半導體制造工藝技術課件

1、淀 積第1頁，共68頁。概 述 薄膜淀積是芯片加工過程中一個至關重要的工藝步驟，通過淀積工藝可以在硅片上生長導各種導電薄膜層和絕緣薄膜層。 各種不同類型的薄膜淀積到硅片上，在某些情況下，這些薄膜成為器件結構中的一個完整部分，另外一些薄膜則充當了工藝過程中的犧牲品，并且在后續(xù)的工藝中被去掉。 本章將討論薄膜淀積的原理、過程和所需的設備，重點討論SiO2和Si3N4等絕緣材料薄膜以及多晶硅的淀積。金屬和金屬化合物薄膜的淀積將在第13章中介紹。第2頁，共68頁。目 標通過本章的學習，將能夠：1.描述出多層金屬化。敘述并解釋薄膜生長的三個階段。2.提供對不同薄膜淀積技術的慨況。3.列舉并描述化學氣相淀

2、積（CVD）反應的8個基本步驟，包括不同類型的化學反應。4.描述CVD反應如何受限制，解釋反應動力學以及CVD薄膜摻雜的效應。5.描述不同類型的CVD淀積系統(tǒng)，解釋設備的功能。討論某種特定工具對薄膜應用的優(yōu)點和局限。6.解釋絕緣材料對芯片制造技術的重要性，給出應用的例子。7.討論外延技術和三種不同的外延淀積方法。8.解釋旋涂絕緣介質。 第3頁，共68頁。MSI時代nMOS晶體管的各層膜p+ silicon substratep- epi layer場氧化層n+n+p+p+n-wellILD氧化硅墊氧化層氧化硅氮化硅頂層柵氧化層側墻氧化層金屬前氧化層Poly金屬多晶金屬Figure 11.1第4

3、頁，共68頁。引 言 從MSI到LSI時代，芯片的設計和加工相對較為直接，上圖給出了制作一個早期nMOS所需的淀積層。圖中器件的特征尺寸遠大于1m。如圖所示，由于特征高度的變化，硅片上各層并不平坦，這將成為VLSI時代所需的多層金屬高密度芯片制造的限制因素。 隨著特征尺寸越來越小，在當今的高級微芯片加工過程中，需要6層甚至更多的金屬來做連接（第六頁的圖），各金屬之間的絕緣就顯得非常重要，所以，在芯片制造過程中，淀積可靠的薄膜材料至關重要。薄膜制備是硅片加工中的一個重要工藝步驟。 第5頁，共68頁。ULSI硅片上的多層金屬化Figure 11.3鈍化層壓點金屬p+ Silicon substra

4、teViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3 M-4p- Epitaxial layerp+ILD-6LI oxideSTIn-wellp-wellILD-1Poly gaten+p+p+n+n+LI metal第6頁，共68頁。芯片中的金屬層Photo 11.1 第7頁，共68頁。薄膜淀積 半導體器件工藝中的“薄膜”是一種固態(tài)薄膜，薄膜的種類和制備方法在第四章中已作過簡單介紹。 薄膜淀積是指任何在硅片襯底上物理淀積一層膜的工藝，屬于薄膜制造的一種工藝，所淀積的薄膜可以是導體、絕緣材料或者半導體材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金屬（Cu、

5、W）. 第8頁，共68頁。固態(tài)薄膜Silicon substrateOxide寬長厚與襯底相比薄膜非常薄Figure 11.4第9頁，共68頁。薄膜特性好的臺階覆蓋能力填充高的深寬比間隙的能力好的厚度均勻性高純度和高密度受控制的化學劑量高度的結構完整性和低的膜應力好的電學特性對襯底材料或下層膜好的黏附性第10頁，共68頁。膜對臺階的覆蓋 我們期望膜在硅片表面上厚度一致，但由于硅片表面臺階的存在，如果淀積的膜在臺階上過渡的變薄，就容易導致高的膜應力、電短路或在器件中產生不希望的誘生電荷。應力還可能導致襯底發(fā)生凸起或凹陷的變形。共形臺階覆蓋非共形臺階覆蓋均勻厚度第11頁，共68頁。高的深寬比間隙可

