存儲(chǔ)芯片行業(yè)供需發(fā)展分析

1、存儲(chǔ)芯片行業(yè)供需發(fā)展分析下游需求結(jié)構(gòu)來看，手機(jī)、服務(wù)器、PC 三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)以 DRAM 及NAND Flash 為主， 立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小容量 DRAM、Nor Flash、SLC NAND 等特殊型存儲(chǔ)器市場(chǎng)。從存儲(chǔ)容量需求來看，據(jù)美光數(shù)據(jù) 2018-2020 年DRAM 的比特容量需求復(fù)合增速達(dá)到 20-25%， NAND Flash 的比特容量需求復(fù)合增速增速達(dá)到 40-45%。云計(jì)算即將跨入 AI 時(shí)代，單臺(tái)AI 服務(wù)器需要 2.5TB DRAM， 是傳統(tǒng)服務(wù)器配置容量的數(shù)十倍。隨著 AI 服務(wù)器應(yīng)用的普及， 服務(wù)器 DRAM 的容量需

2、求將不斷提升。預(yù)計(jì)到 2021 年，包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務(wù)在內(nèi)的全球 AI 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 576 億美金。NAND Flash 的增長(zhǎng)主要受手機(jī)容量升級(jí)、SSD 固態(tài)硬盤普及推動(dòng)。手機(jī)閃存容量配置不斷升級(jí)，目前主流手機(jī)品牌旗艦機(jī)型搭載 64GB 作為入門版設(shè)置，在視頻應(yīng)用、游戲應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，主流容量有進(jìn)一步向 128GB 攀升趨勢(shì)。SSD 固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)，未來將快速替代機(jī)械硬盤，2018-2020 年是固態(tài)硬盤普及的黃金時(shí)期，滲透率曲線有望進(jìn)入最陡峭的階段。Nand Flash 全面進(jìn)入 3D 時(shí)代，技術(shù)路線的變化為存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化提供契機(jī)。目前三星、美光、intel 的 3D

3、 NAND 生產(chǎn)比重已經(jīng)突破 80%，預(yù)計(jì)到 2019 年底 3D NAND 的出貨比重將超過90%。相比 2D 平面 NAND Flash 產(chǎn)品，3D NAND 的單位比特成本更低，并且在不斷向更高層數(shù)的產(chǎn)品演進(jìn)。2018 年是 3D NAND 從 64 層向 96 層過渡的一年，目前市場(chǎng)主流出貨產(chǎn)品為64 層 3D NAND，三星及東芝的 96 層研發(fā)工作已經(jīng)完成，目前已進(jìn)入試產(chǎn)階段。特殊型存儲(chǔ)器產(chǎn)品形態(tài)多樣化，涵蓋 Speciality DRAM、NOR Flash、SLC NAND、EEPROM、SRAM 等。特殊型存儲(chǔ)器行業(yè)具有下游應(yīng)用風(fēng)扇、競(jìng)爭(zhēng)格局好、產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移等特點(diǎn)，是能誕生

4、高成長(zhǎng)公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈， ADAS、車聯(lián)網(wǎng)的 ECU 搭載率越來越高，國(guó)內(nèi)本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)有望持續(xù)擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。目錄 HYPERLINK l _bookmark0 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器概要5 HYPERLINK l _bookmark2 金字塔存儲(chǔ)體系架構(gòu)5 HYPERLINK l _bookmark7 存儲(chǔ)器芯片國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略意義重大7 HYPERLINK l _bookmark9 需求端：移動(dòng)設(shè)備、SSD 固態(tài)硬盤主導(dǎo)存儲(chǔ)器需求8 HYPERLINK l _bookmark10 存儲(chǔ)容量來看，DRAM 復(fù)合增速 20-25%，NAND 復(fù)合增速超過 45%8 HYPERLINK

5、 l _bookmark13 AI 時(shí)代，DRAM 需求爆發(fā)9 HYPERLINK l _bookmark14 需求結(jié)構(gòu)：DRAM 下游以服務(wù)器及手機(jī)應(yīng)用為主。9 HYPERLINK l _bookmark19 AI 時(shí)代，DRAM 需求激增10 HYPERLINK l _bookmark27 手機(jī) DRAM 進(jìn)入 8GB 時(shí)代，容量擴(kuò)大趨勢(shì)依舊14 HYPERLINK l _bookmark30 數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)推動(dòng)NAND 存儲(chǔ)高速成長(zhǎng)15 HYPERLINK l _bookmark31 需求結(jié)構(gòu)：Nand Flash 需求主要來自移動(dòng)終端、SSD 固態(tài)硬盤15 HYPERLINK l _book

6、mark33 手機(jī)應(yīng)用，64GB 漸成主流15 HYPERLINK l _bookmark36 PC 市場(chǎng)：SSD 固態(tài)硬盤達(dá)到價(jià)格甜蜜點(diǎn)17 HYPERLINK l _bookmark41 服務(wù)器市場(chǎng)：企業(yè)級(jí) SSD 固態(tài)硬盤滲透率不斷上升18 HYPERLINK l _bookmark44 供給端：3D NAND 新時(shí)代，存儲(chǔ)芯片有望變局19 HYPERLINK l _bookmark45 主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局19 HYPERLINK l _bookmark48 NAND 存儲(chǔ)芯片全面邁進(jìn) 3D 時(shí)代20 HYPERLINK l _bookmark53 國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展順

7、利22 HYPERLINK l _bookmark56 特殊型存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化率先突圍23 HYPERLINK l _bookmark57 特殊型存儲(chǔ)器種類多，應(yīng)用廣23 HYPERLINK l _bookmark63 汽車智能化趨勢(shì)下，特殊型存儲(chǔ)器用量增多26 HYPERLINK l _bookmark68 海外企業(yè)退出，國(guó)內(nèi)企業(yè)迎來 NOR FLASH 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機(jī)遇27 HYPERLINK l _bookmark72 投資策略29 HYPERLINK l _bookmark74 風(fēng)險(xiǎn)提示：30圖表目錄 HYPERLINK l _bookmark1 圖表 1：主要存儲(chǔ)介質(zhì)類別5 HYPERLIN

8、K l _bookmark3 圖表 2：存儲(chǔ)器按照需求特點(diǎn)形成了金字塔結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品體系6 HYPERLINK l _bookmark4 圖表 3：不同層次存儲(chǔ)器的讀寫速度及價(jià)格6 HYPERLINK l _bookmark5 圖表 4：存儲(chǔ)器主要分類7 HYPERLINK l _bookmark6 圖表 5：主要存儲(chǔ)器性能對(duì)比7 HYPERLINK l _bookmark8 圖表 6：2017 年美光、海力士及三星在中國(guó)地區(qū)銷售占比8 HYPERLINK l _bookmark11 圖表 7：2013-2021 年 NAND 需求量及增速9 HYPERLINK l _bookmark12 圖表

