電子元器件基礎(chǔ)知識簡介電容課件

1、電子元器件基礎(chǔ)知識簡介-電容阮晶晶2011.07.18目錄1、電容的概念和原理2、電容的作用3、產(chǎn)品分類4、應(yīng)用舉例一、基本概念1.構(gòu)造它的基本構(gòu)造是由兩個相互靠近的金屬電極板，中間夾一層電介質(zhì)構(gòu)成的。在兩個極板上加上電壓，電極板上就可以儲存電荷。兩極板所儲存的電荷數(shù)量相同，極性相反。儲存的電荷還可以通過外電路向外釋放，即電容器是充、放電荷的電子元件。而電容量的大小，取決于電容器的極板面積，極板間距及電介質(zhì)常數(shù)：C=電容器儲存電荷量的多少，取決于電容器兩端所加電壓。儲電量在數(shù)值上等于加在導(dǎo)電極板上的電壓與電容的乘積。即：Q = CU Q：一個極板上的電荷，單位為庫侖（C）。 U：兩極板間的電位

2、差，單位為伏特（V）。 C：電容量，單位法拉（F）。 S：極板面積，單位為平方米（m2）。 d：兩極板間距，單位為米（m）。 ：電介質(zhì)常數(shù)，單位為法/米（F/m）。 1F = 106 F = 109 nF=1012 pF 由上式看出，當(dāng)電容器電容量一定時，兩極板所加電壓越高，儲存的電荷越多。在交流電路中，電容器的容抗為： f：交流信號頻率，單位Hz。 C：電容量，單位F。 Xc：容抗，單位歐姆。XC =二. 電容器的主要作用應(yīng)用于電源電路，主要實現(xiàn)的作用: 1.隔直流2.旁路3.去耦4.濾波 5.儲能 應(yīng)用于信號電路，主要完成的作用：6.耦合 7.振蕩/同步 8.時間常數(shù) 1）隔直流作用是阻止

3、直流通過而讓交流通過。 原理：dV = 1/C * di/dt 2）旁路旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負(fù)載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進(jìn)行放 電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負(fù)載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大 電流毛刺時的電壓降。 3）去藕去藕：是電源在供電過程中要防止負(fù)載工作的動態(tài)電流耦合到其內(nèi)阻上影響其輸出的穩(wěn)定，因為電源有內(nèi)阻，交流紋波降落上去會使輸出電壓波動，因此在負(fù)載電源兩端用電容架一條交流通路，防止這些動態(tài)交流混入直流電源內(nèi)部 這就是去

4、藕電容。當(dāng)然這個電容的確是不能亂放的，應(yīng)該最簡捷的接在供電線送到負(fù)載路途的兩端，緊靠負(fù)載電源輸入端。如果放置不當(dāng)會為電源旁路不成反給負(fù)載引入其他來自外部的干擾。 旁路和去耦電容的聯(lián)系與區(qū)別將旁路電容和去藕電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10uF或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)，以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該是他

5、們的本質(zhì)區(qū)別。 4）濾波 從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上由于容量大，體積大，內(nèi)部圈層多，存在有感性成分，等效于一個電容與電感串聯(lián)，高頻時由于感抗的存在，會增大整個電容的阻抗，減弱了濾波的作用，所以要并上小容量的電容作補(bǔ)償（小容量電容在制作時可以克服感抗特性），主要是為了濾除高頻成分。所以我們設(shè)計原理圖的時候會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過，電容越小高頻越容易通過。濾波就是充電，放電的過程。頻率計算公式：=1/(LC)1/2 5）儲能 儲能型電容器通

6、過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40450VDC、電容值在220150 000uF之間的鋁電解電容器是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式， 對于功率級超過10KW的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。 6）耦合在低頻信號的傳遞與放大過程中，為防止前后兩級電路的靜態(tài)工作點相互影響，常采用電容藕合7）振蕩/同步包括RC、LC振蕩器及晶體的負(fù)載電容都屬于這一范疇。電容C在理想狀態(tài)下，它的相位延時是90，但實際不可能達(dá)到90，平時應(yīng)用中都是RC一起來用。并且RC可以組成低高通濾波器。 8）時間常數(shù) 這就是常見的

