磁記錄基本知識(shí)

1、 TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark13 o Current Document 磁記錄的發(fā)展歷史2 HYPERLINK l bookmark22 o Current Document 磁記錄理論基礎(chǔ)3 HYPERLINK l bookmark25 o Current Document 物質(zhì)的磁性3 HYPERLINK l bookmark37 o Current Document 2.2鐵磁性物質(zhì)的磁化 3 HYPERLINK l bookmark42 o Current Document 磁記錄的基本過(guò)程 7 HYPERLINK l bookmark49 o

2、 Current Document 感應(yīng)式磁頭工作原理。9 HYPERLINK l bookmark53 o Current Document 合成式DMIG鐵氧體磁頭。9 HYPERLINK l bookmark86 o Current Document 4.2感應(yīng)式薄膜磁頭 11 HYPERLINK l bookmark98 o Current Document 記錄介質(zhì)13 HYPERLINK l bookmark102 o Current Document 顆粒狀介質(zhì) 13 HYPERLINK l bookmark106 o Current Document 薄膜介質(zhì)13 HYPERL

3、INK l bookmark110 o Current Document 硬盤磁頭動(dòng)態(tài)性能及參數(shù)分析。14 HYPERLINK l bookmark114 o Current Document 飛行高度及飛行姿態(tài)控制。14 HYPERLINK l bookmark120 o Current Document 6.2動(dòng)態(tài)電性能參數(shù)。14 HYPERLINK l bookmark143 o Current Document 磁頭與介質(zhì)主要參數(shù)對(duì)磁頭動(dòng)態(tài)電性能的影響。 151.磁記錄的發(fā)展歷史1898年，丹麥的V. Poulsen發(fā)明了人類歷史上第一臺(tái)磁性錄音機(jī)，所用磁頭 是電磁鐵。記錄介質(zhì)是碳鋼鋼

4、絲。1907年，采用直流偏磁記錄，提高靈敏度，降低了失真度，但磁記錄仍處于 實(shí)驗(yàn)階段。 1920年，電子管放大器出現(xiàn)，使磁記錄進(jìn)入實(shí)用化階段。 1930年，德國(guó)的F. Pfleumer發(fā)明了矯頑力較高的YFe2O3磁性顆粒材 料改 善了記錄介質(zhì)的特性和穩(wěn)定性。 1935年，德國(guó)的E. Shuler研制出環(huán)形磁頭，這種磁頭具有很窄工作縫隙，克 服了過(guò)去磁頭磁場(chǎng)發(fā)散的缺點(diǎn)。1940年，日本的永井健三等發(fā)明了交流偏磁技術(shù)，提高了錄音靈敏度和輸出 信號(hào)幅度。1956年，美國(guó)IBM公司發(fā)明了電子計(jì)算機(jī)，用磁鼓實(shí)現(xiàn)了數(shù)字磁記錄。 1957年，IBM公司推出350硬磁盤機(jī)，24英寸可移動(dòng)磁頭的硬盤機(jī)商品化。

5、 1962年，IBM 1301使用浮動(dòng)磁頭。 1970年，IBM公司提出磁電阻讀出磁頭。 1973年，IBM 3340使用 Winchester磁盤技術(shù)。 1979年，薄膜磁頭商品化。1990年，開發(fā)出磁阻感應(yīng)復(fù)合型薄膜磁頭，IBM公司發(fā)表磁盤的面記錄密度達(dá)1Gb/inch2實(shí)驗(yàn)結(jié)果。2.磁記錄理論基礎(chǔ)物質(zhì)的磁性物體在外加磁場(chǎng)中磁化，其磁化強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系為：M=X H,從實(shí)用的角度 出發(fā)，可以按照磁化率X的大小和符號(hào)將物質(zhì)分類如下：1）抗磁性。磁化率X0，但數(shù)值很小，僅顯示微弱磁性的物質(zhì)稱為順磁性物質(zhì)。大 多數(shù)順磁性物質(zhì)服從居里一外斯定律：p T - TPT為臨界溫度，稱為順磁居里溫度。

