2.1功放分析制作

1、2.3 功率放大器的分析與檢測2.2 集成前置放大電路的分析與檢測2.1 分立前置放大電路的分析與檢測2.1 分立前置放大電路的分析與檢測一、晶體三極管發(fā)射極NNP基極集電極PPN基極發(fā)射極集電極符號：BECIBIEICBECIBIEIC(1) NPN型三極管（2）PNP型三極管1、結(jié)構(gòu) 基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結(jié)集電結(jié)BECNNP基極發(fā)射極集電極結(jié)構(gòu)特點：集電區(qū)：面積最大 2、電流分配和放大原理（1） 三極管放大的外部條件BECNNPEBRBECRC發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏NPNPNP發(fā)射結(jié)正偏VBVEVBVBVCVB(2) 三極管內(nèi)部載流子的運動規(guī)律BECNNPEBR

2、BECIEIBEICEICBO 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。進入P 區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流IBE ，多數(shù)擴散到集電結(jié)。從基區(qū)擴散來的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進入集電結(jié)而被收集，形成ICE。 集電結(jié)反偏，有少子形成的反向電流ICBO。（3）各電極電流關(guān)系及電流放大作用 IC 與 IB之比稱為共發(fā)射極直流電流放大倍數(shù)，即：ICE0 ：集射極穿透電流, 溫度ICEO三電極電流關(guān)系：IE = IB + IC因為 IC IB ， 所以 IC IE 。但I(xiàn)B對IC有控制作用， IC隨IB改變而改變。IC的變化量 與 IB的變

3、化量之比稱為共發(fā)射極交流電流放大倍數(shù)，即：通常 IC IB ，因此把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。三極管的實質(zhì):用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，是電流控制型器件。一般，共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路 測量晶體管特性的實驗線路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV+3、三極管特性曲線（1） 輸入特性死區(qū)電壓：硅管0.5V，鍺管0.1V。IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO正常工作時發(fā)射結(jié)電壓： 硅管:0.60.7V鍺管:0.20.3V(2) 輸出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1

4、234UCE(V)912O放大區(qū)放大區(qū)特點：在放大區(qū)有 IC=IB ，具有恒流特性。條件：發(fā)射結(jié)處于正向偏置、集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于放大狀態(tài)。截止區(qū)IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)912O截止區(qū)IB 0 以下區(qū)域為截止區(qū)。條件：發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)處于反向偏置，晶體管工作于截止?fàn)顟B(tài)。特點：有 IC 0IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)912O飽和區(qū)飽和區(qū)特點：在飽和區(qū)，IB IC，IC不受IB的控制；UCE很小，深度飽和時，硅管UCES 0.3V，鍺管UCES 0.1V。條件：發(fā)射結(jié)處于正

5、向偏置，集電結(jié)也處于正偏。4、 主要參數(shù)（1） 電流放大系數(shù)，發(fā)射極開路時，集電結(jié)在反向電壓作用下，集、基極間的反向電流。ICBO是由少數(shù)載流子的漂移運動所形成的電流，受溫度的影響大，ICBO越小越好。直流電流放大系數(shù) 和交流電流放大系數(shù) 的含義不同，但在特性曲線近于平行等距并且ICE0 較小的情況下，兩者數(shù)值接近。常用晶體管的 值在20200之間。（2）集-基極反向截止電流 ICBOICBOA+EC（3）集-射極反向截止電流(穿透電流)ICEOAICEOIB=0+基極開路時，集電極和發(fā)射極間的反向電流，也稱為穿透電流。ICEO受溫度的影響大，ICEO越小越好極限參數(shù)：（4） 集電極最大允許電

6、流 ICM集電極電流 IC上升會導(dǎo)致三極管的值的下降，當(dāng)值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。（5） 集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO（6）集電極最大允許耗散功耗PCM集電極電流流過集電結(jié)時，產(chǎn)生的功耗使結(jié)溫升高，結(jié)溫太高時會使晶體管燒毀，因此規(guī)定PC =IC UCE PCM 。PCM取決于三極管允許的溫升，一般硅管允許結(jié)溫約為150C，鍺管約為7090C?；鶚O開路時，集電極和發(fā)射極之間最大允許電壓。當(dāng)集射極之間的電壓UCE 超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。使用時，一般取ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)由三個極限參數(shù)可畫出三極管的安全工作區(qū)ICUCEO5、晶體管參數(shù)與溫度的