6、以用深寬比來描述一個小間隙（如槽或孔），深寬比定義為間隙的深度和寬度的比值(見下圖)深寬比 = 深度 寬度=2 1深寬比 = 500 250 500 D250 WFigure 11.6第12頁，共68頁。高的深寬比間隙Photograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringPhoto 11.2第13頁，共68頁。薄膜生長的步驟連續(xù)的膜氣體分子成核凝聚SubstrateFigure 11.7第14頁，共68頁。膜淀積技術Table 11.1第15頁，共68頁。化學氣相淀積 化學氣相淀積（CVD）是通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工

7、藝。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被加熱來向反應系統(tǒng)提供附加的能量。包括：1.產生化學變化，這可以通過化學反應或熱分解；2.膜中所有的材料物質都源于外部的源；3.化學氣相淀積工藝中的反應物必須以氣相形式參加反應。 第16頁，共68頁。化學氣相淀積的設備Photo 11.3第17頁，共68頁。CVD 化學過程高溫分解： 通常在無氧的條件下，通過加熱化 合物分解（化學鍵斷裂）；2.光分解： 利用輻射使化合物的化學鍵斷裂分解；3.還原反應： 反應物分子和氫發(fā)生的反應；4.氧化反應： 反應物原子或分子和氧發(fā)生的反應；氧化還原反應： 反應3與4地組合，反應后形成兩 種新的化合物。 第18頁，共68頁。 以上5中

8、基本反應中，有一些特定的化學氣相淀積反應用來在硅片襯底上淀積膜。對于某種特定反應的選擇通常要考慮淀積溫度、膜的特性以及加工中的問題等因素。 例如，用硅烷和氧氣通過氧化反應淀積SiO2膜。反應生成物SiO2淀積在硅片表面，副產物事是氫。 SiH4 + O2 SiO2 + 2H2第19頁，共68頁。CVD 反應CVD 反應步驟 基本的化學氣相淀積反應包含8個主要步驟，以解釋反應的機制。1）氣體傳輸至淀積區(qū)域；2）膜先驅物的形成；3）膜先驅物附著在硅片表面；4）膜先驅物黏附；5）膜先驅物擴散；6）表面反應；7）副產物從表面移除；8）副產物從反應腔移除。 第20頁，共68頁。CVD 傳輸和反應步驟圖C

9、VD 反應室Substrate連續(xù)膜 8)副產物 去除 1) 反應物的質量傳輸副產物 2) 薄膜先驅 物反應 3) 氣體分 子擴散 4) 先驅物 的吸附 5) 先驅物擴散 到襯底中 6) 表面反應 7) 副產物的解 吸附作用排氣氣體傳送Figure 11.8第21頁，共68頁。 在化學氣相淀積中，氣體先驅物傳輸到硅片表面進行吸附作用和反應。列入，下面的三個反應。反應1）顯示硅烷首先分解成SiH2先驅物。 SiH2先驅物再和硅烷反應形成Si2H6。在中間CVD反應中， SiH2隨著Si2H6被吸附在硅片表面。然后Si2H6分解形成最終需要的固態(tài)硅膜。SiH4(氣態(tài)) SiH2(氣態(tài)) + H2(

10、氣態(tài)) （高溫分解）SiH4(氣態(tài)) + SiH2(氣態(tài)) Si2H6(氣態(tài)) （反應半成品形成） Si2H6(氣態(tài)) 2Si (固態(tài)) + 3H2(氣態(tài)) （最終產品形成） 以上實例是硅氣相外延的一個反應過程第22頁，共68頁。速度限制階段 在實際大批量生產中，CVD反應的時間長短很重要。溫度升高會促使表面反應速度增加?；贑VD反應的有序性，最慢的反應階段會成為整個工藝的瓶頸。換言之，反應速度最慢的階段將決定整個淀積過程的速度。 CVD的反應速度取決于質量傳輸和表面反應兩個因素。在質量傳輸階段淀積工藝對溫度不敏感，這意味著無論溫度如何，傳輸到硅片表面加速反應的反應氣體的量都不足。在此情況下