9、8：2013-2021 年 NAND 平均銷售價(jià)格增速9 HYPERLINK l _bookmark15 圖表 9：DRAM 市場(chǎng)的下游需求結(jié)構(gòu)9 HYPERLINK l _bookmark16 圖表 10：DRAM 技術(shù)升級(jí)趨勢(shì)10 HYPERLINK l _bookmark17 圖表 11：DRAM 存儲(chǔ)產(chǎn)品創(chuàng)新不斷，功耗愈來愈低10 HYPERLINK l _bookmark18 圖表 12：2017-2019 年 DRAM 需求及增速（單位：百萬GB）10 HYPERLINK l _bookmark20 圖表 13：服務(wù)器平均搭載內(nèi)存容量11 HYPERLINK l _bookmark

10、21 圖表 14：浪潮發(fā)布 AI 服務(wù)器品牌 TENSORSERVER 進(jìn)軍AI 服務(wù)器市場(chǎng)11 HYPERLINK l _bookmark22 圖表 15：浪潮的 AI 服務(wù)器產(chǎn)品一覽12 HYPERLINK l _bookmark23 圖表 16：每臺(tái)服務(wù)器對(duì) DRAM 的需求12 HYPERLINK l _bookmark24 圖表 17：全球人工智能市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（十億美金）13 HYPERLINK l _bookmark25 圖表 18：2017 年全球服務(wù)器出貨量和銷售額情況及增速13 HYPERLINK l _bookmark26 圖表 19：全球主要互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)服務(wù)器數(shù)量（千臺(tái)）1

11、3 HYPERLINK l _bookmark28 圖表 20：各品牌旗艦機(jī)型入門款的 DRAM 容量變化14 HYPERLINK l _bookmark29 圖表 21：手機(jī) DRAM 配置容量變化趨勢(shì)14 HYPERLINK l _bookmark32 圖表 22：全球NAND FLASH 產(chǎn)業(yè)的需求結(jié)構(gòu)15 HYPERLINK l _bookmark34 圖表 23：智能手機(jī)對(duì) NAND 的需求不斷上升16 HYPERLINK l _bookmark35 圖表 24：各品牌旗艦機(jī)型的 NAND 容量變化16 HYPERLINK l _bookmark38 圖表 25：SSD 及 HDD

12、市占率變化趨勢(shì)17 HYPERLINK l _bookmark37 圖表 26：主力 PC 品牌 SSD 硬盤搭載情況17 HYPERLINK l _bookmark39 圖表 27：機(jī)械硬盤與固態(tài)硬盤價(jià)格對(duì)比18 HYPERLINK l _bookmark40 圖表 28：SSD 硬盤主要廠商市場(chǎng)份額18 HYPERLINK l _bookmark43 圖表 29：每臺(tái)服務(wù)器對(duì)NAND FLASH 的需求19 HYPERLINK l _bookmark42 圖表 30：國(guó)際大廠的主要企業(yè)級(jí) SSD 硬盤產(chǎn)品一覽19 HYPERLINK l _bookmark46 圖表 31：NAND FLA

13、SH 市場(chǎng) 2017 年各家廠商市場(chǎng)份額20 HYPERLINK l _bookmark47 圖表 32：2017 年 DRAM 主要廠商及市場(chǎng)份額20 HYPERLINK l _bookmark49 圖表 33：3D NAND 技術(shù)發(fā)展路線圖21 HYPERLINK l _bookmark50 圖表 34：3D NAND 出貨占比變化趨勢(shì)（2016-2018）(比特容量口徑)21 HYPERLINK l _bookmark51 圖表 35：3D NAND 產(chǎn)能占NAND 總比重逐年增加22 HYPERLINK l _bookmark52 圖表 36：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)主要企業(yè)的 FAB 產(chǎn)能情況22

14、HYPERLINK l _bookmark54 圖表 37：中國(guó)大陸地區(qū)的主要存儲(chǔ)器項(xiàng)目23 HYPERLINK l _bookmark55 圖表 38：國(guó)內(nèi)主要存儲(chǔ)器項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展23 HYPERLINK l _bookmark58 圖表 39：特殊型存儲(chǔ)器的主要細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模（百萬美金）24 HYPERLINK l _bookmark59 圖表 40：NOR FLASH 與 NAND FLASH 的主要性能參數(shù)對(duì)比24 HYPERLINK l _bookmark60 圖表 41：SLC NAND、MLC NAND、NOR FLASH 性能對(duì)比25 HYPERLINK l _bookmark

15、61 圖表 42：主流存儲(chǔ)器與利基存儲(chǔ)器的區(qū)別25 HYPERLINK l _bookmark62 圖表 43：NOR FLASH 及 SLC NAND 主要廠商26 HYPERLINK l _bookmark64 圖表 44：自動(dòng)駕駛汽車對(duì) DRAM 的需求26 HYPERLINK l _bookmark65 圖表 45：自動(dòng)駕駛汽車對(duì) NAND 的需求26 HYPERLINK l _bookmark66 圖表 48：信息娛樂系統(tǒng)、儀表系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器需求量攀升27 HYPERLINK l _bookmark67 圖表 49：自動(dòng)駕駛汽車市場(chǎng)規(guī)模(萬輛)27 HYPERLINK l _bookm

16、ark69 圖表 50：2016 年 NOR FLASH 主要企業(yè)及份額28 HYPERLINK l _bookmark70 圖表 51：2017 年NOR FLASH 主要企業(yè)及份額29 HYPERLINK l _bookmark71 圖表 52：全球主要企業(yè)的 NOR FLASH 增產(chǎn)計(jì)劃29 HYPERLINK l _bookmark73 圖表 53：可比公司估值表30半導(dǎo)體存儲(chǔ)器概要存儲(chǔ)器是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的媒介，包括生活中常見的光碟、U 盤、移動(dòng)硬盤、磁帶、內(nèi)存條在內(nèi)的產(chǎn)品都屬于存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器一方面存儲(chǔ)程序代碼以處理各類數(shù)據(jù)，另一方面存儲(chǔ)數(shù)據(jù)處理過程中產(chǎn)生的中間數(shù)據(jù)、最終結(jié)果，存儲(chǔ)器是現(xiàn)

