半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中微半導(dǎo)體信息跟蹤：年初在手訂單充?？涛g設(shè)備國內(nèi)市占率15%~20%

1、 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日目錄1、在手訂單及構(gòu)成42、各關(guān)鍵線寬的刻蝕工藝應(yīng)用53、電感和電容性等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)銷情況64、公司前五大客戶的銷售情況75、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)格局及中微市場地位86、國內(nèi)刻蝕設(shè)備行業(yè)格局及中微市場地位97、同類設(shè)備的競爭力對比108、刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備制造的發(fā)展戰(zhàn)略及發(fā)展方向119、MOCVD 設(shè)備的分類，以及中微市場地位1210、PRISMO A7 與 PRISMO D-BLUE 的比較1311、中微 MOCVD 研發(fā)項目1412、中微核心產(chǎn)品的交貨、驗證周期，以及收款模式1513、主營業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)季節(jié)性特征1614、VOC

2、 設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域17 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日圖表目錄 HYPERLINK l _TOC_250015 圖表 1. 中微歷年在手訂單4 HYPERLINK l _TOC_250014 圖表 2. 刻蝕設(shè)備的工藝應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化5 HYPERLINK l _TOC_250013 圖表 3. CCP、ICP 刻蝕設(shè)備累計產(chǎn)銷量（2016-2018）6 HYPERLINK l _TOC_250012 圖表 4. 中微前五大客戶7圖表 5. 全球刻蝕設(shè)備行業(yè)競爭格局（2017）8 HYPERLINK l _TOC_250011 圖表 6. 中微在國內(nèi)某存儲芯片制造產(chǎn)線的市占率9

3、 HYPERLINK l _TOC_250010 圖表 7. 中微在國內(nèi)某邏輯芯片制造產(chǎn)線的市占率9 HYPERLINK l _TOC_250009 圖表 8. 中微電容性等離子體刻蝕設(shè)備競爭力10 HYPERLINK l _TOC_250008 圖表 9. 中微電感性等離子體刻蝕設(shè)備競爭力10 HYPERLINK l _TOC_250007 圖表 10. 中微深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）競爭力10 HYPERLINK l _TOC_250006 圖表 11. 中微 MOCVD 設(shè)備競爭力10 HYPERLINK l _TOC_250005 圖表 12. 2018 年 MOCVD 市場總需求及

4、結(jié)構(gòu)12 HYPERLINK l _TOC_250004 圖表 13. GaN 基 LED MOCVD 的行業(yè)競爭格局（2017-2018）12 HYPERLINK l _TOC_250003 圖表 14. 中微 MOCVD 研發(fā)項目進(jìn)度14 HYPERLINK l _TOC_250002 圖表 15. 中微核心產(chǎn)品的交付周期15圖表 16. 中微按季度的收入分布（2016-2018）16 HYPERLINK l _TOC_250001 圖表 17. 中微各產(chǎn)品第四季度收入占比（2016-2018）16 HYPERLINK l _TOC_250000 圖表 18. 報告中提及上市公司估值表18

5、 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中1、在手訂單及構(gòu)成中微半導(dǎo)體：2016-2018 年末在手訂單依次是 3.3 億元，6.8 億元，15.9 億元，2017-2018 年分別增長 106%， 134%。圖表 1. 中微歷年在手訂單單位：萬元2016 年末占比(%)2017 年末占比(%)2018 年末占比(%)刻蝕設(shè)備4,058126,364923,01114MOCVD 設(shè)備28,8038861,89791135,90386在手訂單合計32,86110068,261100158,914100資料來源：公司公告，中銀國際證券 HYPERLINK / 2019 年 5 月

6、12 日中2、各關(guān)鍵線寬的刻蝕工藝應(yīng)用公司產(chǎn)品在 65 納米到 7 納米的加工上均有刻蝕應(yīng)用已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，正在進(jìn)行 7 納米、5 納米部分刻蝕應(yīng)用的客戶端驗證。圖表 2. 刻蝕設(shè)備的工藝應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵尺寸刻蝕應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化及研發(fā)進(jìn)度65-22nm鈍化層、通孔、頂層通孔、頂層溝槽產(chǎn)業(yè)化22-14nm鈍化層、頂層通孔、頂層溝槽產(chǎn)業(yè)化14-7nm鈍化層、通孔、頂層通孔、有機(jī)掩膜層產(chǎn)業(yè)化接觸孔、溝槽、頂層溝槽客戶端驗證7nm、5nm有機(jī)掩膜層、通孔、溝槽客戶端驗證資料來源：公司公告，中銀國際證券 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中3、電感和電容性等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)銷情況圖表 3.

