硬件測(cè)試相關(guān)內(nèi)容概述匯編資料

1、硬件測(cè)試(csh)相關(guān)內(nèi)容概述 -May共四十四頁內(nèi)容(nirng)概述GSM手機(jī)基本框架；GSM手機(jī)的一些關(guān)鍵技術(shù)；GSM空中(kngzhng)接口；常用射頻參數(shù)測(cè)試；生產(chǎn)版本測(cè)試內(nèi)容；電流相關(guān)測(cè)試內(nèi)容；入網(wǎng)相關(guān)內(nèi)容；可靠性測(cè)試；附件確認(rèn)；共四十四頁1.GSM手機(jī)的基本(jbn)框架共四十四頁共四十四頁2.GSM手機(jī)(shu j)的一些關(guān)鍵技術(shù)2.1話音(huyn)編碼共四十四頁共四十四頁2.2 GSM調(diào)制與解調(diào)GSM采用GMSK的調(diào)制方式 GMSK調(diào)制方式的特點(diǎn):GMSK是一種特殊的數(shù)字FM調(diào)制方式。給RF載波頻率加上或者減去67.708KHz表示(biosh)1和0在GSM中，數(shù)據(jù)速率選

2、為270.833Kb/s，正好是RF頻率偏移的4倍 比特率正好是頻率偏移4倍的FSK調(diào)制稱作MSK（最小頻移鍵控）GSM無線系統(tǒng)需要使用數(shù)字濾波器和I/Q或數(shù)字FM調(diào)制器精確地生成正確的相位軌跡共四十四頁3.GSM的空中(kngzhng)接口共四十四頁共四十四頁GSM中定義了幾種Burst格式：1.接入Burst：用于MS建立與BTS的首次連接，此時(shí)MS與BTS之間的時(shí)延尚未確定。這種情況出現(xiàn)在上行方向的RACH上，是一種短Burst。2.F Burst和S Burst：分別用于FCCH和SCH，用于描述小區(qū)同步信息，供MS接入使用。3.常規(guī)Burst：這是一種長(zhǎng)Burst，用于除上述幾種情況

3、之外的所有其他(qt)場(chǎng)合。共四十四頁4.GSM測(cè)試(csh)基礎(chǔ)4.1GSM系統(tǒng)劃分PCL等級(jí) 基站根據(jù)接收(jishu)到的手機(jī)信號(hào)的情況，決定是否讓手機(jī)改變其PCL。手機(jī)和基站都是通過SACCH來進(jìn)行PCL情況交互的?；竞褪謾C(jī)關(guān)于發(fā)射功率大小的命令及匯報(bào)都是基于PCL的，故要求手機(jī)必須能準(zhǔn)確的根據(jù)PCL所定義的功率進(jìn)行發(fā)射；測(cè)試手機(jī)在不同PCL下的發(fā)射功率，以確認(rèn)其功率在允許范圍內(nèi)，是測(cè)試手機(jī)Tx發(fā)射功率的目的共四十四頁P(yáng)ower Control Level(PCL)Reference LevelPower Class 1Power Class 2Power Class 3Power

4、Class 4Power Class 50-239dBm2dB2dB337dBm3dB3dB2dB435dBm3dB3dB3dB533dBm3dB3dB3dB2dB631dBm3dB3dB3dB3dB2dB729dBm3dB3dB3dB3dB3dB827dBm3dB3dB3dB3dB3dB925dBm3dB3dB3dB3dB3dB1023dBm3dB3dB3dB3dB3dB1121dBm3dB3dB3dB3dB3dB1219dBm3dB3dB3dB3dB3dB1317dBm3dB3dB3dB3dB3dB1415dBm3dB3dB3dB3dB3dB153dBm3dB3dB3dB3dB3dB161

5、1dBm5dB5dB5dB5dB5dB179dBm5dB5dB5dB5dB5dB187dBm5dB5dB5dB5dB5dB19-315dBm5dB5dB5dB5dB5dBGSM900：注：Power Class 1、2、3主要針對(duì)車載臺(tái)。Power Class 4、5主要針對(duì)移動(dòng)臺(tái)。通常(tngchng)GSM移動(dòng)臺(tái)屬于Power Class 4。共四十四頁P(yáng)ower Control Level(PCL)Reference LevelPower Class 1Power Class 2Power Class 32936dBm2dB3034dBm3dB3132dBm3dB030dBm2dB3dB