11、，CVD工藝通常是受質量傳輸所限制的。 第23頁，共68頁。 在更低的反應溫度和壓力下，由于只有更少的能量來驅動表面反應，表面反應速度會降低。最終反應物達到硅片表面的速度將超過表面化學反應的速度。在這種情況下。淀積速度是受化學反應速度限制的，此時稱表面反應控制限制。 CVD 氣流動力學 CVD氣流動力學對淀積出均勻的膜很重要。所謂氣體流動，指的是反應氣體輸送到硅片表面的反應區(qū)域（見下圖）。CVD氣體流動的主要因素包括，反應氣體從主氣流中到硅片表面的輸送以及在表面的化學反應速度。第24頁，共68頁。CVD 中的氣流氣流淀積的膜 硅襯底反應副產物反應物的擴散Figure 11.9第25頁，共68頁

12、。硅片表面的氣流 氣流 邊界層 氣流滯留層Figure 11.10第26頁，共68頁。CVD 反應中的壓力 如果CVD發(fā)生在低壓下，反應氣體通過邊界層達到表面的擴散作用會顯著增加。這會增加反應物到襯底的輸運。在CVD反應中低壓的作用就是使反應物更快地到達襯底表面。在這種情況下，速度限制將受約于表面反應，即在較低壓下CVD工藝是反應速度限制的。CVD 過程中的摻雜 CVD淀積過程中，在SiO2中摻入雜質對硅片加工來說也是很重要。例如，在淀積SiO2的過程中，反應氣體中加入PH3后，會形成磷硅玻璃?；瘜W反應方程如下： SiH4(氣)+2PH3(氣)+O2(氣) SiO2(固)+2P(固)+5H2(

13、氣)第27頁，共68頁。 在磷硅玻璃中，磷以P2O5的形式存在，磷硅玻璃由P2O5和SiO2的混合物共同組成；對于要永久黏附在硅片表面的磷硅玻璃來說， P2O5 含量（重量比）不超過4，這是因為磷硅玻璃（PSG）有吸潮作用。 應用高密度等離子體CVD可以在600650的溫度下淀積PSG，由于它的淀積溫度、相對平坦的表面、好的間隙填充能力，近來也常采用PSG作為第一層層間介質（ILD-1）。在SiO2中引入P2O5可以減小膜應力，進而改進膜的完整性。摻雜會增加玻璃的抗吸水性。PSG層還可以有效地固定離子雜質。離子會吸附到磷原子上，因而不能通過PSG層擴散達到硅片表面。第28頁，共68頁。CVD

14、淀積系統(tǒng)CVD 設備設計CVD 反應器的加熱CVD 反應器的配置CVD 反應器的總結常壓 CVD（ APCVD ）低壓 CVD（ LPCVD）等離子體輔助 CVD等離子體增強 CVD（PECVD）高密度等離子體 CVD（HDPCVD） 第29頁，共68頁。CVD 反應器類型Figure 11.11第30頁，共68頁。各種類型 CVD 反應器及其主要特點Table 11.2第31頁，共68頁。連續(xù)加工的APCVD 反應爐硅片膜反應氣體 2反應氣體 1惰性分隔氣體(a) 氣體注入類型N2反應氣體加熱器N2N2N2N2N2硅片(b) 通氣類型Figure 11.12第32頁，共68頁。APCVD T

