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文檔簡介

1、體心立方的滑移同組人:蘇琳琳馮瑞董林楠于雷1.實際晶體中位錯的分類簡單立方晶體中位錯的柏氏矢量b總是等于點陣矢量。但實 際晶體中,位錯的柏氏矢量b除了等于點陣矢量外,還可能 小于或大于點陣矢量。通常把柏氏矢量等于單位點陣矢量的 位錯稱為“單位位錯”;把柏氏矢量等于點陣矢量或其整數(shù) 倍的位錯稱為“全位錯”,全位錯滑移后晶體原子排列不變; 把柏氏矢量不等于點陣矢量整數(shù)倍的位錯稱為“不全位錯”, 不全位錯滑移后原子排列規(guī)律發(fā)生變化。2.實際晶體中位錯的柏氏矢量實際晶體結(jié)構(gòu)中,位錯的柏氏矢量不能是任意的,它要符合 晶體的結(jié)構(gòu)條件和能量條件。晶體的結(jié)構(gòu)條件是指柏氏矢量 必須連接一個原子平衡位置到另一平衡

2、位置。從能量條件 看,由于位錯能量正比于b2,b越小越穩(wěn)定,即單位位錯是柏氏矢量b的大小和方向用b=Cuvw表示,其中:C為 常數(shù),uvw為柏氏矢量的方向,柏氏矢量的大小為:C; u2 +v2 +M2 。表1給出典型晶體結(jié)構(gòu)中,單位位錯的 柏氏矢量及其大小和方向。表1典型晶體結(jié)構(gòu)中單位位錯的柏氏矢量蜷構(gòu)類型相氐矢星h*方向卜己 i 100或g- 2- 2耳23.位錯反應(yīng)(Dislocation Reaction)位錯反應(yīng)就是位錯的合并(Merging)與分解(Dissociation),即晶體中不同柏氏矢量的位錯線合并為一條位錯線或一條位 錯線分解成兩條或多條柏氏矢量不同的位錯線。位錯使晶體點

3、陣發(fā)生畸變,柏氏矢量是反映位錯周圍點陣畸變總和的參數(shù)。因此,位錯的合并實際上是晶體中 同一區(qū)域兩個或多個畸變的疊加,位錯的分解是晶體內(nèi)某一 區(qū)域具有一個較集中的畸變,松弛為兩個或多個畸變。位錯反應(yīng)能否進行,取決于下列兩個條件:A幾何條件根據(jù)柏氏矢量的守恒性,反應(yīng)后諸位錯的柏氏矢量之和應(yīng)等于反應(yīng)前諸位錯的柏氏矢量之和,即=&ik(4-1)B能量條件從能量角度要求,位錯反應(yīng)必須是一個伴隨著能量降低的過程。由于位錯的能量正比于其柏氏矢量的平方,所 以,反應(yīng)后各位錯的能量之和應(yīng)小于反應(yīng)前各位錯的能量之 和,即& b 2(4-2)ik分析位錯反應(yīng)時,一般先用幾何條件確定位錯反應(yīng) 是否可以進行,然后再利用

4、能量條件來判定位錯反應(yīng)的方 向。4.體心立方晶體(Body-centered Cubic Crystal)中的位錯 在體心立方晶體中以密排方向111為滑移方向,全位錯 的柏氏矢量為2 111,相應(yīng)的滑移面有110、112、 (123。由于這三種滑移面均含有相同的111方向,使螺 型位錯易于交滑移。在低溫變形的體心立方結(jié)構(gòu)金屬中, 所觀察到的位錯多為長而直的螺型位錯。這說明,同刃型 位錯相比,螺型位錯的可動性較差,是控制體心立方結(jié)構(gòu) 金屬滑移特性的主要位錯組態(tài)。岷電鐵的(11嘰(11為和力面可同時沿111方前髓,汕|/|/尸|111 弟為(213)面上的111方向;&為 W面上的111方向; E

5、為(T10)面上的111方位L(110)4.1全位錯的合成反應(yīng) (Synthetic Reaction of PerfectDislocation)在體心立方晶體中常見的全位錯除了 ? 111 位錯外, 2還有柏氏矢量為a001的位錯,有時可在位錯網(wǎng)絡(luò)中 觀察到。a001型全位錯可由兩個2 v 111 型全位錯經(jīng) 合成反應(yīng)而獲得,即-111 + - 111 a00122如圖4.16所示,若沿(101)面上具有柏氏矢量 為勺111的位錯與沿(101)面上的具有柏氏矢量為 的位錯相遇時,便可按上述反應(yīng)合成新位錯。(a)(b)圖4.16001 全位錯的形成與解理裂紋成核合成的新位錯線沿著兩滑移面(1