7、R、C 串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。當(dāng)輸入信號電壓加在輸入端時，電容（C）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通過電阻（R）、電容（C）的特性通過下面的公式描述： i = (V/R)e-(t/CR) 三、 電容器的分類及型號1. 分類： 電容器種類繁多，有按介質(zhì)分的，也有按容量是否可變分的。 （1）按介質(zhì)材料分類 a. 有機(jī)介質(zhì)：復(fù)合介質(zhì)、紙介質(zhì)、塑料介質(zhì)（滌綸、聚苯乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯、聚四氟乙烯）、薄膜復(fù)合。 b. 無機(jī)介質(zhì)：云母電容、玻璃釉電容（圓片狀、管狀、矩形、片狀電容、穿心電容）、陶瓷（獨石）電容。 c. 氣體介質(zhì)：空氣電容、真空電容、充氣電容。 d. 電解質(zhì)：普通

8、鋁電解、鉭電解、鈮電解。（2）按容量是否可調(diào)分類 a. 固定電容器 b. 可變電容器（空氣介質(zhì)、塑膜介質(zhì)） c. 微調(diào)電容器（陶瓷介質(zhì)、空氣介質(zhì)、塑膜介質(zhì)）貼片多層陶瓷電容的規(guī)格描述MLCC,容值,精度,額定電壓,介質(zhì)特性,封裝,廠商型號,廠商MLCC：Multi-layer Ceramic Capacitor表示貼片多層陶瓷電容 容值：使用科學(xué)計數(shù)法表示,單位為pF,如：226 表示22uF 247 表示240uF 105 表示1uF104 表示0.1uF 103 表示0.01uF 102表示1000pF101 表示100pF 100 表示10pF 1R0表示1pF2R7 表示2.7pF 0

9、R75 表示0.75pF精度：使用電容實際精度的代號表示,如：Z：+80%-20% M：20% K：10%J：5% G：2% F：1%D：0.5pF C：0.25pF B：0.1pF 額定工作電壓電容器中的電介質(zhì)能夠承受的電場強(qiáng)度是有限的，當(dāng)施加在電容器上的電壓超過一定值時，電介質(zhì)有可能被擊穿而損壞。額定工作電壓是指，在規(guī)定的工作溫度范圍內(nèi)，電容器在電路中連續(xù)工作而不被擊穿的加在電容器上的最大有效值，習(xí)慣上叫電容器的耐壓。 額定電壓通常是指直流工作電壓（專用于交直流電路的，標(biāo)有交流電壓），若電容器工作于脈動電壓下，則交、直流分量的總和須小于額定電壓。在交流分量較大的電路中，（例如，濾波電路），

10、電容器的耐壓應(yīng)留有充分余量。1.646.3101625（32）405063100（125）160250（300）400（450）5006301000160020002500300040005000630080001000015000200002500030000350004000045000500006000080000100000注：帶括弧者僅為電解電容所用。一般電解電容和體積較大的電容器，都將耐壓直接標(biāo)在電容器的表體上。電容額定電壓系列（單位：V）溫度類別溫度范圍：電容器設(shè)計所確定的能連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍，該范圍取決于它相應(yīng)類別的溫度極限值，如上限類別溫度、下限類別溫度、額定溫度(可以連

11、續(xù)施加額定電壓的最高環(huán)境溫度)等。溫度系數(shù)電容的容量會隨溫度的變化而變化，一般常用C表示電容器的隨溫度變化的特性： C = 1/ C1為t1時的電容量（室溫205），C2為t2時（極限溫度）的電容量。C越小越好，電容越穩(wěn)定，由于C很小，常用PPm/表示（百萬分之一）。1/ =106 PPm/ 云母及瓷介電容穩(wěn)定性好，溫度系數(shù)為104/ =102 PPm /。鋁電解穩(wěn)定性差，其C為102/，即104 PPm/。多數(shù)電容的C為正，瓷介電容C為負(fù)。絕緣電阻 直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量0.1uf時，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣

12、電阻越大越好。電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。由于溫升引起電子活動增加，因此溫度升高將使絕緣電阻降低。 損耗 電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。 在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。 介質(zhì)特性介質(zhì)特性：多層陶瓷電容的介電特性,使用特定的字母數(shù)字組合表示,如:NP0,表示NP0類（COG

13、= NP0）X7R,表示X7R類X5R,表示X5R類 Y5V,表示Y5V類Z5U,表示Z5U類 NPO 材質(zhì)系列NPO (COG):一類電介質(zhì)（Class-1），超穩(wěn)定級，NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度，電壓與時間的改變而改變，適用于對穩(wěn)定性要求高的高頻電路。NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。，因為其他材質(zhì)電容的容值隨溫度變化誤差較大。電容范圍 1pF0.1uF (10.2V rms 1MHz)NPO 材質(zhì)電容溫度特性 55125 |容值變化| 30PP