15、EOS-O3改善后的臺階覆蓋Figure 11.3第33頁，共68頁。用TEOSO3淀積SiO2 TEOS是正硅酸乙脂。分子式為Si(C2H5O4)，是一種液體。臭氧（O3）包含三個氧原子，比氧氣有更強的反應活性，因此，這步工藝可以不用等離子體，在低溫下（如400）進行，因為不需要等離子體，O3就能是TEOS分解，因此反應可以在常壓（APCVD,760托）或者亞常壓(SACVD，600托)下。淀積的二氧化硅薄膜改善了臺階覆蓋輪廓，均勻性好，具有作為絕緣介質優(yōu)異的電學特性。 優(yōu)點：對于高的深寬比槽有良好的覆蓋填充能力。 缺點：SiO2膜多孔，因而通常需要回流來去掉潮氣并增加膜密度。第34頁，共6

16、8頁。PSG 回流后平坦化的表面回流后PSG回流前PSG金屬或多晶硅Figure 11.14第35頁，共68頁。LPCVD 與APCVD相比，LPCVD系統(tǒng)有更低的成本、更高的產量及更好的膜性能，因此應用更為廣泛。為了獲得低壓，必須在中等真空度下阿（約0.15托），反應溫度一般在300900，常規(guī)的氧化爐設備就可以應用。 LPCVD的反應室通常是反應速度限制的。在這種低壓條件下，反應氣體的質量傳輸不再限制反應的速度。 不同于APCVD的是，LPCVD反應中的邊界層由于低壓的緣故，距離硅片表面更遠（見下圖）。邊界層的分子密度低，使得進入的氣體分子很容易通過這一層擴散，是硅片表面接觸足夠的反應氣體

17、分子。一般來說，LPCVD具有優(yōu)良的臺階覆蓋能力。第36頁，共68頁。硅片表面的邊界層連續(xù)氣流淀積膜 硅襯底邊界層反應物擴散Figure 11.15第37頁，共68頁。LPCVD Reaction Chamber for Deposition of Oxides, Nitrides, or Polysilicon三溫區(qū)加熱部件釘式熱電偶 (外部，控制)壓力表抽氣至真空泵氣體入口熱電偶 (內部)Figure 11.16第38頁，共68頁。用 TEOS LPCVD 淀積氧化硅壓力控制器三溫區(qū)加熱器加熱器TEOSN2O2真空泵氣流控制器LPCVD爐溫度控制器計算機終端工作接口爐溫控制器尾氣Figur

18、e 11.17第39頁，共68頁。Key Reasons for the Use of Doped Polysilicon in the Gate Structure1.通過摻雜可得到特定的電阻；2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；3.和后續(xù)高溫工藝的兼容性；4.比金屬電極（如AI）更高的可靠性；5.在陡峭的結構上淀積的均勻性；6.實現柵的自對準工藝。 第40頁，共68頁。Doped Polysilicon as a Gate electrodep+p+p+n+n+n+Figure 11.18 第41頁，共68頁。等離子體輔助CVDCVD 過程中使用等離子體的好處1.更低的工藝溫度 (250 450

19、)；2.對高的深寬比間隙有好的填充能力 (用高密度等離子體)；3.淀積的膜對硅片有優(yōu)良的黏附能力；4.高的淀積速率；5.少的針孔和空洞，因為有高的膜密度；6.工藝溫度低，因而應用范圍廣。 第42頁，共68頁。在等離子體輔助 CVD 中膜的形成PECVD 反應室連續(xù)膜 8)副產物 去除 1) 反應物進 入反應室襯底 2) 電場使反 應物分解 3) 薄膜初始 物形成 4) 初始物吸附 5) 初始物擴散到襯底中 6) 表面反應 7) 副產物的解 吸附作用排氣氣體傳送RF 發(fā)生器副產物電極電極RF 場Figure 11.19 第43頁，共68頁。General Schematic of PECVD f

