電工與電子技術(shù)期中考試

1、2009-2010年度電工與電子技術(shù)期中考試班級(jí)：學(xué)號(hào)：姓名：得分:一、 單項(xiàng)選擇題(每題3分，共45分)()1、當(dāng)加在二極管兩端的正向電壓從 0開(kāi)始逐漸增加時(shí)，二極管A 、立即導(dǎo)通B、一直都不導(dǎo)通C、過(guò)了死區(qū)電壓才開(kāi)始導(dǎo)通D超過(guò)10V才導(dǎo)通()2、一個(gè)性能良好的二極管的反向電阻應(yīng)該是A 、很小B、等于0C、等于二極管的正向電阻D 、無(wú)窮大()3、三極管處在放大工作狀態(tài)時(shí)，基極電流Ib與集電極電流Ic的關(guān)系為A 、Ib 二 0IcB 、Ic = P|bC 、Ib = IcD 、Ib與Ic沒(méi)有關(guān)系)4、三極管工作在放大狀態(tài)時(shí)，發(fā)射級(jí)電流Ie與基極Ib電流集電極電流Ic的關(guān)系A(chǔ)、沒(méi)有關(guān)系B、Ie

2、= Ib- IcC、I E= ： IBD、i e = Ib + Ic)5、三極管工作在放大、飽和、截止的哪種狀態(tài)由什么來(lái)決定A、由三極管的類型決定B、由三極管的大小決定G由加在三極管的三個(gè)電極的電壓決定D 、由三極管的價(jià)格決定)6、三極管處在飽和工作狀態(tài)時(shí)相當(dāng)于一個(gè)A 、斷開(kāi)的開(kāi)關(guān) B 、閉合的開(kāi)關(guān)C 、電容 D 、電阻)7、以下不屬于PN結(jié)主要參數(shù)的是A 、最大整流電流IvmB最高反向工作電壓LRmG最高正向工作電壓LVmD最大反向電流I B)8、晶體管放大是指放大信號(hào)的A 、電壓 B 、電流 C 、變化 D 、功率)9、二極管的正向電阻和反向電阻相比較A、相同B、前者大C、后者大D、無(wú)法判

3、斷)10、RC濾波與LC濾波相比較A、前者好B、一個(gè)樣C、后都好D、無(wú)法判斷)11、表示功率的符號(hào)是A 、W B、V C、F D、P)12、關(guān)于晶體管的說(shuō)法正確的是A 、晶體管有四種工作狀態(tài)B、晶體管的結(jié)構(gòu)是三區(qū)二結(jié)C、晶體管的作用只有放大D晶體管有三個(gè)電極)13、穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路，具接法是A 、穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻串聯(lián)B 、穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻并聯(lián)C、穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻混聯(lián)D 、無(wú)論怎么連接都可以)14、晶體管處于放大狀態(tài)時(shí)，各極電位A 、VCVBVEB、VEVBVCG VBVCVED、無(wú)法確定)15、下列不屬于晶體管的主要參數(shù)的A 、電流放大倍數(shù)B 、通頻帶G穿透電流D 、反向擊穿電壓二、填空題(每空2分，共20分)1、自然界的物質(zhì)按導(dǎo)電能力分可以分為導(dǎo)體、絕緣體。2、晶體管按類型分可分為 型和 型。、已知晶體管B=50, lC=100mA則Ie為。、要使晶體管工作在飽和狀態(tài)下，發(fā)射結(jié)加 電壓，集電結(jié)加 電壓、全波整流一般是由 電路整流而得。、電容濾波電路中，濾波電容應(yīng)該 接在負(fù)載兩端。、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在 狀態(tài)。8、濾波電路有 和 兩種。三、簡(jiǎn)答題（共計(jì)8分）1、PN結(jié)的主要特性是什么。（2分）2、請(qǐng)畫(huà)出半波整流和全波整流波形圖。（6分）+（2）四、計(jì)算題（一、第一題18分，第二題9分；共計(jì)27分）（1）測(cè)得下列晶體管三個(gè)電極的對(duì)地電壓如下圖所示，請(qǐng)判斷