7、CCP、ICP 刻蝕設(shè)備累計產(chǎn)銷量（2016-2018）電容性刻蝕設(shè)備電感性刻蝕設(shè)備合計主要產(chǎn)品型號Primo D-RIE Primo AD-RIEPrimo nanova Primo TSVPrimo AD-RIE-ePrimo SSC-AD-RIEPrimo SSC-HD-RIE產(chǎn)量20614 腔220銷量15010 腔160資料來源：公司公告，中銀國際證券目前，中微電感性等離子體刻蝕設(shè)備包括 Primo nanova、Primo TSV 兩個產(chǎn)品。我們估計電感性等離子體刻蝕設(shè)備實現(xiàn) 10 個腔的銷量，主要是指 Primo TSV 產(chǎn)品，用于 MEMS 的 TSV 封裝。 HYPERLIN

8、K / 2019 年 5 月 12 日中4、公司前五大客戶的銷售情況圖表 4. 中微前五大客戶年度序號名稱產(chǎn)品類別銷售額（億元）收入占比(%)20181乾照光電MOCVD3.1919.42三安光電MOCVD2.4214.73長江存儲刻蝕設(shè)備1.8011.04海外客戶 1刻蝕設(shè)備1.368.35華力微電子刻蝕設(shè)備1.167.1總計9.9360.620171華燦光電MOCVD3.4035.02璨揚(yáng)光電MOCVD1.1211.53中芯國際刻蝕設(shè)備1.0811.24海外客戶 1刻蝕設(shè)備0.9810.15三安光電MOCVD0.737.5總計7.2474.520161中芯國際刻蝕設(shè)備2.38392海外客戶

9、 1刻蝕設(shè)備1.0316.93海外客戶 2刻蝕設(shè)備0.9515.54海外客戶 3刻蝕設(shè)備0.447.25海外客戶 4刻蝕設(shè)備0.426.9總計5.2385.7資料來源：公司公告，中銀國際證券 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中5、全球刻蝕設(shè)備行業(yè)格局及中微市場地位全球刻蝕設(shè)備市場呈現(xiàn)壟斷格局，泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料占據(jù)主要市場份額。圖表 5. 全球刻蝕設(shè)備行業(yè)競爭格局（2017）資料來源：公司公告，中銀國際證券基于 Gartner 對全球電容性刻蝕設(shè)備市場規(guī)模的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，公司的電容性刻蝕設(shè)備的全球市場份額占比約在 1.4%左右。 HYPERLINK / 2019

10、年 5 月 12 日中6、國內(nèi)刻蝕設(shè)備行業(yè)格局及中微市場地位在國內(nèi)市場，中微的主要競爭對手依然是美國的泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料和日本東京電子三家國際巨頭，但中微在國內(nèi)刻蝕設(shè)備市場中有突出市場競爭力，市場份額約為 15%-20%。圖表 6. 中微在國內(nèi)某存儲芯片制造產(chǎn)線的市占率資料來源：公司公告，中銀國際證券圖表 7. 中微在國內(nèi)某邏輯芯片制造產(chǎn)線的市占率資料來源：公司公告，中銀國際證券2016-2018 年，公司刻蝕設(shè)備在邏輯電路廠商的銷售金額累計約為 6.57 億元，占刻蝕設(shè)備總銷售額13.25億元的 50%。 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中7、同類設(shè)備的競爭力對比圖表

