半導(dǎo)體的三個(gè)特性

1、 6.1 半導(dǎo)體6.1.1 半導(dǎo)體的三個(gè)特性6.1.2 PN 結(jié)16.1.1 半導(dǎo)體的三個(gè)特性導(dǎo)體：自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱(chēng)為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體，如鐵、銅、鋁等。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電，稱(chēng)為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體：另有一類(lèi)物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間，稱(chēng)為半導(dǎo)體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì)，其特點(diǎn)為： 當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。6.1 半導(dǎo)體1.熱敏特性和光敏特性HOME2GeSi在絕對(duì)零度以下，本征半導(dǎo)體中無(wú)活躍載流子，不導(dǎo)電用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。本征半導(dǎo)體：完

2、全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。+4+4+4+4共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)束縛電子HOME3 2.摻雜特性在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P 型半導(dǎo)體：在硅或鍺晶體中摻入少量的三價(jià)元素，如硼(或 銦)而形成，也稱(chēng)為（空穴半導(dǎo)體）。N 型半導(dǎo)體：在硅或鍺晶體中摻入少量的五價(jià)元素磷（或銻） 而形成。也稱(chēng)為（電子半導(dǎo)體）。+4+4+5+4多余電子磷原子+N 型半導(dǎo)體N 型半導(dǎo)體中的載流子是什么？自由電子為多數(shù)載流子（多子）空穴稱(chēng)為少數(shù)載流子（少子）+N 型半導(dǎo)體自由電子為多子空穴是

3、多子P 型半導(dǎo)體雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動(dòng)都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子。近似認(rèn)為多子與雜質(zhì)濃度相等。往純凈半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會(huì)使其導(dǎo)電能力明顯改變。HOME4P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng)E漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，就使漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄?？臻g電荷區(qū)，也稱(chēng)耗盡層。1. PN 結(jié)的形成+所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。HOME6.1.2 PN 結(jié)5 2 .PN結(jié)的單向?qū)щ娦?PN 結(jié)外加正向電壓： P 區(qū)接正、N 區(qū)接負(fù)電壓 PN 結(jié)加上反向電壓： P區(qū)加負(fù)、N 區(qū)加正電壓PNPN內(nèi)電場(chǎng)