17、代信息產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最廣的核心零部件，深入應(yīng)用到生活及生產(chǎn)中的方方面面。隨著摩爾定律的發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器憑借優(yōu)異的讀寫速度、低成本優(yōu)勢(shì)、巨大的單位面積容量三個(gè)方面的優(yōu)勢(shì)成為主流存儲(chǔ)，光碟、磁帶甚至機(jī)械硬盤等形式的存儲(chǔ)介質(zhì)逐漸退出市場(chǎng)。圖表1： 主要存儲(chǔ)介質(zhì)類別光碟磁帶機(jī)械硬盤半導(dǎo)體存儲(chǔ)：固態(tài)硬盤資料來源：百度、方正證券研究所存儲(chǔ)器在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)舉足輕重。據(jù)美光數(shù)據(jù)，2017 年，全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 1280 億美金，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)值 30%。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)形成了DRAM 芯片、NAND Flash 芯片、特殊型存儲(chǔ)器三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的市場(chǎng)。2017 年是存儲(chǔ)器產(chǎn)品單價(jià)劇烈上漲，據(jù) IHS MARKE

18、T 數(shù)據(jù)，2017 年 DRAM 市場(chǎng)達(dá)到 722 億美金，較 2016 年的 415 億美金增長(zhǎng)了74%。2017 年Nand Flash 閃存芯片市場(chǎng)達(dá)到 538 億美金，較 2016 年的 368 億美金增長(zhǎng)了 46.2%。金字塔存儲(chǔ)體系架構(gòu)存儲(chǔ)器的主要功能是存儲(chǔ)程序和各種數(shù)據(jù)，并能在計(jì)算機(jī)運(yùn)行過程中高速、自動(dòng)地完成程序或數(shù)據(jù)的存取。金字塔結(jié)構(gòu)的分層存儲(chǔ)體系能能夠最大化存儲(chǔ)效率。因此復(fù)雜的計(jì)算系統(tǒng)往往會(huì)分三到四層存儲(chǔ)單元，比如 PC 分為一級(jí)緩存、二極緩存、內(nèi)存、硬盤等多個(gè)層次的存儲(chǔ)體系。實(shí)際上根據(jù)金字塔體系不同存儲(chǔ)層次的性能要求，產(chǎn)業(yè)衍生出了 SRAM、ROM、DRAM、Nand Fl

19、ash 等性能要求各異的產(chǎn)品類別。圖表2： 存儲(chǔ)器按照需求特點(diǎn)形成了金字塔結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品體系L0:L1:L2:L3:L4:L0:CPU 寄存器保存來自高速緩存存儲(chǔ)器的字:L1 高速緩存保存取自 L2 高速緩存的高速緩存行L2 高速緩存保存取自存儲(chǔ)器的高速緩存行L3:主存儲(chǔ)器保存取自本地硬盤的磁盤塊L4:本地磁盤保存取自遠(yuǎn)程網(wǎng)服務(wù)器上磁盤的文件更小更快(每字節(jié)) 更 貴 的 存儲(chǔ)設(shè)備更大更慢(每字節(jié)) 更便宜的存儲(chǔ)設(shè)備L5:資料來源：知網(wǎng)、方正證券研究所圖表3： 不同層次存儲(chǔ)器的讀寫速度及價(jià)格資料來源：cavium inc.、方正證券研究所RAM 存儲(chǔ)器：即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，分為 DRAM、SRAM。

20、目前 DRAM 占據(jù)主流存儲(chǔ)器位置。SRAM 成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于 DRAM，但是具有讀寫速度快、功耗低的特點(diǎn)，主要用于微控制器或者處理器緩存。Flash 存儲(chǔ)器分為Nand Flash 及Nor Flash 兩大類別，目前NandFlash 是市場(chǎng)主流存儲(chǔ)器，Nor Flash 主要用于一些特定應(yīng)用。NAND Flash 可以實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)、高寫入和擦除速度，具有更長(zhǎng)的壽命，是海量數(shù)據(jù)的核心，多應(yīng)用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，如智能手機(jī)、平板電腦、U 盤、固態(tài)硬盤等領(lǐng)域。與機(jī)械硬盤等傳統(tǒng)存儲(chǔ)介質(zhì)相比，采用 NAND Flash 芯片的 SD 卡、固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)裝臵沒有機(jī)械結(jié)構(gòu)，還具有無噪音、壽命長(zhǎng)、工作溫度范

21、圍廣等優(yōu)點(diǎn)。NOR Flash 主要用來存儲(chǔ)代碼及部分?jǐn)?shù)據(jù)，具備隨機(jī)存儲(chǔ)、可靠性強(qiáng)、讀取速度快、可執(zhí)行代碼等特性，在中低容量應(yīng)用時(shí)具備性能和成本上的優(yōu)勢(shì)，是手機(jī)、PC、機(jī)頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存應(yīng)用領(lǐng)域的首選。NOR Flash 分為串行和并行。串行結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、成本更低，隨著工藝的進(jìn)步，串行閃存已經(jīng)能滿足一般系統(tǒng)對(duì)速度及數(shù)據(jù)的讀寫要求，逐步成為主要系統(tǒng)方案商的首選。存儲(chǔ)芯片非易失性存儲(chǔ)芯片易失性存儲(chǔ)芯片OTPROMFlash 芯片EPROMEEPROMDRMSRAMNOR Flash 芯片NAND Flash 芯片串口型NOR Flash 芯片并口型NOR Flash 芯片圖表4： 存儲(chǔ)器

22、主要分類資料來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、方正證券研究所圖表5： 主要存儲(chǔ)器性能對(duì)比指標(biāo)SRAMDRAMNANDNOR Flash機(jī)械硬盤三級(jí)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)L1/L2L3L4L1/L2L4非易失性斷電數(shù)據(jù)消失斷電數(shù)據(jù)消失斷電數(shù)據(jù)留存斷電數(shù)據(jù)留存斷電數(shù)據(jù)留存可擦寫次數(shù)無限無限103 -106104 -105-讀取訪問時(shí)間10ns10ns10-100ns10-100ns-寫入訪問時(shí)間10ns10ns1-10s1-10s-當(dāng)前制程7nm18nm16nm32nm-功耗小中高高高成本高高低中低特點(diǎn)讀寫速度快讀寫速度快大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)存儲(chǔ)小量固件程序存放系統(tǒng)程序、大型數(shù)據(jù)文件容量小，1GB 以內(nèi)中等。主流 16GB以內(nèi)大。一

23、般在1GB1TB 之間小。1GB 以內(nèi)，個(gè)別產(chǎn)品達(dá)到 2GB大，最大可達(dá) 12TB資料來源：中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、方正證券研究所存儲(chǔ)器芯片國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略意義重大中國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地，一直以來都是存儲(chǔ)器產(chǎn)品最大的需求市場(chǎng)。存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)化戰(zhàn)略意義重大。由于越來越多經(jīng)濟(jì)、社會(huì)、科技、軍事等信息和資源被存儲(chǔ)器儲(chǔ)存收集，極易被竊取和利用。存儲(chǔ)器已經(jīng)成為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一， 存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化也成為了我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。根據(jù)海關(guān)數(shù)據(jù)，2017 年中國(guó)進(jìn)口存儲(chǔ)器 889.21 億美元，比 2016 年的 637.14 億美元增長(zhǎng)了 39.56%。在全球 DRAM 市場(chǎng)，三星