6、128dBm3dB3dB226dBm3dB3dB324dBm3dB2dB3dB422dBm3dB3dB3dB520dBm3dB3dB3dB618dBm3dB3dB3dB716dBm3dB3dB3dB814dBm3dB3dB3dB912dBm3dB3dB3dB1010dBm4dB4dB4dB118dBm4dB4dB4dB126dBm4dB4dB4dB134dBm4dB4dB4dB142dBm5dB5dB5dB15-280dBm5dB5dB5dBDCS1800：注：Power Class 1主要(zhyo)針對(duì)移動(dòng)臺(tái)。共四十四頁 4.2 Tx調(diào)制質(zhì)量測(cè)量（頻率誤差，相位誤差測(cè)量）：發(fā)射信號(hào)的相位誤

7、差定義為：發(fā)射機(jī)發(fā)射信號(hào)的相位與理論上最好信號(hào)的相位之差。理論上的相位軌跡可根據(jù)一個(gè)己知的偽隨機(jī)比特流通過GMSK脈沖成形濾波器得到。相位誤差是GSM中用來表示調(diào)制精確度的參數(shù)之一。頻率誤差定義為考慮了調(diào)制和相位誤差的影響以后，發(fā)射信號(hào)的頻率與該絕對(duì)射頻頻道號(hào)(ARFCH)對(duì)應(yīng)的標(biāo)稱頻率之間的差。它通過相應(yīng)誤差做線性回歸，計(jì)算該回歸線的斜率即可得到頻率誤差(因?yàn)?t)相位誤差峰值(fn zh)是離該回歸線最遠(yuǎn)的值。頻率誤差表示頻率合成器或鎖相環(huán)的性能不夠好。共四十四頁對(duì)于GSM900MHz頻段 1.頻率誤差Frequency error若Frequency error40Hz，則頻率誤差為優(yōu)；

8、若40HzFrequency error60Hz，則頻率誤差為良好(lingho)；若60HzFrequency error90Hz，則頻率誤差為一般；若Frequency error90Hz，則頻率誤差為不合格。 2.相位誤差峰值Peak phase error若Peak phase error7deg，則相位誤差峰值為優(yōu)；若7degPeak phase errorl0deg，則相位誤差峰值為良好；若10degPeak phase error20deg則相位誤差峰值為一般；若Peak phase error20deg，則這項(xiàng)指標(biāo)為不合格。共四十四頁3.相位誤差有效值RMS phase err

9、or若RMS phase error25deg，則相位誤差有效值為優(yōu)；若25degRMS phase error4deg，則相位誤差有效值為良好； 若4degRMS phase error5deg，則相位誤差有效值為一般(ybn)；若RMS phase error5deg，則這項(xiàng)指標(biāo)為不合格。共四十四頁對(duì)于GSM1800MHz頻段 1.頻率誤差Frequency error 若Frequency error40Hz，則頻率誤差為優(yōu)； 若40HzFrequency error60Hz，則頻率誤差為良好； 若60HzFrequency error90Hz，則頻率誤差為一般； 若Frequency

10、error90Hz，則頻率誤差為不合格(hg)。2.相位誤差峰值Peak phase error同GSM900頻段的指標(biāo)3.相位誤差有效值RMS phase error同GSM900頻段的指標(biāo)共四十四頁4.3、RX：接收性能（接收靈敏度測(cè)量：BER測(cè)量）接收靈敏度是指收信機(jī)在滿足一定的誤碼率性能條件下收信機(jī)輸入端需輸入的最小信號(hào)電平。衡量收信機(jī)誤碼性能主要有幀刪除率(FER)、殘余誤比特(b t)率(RBER)和誤比特(b t)率(BER)三個(gè)參數(shù)。(BER是收到的錯(cuò)誤的比特(b t)數(shù)與總比特(b t)數(shù)之比。RBER是當(dāng)幀被刪除時(shí)，只測(cè)量剩余幀的BER。FER是在觀察的時(shí)間段里被刪除的幀占

11、總傳送幀數(shù)的百分比.)共四十四頁對(duì)于GSM900MHz頻段接收靈敏度要求：當(dāng)RBER2時(shí)，若RF輸入電平(din pn)為-l09一-l07dBm，則接收靈敏度為優(yōu)；若RF輸入電平為-l07一l05dBm，則接收靈敏度為良好；若RF輸入電平為-105一l02dBm，則接收靈敏度為一般；若RF輸入電平-l02dBm，則接收靈敏度為不合格。對(duì)于DCSl800MHz頻段接收靈敏度要求：當(dāng)RBER2時(shí)，若RF輸入電平為一l08一 -105dBm，則接收靈敏度為優(yōu)；若RF輸入電平為一105- -l03dBm，則接收靈敏度為良好；若RF輸入電平為-l03一 -100dBm，則接收靈敏度為一般；若RF輸入電