6、3）反鐵磁性。有一類物質(zhì)，當(dāng)溫度高于臨界值Tn時(shí)，服從居里一外斯定律，而當(dāng) 溫度低于Tn時(shí)，磁化率不是繼續(xù)增大，而是降低，并逐步趨于定值，因此在Tn處磁化 率有極大值。這類物質(zhì)稱為反鐵磁性物質(zhì)，主要有過(guò)渡族元素的鹽類及化合物，如 MnO, Cr2O3，CoO 等。4）鐵磁性。 鐵磁性物質(zhì)在很小的磁場(chǎng)下就被磁化到飽和，磁化率數(shù)量級(jí)為101 - 106數(shù)量級(jí)。5）亞鐵磁性。具有亞鐵磁性的物質(zhì)，其宏觀磁性與鐵磁性相同，僅是磁化率的數(shù)量 級(jí)稍低一些，大約為100 - 105。眾所周知的鐵氧體，是典型的亞鐵磁性物質(zhì)。2.2鐵磁性物質(zhì)的磁化鐵磁性物質(zhì)的磁化過(guò)程.鐵磁性質(zhì)在加上外磁場(chǎng)時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)明顯增強(qiáng)的磁性

7、，這種鐵磁性增強(qiáng)的過(guò)程叫磁化。 相反，鐵磁性物質(zhì)中的磁性減弱的過(guò)程叫去磁.鐵磁性物質(zhì)的磁化過(guò)程，如圖2 1a）所示。每一個(gè)磁性材料物體都可視作由許多 磁疇組成，各個(gè)磁疇磁矩取向不一致，假若其初始狀態(tài)總磁矩為零，對(duì)外不呈現(xiàn)磁性，當(dāng) 外加磁場(chǎng)時(shí)，磁疇首先發(fā)生體積變化，自發(fā)磁化方向與外磁場(chǎng)方向相近的磁疇增大。自發(fā)磁化方向與磁場(chǎng)方向偏離較大的磁疇縮小，這一個(gè)過(guò)程是通過(guò)圖2 1b）所示的疇 壁移動(dòng)完成的，從而使這個(gè)物體總磁矩不為零，表現(xiàn)出磁性，當(dāng)外磁場(chǎng)繼續(xù)增強(qiáng)到一定值 時(shí)，磁疇壁會(huì)以相當(dāng)快的速度移動(dòng)，直到自發(fā)磁化方向與外磁場(chǎng)方向偏離較大的磁疇完 會(huì)消滅。再增強(qiáng)外磁場(chǎng)，所有磁疇逐漸轉(zhuǎn)向外磁場(chǎng)方向，達(dá)到飽和

8、為止。去磁則是- 個(gè)與之相反的過(guò)程。a）磁疇變化 b）疇壁移動(dòng)圖21鐵磁性物質(zhì)的磁化過(guò)程鐵磁物質(zhì)的磁化曲線.鐵磁物質(zhì)的磁化過(guò)程不是可逆過(guò)程，與其磁化歷史有關(guān)，但我們可以通過(guò)熱退磁法或 交流退磁法將其退磁，直至其不顯磁性，再分析其磁化過(guò)程.從退磁狀態(tài)開始，邊增加磁場(chǎng)邊測(cè)量磁化曲線所得的磁化曲線稱為初始磁化曲線，圖2 一 2中OA段，M與H成正比關(guān)系，超過(guò)這個(gè)區(qū)域，隨著H的增加，由于大部分磁疇轉(zhuǎn)向H方向，M表視為不連續(xù)的急劇變化，如圖中AC段所示，如果再減小H，M的 變化是不可逆的，其變化按圖中路徑B 一B一B進(jìn)行，AC段磁化過(guò)程實(shí)際是跳躍式的, 稱為巴克豪森效應(yīng)。圖22鐵磁性物質(zhì)的磁化曲線CD段