24、、海力士、美光三家巨頭壟斷了 90%以上的市場(chǎng)，寡頭壟斷的格局使得下游客戶面臨存儲(chǔ)芯片漲價(jià)毫無議價(jià)能力。在全球Nand Flash 市場(chǎng)，三星、海力士、美光、東芝、sandisk、intel 六家企業(yè)基本壟斷99%市場(chǎng)份額。2017 年，美光、三星、海力士三家巨頭的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國(guó)的營(yíng)收分別為 103.88 億美金、253.86 億美金、89.08 億美金，總計(jì)達(dá)到446.8 億美金，占據(jù)中國(guó)存儲(chǔ)器進(jìn)口的一半以上。圖表6： 2017 年美光、海力士及三星在中國(guó)地區(qū)銷售占比資料來源：美光、海力士、三星、方正證券研究所近年來，隨著國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）的推動(dòng)，存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)化也邁上快車道

25、。國(guó)家重點(diǎn)推進(jìn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展不僅是因?yàn)槠涮幱诩呻娐樊a(chǎn)業(yè)的核心地位，更是基于信息安全的考量，唯有在存儲(chǔ)器、CPU 等核心芯片領(lǐng)域具備自主可控能力，才能確保國(guó)防及信息安全。目前來看，無論從市場(chǎng)的角度還是國(guó)家安全的角度存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化都是勢(shì)在必行。需求端：移動(dòng)設(shè)備、SSD 固態(tài)硬盤主導(dǎo)存儲(chǔ)器需求存儲(chǔ)容量來看，DRAM 復(fù)合增速 20-25%，NAND 復(fù)合增速超過45%來自云計(jì)算的存儲(chǔ)需求愈來愈強(qiáng)勁，各大互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求一直保持著雙位數(shù)以上增速高速增長(zhǎng)。同時(shí)伴隨著消費(fèi)端 PC 市場(chǎng)固態(tài)硬盤不斷普及到更多的用戶，總體來看存儲(chǔ)芯片的需求在未來數(shù)年依然保持著強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。存儲(chǔ)巨頭美光在今年二季度預(yù)計(jì)

26、未來三年 DRAM 的容量需求復(fù)合增長(zhǎng)速度在 20-25%，NAND Flash的容量需求復(fù)合增長(zhǎng)速度在 40-45%。圖表7： 2013-2021 年 NAND 需求量及增速圖表8： 2013-2021 年 NAND 平均銷售價(jià)格增速資料來源：Gartner 2018 Q1，方正證券研究所資料來源：Gartner 2018 Q1，方正證券研究所AI 時(shí)代，DRAM 需求爆發(fā)需求結(jié)構(gòu)：DRAM 下游以服務(wù)器及手機(jī)應(yīng)用為主。DRAM 存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于手機(jī)、服務(wù)器、PC、TV 等應(yīng)用中。在手機(jī)應(yīng)用中，DRAM 的作用在于為AP 處理運(yùn)算提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的空間。手機(jī) DRAM 要求極致的低功耗設(shè)計(jì)，以

27、 LPDDR 為主，PC 對(duì)功耗的要求相對(duì)更加寬松，以 DDR 產(chǎn)品為主。服務(wù)器、PC 應(yīng)用中， DRAM 同樣發(fā)揮著為 CPU 提供數(shù)據(jù)暫存空間的作用。圖表9： DRAM 市場(chǎng)的下游需求結(jié)構(gòu)DRAM需求占比16%5%34%17%28%手機(jī)服務(wù)器PCTV其他資料來源：Gartner、方正證券研究所手機(jī) DRAM 產(chǎn)品輕薄化趨勢(shì)非常明顯，內(nèi)存 PoP 是大趨勢(shì)。未來中高端智能手機(jī)平臺(tái)多會(huì)采用PoP（Package on Package）形式，將手機(jī)的 AP 處理器芯片與 LPDDR 存儲(chǔ)芯片封裝在一起。PoP 方案的優(yōu)勢(shì)在于高主頻下的 EMI 和信號(hào)完整性表現(xiàn)更好，但是發(fā)熱散熱更高、生產(chǎn)成本更高

28、。PoP 封裝對(duì)封測(cè)產(chǎn)線生產(chǎn)工藝要求高，產(chǎn)品良率相對(duì)傳統(tǒng)封裝方案還有一段差距。手機(jī)內(nèi)存不斷向低功耗、高頻率、大容量三大方向發(fā)展。目前市場(chǎng)以 LPDDR3、LPDDR4、LPDDR4X 為主流產(chǎn)品。手機(jī)顯示屏從早期的 720p HD 屏，到目前進(jìn)入主流的 1080P FHD 屏，顯示屏的分辨率越來越高，高分辨率高幀率的視頻數(shù)據(jù)處理對(duì)內(nèi)存的帶寬要求越來越高，高頻率化是手機(jī)內(nèi)存的發(fā)展趨勢(shì)。LPDDR 3 的主流頻率在 800Mhz，到了第四代 LPDDR4 的內(nèi)存頻率達(dá)到了 1600Mhz。圖表10：DRAM 技術(shù)升級(jí)趨勢(shì)圖表11：DRAM 存儲(chǔ)產(chǎn)品創(chuàng)新不斷，功耗愈來資料來源：Gartner，方正證

29、券研究所 愈低資料來源：美光，方正證券研究所圖表12：2017-2019 年 DRAM 需求及增速（單位：百萬 GB）資料來源：IHS、方正證券研究所AI 時(shí)代，DRAM 需求激增云計(jì)算時(shí)代，服務(wù)器對(duì) DRAM 需求直線上升。單個(gè)服務(wù)器需要處理的數(shù)據(jù)量越來越大，對(duì) DRAM 存儲(chǔ)容量的需求在不斷擴(kuò)大。2017 年標(biāo)準(zhǔn)型服務(wù)的DRAM 平均容量為 145GB， 美光預(yù)計(jì)到 2021 年標(biāo)準(zhǔn)型服務(wù)器的DRAM 平均容量將達(dá)到 366GB， CAGR 復(fù)合增速達(dá) 26%。圖表13：服務(wù)器平均搭載內(nèi)存容量資料來源：DRAMexchange、方正證券研究所AI 服務(wù)器的存儲(chǔ)器芯片用量巨大。以浪潮在 20