11、 8. 中微電容性等離子體刻蝕設(shè)備競爭力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Primo AD-RIE單位時間生產(chǎn)效率達(dá)到國際同類設(shè)備水平腔體維護(hù)時間達(dá)到國際同類設(shè)備水平顆粒污染率達(dá)到國際同類設(shè)備水平關(guān)鍵尺寸穩(wěn)定性達(dá)到國際同類設(shè)備水平資料來源：中微招股書、中銀國際證券圖表 9. 中微電感性等離子體刻蝕設(shè)備競爭力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Primo nanova關(guān)鍵尺寸均勻性達(dá)到國際同類設(shè)備水平關(guān)鍵尺寸穩(wěn)定性達(dá)到國際同類設(shè)備水平結(jié)構(gòu)邊緣的粗糙度達(dá)到國際同類設(shè)備水平結(jié)構(gòu)形貌變形達(dá)到國際同類設(shè)備水平結(jié)構(gòu)的邊角侵蝕達(dá)到國際同類設(shè)備水平雜質(zhì)微粒達(dá)到國際同類設(shè)備水平機(jī)臺占地面積達(dá)到國際同類設(shè)備水平資料來源：中微招股書、中銀國際證券圖

12、表 10. 中微深硅刻蝕設(shè)備（TSV 系列）競爭力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Primo TSV設(shè)備平臺最大裝載能力優(yōu)于國際同類設(shè)備200 毫米/200 毫米晶圓通用機(jī)臺支持 200 毫米和 300 毫米切換，國際同類設(shè)備一般不可產(chǎn)出率雙反應(yīng)臺的 TSV 優(yōu)于單反應(yīng)臺的產(chǎn)出率機(jī)臺占地面積優(yōu)于國際同類設(shè)備兼容硅和氧化硅刻蝕達(dá)到國際同類設(shè)備水平兼容硅和玻璃襯底達(dá)到國際同類設(shè)備水平資料來源：中微招股書、中銀國際證券圖表 11. 中微 MOCVD 設(shè)備競爭力關(guān)鍵性能參數(shù)公司 Prismo A7產(chǎn)能（片/爐次）達(dá)到國際同類設(shè)備水平MO 源區(qū)輸入優(yōu)于國際同類設(shè)備控溫方式達(dá)到國際同類設(shè)備水平波長均勻性達(dá)到國際同類設(shè)備

13、水平厚度均勻性達(dá)到國際同類設(shè)備水平資料來源：中微招股書、中銀國際證券 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中8、刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備制造的發(fā)展戰(zhàn)略及發(fā)展方向公司刻蝕設(shè)備的主要發(fā)展方向包括：用于 7 納米以下邏輯電路刻蝕的 CCP 和 ICP 刻蝕設(shè)備、用于 128層及以上的 3D NAND 存儲器刻蝕的 CCP 刻蝕設(shè)備、用于高端 MEMS 生產(chǎn)的 TSV 刻蝕設(shè)備等。公司 MOCVD 設(shè)備的主要發(fā)展方向包括：高溫 MOCVD 設(shè)備、大尺寸 MOCVD 設(shè)備、基于 Mini LED 和Micro LED 應(yīng)用的氮化鎵 MOCVD 設(shè)備、基于氮化鎵功率半導(dǎo)體應(yīng)用的 MOC

14、VD 設(shè)備等。 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中9、MOCVD 設(shè)備的分類，以及中微市場地位目前 MOCVD 設(shè)備主要用于氮化鎵基及砷化鎵基半導(dǎo)體材料外延生長，其中氮化鎵基 LED MOCVD 主要用于生產(chǎn)氮化鎵基 LED 的外延片。根據(jù) LEDinside 數(shù)據(jù)顯示，2018 年全年氮化鎵基 MOCVD 的新增數(shù)量為 215 臺，砷化鎵基 MOCVD 的新增數(shù)量為 65 臺，氮化鎵基 MOCVD 設(shè)備約占全部 MOCVD 市場份額的 77%。圖表 12. 2018 年 MOCVD 市場總需求及結(jié)構(gòu)資料來源：公司公告，中銀國際證券根據(jù) HIS Markit 的統(tǒng)計，20