9、，由于大部分磁疇已轉(zhuǎn)向H方向，因而繼續(xù)增加H,只有少數(shù)磁疇繼續(xù)轉(zhuǎn)向, M增加變慢，稱為旋轉(zhuǎn)磁化區(qū)。D之后，由于所有磁疇?zhēng)缀醵家艳D(zhuǎn)向H,因而當(dāng)H再增加時(shí)，M幾乎不增加，稱為 飽和段，這時(shí)的M值稱為飽和磁化強(qiáng)度Ms。在B 一 H曲線中，對(duì)應(yīng)的Bs稱為飽和磁 感應(yīng)強(qiáng)度.從飽和點(diǎn)開始減小磁場(chǎng)，磁化強(qiáng)度的變化并不是沿著初始磁化曲線進(jìn)行，H=0的時(shí) 候，M不為零，出現(xiàn)剩余磁化強(qiáng)度Mr。這個(gè)狀態(tài)開始在相反的方向上增加磁場(chǎng)，巴克 豪森效應(yīng)就會(huì)伴隨發(fā)生，磁化強(qiáng)度急劇下降。當(dāng)磁場(chǎng)強(qiáng)度為-Hc時(shí)，M = 0，Hc稱為 矯頑力。通常將第二象限中的磁化曲線部分，特稱為退磁曲線。超過(guò)矯頑力值，繼續(xù) 在負(fù)方向增加磁場(chǎng)，M的

10、大小將在負(fù)方向急劇增大，然后再次達(dá)到飽和，從這種負(fù)的飽 和狀態(tài)開始，沿著正的方向增加磁場(chǎng)，這時(shí)的磁化曲線將沿新的路徑變化，如圖2 一 2中 GIJD所示，該GIJD曲線以原點(diǎn)O為對(duì)稱點(diǎn)，同DEFG曲線對(duì)稱。這種當(dāng)獨(dú)立變量H增 大或減小時(shí)，函數(shù)值沿不同路徑變化所形成的曲線稱為磁滯曲線。按磁滯回線的形狀不同，可將鐵磁材料分為軟磁材料和硬磁材料，如圖2 一 3,圖2 一 4所示。圖23軟磁材料磁滯回線圖24硬磁材料磁滯回線軟磁材料的磁滯回線狹窄，面積小，它的初始磁導(dǎo)率值高（約為1500 一 8000）， HC低（約為0.02 一 0.8Oe ）。磁頭材料都選用軟磁，因?yàn)镸值高，在重放時(shí)磁阻小，HC

11、小，便于磁頭磁場(chǎng)翻轉(zhuǎn)，回線面積小，磁化過(guò)程中的損耗小。硬磁材料的磁滯回線寬闊，面積大。它的HC高約為（400 3000Oe），感應(yīng)強(qiáng)度Br 高（約為0.08 一 0.3T ），磁帶或其它磁記錄介質(zhì)都選用硬磁性材料，因?yàn)槭４鸥?，可獲得 良好的信噪比，又矯頑力大，可使記錄信息不受雜散磁場(chǎng)干擾。3.磁記錄的基本過(guò)程實(shí)現(xiàn)磁記錄必需的四個(gè)基本條件為：（1）電磁轉(zhuǎn)換器件，即磁頭。（2）記錄媒介，存儲(chǔ)信號(hào)的載體，如磁盤，磁帶。（3）磁頭與磁盤間的相對(duì)勻速運(yùn)動(dòng)，且讀與寫一致。（4）外加信號(hào)必須是交變信號(hào)。磁記錄介質(zhì)是由永磁體組成，剩余磁化的花樣可以沿著單個(gè)或多個(gè)平行的磁道分 布。記錄過(guò)程是在記錄介質(zhì)和磁頭發(fā)生

12、相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)發(fā)生的。圖3-1示出了一個(gè)簡(jiǎn)單的單道的記錄例子，所用的記錄介質(zhì)是由非磁性基底支撐的 磁性層，所用的磁頭是一個(gè)環(huán)形的電磁鐵，在面向介質(zhì)的面上開有間隙。當(dāng)磁頭線圈中 通以代表記錄信號(hào)的電流時(shí)，間隙的邊緣磁場(chǎng)就磁化記錄介質(zhì)，如圖3-2所示，當(dāng)記 錄介質(zhì)移動(dòng)的速率恒定時(shí)，沿著介質(zhì)長(zhǎng)度方向的剩余磁化的空間分布就反映了磁頭線圈 中電流隨時(shí)間的變化，從而完成了信號(hào)的記錄（寫入）過(guò)程。圖3-1磁記錄過(guò)程三維圖 圖3-2間隙磁場(chǎng)的截面分布已記錄在介質(zhì)中的磁化引起了一系列條形磁體那種結(jié)構(gòu)的排列花樣，當(dāng)記錄介質(zhì)以 同樣的速率通過(guò)同樣的磁頭時(shí)，或通過(guò)類似結(jié)構(gòu)的重放（讀出）磁頭時(shí)，由介質(zhì)表面發(fā) 出的磁通將被磁