30、18 年Open Power Summit 展會(huì)展示的 FP5280G2 為例，這款產(chǎn)品已經(jīng)完成了對(duì) AI 領(lǐng)域的主流開源軟件的適配，可擴(kuò)展 44 個(gè)處理器核心、2TB DDR4 內(nèi)存、4 個(gè)GPU，能夠大幅縮短AI 系統(tǒng)的線下訓(xùn)練時(shí)間。圖表14：浪潮發(fā)布AI 服務(wù)器品牌TensorServer 進(jìn)軍AI 服務(wù)器市場(chǎng)資料來源：浪潮、方正證券研究所圖表15：浪潮的 AI 服務(wù)器產(chǎn)品一覽資料來源：浪潮、方正證券研究所，2017AI 服務(wù)器的DRAM 配置需求龐大，單臺(tái)AI 服務(wù)器的 DRAM 用量達(dá)到 2.5TB，而目前普通的服務(wù)器 DRAM 用量?jī)H僅為 145GB。AI 服務(wù)器的大規(guī)模普及將極大

31、的推動(dòng)DRAM 市場(chǎng)增長(zhǎng)。圖表16：每臺(tái)服務(wù)器對(duì) DRAM 的需求資料來源：MU、方正證券研究所全球 AI 服務(wù)器市場(chǎng)處于高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，到 2021 年，全球 AI 服務(wù)的 CAGR 復(fù)合增長(zhǎng)速度達(dá)到 48%。到 2021 年，全球 AI 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 576 億美金，統(tǒng)計(jì)口徑包括 AI 硬件、AI 軟件平臺(tái)、及與 AI 有關(guān)的 IT 咨詢服務(wù)等。圖表17：全球人工智能市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（十億美金）資料來源：IDC、方正證券研究所（包括人工智能領(lǐng)域在硬件、軟件(app+軟件平臺(tái))以及服務(wù)(信息咨詢&系統(tǒng)實(shí)施)的資本支出）圖表18：2017 年全球服務(wù)器出貨量和銷售額情況及增速Ve

32、ndor2017 Shipments (Units)2016 Shipments (Units)YoY(%)2017Revenue(M$)2016Revenue(M$)YoY(%)Dell EMC2,045,2192,007,8391.86%11,826.909,664.8222.37%HPE1,817,5842,043,959-11.08%12,323.2212,725.33-3.16%Inspur736,437490,57550.12%3,584.011,949.2184.72%Huawei736,342679,5878.35%3,483.822,696.9929.17%Lenovo624

33、,730882,849-29.24%3,516.083,780.24-6.99%Others5,431,8074,922,95910.34%17,777.2015,982.1311.23%Total11,392,11911,027,7683.30%52,511.2446,789.7212.23%資料來源：Gartner、方正證券研究所圖表19：全球主要互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)服務(wù)器數(shù)量（千臺(tái)）資料來源：DRAMexchange、方正證券研究所手機(jī) DRAM 進(jìn)入 8GB 時(shí)代，容量擴(kuò)大趨勢(shì)依舊手機(jī) DRAM 容量在持續(xù)擴(kuò)大，驅(qū)動(dòng) DRAM 成為 DRAM 產(chǎn)值最大的一個(gè)下游應(yīng)用。據(jù)美光數(shù)據(jù)，2017 年手機(jī)

34、 DRAM 的平均配置容量為 2.7GB，預(yù)計(jì)到 2021 年，平均容量將達(dá)到 4.8GB。2015 年，手機(jī)市場(chǎng)以 2GB 手機(jī)為主流配置。目前 6GB DRAM 已經(jīng)成為各大安卓品牌旗艦機(jī)型的主流選擇，更不乏 8GB DRAM 手機(jī)面世搶占市場(chǎng)， 如小米MIX 2、小米MIX 2S、Vivo NEX、Oppo Find X 等旗艦機(jī)型已經(jīng)推出配置 8GB DRAM 的版本。據(jù)美光預(yù)測(cè)，到 2021 年，12GB 運(yùn)存容量的旗艦機(jī)型將面向市場(chǎng)。圖表20：各品牌旗艦機(jī)型入門款的DRAM 容量變化單位:GB2015201620172018E華為榮耀系列榮耀 7（3GB）榮耀 8（3GB/4GB）

35、榮耀 9（4GB/6GB）榮耀 10（6GB）Mate 系列Mate8（3GB/4GB）Mate9（4GB/6GB）Mate10（4GB/6GB）Mate RS（6GB）P 系列P8（3GB）P9（3GB/4GB）P10（4GB）P20（6GB）小米數(shù)字系列小米 5（3GB/4GB）小米 5s（3GB/4GB）小米 6（4GB/6GB）小米 8（6GB）note 系列Note（3GB/4GB）Note2（4GB/6GB）Note3（6GB）-mix 系列-MIX（4GB/6GB）MIX2（6GB/8GB）MIX2s（6GB/8GB）oppoR 系列R7（3GB）R9（4GB）R11（4GB）R

36、15（4GB/6GB）vivoX 系列X6（4GB）X9（4GB）X20（4GB）-NEX 系列-NEX(8GB)appleiphone 系列6s（2GB）7（2GB）X（3GB）-三星S 系列S6（3GB）S7（4GB）S8（4GB/6GB）S9（4GB/6GB）Note 系列Note5（4GB）Note7（4GB）Note8（6GB）-資料來源：中關(guān)村在線、方正證券研究所圖表21：手機(jī)DRAM 配置容量變化趨勢(shì)資料來源：美光，方正證券研究所數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)推動(dòng) NAND 存儲(chǔ)高速成長(zhǎng)需求結(jié)構(gòu)：Nand Flash 需求主要來自移動(dòng)終端、SSD 固態(tài)硬盤NAND FLASH 的下游應(yīng)用以移動(dòng)設(shè)備及

37、SSD 固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)需求為主，這兩類應(yīng)用約占 NAND FLASH 市場(chǎng)需求的 90%。據(jù)美光2018 年 2 季度數(shù)據(jù)，NAND FLASH 存儲(chǔ)容量需求在未來三年的CAGR 增速達(dá)到 40%-45%。驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)快速成長(zhǎng)主要有兩方面因素， 一方面手機(jī)的主流配置逐漸由 16GB 向 64GB 轉(zhuǎn)變；另一方面 SSD 固態(tài)硬盤的滲透率在快速提升。圖表22：全球NAND FLASH 產(chǎn)業(yè)的需求結(jié)構(gòu)資料來源：Gartner、方正證券研究所手機(jī)應(yīng)用，64GB 漸成主流隨著 APP 應(yīng)用軟件的設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜，占用的存儲(chǔ)空間越來越大。手機(jī)對(duì) NAND Flash 的需求不斷在放大，目前各大手機(jī)品牌基本已經(jīng)