14、M/C (PPM 為百萬分之一)?？闺姀?qiáng)度：2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：50毫安 X7R 與X5R材質(zhì)系列X7R (2X1):二類電介質(zhì)，穩(wěn)定級，電氣性能較穩(wěn)定，在溫度電壓與時間改變時性能的變化并不顯著，適用于隔直，偶合旁路與對容量穩(wěn)定性要求不太高的全頻鑒電路。由于X7R 是一種強(qiáng)電介質(zhì)，因而能造出容量比NPO 介質(zhì)更大的電容。電容范圍 300pF3.3uF (1.00.2V rms 1KHz)X7R 材質(zhì)電容溫度特性 55125 |容值變化| 15% 老化特性 10 年小于1%抗電強(qiáng)度：2.5倍額定電壓5秒 浪涌電流：50毫安X5R :和是的代碼，表示不同的溫度特性，溫度變化率相同，都

15、是，只是上限工作溫度是度，上限是度，從材料上來說，比較接近，都是作為主燒塊的陶瓷材料，的值大點，可以做更大的容量，一般大容量的都是，不能用做Y5V&Z5U 材質(zhì)系列Y5V (2F4)(Z5U):三類電介質(zhì)，能用級 ，具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大的、標(biāo)稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品，但其容量穩(wěn)定性較X7R 差，容量，損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感。電容范圍 1000pF22uF (0.3V 1KHz)溫度特性： 3085 82% 容值變化 +22% 老化特性 10 年 5%抗電強(qiáng)度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：50毫安低溫高溫容量變化X: -55 C4: +65 CA: 1.0

16、%Y: -30 C5: +85 CB: 1.5%Z: +10 C6: +105 CC: 2.2%7: +125 CD: 3.3%8: +150 CE: 4.7%9: +200 CF: 7.5%P: 10%R: 15%S: 22%T: +22% -33%U: +22% -56%V: +22% -82%電容的溫度與容量誤差編碼 封裝類型穿孔式：穿孔式封裝的元器件應(yīng)該是人們最熟悉的類型，其詳細(xì)還可分為引線式和插接式兩種，它們的顯著標(biāo)志就是擁有引腳，插接式通常還有一個固定腳。安裝它們時需要將引腳穿過PCB。盡管元器件的安裝方式基本相同，但不同類型和定位的元件其形狀和內(nèi)部結(jié)構(gòu)也各不相同，適用于不同的場合

17、。 RAD-5.0mm,表示同向引出線封裝形式,相鄰引腳的中心間距為5.0mmAxial-7.5mm,表示軸向引出線封裝形式, 相鄰引腳的中心間距為7.5mm貼片式：貼片式元器件常會被簡寫為SMD（Surface Mount Device），貼片式電容僅僅是其中的一種。和引線式相比，此類封裝的元器件僅需安裝與PCB表面，而無須穿透整個PCB，便于自動化安裝，也節(jié)省了PCB面積。同時還可以讓PCB內(nèi)部走線更加自如，也會在一定程度上減少干擾。不過貼片式元器件焊接溫度較高，對器件本身的耐溫能力也會有一定的要求，并不是所有規(guī)格的元器件都可以采用。簡單說，在元器件規(guī)格相同的情況下，貼片式封裝要優(yōu)于引線式

18、，當(dāng)然，成本也會更高。貼片式電解電容器電解電容器以金屬（正）和電解質(zhì)（負(fù)）作電容器的兩個電極板，以金屬氧化膜作電介質(zhì)。氧化膜厚度為納米級（幾十納米），由于介質(zhì)薄，所以可以做得體積小，容量大，由于氧化膜具有單向?qū)щ娦?，因而電解電容器具有正、?fù)之分，使用時不得接反。接反后，氧化膜電阻極小，漏電流大，發(fā)熱嚴(yán)重，當(dāng)電解質(zhì)是液體時，會爆炸。當(dāng)在結(jié)構(gòu)和工藝上采取某種措施后，可制成無極性的或交流電解電容器。 電解電容器使用溫度一般在20C85C以內(nèi)。（1）鋁電解CD 以鋁為正極，液體電解質(zhì)作負(fù)極，氧化鋁膜為介質(zhì)，溫度范圍多為20850C。超過850C時，漏電流增加；低于200C時，容量變小，耐壓為6. 34