20、or Deposition of Oxides, Nitrides, Silicon Oxynitride or TungstenProcess gasesGas flow controllerPressure controllerRoughingpumpTurbopumpGas panelRF generatorMatching networkMicrocontroller operator InterfaceExhaustGas dispersion screenElectrodesFigure 11.20 第44頁，共68頁。用LPCVD 和 PECVD 氮化硅的性質Table 11.3

21、 第45頁，共68頁。高密度等離子體淀積腔Photo 11.4 第46頁，共68頁。淀積刻蝕淀積工藝用 PECVD 淀積的膜在間隙入口處產生夾斷現象，導致在間隙填充中的空洞鑰匙孔效應面包塊效應MetalSiO2在這里開始分開1)離子誘導薄膜初始產物的淀積2)氬離子濺射刻蝕掉間隙入口處多余的膜，在膜上導致斜面外形3)再淀積被刻蝕的材料。重復該過程，最終形成上下一致的形貌CapFigure 11.21 第47頁，共68頁。HDPCVD 工藝的五個步驟1.離子誘導淀積：指離子被托出等離子體并淀積形成間隙填充的現象；2.濺射刻蝕：具有一定能量的Ar和因為硅片偏置被吸引到薄膜的反應離子轟擊表面并刻蝕原子

22、；3.再次淀積：原子從間隙的底部被剝離，通常會再次淀積到側壁上；4.熱中性 CVD：這對熱能驅動的一些淀積反應有很小的貢獻；5.反射：離子反射出側壁，然后淀積，是另一種貢獻。 第48頁，共68頁。在渦輪泵出口放置硅片的 HDPCVD機械泵微波2.45 GHz電磁渦輪泵閥門氣體噴頭靜電吸盤上的硅片Figure 11.22 第49頁，共68頁。介質及其性能介電常數間隙填充芯片性能低k值介電常數高k值介電常數器件隔離局部氧化（LOCOS）淺曹隔離（STI） 第50頁，共68頁。介質間隙填充的三個過程2)PECVD 帽帽1)HDPCVD 間隙填充SiO2鋁化學機械 平坦化Figure 11.23 第5

23、1頁，共68頁。ULSI 互連中可能的低K值ILD材料Table 11.4 第52頁，共68頁。互連延遲 (RC) 與特征尺寸的關系 (m)Figure 11.24 2.52.01.51.00.500.51.01.52.0特征尺寸 (mm)延遲時間 (10-9 sec)互連延遲 (RC)門延遲第53頁，共68頁。芯片性能 芯片性能的一項指標是信號的傳輸速度。芯片的不斷縮小導致互聯線寬度減小，使得傳輸信號導線電阻（R）增大。而且，導線間距的縮小產生了更多的寄生電容（C）。最終增加了RC信號延遲（RC信號延遲降低芯片速度，減弱芯片性能）。這是在亞0.25m中凸現的問題，通常稱為互連延遲 （如上圖所

24、示）。從本質上講，減小互連尺寸帶來的寄生電阻和電容效應而導致更大的信號延遲。這與晶體管的發(fā)展正好相反，對晶體管而言，隨著柵長變小，延遲變小，晶體管的速度增加。 線電容C正比于絕緣介質的k 值，低K值的絕緣介質可以減小芯片總的互連電容，減小RC信號延遲 ，提供芯片性能。第54頁，共68頁?？偦ミB線電容電容 (10-12 Farads/cm)7654321000.51.01.52.02.53.0間距 (mm)K = 4K = 3K = 2K= 1Figure 11.25 第55頁，共68頁。低-k 值絕緣介質要求Table 11.5 第56頁，共68頁。DRAM 疊層電容的示意圖SiO2 介質摻雜

25、多晶硅電容極板摻雜多晶硅電容極板埋接觸孔擴散SiO2 dielectricDoped polysiliconcapacitor plateDoped polysiliconcapacitor plateBuried contact diffusionFigure 11.26 第57頁，共68頁。淺槽隔離Photo 11.5 第58頁，共68頁。旋涂絕緣介質旋涂玻璃 (SOG)旋涂絕緣介質 (SOD)外延外延生長方法氣相外延（VEP）金屬有機 CVD分子束外延(MBE)CVD質量測量CVD 檢查及故障排除 第59頁，共68頁。用 Spin-On-Glass 填充間隙2) 處理后的SOG最初的SO