38、將旗艦機(jī)型的入門版容量定位到 64GB NAND Flash，并有繼續(xù)向上攀升至 128GB 的趨勢(shì)。據(jù)美光預(yù)測(cè)，2017 年平均每部智能機(jī)需要 43GB NAND Flash， 到 2021 平均配置容量將上升至 142GB，預(yù)計(jì) 2021 年，旗艦機(jī)型將的NAND Flash 配置將達(dá)到 1TB。圖表23：智能手機(jī)對(duì) NAND 的需求不斷上升資料來源：美光，方正證券研究所圖表24：各品牌旗艦機(jī)型的 NAND 容量變化單位:GB2015201620172018E華為榮耀系列榮耀 7（16GB）榮耀8（32GB/64GB）榮耀 9（64GB/128GB）榮耀 10（64GB/128GB）Mat

39、e 系列Mate8（32GB/64GB/128GB）Mate9（32GB/64GB/128GB）Mate10（64GB/128GB）Mate RS（256GB/512GB）P 系列P8（16GB/64GB）P9（32GB/64GB）P10（64GB/128GB）P20（64GB/128GB）小米數(shù)字系列小米 5（32GB/64GB/128GB）小米 5s（64GB/128GB）小米 6（64GB/128GB）小米8(64GB/128GB/256 GB)Note 系列Note（16GB/64GB）Note2（64GB/128GB）Note3（64GB/128GB）-MIX 系列-MIX（128G

40、B/256GB）MIX2（64GB/128GB/256GB）MIX2s（64GB/128GB/256GB）oppoR 系列R7（16GB）R9（64GB）R11（64GB）R15(128GB)vivoX 系列X6（32GB）X9（64GB/128GB）X20（64GB/128GB）-NEX 系列-NEX(128GB/256GB)appleiphone 系列6s（16GB/64GB/128GB）7（32GB/128GB/256GB）X（64GB/256GB）-三星S 系列S6（32GB/64GB）S7（32GB/64GB）S8（64GB/128GB）S9（64GB/128GB/256GB）Not

41、e 系列Note5（32GB/64GB）Note7（64GB）Note8（64GB/128GB/256GB）-資料來源：中關(guān)村在線、方正證券研究所PC 市場(chǎng)：SSD 固態(tài)硬盤達(dá)到價(jià)格甜蜜點(diǎn)SSD 憑借讀取速度、數(shù)據(jù)安全等多方面的優(yōu)勢(shì)逐漸替代機(jī)械硬盤，超極本、二合一等輕薄筆記本對(duì) SSD 搭載率不斷增加，需求表現(xiàn)尤為強(qiáng)勁。ssd 滲透率將由 17 年的 36%，提升至 21 年的 81%，將提升 2.3 倍。對(duì) NAND Flash 產(chǎn)能消耗占比從 2014 年的 27%上升到 2017 年 42%，成為未來幾年 NAND 需求成長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。圖表25：主力PC 品牌 SSD 硬盤搭載情況品牌

42、型號(hào)SSD 硬盤搭載情況惠普暗影精靈 III 代128 GB SSD暗影精靈 IV 代部分搭載 128 GB SSD光影精靈 4 代部分搭載 128 GB SSD惠普暢游人256 GB SSD惠普 HP 星 14128 GB SSD/ 256 GB SSD惠普 HP 星 15部分搭載 128 GB SSD/ 256 GB SSD/ 512 GB SSD薄銳 HP ENVY 13256 GB SSD /360 GB SSD/ 512 GB SSD惠普幽靈256 GB SSD /360 GB SSD/ 512 GB SSD/1 TB SSDDellInspiron 靈越部分搭載 128 GB SS

43、D/ 256 GB SSDXPS256 GB SSD / 512 GB SSDG 系列部分搭載 128 GB SSD/ 256 GB SSDAlienware 外星人256 GB SSD / 512 GB SSDVostro 成就128 GB SSD/ 256 GB SSD聯(lián)想ideapad 系列部分搭載 128 GB SSD/ 512 GB SSD小新潮部分搭載 128 GB SSD/256 GB SSDYOGA 系列部分搭載 256 GB SSD / 512 GB SSD拯救者系列部分搭載 128 GB SSD資料來源：中關(guān)村在線、方正證券研究所圖表26：SSD 及 HDD 市占率變化趨勢(shì)

44、資料來源：Ihs、方正證券研究所圖表27：機(jī)械硬盤與固態(tài)硬盤價(jià)格對(duì)比資料來源：京東、天貓、方正證券研究所圖表28：SSD 硬盤主要廠商市場(chǎng)份額資料來源：Trend Focus、方正證券研究所服務(wù)器市場(chǎng)：企業(yè)級(jí) SSD 固態(tài)硬盤滲透率不斷上升云存儲(chǔ)、AI 服務(wù)器的爆發(fā)增長(zhǎng)將帶來企業(yè)級(jí) SSD 在服務(wù)器中需求的大幅增長(zhǎng)，進(jìn)而帶動(dòng)了 NAND 的需求。AI 服務(wù)器通常搭多個(gè)GPU，為了與 GPU 的計(jì)算能力相匹配，服務(wù)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的速度要求變得越來越高，SSD 固態(tài)硬盤滿足了 AI 服務(wù)器的這一需求。根據(jù)美光數(shù)據(jù)，目前標(biāo)準(zhǔn)型服務(wù)器 NAND 平均容量 2TB，未來 AI 服務(wù)器 NAND 容量將高達(dá)

45、20TB。2017 年全球 X86 服務(wù)器市場(chǎng)增長(zhǎng)強(qiáng)勁，總體出貨量為 1139 萬臺(tái)，較去年同期增長(zhǎng) 3.3%，而銷售額達(dá)到 525.11 億美金，同比增長(zhǎng)12.2%。圖表29：國(guó)際大廠的主要企業(yè)級(jí) SSD 硬盤產(chǎn)品一覽代表產(chǎn)品NAND Flash控制芯片容量接口應(yīng)用三星PM88364 層 3D NAND TLC三星3.75TB、7.5TBSATA3.0企業(yè)PM863a3D NAND TLC三星240GB-3.75TBSATA3.0企業(yè)PM1633a3D NAND TLC三星480GB-15.36TBSAS 12Gbps企業(yè)SZ985Z-NAND三星800GBPCle 3.0 x4企業(yè)PM17

46、25A3D NAND TLC三星800GB-6.4TBPCle3.0 x8企業(yè)英特爾DC P4510Intel 512Gb 64 層 3D TLC英特爾1TB-8TBPCle 3.0 x4企業(yè)P4800X128GB 20nm 3D XPoint英特爾SLL 3D375GB-1.5TBPCle 3.0 x4企業(yè)DC P4500Intel 384Gb 32 層 3D TLC英特爾1TB-4TBPCle 3.1x4企業(yè)DC P4600Intel 384Gb 32 層 3D TLC英特爾1.6TB-3.2TBPCle 3.1x4企業(yè)DC P4501Intel 384Gb 32 層 3D TLC英特爾5

