昌大無機題庫23固體無機化學

1、普化無機試卷（固體無機化學）一、填空題1.(2300)VO(化學計量為 1 : 1)的密度測得值和理論值分別為 5.92 gcm-3 和 6.49gcm-3，證明VO 晶體中存在的缺陷屬于。2.(2304)讓 10-3 mol 電子通過溫度為 165，在兩個 Ag 電極之間夾一片AgI(AgI 是 Ag+ 離子導體)，兩電極之間施加的電壓為 0.1 V 的電解池，陰極、陽極和 AgI 的質(zhì)量定量變化(Ag 的原子量 108)為。3.(2305)TiO2 在氫氣中加熱時顯藍色，表明紅光被吸收。Ti(IV)還原為 Ti(III)相當于型摻雜。4.(2306)判斷下列物質(zhì)是否可能為 n 型或 p 型

2、半導體：摻As 的 Ge；摻 Ga 的 Ge：。 (2307)砷化鎵是一種有用的半導體。將Se 摻入(在 As 的位置上)屬于型半導體。(2310)比較鍺在下列各種摻雜情況下的電導率的大?。骸?.6.(1)(2)(3)(4)摻 0.1 mg / kg 的 As；摻 0.1mg / kg 的As 和 0.05mg / kg 的Al；摻 0.1 mg / kg 的 As 和 0.1 mg / kg 的Al；摻 1 mg / kg 的Al。7.(2311)下列半導體：(1) ZnO 加熱，表面上發(fā)生熱分解反應，生成的 Zn 向晶體擴散，生成非整比化合物 Zn1+xO，這是型半導體。(2) NiO 在

3、氧氣中反應，晶體變?yōu)殛庪x子過量的NiO1+x，這是型半導體。8.(2312)實驗測得在 1300 時氧化鎳的電導率隨平衡氧氣壓力而變化的關系是 = 常數(shù)。10.(2321)下列半導體：(1) 受X 射線輻照過的 KCl 晶體是型；(2) Li0.05Cu0.95O 是型；(3) WO2.999 是型。11.(2322)下列半導體：GaAs 中少量Zn 代替 Ga 是型；InAs 含有稍微過量的 In 是型。二、計算題12.(2320)氧化鐵 FexO 中Fe3+/Fe2+ = 0.1，試計算氧化鐵晶體中的 x 值。13.(2329)鋁為面心立方結(jié)構(gòu)，其晶格參數(shù)為 4.049的八面置；(3) 正

4、離子填滿八面體結(jié)構(gòu)的交替層；三種情況各產(chǎn)生什22.(2316)從負離子的立方密堆積出發(fā)，(1) 正離子填滿所有四面置；(2) 正離子填滿一半四類型？面置，如T+位置；(3)正離子填滿所有的八面置；(4)正離子填滿八面置的交替層。說明四種情況的結(jié)構(gòu)類型。23.(2317)MnO、NiO、CoO 等都有正離子八面體配位的立方巖鹽結(jié)構(gòu)，CuO 的結(jié)構(gòu)則不同，它包含顯著變形的 CuO6 八面體。試解釋。24.(2318)鋰最穩(wěn)定的氧化物是體結(jié)構(gòu)的角度解釋。Li2O，但銣和銫的過氧化物和超氧化物比簡單氧化物穩(wěn)定，從晶25.(2323)晶體的缺陷濃度為何隨溫度升高而加大？(2324)下列哪些晶體會顯示出壓電性？為什么？NaCl，CaF2，CsCl，ZnS(纖鋅礦)，NiAs，TiO2( (2325)下列晶體中占優(yōu)勢的缺陷有哪些？26.)27.(1)(2)(3)(4)(5)用MgCl2 摻雜的NaCl；用Y2O3 摻雜的 ZrO2；用YF3 摻雜的 CaF2； 用As 摻雜的 Si；在一種還原氣氛中加熱過的WO3。28.(2326)預期下列少量雜質(zhì)對NaCl 晶體的電導率有何影響？簡述原因。KClNaBrCaCl2AgClNa2O (2327)29.下列少量雜質(zhì)對 AgCl 晶體的導電率AgBrZnCl2Ag2O (2328)說明下列尖晶石的磁性行為：(1)