26、G 間隙填充CVD 氧化硅帽CapFigure 11.27 第60頁，共68頁。HSQ 低-k 值絕緣介質工藝參數Table 11.6 第61頁，共68頁。外 延外延生長模型外延生長方法氣相外延 (VPE)金屬有機CVD (MOCVD)分子束外延 (MBE) 第62頁，共68頁。 外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層（見下圖），新淀積的這層稱為外延層。外延為器件設計者在優(yōu)化器件性能方面提供了很大的靈活性，例如可以控制外延層厚度、摻雜濃度、輪廓，而這些因素是與硅片襯底無關的。外延層還可以減少CMOS器件的閂鎖效應。IC制造中最普通的外延反應是高溫CVD系統(tǒng)。 如果外延生長膜和襯底材料相同（例如

27、硅襯底上生長硅），這樣的膜生長稱為同質外延。膜材料與襯底材料不一致的情況（例如硅襯底上生長氧化鋁），稱為異質外延。 外延反應可用的氣體源包括SiCl4/SiH2Cl2/SiHCl3 淀積溫度為：10501250第63頁，共68頁。硅片上外延生長硅SiSiClClHHSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiClHClH化學反應副產物淀積的硅外延層多晶硅襯底Figure 11.28 第64頁，共68頁。氣相外延示意圖摻雜劑(AsH3 or B2 H3)H2SiH2 Cl2RF 感應加熱線圈感應基座硅片真空泵Figure 11.29 第65頁，共68頁。硅氣相外延爐排氣排氣排氣RF加熱RF 加熱

28、氣體入口氣體入口臥式反應爐桶式反應爐立式反應爐Figure 11.30 第66頁，共68頁。CVD質量測量ILD 中鑰匙孔的效果（金屬臺階覆蓋上）b) 平坦化的SiO2 c) 被淀積的下一層鋁在 SiO2上由鑰匙孔引起的金屬空洞a) 由 PECVD淀積的SiO2 SiO2在層間介質中的鑰匙孔缺陷鋁Figure 11.31 第67頁，共68頁。1、不是井里沒有水，而是你挖的不夠深。不是成功來得慢，而是你努力的不夠多。2、孤單一人的時間使自己變得優(yōu)秀，給來的人一個驚喜，也給自己一個好的交代。3、命運給你一個比別人低的起點是想告訴你，讓你用你的一生去奮斗出一個絕地反擊的故事，所以有什么理由不努力!4

29、、心中沒有過分的貪求，自然苦就少。口里不說多余的話，自然禍就少。腹內的食物能減少，自然病就少。思緒中沒有過分欲，自然憂就少。大悲是無淚的，同樣大悟無言。緣來盡量要惜，緣盡就放。人生本來就空，對人家笑笑，對自己笑笑，笑著看天下，看日出日落，花謝花開，豈不自在，哪里來的塵埃!25、你不能拼爹的時候，你就只能去拼命！26、如果人生的旅程上沒有障礙，人還有什么可做的呢。27、我們無法選擇自己的出身，可是我們的未來是自己去改變的。勵志名言：比別人多一點執(zhí)著，你就會創(chuàng)造奇跡28、偉人之所以偉大，是因為他與別人共處逆境時，別人失去了信心，他卻下決心實現自己的目標。29、人生就像一道漫長的階梯，任何人也無法逆