19、50V，容量10680F。 目前已生產(chǎn)出無極性鋁電解電容，如CD71、CD03、CD94。價廉，用途廣。 （2）鉭電解CA 壽命、可靠性好于鋁，體積小于鋁，上限溫度可達(dá)2000C，但耐壓不超過160V，價格貴。 （3）鈮電解 介電常數(shù)大于鉭，體積更小，穩(wěn)定性比鉭稍差。3種不同材質(zhì)電解電容的關(guān)系以往傳統(tǒng)的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因為鉭電容的介質(zhì)為陽極氧化后生成的五氧化二鉭，它的介電能力（通常用表示）比鋁電容的三氧化二鋁介質(zhì)要高。因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電容量取決于介質(zhì)的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積就可以做得越小，反之，體積

20、就需要做得越大）再加上鉭的性質(zhì)比較穩(wěn)定，所以通常認(rèn)為鉭電容性能比鋁電容好。電解質(zhì)（陰極）電解液是最傳統(tǒng)的電解質(zhì)，電解液是由 GAMMA丁內(nèi)酯有機(jī)溶劑加弱酸鹽電容質(zhì)經(jīng)過加熱得到的。我們所見到的普通意義上的鋁電解電容的陰極，都是這種電解液。、優(yōu)勢：首先在于液體與介質(zhì)的接觸面積較大，這樣對提升電容量有幫助。其次是使用電解液制造的電解電容，最高能耐 260度的高溫，這樣就可以通過波峰焊（SMT貼片安裝的一道重要工序）同時耐壓性也比較強(qiáng)。 其次，當(dāng)介質(zhì)被擊穿的后，只要擊穿電流不持續(xù)，那么電容能夠自愈。缺陷：首先是在高溫環(huán)境下容易揮發(fā)、滲漏，對壽命和穩(wěn)定性影響很大，在高溫高壓下電解液還有可能瞬間汽化，體積

21、增大引起爆炸（就是我們常說的爆漿） 其次是電解液所采用的離子導(dǎo)電法其導(dǎo)電率很低，只有 0.01S（電導(dǎo)率，歐姆的倒數(shù)）/CM，這造成電容的 ESR值（等效串聯(lián)電阻）特別高。二氧化錳是鉭電容所使用的陰極材料。二氧化錳是固體，傳導(dǎo)方式為電子導(dǎo)電，導(dǎo)電率是電解液離子導(dǎo)電的十倍（0.1S/CM），所以 ESR比電解液低。優(yōu)勢：固體電解質(zhì)沒有泄露的危險。 二氧化錳的耐高溫特性也比較好，能耐的瞬間溫度在 500度左右。缺陷：在極性接反的情況下容易產(chǎn)生高溫，在高溫環(huán)境下釋放出氧氣，同時五氧化二鉭介質(zhì)層發(fā)生晶質(zhì)變化，變脆產(chǎn)生裂縫，氧氣沿著裂縫和鉭粉混合發(fā)生爆炸 其次，這種陰極材料的價格也比較貴。TCNQ是一種

22、有機(jī)半導(dǎo)體，是一種絡(luò)合鹽。因此使用 TCNQ的電容也叫做有機(jī)半導(dǎo)體電容優(yōu)勢：使電解電容的工作頻率由以前20KHZ直接上升到了 1 MHZ。 其次，TCNQ的導(dǎo)電方式也是電子導(dǎo)電，其導(dǎo)電率為 1S/CM，是電解液的 1 00倍，二氧化錳的 10倍。性能非常穩(wěn)定，也比較廉價。缺陷：它的熱阻性能不好，其熔解溫度只有 230-240攝氏度，所以有機(jī)半導(dǎo)體電容一般很少用 SMT貼片工藝制造。無法通過波峰焊工藝。PPY（聚吡咯）以及 PEDT PPY聚吡咯和 PEDT做為陰極材料的電容，叫做固體聚合物導(dǎo)體電容。其電導(dǎo)率可以達(dá)到 100S/CM，這是 TCNQ鹽的 100倍，是電解液的 10000倍，同時也

23、沒有污染。優(yōu)勢：固體聚合物導(dǎo)體電容的溫度特性也比較好，可以忍耐 300度以上的高溫，因此可以使用 SMT貼片工藝安裝。 其次，固體聚合物導(dǎo)體電容的安全性較好，當(dāng)遇到高溫的時候，電解質(zhì)只是熔化而不會產(chǎn)生爆炸，因此它不像普通鋁電解液電容那樣開有防爆槽。缺陷：在于其價格相對偏高，同時耐電壓性能不強(qiáng)。電解電容壽命產(chǎn)品壽命總是用戶最關(guān)心的問題之一。電容器的壽命取決于所用材質(zhì)以及工作溫度。工作溫度越高，壽命就越低。我們只能從廠商的規(guī)格PDF中得到相關(guān)的壽命信息。由于材質(zhì)不同，鋁固體電解電容器的壽命要比常規(guī)鋁-電解液電容高的多。同時，我們也可以看到，溫度對電容器壽命的影響非常巨大。 玻璃釉電容 滌綸電容 其