6、01)和(101)的交線010方向,而柏氏矢量為a001,是一種不動位錯, 其相應(yīng)的半原子面又恰好沿著解理面(001),易于成為 萌生解理裂紋(Cleavage Crack)的部位,如圖4.16(b) 所示。4.2 層錯(Stacking Fault)在體心立方晶體中,以(110面的密排程度最大,故可 以把體心立方晶體看成是由(110面堆垛而成。如圖4.17所示,兩個相鄰的(110)面上原子的堆垛次序為AB AB AB.,兩層一循環(huán)。可供第二層原子占據(jù)的B位 置為馬鞍型凹窩。(110)BE001AABE110亨 nii圖4.17面上相鄰兩層原子的分布圖 在凹窩中心兩側(cè)處各有兩個同等穩(wěn)定的位置B

7、1和B2都 是B層原子可以占據(jù)的能量極小處,從而為形成層錯提 供了可能性。顯然,若將某一 B層原子的位置向凹窩中心B1或B2錯 動時,便可得到兩種滑移型層錯:滑移型曾錯.AB AB AB1 AB1 AB.或.AB AB AB2 AB2 AB2. (4-4)(iio)BB001ABB110如11圖4.17面上相鄰兩層原子的分布圖 在體心立方晶體中,還有一種在112面上形成層錯的 可能性。112面是體心立方晶體中最常見到的滑移面, 也是孿晶面(Twinning Plane),為形成層錯提供了有利條 件。但112不是密排面,不能按剛球密堆方式逐層堆垛, 如圖4.18(a)所示。若沿口方向觀察時,可將

8、 面上各原子在(110)面上的投影示于圖4.18 (b)。圖中標以A、C和E的原子位于(110)面上,用“O” 表示;而標以B、D和F的原子沿11市向與(110) 面相距 至a,用“ 口”表示??梢?12)面的堆垛特點 是每六層為一循環(huán)周期,即.ABCDEF ABCDEF AB.(4-5 )而且,由于相鄰兩層(1T2)面上的原子沿口0方向高度不 同,又可將體心立方晶體的堆垛特點按(ip)面的堆垛 周期中每兩層為一組加以描述:A1 A2 B1 B2C1 C2A1A2B1 B 2Ci C2 Ai Ay(4-6)圖4.18(112)面上的原子分布及其堆垛特點(a)(112)面上原子的分布;(b)(1

9、12)面上原子在(110)面上的投影根據(jù)以上112面的堆垛特點,可有以下三種 方式在體心立方晶體中形成層錯。A滑移方式由圖4.18可知,(112)面與(110)面相交,其交線111恰好為滑移方向。每相鄰兩層(112)面原子 之間的相對滑移矢量為(112),如圖4.19所示。若將某 一層1111面原子(如A層原子)以上部分相對于以下 6的F層滑移1111或11!1,可將體心立方晶體的堆垛 63次序變化而形成I1型內(nèi)稟層錯:I1=.FEDCBAFEFEDCBA.(4-7)圖4.19原子在(110)面上的投影(O代表位于紙面上的原子;乂代表位于紙面下的原子)B抽出方式若在體心立方晶體的正常堆垛周期中

10、,抽出一對原子層(如C層和D層),可形成如下I2型內(nèi)稟層錯:I2=.FEDCBAFEBAFEDCBA.(4-8)C插入方式若在體心立方晶體中的正常堆垛周期中,在某一 B面處 將晶體切開后,使其上各層原子向上沿112方向移 動3112距離,再在該空隙中插入一對原子層(如E層和F層),則可形成E型外延層錯:E=.CDEFABEFCDEFABC.(4-9)在上述改變(112面堆垛次序的過程中,要相應(yīng)破壞或 變動相鄰原子層的鍵合狀態(tài)。按照所涉及的原子鍵合破 壞的程度,可以認為,I1型內(nèi)稟層錯所需能量最小,而 形成其他兩種層錯所需能量較大。因此在體心立方晶體 中,層錯一般以I1型為主,其他兩種層錯的實用