12、平為-l00 dBm，則接收靈敏度為不合格。共四十四頁4.4功率斜坡（Power Ramp測(cè)量）時(shí)域的表達(dá)發(fā)射機(jī)只能在規(guī)定的時(shí)隙(sh x)中發(fā)射，而不能將能量泄漏到相鄰的時(shí)隙(sh x)。共四十四頁4.5頻譜測(cè)量本信道的信號(hào)(xnho)不能影響相鄰信道調(diào)制頻譜測(cè)量（Spectrum to modulation）共四十四頁瞬態(tài)頻譜測(cè)量（Spectrum to switching） 手機(jī)在打開、關(guān)閉發(fā)射功率時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)頻譜與發(fā)射有用數(shù)據(jù)時(shí)產(chǎn)生的 GMSK的調(diào)制頻譜時(shí)不同的，故分開進(jìn)行(jnxng)測(cè)試共四十四頁共四十四頁共四十四頁5.生產(chǎn)版本測(cè)試內(nèi)容5.1校準(zhǔn)綜測(cè)校準(zhǔn)的意義：每個(gè)無線設(shè)備生產(chǎn)廠商

13、都刻意要給用戶提供價(jià)廉物美的產(chǎn)品，在成本的壓力下，設(shè)計(jì)人員通常不會(huì)選用昂貴的、精度更高的、一致性更好的元器件作設(shè)計(jì)，而是走到了相反的方向，這樣校準(zhǔn)就成為研發(fā)生產(chǎn)中不可或缺的一環(huán)，它會(huì)極大地減少無線發(fā)射、接收設(shè)備對(duì)元器件的要求，降低材料成本，最終降低整個(gè)無線發(fā)射、接收設(shè)備的成本。 校準(zhǔn)的內(nèi)容綜測(cè)的內(nèi)容校準(zhǔn)綜測(cè)實(shí)際的使用方法請(qǐng)參考(cnko)Alex所著生產(chǎn)線測(cè)試站架設(shè)及工位操作說明5.2功率開關(guān)譜及待機(jī)電流漏電流共四十四頁 6.電流(dinli)電流測(cè)試的主要內(nèi)容(nirng)包括了待機(jī)電流的測(cè)試和使用電流的測(cè)試；這兩項(xiàng)測(cè)試的意義；共四十四頁6.1待機(jī)(dij)電流所謂待機(jī)電流就是13M或是26

14、M主頻停止工作，而是由32K的晶振工作，手機(jī)中的大部分芯片都處于睡眠狀態(tài)時(shí)在一段時(shí)間內(nèi)手機(jī)消耗的平均電流。 -我們公司內(nèi)部的測(cè)試時(shí)間一般是10min。待機(jī)電流的測(cè)試方法 a.使用直流電源供電(n din)，將手機(jī)與萬用表串連在一起，而后插入移動(dòng)/聯(lián)通測(cè)試卡，開機(jī)，等待手機(jī)進(jìn)入慢時(shí)鐘后開始測(cè)量，連接如下圖所示： 共四十四頁 注：這種測(cè)試方法只能(zh nn)提供一個(gè)平均值。共四十四頁 b.使用相應(yīng)的程序，再加上直流電源，每隔一個(gè)固定的時(shí)間采樣電源輸出的電流(dinli)，可以基本反應(yīng)手機(jī)在慢時(shí)鐘狀態(tài)下的電流(dinli)變化。該程序界面如下圖所示：共四十四頁上述兩種測(cè)試方法的缺點(diǎn) a.易受時(shí)間段

15、的影響當(dāng)網(wǎng)絡(luò)交互頻繁的時(shí)候待機(jī)電流的測(cè)試結(jié)果就比較大； b.測(cè)試方法a中僅提供一個(gè)一段時(shí)間內(nèi)的待機(jī)電流的平均值，不能反應(yīng)出手機(jī)在待機(jī)狀態(tài)下的詳細(xì)電流變化；在待機(jī)狀態(tài)下手機(jī)的工作內(nèi)容 a.手機(jī)在待機(jī)時(shí)，必須每30秒刷新一下周圍臨近小區(qū)的狀態(tài)； b.手機(jī)必須每N個(gè)復(fù)幀去接受尋呼消息，否則有可能不能及時(shí)(jsh)響應(yīng)尋呼，導(dǎo)致接不到電話。 共四十四頁 有關(guān)尋呼間隔N，由網(wǎng)絡(luò)根據(jù)用戶數(shù)量確定(qudng)，通過廣播通知手機(jī)。一個(gè)復(fù)幀的長(zhǎng)度為514.625MS235.875MS。如尋呼間隔為5，則5235.8751179.375MS，即手機(jī)每1.2秒左右會(huì)喚醒一次。關(guān)于TDMA幀的結(jié)構(gòu)如下圖所示：共四十