30、向而行，只能在急促而繁忙的進程中，偶爾轉過頭來，回望自己留下的蹣跚腳印。30、時間，帶不走真正的朋友；歲月，留不住虛幻的擁有。時光轉換，體會到緣分善變；平淡無語，感受了人情冷暖。有心的人，不管你在與不在，都會惦念；無心的情，無論你好與不好，只是漠然。走過一段路，總能有一次領悟；經歷一些事，才能看清一些人。31、我們無法選擇自己的出身，可是我們的未來是自己去改變的。32、命好不如習慣好。養(yǎng)成好習慣，一輩子受用不盡。33、比別人多一點執(zhí)著，你就會創(chuàng)造奇跡。50、想像力比知識更重要。不是無知，而是對無知的無知，才是知的死亡。51、對于最有能力的領航人風浪總是格外的洶涌。52、思想如鉆子，必須集中在一

31、點鉆下去才有力量。53、年少時，夢想在心中激揚迸進，勢不可擋，只是我們還沒學會去戰(zhàn)斗。經過一番努力，我們終于學會了戰(zhàn)斗，卻已沒有了拼搏的勇氣。因此，我們轉向自身，攻擊自己，成為自己最大的敵人。54、最偉大的思想和行動往往需要最微不足道的開始。55、不積小流無以成江海，不積跬步無以至千里。56、遠大抱負始于高中，輝煌人生起于今日。57、理想的路總是為有信心的人預備著。58、抱最大的希望，為最大的努力，做最壞的打算。59、世上除了生死，都是小事。從今天開始，每天微笑吧。60、一勤天下無難事，一懶天下皆難事。61、在清醒中孤獨，總好過于在喧囂人群中寂寞。62、心里的感覺總會是這樣，你越期待的會越行越

32、遠，你越在乎的對你的傷害越大。63、彩虹風雨后，成功細節(jié)中。64、有些事你是繞不過去的，你現在逃避，你以后就會話十倍的精力去面對。65、只要有信心，就能在信念中行走。66、每天告訴自己一次，我真的很不錯。67、心中有理想 再累也快樂68、發(fā)光并非太陽的專利，你也可以發(fā)光。69、任何山都可以移動，只要把沙土一卡車一卡車運走即可。70、當你的希望一個個落空，你也要堅定，要沉著！71、生命太過短暫，今天放棄了明天不一定能得到。72、只要路是對的，就不怕路遠。73、如果一個人愛你、特別在乎你，有一個表現是他還是有點怕你。74、先知三日，富貴十年。付諸行動，你就會得到力量。75、愛的力量大到可以使人忘記

33、一切，卻又小到連一粒嫉妒的沙石也不能容納。1、這世上，沒有誰活得比誰容易，只是有人在呼天搶地，有人在默默努力。2、當熱誠變成習慣，恐懼和憂慮即無處容身。缺乏熱誠的人也沒有明確的目標。熱誠使想象的輪子轉動。一個人缺乏熱誠就象汽車沒有汽油。善于安排玩樂和工作，兩者保持熱誠，就是最快樂的人。熱誠使平凡的話題變得生動。3、起點低怕什么，大不了加倍努力。人生就像一場馬拉松比賽，拼的不是起點，而是堅持的耐力和成長的速度。只要努力不止，進步也會不止。4、如果你不相信努力和時光，那么時光第一個就會辜負你。不要去否定你的過去，也不要用你的過去牽扯你的未來。不是因為有希望才去努力，而是努力了，才能看到希望。5、人生每天都要笑，生活的下一秒發(fā)生什么，我們誰也不知道。所以，放下心里的糾結，放下腦中的煩惱，放下生活的不愉快，活在當下。人生喜怒哀樂，百般形態(tài)，不如在心里全部淡然處之，輕輕一笑，讓心更自在，生命更恒久。積極者相信只有推動自己才能推動世界，只要推動自己就能推動世界。6、人性本善，純如清溪流水凝露瑩爍。欲望與情緒如風沙襲擾，把原本如天空曠蔚藍的心蒙蔽。但我知道，每個人的心靈深處，不管烏云密布還是陰淤蒼茫，但依然有一道彩虹，亮麗于心中某處。7、每個人的心里，都藏著一個了不起的自己