11、意義不 大。4.3不全位錯在體心立方晶體中可能形成的不全位錯主要有:1)在110面上形成一部分層錯時,其邊界為不全位錯;2)在112面上形成一部分層錯時,其邊界為不全位錯或。另外,在體心立方晶體中,也可能在I1型層錯的基礎(chǔ)上 進一步形成I3型層錯,與其相對應(yīng)的(112面的堆垛次 序如下:I3=.FEDCBAFf aAFEDCBA. (4-10)圖4.20在(112)面上形成的(a)部分I1型層錯和(b)部分I3型層3這種I3型層錯相當于具有三個原子層厚的攣晶,可 3以看成是在如圖4.20(a)所示的I1型層錯的基礎(chǔ)上, 經(jīng)柏氏矢量為3ill和 6iii 的兩不全位錯在FE和 ED兩原子層之間相

12、繼滑移的結(jié)果。若在112面上形成 一部分I3型層錯時,其邊界的一端為三個分布在相鄰三 個滑移面上的1 不全位錯,另一端為柏氏矢量和6等于零的區(qū)域位錯,如圖4.20(b)所示。4.4擴展位錯A在110面上的擴展位錯如圖所示,B層原子要從一個平衡位置滑移到另一個平衡位置時,比較容易的途徑是將全位錯的運動分解成三個不全位錯的運動,即 TOC o 1-5 h z a Im- a hio+ a ImL a 2848X.b七氣b3這種全位錯分解的特點是,所形成的三個不全位錯位于同一滑移面內(nèi)。其中,次錯留在原位錯片所在處,q 和弓兩不全位錯構(gòu)成擴展位錯的兩個邊界日111-沙0+御2+:110zo4o面上相鄰

13、兩層原子的分布圖科恩(Cohen)等人曾用這種模型設(shè)想一個liii螺型 2位錯分解形成可滑移型擴展位錯的可能性,如圖4.21(a)所示,這種分解反應(yīng)稱為可滑移分解??掠优粒↘roupa)等人又設(shè)想2iii螺型位錯可沿屬于111晶帶軸的三個110面內(nèi)分解,如圖4.21(b)和(c)所示。其位錯反應(yīng)如下:1111 T 1110 + 1101 + 1011 + 1111 TOC o 1-5 h z 28884x.bb1氣b3氣段為中心螺型位錯,分別與另三個不全位錯以三 4片層錯相聯(lián),故稱為三葉位錯。在圖4.21中,(b)和(c)是等效的兩個狀態(tài),可以交替地沿同一條位錯線擴展。lllll110+l10

14、1+l011+llll2ooo4b b b2 b3 如圖4.21柏氏矢量為1111的螺型位錯在110面上分2(a)可滑移分解;(b)和(c)不可滑移分解,兩種狀態(tài)相差180B在112面上的擴展位錯 Frank等人提出,;111螺型位錯可在112面上按下式 分解擴展:1111 T 111 + 1111 263這是由于一個螺型全位錯分解成兩個螺型不全位錯,均位于同一滑移面上,如圖4.22(a)所示。這種位錯組 態(tài)在外力作用下可整體滑移,也稱為可滑移分解。赫許(Hirsch)等人又提出了一種2111螺型位錯沿屬 于111晶帶軸的三個112面上分解的可能性,如圖4.22(b)所示,即頊11 T !11

15、1 + ;111 + 頊112666其特點是形成相交的三片層錯,分別以三個螺型不全位錯為邊界,但卻無中心不全位錯。斯利維克(Sleeswyk)認為這種中心無不全位錯的擴展 位錯不穩(wěn)定,應(yīng)按圖4.22(c)所示的方式分解。在無 應(yīng)力作用時,圖4.22(c)中所示的組態(tài)可有三種等效 情況(相差120)。這種各不全位錯分別位于不同滑移面上的分解,也稱為不可滑移分解。所形成的擴展位錯組態(tài)具有阻礙其他位 錯滑移的特性。/ 1kmitiii(T2T) 了 oadzFjF;L跖1110+ 1112+1110 兌)848圖4.221m螺型位錯在112面上分解機制示意圖(a)2可滑移分解;(b)不可滑移分解,無中心位錯;(c)

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