電子技術(shù)試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)一整形

1、實(shí)驗(yàn)一觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)波形整形及脈沖延時(shí)的研究-1一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?掌握使用集成門(mén)電路構(gòu)成施密特觸發(fā)器的基本方法。2掌握集成施密特觸發(fā)器在波形整形電路中的作用。二、實(shí)驗(yàn)原理1、施密特觸發(fā)器施密特觸發(fā)器不同于其它的各類觸發(fā)器，施密特觸發(fā)器屬于“電平觸發(fā)”型電路。施密特觸發(fā)器具有以下特點(diǎn)：觸發(fā)信號(hào)UIN可以是變化緩慢的模擬信號(hào), UIN達(dá)某一電平值時(shí)，輸出電壓UOUT突變。 輸入信號(hào)增加和減小時(shí)，電路有不同的閾值電壓。施密特觸發(fā)器的輸入輸出波形同向傳輸反向傳輸施密特觸發(fā)電路的應(yīng)用用于波形變換: 用于脈沖整形：用于脈沖鑒幅：（1）門(mén)電路組成的施密特觸發(fā)器本實(shí)驗(yàn)中： VT+為 (2.5V4.775V) VT-為

2、 (0.225V2.5V)改變RW1及R4的值可改變VT+、 VT- 。注意： RW1應(yīng)小于R4。電路中兩個(gè)CMOS反相器串聯(lián)，分壓電阻RW1、R4將輸出端的電壓反饋到輸入端對(duì)電路產(chǎn)生影響。假定電路中CMOS反相器的閾值電壓VthVDD/2，RW1 R4,且輸入信號(hào)vI為三角波，下面分析電路的工作過(guò)程。由電路不難看出，G1門(mén)的輸入電平v1決定著電路的狀態(tài)，根據(jù)疊加原理有： 當(dāng)vin=0V，G1門(mén)輸出高電平，G2門(mén)輸出低電平，輸出端vout=0V。此時(shí)v10V。輸入電壓逐漸增加，只要v1Vth時(shí)，電路狀態(tài)維持vout=VDD不變。vin繼續(xù)上升至最大值后開(kāi)始下降，當(dāng)v1=Vth時(shí)，電路產(chǎn)生如下正

3、反饋過(guò)程： 這樣電路又迅速轉(zhuǎn)換為vO0V的狀態(tài)，此時(shí)的輸入電平為vin減小時(shí)的閾值電壓，稱為負(fù)向閾值電壓，用VT-表示。將VDD=2Vth代入，可算出：只要滿足vin VT-， 施密特電路就穩(wěn)定在vO0V的狀態(tài)?？汕?得回差電壓為VT=VT+-VT- 上式表明，回差電壓的大小 可以改變RW1、R4的比值來(lái)調(diào)節(jié)。電路工作波形及傳輸特性如右圖b所示。（2）集成施密特觸發(fā)器CD40106參數(shù)名稱VDD / V最小值/ V最大值/ V典型值VT+上限閾值電壓510152.24.66.83.67.110.82.95.98.8VT-下限閾值電壓510150.92.542.85.27.41.93.95.8V

4、T滯回電壓510150.31.21.61.63.45.00.92.33.5V=(10K/16.8K) 5V 3 VCD40106測(cè)試電路V電源VDD=5V時(shí), VT+為(2.23.6)V,典型值為2.9V; VT-為(0.92.8)V,典型值為1.9V本實(shí)驗(yàn)中:V=(10K/16.8K) *5V 約= 3 V輸入信號(hào)疊加在3V直流電平上,如圖所示實(shí)驗(yàn)底板介紹注意電源的連接三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、測(cè)試由CMOS門(mén)電路組成的如圖2.1.4的施密特觸發(fā)器電路。輸入端Vin接2kHz、VPP=10V（帶載實(shí)測(cè)）的三角波信號(hào)改變RW1的值，用雙蹤示波器觀測(cè)兩組Vin和Vout的波形變化情況，分別畫(huà)出兩組輸入、輸出波形并標(biāo)出VT+及VT。討論并說(shuō)明RW1的改變與輸出變化的關(guān)系。2、測(cè)試用CD40106實(shí)現(xiàn)的如圖2.1.8所示集成施密特觸發(fā)器整形電路。輸入端Vin接2kHz的正弦波。按表2.1.3中所給不同幅度（帶載實(shí)測(cè)）的輸入情況，觀測(cè)輸出Vout，并將所測(cè)的結(jié)果填入表2.1.3中。討論并說(shuō)明輸入信號(hào)幅度的改變對(duì)輸出波形的影響。四、注意事項(xiàng)、應(yīng)先檢查電源是否連接正確，再檢查電路連接是否正確。2所有測(cè)試輸入幅度