13、頭鐵芯截留，引起磁頭線圈內(nèi)磁通量變化，從而在線圈中產(chǎn)生一個(gè)與磁 通量變化率成正比的電壓，這個(gè)電壓雖不是記錄信號(hào)的完全重現(xiàn)，但至少表現(xiàn)了記錄信 號(hào)。在記錄與重放過(guò)程之間，記錄信號(hào)有個(gè)存貯過(guò)程，在這個(gè)過(guò)程中，不允許外加的雜 散磁場(chǎng)超過(guò)用于記錄的磁場(chǎng)的強(qiáng)度。如果用抹除磁頭產(chǎn)生一個(gè)大于記錄磁場(chǎng)強(qiáng)度的磁場(chǎng)，就可抹除原先記錄的信息。抹除之后， 記錄介質(zhì)又可準(zhǔn)備記錄新的信息。在許多 情況下，當(dāng)記錄磁頭和重放磁頭使用同一磁頭時(shí)，也可用新的信息的寫重來(lái)抹除舊的信 息。圖3 3用感應(yīng)式磁頭實(shí)例描繪了整個(gè)記錄與重放過(guò)程.圖3 3感應(yīng)式磁頭記錄與重放信號(hào)示意圖感應(yīng)式磁頭工作原理。合成式DMIG鐵氧體磁頭。4.1.1合

14、成式DMIG鐵氧體磁頭的基本結(jié)構(gòu)及主要物理參數(shù)。ETW:有效磁道寬度。ABS:空氣支承面。G.L.:間隙長(zhǎng)度。G.D.:間隙深度。Ramp:斜面長(zhǎng)度Chamfer:倒角長(zhǎng)度圖4-1.浮動(dòng)塊示意圖Coil Inductance:線圈電感。Coil Turns:線圈圈數(shù)。Potting dimension:粘接尺寸。HGA Z-Ht:磁頭載高Loadgram:加載力。Static Pitch&Roll:靜態(tài)縱搖和橫搖。圖4-2.磁頭示意圖4.1.2.合成式DMIG磁頭的工作原理。1）記錄（寫入）過(guò)程：當(dāng)記錄介質(zhì)盤在磁頭下面勻速滑 過(guò)時(shí)，磁頭線圈中的信號(hào)電流所產(chǎn)生 的磁場(chǎng)將磁化軟磁鐵氧體鐵芯，形成

15、以鐵芯環(huán)路為主十的封合磁路，在鐵 芯間隙處的漏磁場(chǎng)磁化記錄介質(zhì)，從 而將信號(hào)記錄在磁介質(zhì)面上，具體細(xì) 節(jié)如圖4-4所示.圖4 3.記錄過(guò)程2）寫入過(guò)程關(guān)鍵因素分析介質(zhì)磁化磁頭間隙磁場(chǎng)大小近似為：RH = 0.4兀 nig rcore gap式中 n :線圈圈數(shù)i :寫入電流；mAg :磁頭間隙長(zhǎng)度，cmRgap:磁頭間隙磁阻Rcore:磁頭磁芯磁阻圖44間隙磁場(chǎng)磁頭間隙附近磁場(chǎng)的解折表達(dá)式由卡爾奎斯特于1954年導(dǎo)出：x + g/2 x - g/2arctgarctgJJ _H =-乞 ln，+ 以 +，2J 兀x 一 g 2力 + j 2磁頭的記錄（寫入）過(guò)程是通過(guò)間隙磁場(chǎng)分量Hx（x, j

16、）作用于記錄介質(zhì)上而實(shí)現(xiàn)的, 所以H （x, j）越大越有利于信號(hào)的記錄.3）重放（讀出）過(guò)程磁頭與記錄介質(zhì)發(fā)生相對(duì)勻速運(yùn) 動(dòng)，無(wú)輸入信號(hào)電流的鐵氧體鐵芯間 隙將拾取到記錄介質(zhì)上的磁通，從而 磁化鐵芯，鐵芯磁路上磁通量的變化 將會(huì)在線圈上感應(yīng)出輸出信號(hào)vread圖4-5重放過(guò)程4）重放（讀寫）過(guò)程性能分析：讀出信號(hào)幅值大?。篤 = - n 竺，4 = B Twgap.read dtr R + R式中n：線圈匝數(shù)co8ap4:鐵芯間隙磁通量w：磁道寬度T：介質(zhì)厚度4.2感應(yīng)式薄膜磁頭4.2.1感應(yīng)式薄膜磁頭的基本構(gòu)造及工作原理薄膜磁頭的基本結(jié)構(gòu)與合成式磁頭的基本結(jié)構(gòu)相似。只不過(guò)用NiFe磁軛取代