24、它常用類型電容器云母電容陶瓷電容A. 貼片陶瓷電容器 結(jié)構(gòu)與特點：溫度特性：精度誤差：在0.1PF +80%/20% 2. 片容的耐壓：6.3V630V ，應(yīng)用于電子設(shè)備，移動通訊設(shè)備，辦公自動設(shè)備，自動電子，檢測設(shè)備，混合集成電路等。 陶瓷薄片層絕緣，先進(jìn)的分層技術(shù)，使高層的元件具有較高的電容值。單體結(jié)構(gòu)使之具有良好的機(jī)械性能，可靠性極高 。良好的尺寸精度保證了自動安裝的準(zhǔn)確性。結(jié)構(gòu)及特點： 玻璃釉電容器的介質(zhì)是玻璃釉粉加壓制成的薄片。因釉粉有不同的配制工藝方法，因而可獲得不同性能的介質(zhì)，也就可以制成不同性能的玻璃釉電容器。玻璃釉電容器具有介質(zhì)介電系數(shù)大、體積小、損耗較小等特點，耐溫性和抗?jié)?/p>

25、性也較好。用途： 玻璃釉電容器適合半導(dǎo)體電路和小型電子儀器中的交、直流電路或脈沖電路使用。B. 玻璃釉電容器 結(jié)構(gòu)： 用兩片金屬箔做電極，夾在極薄絕緣介質(zhì)中，卷成圓柱形或者扁柱形芯子，介質(zhì)是滌綸。滌綸薄膜電容、介電常數(shù)較高，體積小，容量大，穩(wěn)定性較好，適宜做旁路電容。突出優(yōu)點： 精度、損耗角、絕緣電阻、溫度特性、可靠性及適應(yīng)環(huán)境等指標(biāo)都優(yōu)于電解電容，瓷片電容。 缺點： 容量、價格比及體積比都大于以上兩種電容。C.滌綸電容器D.云母電容器結(jié)構(gòu):云母電容器可分為箔片式和被銀式。用金屬箔或在云母片上噴涂銀層做電極板，極板和云母一層一層疊合后，再壓鑄在膠木粉或封固在環(huán)氧樹脂中制成，形狀多為方塊狀。優(yōu)點

26、：采用天然云母作為電容極間的介質(zhì)，耐壓高，性能相當(dāng)好,介質(zhì)損耗小，絕緣電阻大，溫度系數(shù)小。 缺點：由于受介質(zhì)材料的影響，容量不能做得太大，一般在10PF-10000PF之間，且造價相對其它電容要高。 應(yīng)用：云母電容是性能優(yōu)良的高頻電容之一，廣泛應(yīng)用于對電容的穩(wěn)定性和可靠性要求高的場合，并可用作標(biāo)準(zhǔn)電容器。選取電容時的四大誤區(qū)1.電容容量越大越好。 很多人在電容的替換中往往愛用大容量的電容。我們知道雖然電容越大，為IC提供的電流補(bǔ)償?shù)哪芰υ綇?qiáng)。且不說電容容量的增大帶來的體積變大，增加成本的同時還影響空氣流動和散熱。關(guān)鍵在于電容上存在寄生電感，電容放電回路會在某個頻點上發(fā)生諧振。在諧振點，電容的阻

27、抗小。因此放電回路的阻抗最小，補(bǔ)充能量的效果也最好。但當(dāng)頻率超過諧振點時，放電回路的阻抗開始增加，電容提供電流能力便開始下降。電容的容值越大，諧振頻率越低，電容能有效補(bǔ)償電流的頻率范圍也越小。從保證電容提供高頻電流的能力的角度來說，電容越大越好的觀點是錯誤的，一般的電路設(shè)計中都有一個參考值的。 2.同樣容量的電容，并聯(lián)越多的小電容越好耐壓值、耐溫值、容值、ESR(等效電阻)等是電容的幾個重要參數(shù)，ESR與電容的容量、頻率、電壓、溫度等都有關(guān)系。當(dāng)電壓固定時候，容量越大，ESR越低。在設(shè)計中采用多個小電容并連多是出與PCB空間的限制，這樣有的人就認(rèn)為，越多的并聯(lián)小電容，ESR越低，效果越好。理論上是如此，但是要考慮到電容接腳焊點的阻