16、四頁26幀的復(fù)幀-它包括26個(gè)TDMA幀，持續(xù)時(shí)長(zhǎng)120ms, 51個(gè)這樣的復(fù)幀組成(z chn)一個(gè)超幀。這種復(fù)幀用于攜帶TCH（和SACCH加FACCH）。 51幀的復(fù)幀-它包括51個(gè)TDMA幀，持續(xù)時(shí)長(zhǎng)306013ms。 26個(gè)這樣的復(fù)幀組成一個(gè)超幀。這種復(fù)幀用于攜帶BCH和CCCH 共四十四頁待機(jī)電流測(cè)試的主要內(nèi)容 硬件(yn jin)測(cè)試用例-待機(jī)電流部分 共四十四頁6.2使用(shyng)電流使用電流的測(cè)試方法： 等同于待機(jī)(dij)電流的測(cè)試方法。測(cè)試的主要內(nèi)容： 硬件測(cè)試用例-使用電流部分共四十四頁7.入網(wǎng)測(cè)試相關(guān)內(nèi)容簡(jiǎn)介入網(wǎng)進(jìn)行的主要測(cè)試項(xiàng)目：泰爾，EMC，無委，MTnet；

17、每項(xiàng)測(cè)試的重點(diǎn)： 泰爾：高低溫測(cè)試，跌落測(cè)試 EMC：輻射雜散，ESD 無委：輻射雜散 MTnet：高速移動(dòng)通話我們公司已完成及正在(zhngzi)送測(cè)的項(xiàng)目共四十四頁8.可靠性測(cè)試(csh)相關(guān)內(nèi)容簡(jiǎn)介可靠性測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試公司完成測(cè)試項(xiàng)目問題總結(jié)共四十四頁9.附件(fjin)確認(rèn) 我們主要進(jìn)行的附件確認(rèn)有電池，充電器（座充，旅充）等，故首先(shuxin)介紹一下手機(jī)的充電過程。充電過程： 手機(jī)充電過程分為兩個(gè)階段，就是硬件充電和軟件充電兩個(gè)階段，當(dāng)電池低于3.2V時(shí)，這時(shí)候DBB軟件沒法啟動(dòng)，ABB充電部分會(huì)檢測(cè)到充電器和電池，然后就先按5MA到15ma進(jìn)行充電，這是硬件充電部分，而當(dāng)電池電

18、壓超過3.2V時(shí)，軟件充電啟動(dòng)，這個(gè)時(shí)候就會(huì)有充電圖標(biāo)顯示，而之前的硬件充電部分是沒有充電圖標(biāo)的。共四十四頁共四十四頁下圖是V1100手機(jī)(shu j)的充電曲線圖：共四十四頁電池的確認(rèn)充電器的確認(rèn) 以上兩種附件的確認(rèn)方法(fngf)參考鼎為手機(jī)電池及充電器確認(rèn)方法共四十四頁電池知識(shí)介紹：充電過程(guchng)：控制芯片UI使得腳1，腳3輸出高電平，則兩個(gè)二極管導(dǎo)通，整個(gè)一個(gè)回路形成就可以進(jìn)行充電了。 電池經(jīng)常出現(xiàn)的保護(hù)現(xiàn)象： a.過充時(shí)，當(dāng)電池電壓高于4.350.05V時(shí)，控制芯片就控制腳1，腳3輸出低電平，那么兩個(gè)二極管都處于不導(dǎo)通的狀態(tài)，這種情況就無法繼續(xù)充電，此時(shí)若斷開充電，那么控制芯片就會(huì)自動(dòng)調(diào)節(jié)輸出。 b.過放時(shí)，當(dāng)電池的電芯電壓低于2.4V0.2V時(shí)，控制芯片還是控制腳1，腳3輸出低電平，使得電路開路，那么此時(shí)測(cè)量電池的輸出，會(huì)是“0”V。 共四十四頁電池(dinch)保護(hù)電路板電路圖：共四十四頁謝謝(xi xie)大家！共四十四頁內(nèi)容摘要硬件測(cè)試相關(guān)內(nèi)容概述。GSM無線系統(tǒng)需要使