表面積,是一種很好的氣皿和濕皿材料。水熱法制備納米氧化 物微粉有很多優(yōu)點(diǎn),如產(chǎn)物直接為晶體,無(wú)需經(jīng)過(guò)焙燒凈化過(guò)程,因而可以減少其它方法難 以避免的顆粒團(tuán)聚,同時(shí)粒度比較均勻,形態(tài)比較規(guī)則。因此,水熱法是制備納米氧化物微 粉的好方法之一。水熱法是指在溫度不超過(guò)100C和相應(yīng)壓力(高于常壓)條件下利用水溶液(廣義地說(shuō), 溶劑介質(zhì)不一定是水)中物質(zhì)間的化學(xué)反應(yīng)合成化合物的方法。水熱合成方
2、法的主要特點(diǎn)有:(1)水熱條件下,由于反應(yīng)物和溶劑活性的提高,有利 于某些特殊中間態(tài)及特殊物相的形成,因此可能合成具有某些特殊結(jié)構(gòu)的新化合物;(2)水 熱條件下有利于某些晶體的生長(zhǎng),獲得純度高、取向規(guī)則、形態(tài)完美、非平衡態(tài)缺陷盡可能 少的晶體材料;(3)產(chǎn)物粒度較易于控制,分布集中,采用適當(dāng)措施盡可能減少團(tuán)聚;(4) 通過(guò)改變水熱反應(yīng)條件,可能形成具有不同晶體結(jié)構(gòu)和晶體形態(tài)的產(chǎn)物,也有利于低價(jià)、中 間價(jià)態(tài)與特殊價(jià)態(tài)化合物的生成?;谝陨咸攸c(diǎn),水熱合成在材料領(lǐng)域已有廣泛應(yīng)用。水熱 合成化學(xué)也日益受到化學(xué)與材料科學(xué)界的重視。本實(shí)驗(yàn)以水熱法制備納米SnO2微粉為例, 介紹水熱反應(yīng)的基本原理,研究不同
3、水熱反應(yīng)條件對(duì)產(chǎn)物微晶形成、晶粒大小及形態(tài)的影響。水熱反應(yīng)制備納米晶體SnO2的反應(yīng)機(jī)理如下:第一步是SnCl4的水解SnC14+4H2O Sn(OH)4 I +4HCl形成無(wú)定形的Sn (OH) 4沉淀,緊接著發(fā)生Sn (OH) 4的脫水縮合和晶化作用,形成 SnO2納米微晶。n Sn (OH) 4n SnQ+2n 鳥(niǎo)0(1)反應(yīng)溫度:反應(yīng)溫度低時(shí)SnCl4水解、脫水縮合和晶化作用慢。溫度升高將促進(jìn) SnCl4的水解和Sn (OH) 4脫水縮合,同時(shí)重結(jié)晶作用增強(qiáng),使產(chǎn)物晶體結(jié)構(gòu)更完整,但也 導(dǎo)致SnO2微晶長(zhǎng)大。本實(shí)驗(yàn)反應(yīng)溫度以120C160C為宜。(2)反應(yīng)介質(zhì)的酸度:當(dāng)反應(yīng)介質(zhì)的酸度較
4、高時(shí),SnCl4的水解受到抑制,中間物Sn (OH) 4生成相對(duì)較少,脫水縮合后,形成的SnO2晶核數(shù)量較少,大量Sn4+離子殘留在反應(yīng)液中。這一方面有利于SnO2微晶的生長(zhǎng),同時(shí)也容易造成粒子間聚結(jié),導(dǎo)致產(chǎn)生硬團(tuán)聚, 這是制備納米粒子時(shí)應(yīng)盡量避免的。當(dāng)反應(yīng)介質(zhì)的酸度較低時(shí),SnCl4水解完全,大量很小的Sn (OH) 4質(zhì)點(diǎn)同時(shí)形成。在 水熱條件下,經(jīng)脫水縮合和晶化,形成大量SnO2納米微晶。此時(shí)由于溶液中殘留的Sn4+離 子數(shù)量也很少,生成的SnO2微晶較難繼續(xù)生長(zhǎng)。因此產(chǎn)物具有較小的平均微粒尺寸,粒子 間的硬團(tuán)聚現(xiàn)象也相應(yīng)減少。本實(shí)驗(yàn)反應(yīng)介質(zhì)的酸度控制在pH=1.45。(3)反應(yīng)物的濃度