17、了單品 鐵氧體鐵芯，用刻蝕的環(huán)形薄膜線圈取代了合成式磁頭磁線線圈。圖46為典型的薄 膜磁頭結(jié)構(gòu)。其工作原理與合成式磁頭相同。圖4-6薄膜磁頭基本結(jié)構(gòu)4.2.2薄膜磁頭與合成式磁頭比較的優(yōu)缺點(diǎn)1）薄膜磁頭主要優(yōu)點(diǎn)：磁頭間隙長(zhǎng)度G.L.能嚴(yán)格控制，并可做得很小，這有利于提高位密度和保 證產(chǎn)品的一致性。由于薄膜磁頭的磁軛長(zhǎng)度較短，厚度較薄，電感小，而且分布電容小，因此 諧振頻率很高，一般均大于50MHz，而DMIG磁頭一般在40MHz就相當(dāng)不 錯(cuò)了，由于薄膜磁軛確保了單軸各向異性，因此對(duì)高頻磁翻轉(zhuǎn)響應(yīng)較好，適 宜高密度記錄。由于薄膜磁頭的磁性薄膜高頻響應(yīng)好，因此其高頻時(shí)渦流損耗小，加之磁頭 阻抗偏低

18、，因此信噪比高，抗外磁場(chǎng)干擾能力強(qiáng)。薄膜磁頭的空氣支承面多采用蝕刻方式，便于ABS面設(shè)計(jì)。同時(shí)空氣支承 面采用碳膜層（D L 0，更適宜于較低飛高。薄膜磁頭采用半導(dǎo)體集成電路工藝，便于進(jìn)行質(zhì)量控制。2）薄膜磁頭的主要缺點(diǎn)。投資極大，據(jù)估計(jì)，開發(fā)薄膜磁頭所需的初步投資至少需要1000萬(wàn)美元，還 不包括今后設(shè)備的更新，維護(hù)及再次的開發(fā)費(fèi)用.工藝技術(shù)要求高，需要一支包括計(jì)算機(jī)CAD圖形設(shè)計(jì)，半導(dǎo)體工藝，磁學(xué), 材料科學(xué)，化學(xué)，精密機(jī)械加工等多學(xué)科人才的隊(duì)伍.在制備工藝中任一 步驟的失敗都可造成返工甚至報(bào)廢，因此必須進(jìn)行嚴(yán)格的生產(chǎn)管理和質(zhì)量 控制 .記錄介質(zhì)顆粒狀介質(zhì)將單疇硬磁磁粉，如y - F%顆粒

19、，和添加粘結(jié)劑混合涂布在載體材料上，形成的 磁記錄介質(zhì)稱為顆粒狀介質(zhì)。常用的磁帶帶基是醋酸纖維，或聚乙烯對(duì)苯二酸（PET） 材料，硬磁盤載體材料是鋁盤基片。通常在磁帶和軟盤材料中，磁性顆粒僅占涂層體積 的40%，硬盤僅為20%，這使得涂層的磁性能及記錄性能受到限制。圖5-1顆粒狀介質(zhì)薄膜介質(zhì)通過(guò)蒸發(fā)，濺射在盤片上淀積形成的硬磁薄膜記錄介質(zhì)稱為薄膜記錄介質(zhì)，它包含 100%的磁性材料。金屬鉆是常用的硬磁薄膜介質(zhì)材料，使用這種介質(zhì)比使用顆粒狀介 質(zhì)可得到更高的輸出幅值。現(xiàn)在薄膜介質(zhì)正逐漸取代了顆粒狀介質(zhì)。尤其是硬磁盤。圖5-2薄膜記錄介質(zhì)硬盤磁頭動(dòng)態(tài)性能及參數(shù)分析。6.1.飛行高度及飛行姿態(tài)控制。