47、00GB-4TBPCle 3.1x4企業(yè)DC S450032 層 3D TLC英特爾240GB-4TBSATA3.0企業(yè)DC S460032 層 3D TLC英特爾240GB-2TBSATA3.0企業(yè)美光9200美光 32 層 3D TLCMicrosemi1.6TB-11TBPCle 3.0 x4/8企業(yè)5200美光 64 層 3D TLCMarvell 88SS1074480GB-7.68TBSATA3.0企業(yè)東芝CM5東芝 64 層 3D TLC東芝800GB-15.36TBPCle 3.0 x4企業(yè)PM5東芝 64 層 3D TLC東芝400TB-30.72TBSAS 12Gbps企業(yè)

48、EPX東芝 256Gb 64 層 3D TLCMarvell 88SS1093900GB/1920GBPCle 3.0 x4企業(yè)西部數(shù)據(jù)SS3003D MLC SanDisk 64 層 512Gb3D TLCProprietary400GB-3.2TB480GB-7.68TBSAS 12Gbps企業(yè)金士頓DCP-1000東芝 15nm MLCPhison PS5007-11800GB-3.2TBPCle3.0 x8企業(yè)資料來源：DRAMexchange、方正證券研究所圖表30：每臺(tái)服務(wù)器對(duì)NAND FLASH 的需求資料來源：MU、方正證券研究所供給端：3D NAND 新時(shí)代，存儲(chǔ)芯片有望變局

49、主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局全球范圍內(nèi) NAND Flash 的主要供應(yīng)商有三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、海力士、英特爾。六家巨頭把控了 NAND Flash 的主要市場(chǎng)份額，其中三星占 37%市場(chǎng)份額獨(dú)占鰲頭。圖表31：NAND FLASH 市場(chǎng) 2017 年各家廠商市場(chǎng)份額資料來源：半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟、方正證券研究所圖表32：2017 年DRAM 主要廠商及市場(chǎng)份額資料來源：DRAMexchange、方正證券研究所NAND 存儲(chǔ)芯片全面邁進(jìn) 3D 時(shí)代NAND 存儲(chǔ)芯片正快速轉(zhuǎn)向 3D NAND 產(chǎn)品。三星電子的 3D NAND 生產(chǎn)比重已經(jīng)突破 80%。較于 2D NAND 產(chǎn)品，3D NA

50、ND 的單位比特容量成本具有明顯優(yōu)勢(shì)，未來除了車用存儲(chǔ)芯片仍然以 2D NAND 產(chǎn)品為主外，PC、服務(wù)器、手機(jī)等應(yīng)用的存儲(chǔ)均將全面轉(zhuǎn)向3D NAND 產(chǎn)品。目前三星出貨主流產(chǎn)品為 64 層 3D NAND 產(chǎn)品，96 層產(chǎn)品研發(fā)工作已經(jīng)完成目前已經(jīng)進(jìn)入試產(chǎn)階段。另一家 flash 巨頭東芝的 64 層 3D NAND 產(chǎn)品已經(jīng)穩(wěn)定量產(chǎn)，預(yù)計(jì)將在 2019 年推出 96 層 3D NAND 產(chǎn)品。圖表33：3D NAND 技術(shù)發(fā)展路線圖資料來源：Techinsights 2018、方正證券研究所64 層 3D NAND 是閃存產(chǎn)業(yè)的重要拐點(diǎn),因?yàn)?3D NAND 技術(shù)演進(jìn)到 64 層時(shí)，3D

51、存儲(chǔ)單位比特容量成本開始低于平面 2D 產(chǎn)品。隨著主流廠商均已進(jìn)入 64 層產(chǎn)品量產(chǎn)，2018-2019 年存儲(chǔ)芯片將快速進(jìn)入 3D 時(shí)代。據(jù)HIS 數(shù)據(jù)，到 2018 年底，3D NAND 出貨占比將達(dá)到74%，到 2019 年底，3D NAND 出貨占比將超過 90%。圖表34：3D NAND 出貨占比變化趨勢(shì)（2016-2018）(比特容量口徑)資料來源：IHS Markit、方正證券研究所圖表35：3D NAND 產(chǎn)能占 NAND 總比重逐年增加資料來源：IHS Markit、方正證券研究所圖表36：存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)主要企業(yè)的 Fab 產(chǎn)能情況Flash 原廠目前主要投產(chǎn)工廠2016 主流生產(chǎn)

52、工藝2017 主流生產(chǎn)工藝投產(chǎn)時(shí)間月產(chǎn)能三星Fab1214nm/16nm14nmMP15 萬片F(xiàn)ab1614nm/16nm14nm/48 層V-NAND部分切換 48 層V-NAND22 萬片中國(guó)西安廠32 層 V-NAND48 層 V-NAND48L 切換中11 萬片F(xiàn)ab17未量產(chǎn)64 層 V-NAND2017 年 Q1 試產(chǎn)初期 3 萬片F(xiàn)ab18未量產(chǎn)64 層 V-NAND2017 年 Q2 試產(chǎn)初期 5 萬片東芝/ 西部數(shù)據(jù)(WD SanDisk)Fab3A19nm/15nm未知2005 年投產(chǎn)13 萬片F(xiàn)ab4A19nm/15nm未知2007 年投產(chǎn)18 萬片F(xiàn)ab515nm/48

53、 層 3D NAND20011 年投產(chǎn)10 萬片F(xiàn)ab5 二期48 層 3D NAND64 層 3D NAND2015 年投產(chǎn)10 萬片F(xiàn)ab248 層 3D NAND64 層 3D NAND2016 年投產(chǎn)初期 5 萬片F(xiàn)ab6未量產(chǎn)64 層 3D NAND2018 年投產(chǎn)未知美光MTV16nm16nm2007 年投產(chǎn)4 萬片IMFT16nm16nm2007 年投產(chǎn)7 萬片IMFS16nm/32 層 3D NAND64 層 3D NAND2011 年投產(chǎn)13 萬片F(xiàn)ab10 x未量產(chǎn)16nm/64 層 3D NAND2017 年投產(chǎn)未知英特爾Fab6832 層 3D NAND64 層 3D