5、:單獨(dú)考察反應(yīng)物濃度的影響時(shí),反應(yīng)物濃度愈高,產(chǎn)物SnO2的產(chǎn) 率愈低,這主要是由于當(dāng)SnCl4濃度增大時(shí),溶液的酸度也增大,Sn4+的水解受到抑制的緣 故。當(dāng)介質(zhì)的pH=1.45時(shí),反應(yīng)物的粘度較大,因此反應(yīng)物濃度不宜過(guò)大,否則攪拌難于 進(jìn)行。一般用【SnCl4】 =1molL-1為宜。實(shí)驗(yàn)步驟水熱反應(yīng)把配制好的原料液傾入具有四氟乙烯襯里的不銹鋼壓力釜內(nèi),用管式電爐套加熱壓力 釜。用控溫裝置控制壓力釜的溫度,在水熱反應(yīng)所要求的溫度下進(jìn)行一段時(shí)間(約2h)0 反 應(yīng)結(jié)束,停止加熱,待壓力釜冷卻至室溫時(shí),開(kāi)啟壓力釜,取出反應(yīng)產(chǎn)物。反應(yīng)產(chǎn)物的后處理將反應(yīng)物靜止沉降,移去上層清液后,用大約20ml10%乙酸加入1g乙酸銨的混合液洗滌沉 淀物45次,洗去沉淀物中的Cl-和K+離子,最后用=95%的乙醇洗滌兩次,干燥后研細(xì)。反應(yīng)產(chǎn)物的表征TEM圖譜分析實(shí)驗(yàn)記錄與分析水熱反應(yīng)條件:pH=1.45,其余條件同原理所述。TEM圖譜分析(1)pH=1.45(2
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 行政崗干貨知識(shí)培訓(xùn)課件
- 腋下切口知識(shí)培訓(xùn)課件
- 產(chǎn)品創(chuàng)新表-產(chǎn)品創(chuàng)新項(xiàng)目統(tǒng)計(jì)
- 經(jīng)典童話小紅帽作文與賞析
- 生態(tài)學(xué)環(huán)境保護(hù)試題及答案集合
- 北京市延慶區(qū)2024-2025學(xué)年高三下學(xué)期2月統(tǒng)測(cè)試卷地理試題(含答案)
- 有關(guān)電腦買賣合同
- 房產(chǎn)物業(yè)租賃與經(jīng)營(yíng)管理合同
- 2024-2025學(xué)年高二數(shù)學(xué)湘教版選擇性必修第二冊(cè)教學(xué)課件 第1章-1.1 導(dǎo)數(shù)的概念及其意義(第1課時(shí) 平均變化率、瞬時(shí)變化率與導(dǎo)數(shù))
- 語(yǔ)文:古代詩(shī)詞欣賞與賞析教案
- 電梯采購(gòu)合同范本
- 【道法】做自信的人課件 2024-2025學(xué)年統(tǒng)編版道德與法治七年級(jí)下冊(cè)
- 高一英語(yǔ)完形填空專項(xiàng)訓(xùn)練100(附答案)及解析
- 機(jī)械制圖習(xí)題集_附帶答案(270張幻燈片)
- 設(shè)計(jì)報(bào)告001模擬通信系統(tǒng)的SIMULINK建模仿真
- 橫河氧量變送器標(biāo)定及檢修
- 沉降觀測(cè)常用表格
- 建設(shè)工程規(guī)劃放線、驗(yàn)線申請(qǐng)表
- 績(jī)效考核 五金廠績(jī)效考核
- 金合極思打板與放碼系統(tǒng)幫助目錄
- 勵(lì)磁系統(tǒng)檢修規(guī)程
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論