20、磁頭之所以能在轉(zhuǎn)動(dòng)的盤片上起飛，主要是由于空氣分子與浮動(dòng)塊底面的碰撞。宏 觀表現(xiàn)為空氣支撐面上的氣壓壓力與彈性臂壓力的平衡.其飛行高度及飛行姿態(tài)決定 于空氣支承面的形狀和大小，彈性臂壓力及其粘接尺寸。磁頭的飛行高度根據(jù)要求不同而取不同值，盡管磁頭飛行高度越低越有利于記錄和 重放，但受到盤片介質(zhì)撞盤高度的制約，磁頭的飛行高度宜遵循下列規(guī)則來(lái)決定其空氣 支撐面寬度，彈性臂加載力和粘接尺寸等：最低點(diǎn)飛高平均值- 3b飛高 撞盤高度（Glide Height）6.2動(dòng)態(tài)電性能參數(shù)。1）磁道平均輸出幅度TAA。磁道平均輸出幅度定義為磁頭輸出信號(hào)峰一峰值的平均值（圖6 1），有高頻磁 道平均輸出幅度HFT

21、AA和低頻磁道平均輸出幅度LFTAA之分。2）分辨率 Resolution分頻率為高頻磁道平均輸出幅度與低頻磁道平均輸出幅度LFTAA的百分比。3）覆寫率 Overwrite覆寫率是指所寫入的新信號(hào)覆蓋原記錄數(shù)據(jù)的能力。測(cè)量時(shí)先用低頻信號(hào)寫入，然 后再用高頻信號(hào)覆寫，這時(shí)所剩下的低頻信號(hào)幅值LFTAA .全，與原低頻寫入時(shí)的信號(hào) 剩余幅值LFTAA的比值，就反映了覆寫性能，它定義為：OW = 20log瑟眼剩余LFTAA4）信號(hào)半高寬PW50。PW50是指信號(hào)幅度為50%處的脈沖寬度。測(cè)試時(shí)先在磁道上寫入NRZ模式8000，然后通過(guò)一個(gè)道門檻設(shè)置在50%信號(hào)幅度的比較器測(cè)量出讀出信號(hào)的半高寬。

22、5）字位漂移Bit Shift通過(guò)磁頭將一個(gè)最易引起誤碼的編碼數(shù)據(jù)記錄在測(cè)試道上，然后對(duì)讀頭的重放信 號(hào)，10 6字位進(jìn)行分析.先設(shè)置等步長(zhǎng)的窗口，字位移動(dòng)出此窗口視為誤碼，從而可確 定出不同窗口設(shè)置下的誤碼率，根據(jù)曲線擬合可外推出指定誤碼率處的窗口設(shè)置大小。圖6-1動(dòng)態(tài)電性能參數(shù)圖6-2 Bit Shift圖示6.3.磁頭與介質(zhì)主要參數(shù)對(duì)磁頭動(dòng)態(tài)電性能的影響。磁頭的動(dòng)態(tài)性能受多方面因素的影響，為優(yōu)化磁頭的動(dòng)態(tài)電性能，可參考下表列出 的影響因素合理選擇磁頭及介質(zhì)物理參數(shù)。輸出幅度TAA分辨率Res覆寫率OW半高寬PW50字位漂移Bit Shift介質(zhì)矯頑力Hc個(gè)個(gè)（更好）個(gè)（更好），（更差），（更好），（更好）介質(zhì)厚度T個(gè)個(gè)（更好），（更差），（更差）個(gè)（更差）個(gè)（更差）間隙長(zhǎng)度G.L.個(gè)，（更差），（更差）個(gè)（更好）個(gè)（更差）個(gè)（更差）間隙深度G.D.個(gè)，（更差），（更差），（更 差）個(gè)（更差）個(gè)（更差）飛高F.H.個(gè)，（更差），（更差），（更差）個(gè)（更差）個(gè)（更差）線圈匝數(shù)個(gè)個(gè)（更好），（更差）個(gè)（更好）個(gè)（更差）個(gè)（更差）備注：箭頭標(biāo)注數(shù)值的變化，個(gè)-增大，；-減小.括號(hào)內(nèi)的注解反映其性能變化.磁記錄基本知識(shí)試題一、選擇題1、磁頭材料應(yīng)選用 材料。（D）D：軟鐵磁性人：反鐵磁性8：硬鐵磁性C：順磁性2