54、NAND2016 年投產(chǎn)未知SK 海力士M1114nm/16nm14nm2008 年投產(chǎn)12 萬片M1214nm/3D NAND16nm/36 層 3D NAND2013 年投產(chǎn)10 萬片M14未量產(chǎn)3D NAND2016 年投產(chǎn)未知M15未量產(chǎn)未量產(chǎn)2019 年投產(chǎn)未知資料來源：DRAMexchange、方正證券研究所國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展順利肥長(zhǎng)鑫、福建晉華的存儲(chǔ)項(xiàng)目廠房建設(shè)已經(jīng)完成，預(yù)計(jì)在今年下半年將進(jìn)入量產(chǎn)階段。另外紫光在南京的存儲(chǔ)項(xiàng)目土地規(guī)劃已經(jīng)落實(shí)，預(yù)計(jì)即將進(jìn)入建設(shè)階段。圖表37：中國(guó)大陸地區(qū)的主要存儲(chǔ)器項(xiàng)目資料來源：flash summit 2017、方正證券研究所圖表38：國(guó)

55、內(nèi)主要存儲(chǔ)器項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)展項(xiàng)目進(jìn)展長(zhǎng)江存儲(chǔ)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 3D NAND 閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計(jì) 10776 顆芯片，將用于 8GB USD 存儲(chǔ)卡產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D Nand 芯片已經(jīng)研發(fā)成功，預(yù)計(jì)今年 10 月設(shè)備點(diǎn)亮投產(chǎn) 32 層 3D NAND， 明年底 64 層 3D NAND 量產(chǎn)。合肥長(zhǎng)鑫據(jù)今年初合肥長(zhǎng)鑫給出的存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝；2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品；2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4； 2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月；2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè)；2021 年完

56、成 17 納米技術(shù)研發(fā)。福建晉華在福建省泉州市晉江 FAB 主廠房已完成封頂，預(yù)計(jì)于 2018 年下半年投入使用。12 寸新廠一期項(xiàng)目規(guī)劃將導(dǎo)入 32 納米制程來生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)器，月產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)到 6 萬片，并且項(xiàng)目二期工程將在五年內(nèi)月產(chǎn)能擴(kuò)張至 12 萬片。資料來源：集微網(wǎng)、方正證券研究所特殊型存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化率先突圍特殊型存儲(chǔ)器種類多，應(yīng)用廣特殊型存儲(chǔ)器是指除去主流的 PC/Mobile/server/Storage 應(yīng)用市場(chǎng)，主要包括 NORSLC NAND、Speciaty DRAM 以及新型存儲(chǔ)器RRAM、MRAM、FeRAM 等，特殊型存儲(chǔ)器占據(jù)存儲(chǔ)器整體市場(chǎng)份額的 10%左右，2

57、017 年產(chǎn)值空間在 100-120 億美元。圖表39：特殊型存儲(chǔ)器的主要細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模（百萬美金）資料來源：兆易創(chuàng)新、方正證券研究所圖表40：NOR FLASH 與NAND FLASH 的主要性能參數(shù)對(duì)比資料來源：toshiba、方正證券研究所圖表41：SLC NAND、MLC NAND、NOR FLASH 性能對(duì)比資料來源：toshiba、方正證券研究所特殊型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)有以下幾個(gè)特點(diǎn)：下游應(yīng)用比較分散，不同于主流存儲(chǔ)器集中在 PC、服務(wù)器、手機(jī)領(lǐng)域的應(yīng)用。特殊型存儲(chǔ)器下游應(yīng)用分散在消費(fèi)類、工業(yè)類、汽車等多個(gè)應(yīng)用類別。規(guī)模比較小，相對(duì)主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)，特殊型存儲(chǔ)器約占存儲(chǔ)器整體產(chǎn)值的 10

58、%。主流存儲(chǔ)器與特殊型存儲(chǔ)器處于互相動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的過程中。比如隨著 3D NAND 的大規(guī)模商用，2D NAND 產(chǎn)品漸漸成為特殊型存儲(chǔ)器。另外隨著技術(shù)逐漸成熟，3D Xpoint 產(chǎn)品漸漸走出小眾應(yīng)用場(chǎng)景，向服務(wù)器、PC 領(lǐng)域邁進(jìn)，有望成為新一代主流存儲(chǔ)器。圖表42：主流存儲(chǔ)器與利基存儲(chǔ)器的區(qū)別主流存儲(chǔ)器利基存儲(chǔ)器商業(yè)模式IDMIDM or Foundry-Fabless市場(chǎng)規(guī)模10B2B市場(chǎng)分塊低高投資風(fēng)險(xiǎn)非常高低價(jià)格波動(dòng)不穩(wěn)定穩(wěn)定研發(fā)投資風(fēng)險(xiǎn)非常高低產(chǎn)品周期短長(zhǎng)總體風(fēng)險(xiǎn)非常高低資料來源：兆易創(chuàng)新、方正證券研究所圖表43：NOR FLASH 及 SLC NAND 主要廠商N(yùn)OR Flash主要

59、廠商：SLC NAND Flash主要廠商：資料來源：兆易創(chuàng)新、方正證券研究所汽車智能化趨勢(shì)下，特殊型存儲(chǔ)器用量增多汽車的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求主要來自信息娛樂系統(tǒng)、ADAS、儀表盤、通信與動(dòng)力系統(tǒng)五大方面。此前信息娛樂和導(dǎo)航系統(tǒng)一直是車載存儲(chǔ)器需求的主要驅(qū)動(dòng)力。而近年來 ADAS 的飛速發(fā)展，據(jù)英特爾預(yù)計(jì)，一輛自動(dòng)駕駛汽車每天產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將高達(dá) 4000GB，對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量以及存儲(chǔ)帶寬的要求還將進(jìn)一步提升。圖表44：自動(dòng)駕駛汽車對(duì) DRAM 的需求圖表45：自動(dòng)駕駛汽車對(duì) NAND 的需求資料來源：MU，方正證券研究所資料來源：MU，方正證券研究所自動(dòng)駕駛汽車具備 360環(huán)視、自動(dòng)泊車、緊急制動(dòng)等諸多功

60、能，并且從低級(jí)到高級(jí)駕駛能力逐步提升。高等級(jí)自動(dòng)駕駛汽車的攝像頭、雷達(dá)所采集的信息量更大，圖片精度更高，這一系列進(jìn)程將產(chǎn)生更多的數(shù)據(jù)，因而對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的容量要求更高。對(duì)于 DRAM 來說，平均每一輛L1/2 級(jí)ADAS 汽車需要 8GB DRAM，L3 級(jí)ADAS 汽車需要 16GB， L5 級(jí)則直接上升至 74GB，是 L3 級(jí)智能汽車的 4 倍。NAND Flash 方面，每輛 L1/2 級(jí)智能汽車需要 8GB NAND，L3 級(jí)汽車對(duì)NAND Flash 的需求飛升至 256GB，L5 級(jí)更是達(dá)到 1TB。圖表48：信息娛樂系統(tǒng)、儀表系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器需求量攀升20172020DRAMNAND