15、18 年中微公司的 MOCVD 占據(jù)全球氮化鎵基 LED 用 MOCVD 新增市場的 41%；尤其在 2018 年下半年，中微公司的 MOCVD 占據(jù)全球新增氮化鎵基 LED MOCVD 設(shè)備市場的 60%以上。2018 年公司在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設(shè)備市場占據(jù)領(lǐng)先地位。圖表 13. GaN 基 LED MOCVD 的行業(yè)競爭格局（2017-2018）資料來源：HIS Markit，公司公告，中銀國際證券 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中10、PRISMO A7 與 PRISMO D-BLUE 的比較Prismo A7 設(shè)備可配臵四個 28 英寸的反應(yīng)腔，

16、同時加工 136 片 4 英寸晶片或 56 片 6 英寸晶片，工藝能力還能延展到生長 8 英寸外延晶片。每個反應(yīng)腔都可獨(dú)立控制，雙區(qū)噴淋頭可實現(xiàn)更好的厚度和組分均勻性。該設(shè)備每個反應(yīng)腔的產(chǎn)量是 Prismo D-Blue 的 2 倍以上，已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。11、中微 MOCVD 研發(fā)項目圖表 14. 中微 MOCVD 研發(fā)項目進(jìn)度序號名稱擬達(dá)到主要目標(biāo)階段及進(jìn)展情況應(yīng)用與行業(yè)技術(shù)水平比較高溫 MOCVD 設(shè)備 開發(fā)適用于UVC LED 生長的高溫MOCVD 設(shè)備，可承載18 片2寸外延片開發(fā)階段UVC LED、紫外殺菌、工業(yè)水凈化等國際先進(jìn)水平國產(chǎn)化加熱

17、系統(tǒng)在MOCVD設(shè)備上的推廣應(yīng)用電源可根據(jù)加熱器電壓等級及功率要求任意組合，可實現(xiàn)主從控制，與加熱器的負(fù)載特性相匹配開發(fā)階段藍(lán)綠光 LED、通用照明等國際先進(jìn)水平英寸，30 英寸大尺寸（更大 開發(fā)更大尺寸MOCVD 設(shè)尺寸）MOCVD 設(shè)備 備：托盤尺寸達(dá)30可承載41 片4 英寸外延片或18 片6 寸外延片研究階段藍(lán)綠光LED、通用照明、Mini LED 等國際先進(jìn)水平新型高產(chǎn)能MOCVD設(shè)備技術(shù)改進(jìn)改進(jìn)現(xiàn)有MOCVD 設(shè)備性能，提高設(shè)備穩(wěn)定性研究階段藍(lán)綠光 LED外延片生產(chǎn)國際先進(jìn)水平 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中資料來源：公司公告，中銀國際證券 HYPERLI

18、NK / 2019 年 5 月 12 日中12、中微核心產(chǎn)品的交貨、驗證周期，以及收款模式中微公司向集成電路制造企業(yè)客戶銷售的刻蝕設(shè)備從安裝調(diào)試及試運(yùn)行到驗收通過的平均期間大約為 2 個月，向 LED 制造企業(yè)銷售的 MOCVD 設(shè)備從安裝調(diào)試及試運(yùn)行到驗收通過的平均期間大約為5.6 個月。圖表 15. 中微核心產(chǎn)品的交付周期產(chǎn)品平均交付時間平均驗收通過確認(rèn)收入時間刻蝕設(shè)備約3.7個月約2個月MOCVD設(shè)備約5個月約5.6個月資料來源：公司公告，中銀國際證券對于刻蝕設(shè)備，一般不收取預(yù)收款，典型的付款結(jié)算模式主要分為兩個節(jié)點：設(shè)備交付后 30-45 日，收取 85-90%到貨款；簽署驗收報告后

19、30-60 日，收取剩余尾款。其中對于MOCVD 設(shè)備，一般按節(jié)點付款，典型的付款結(jié)算模式主要分為三個節(jié)點：合同簽訂后 5-15 日，收取 20-30%預(yù)收款；設(shè)備交付后 30-45 日，收取 60-70%到貨款；簽署驗收報告后 30-60 日，收取剩余尾款。 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中13、主營業(yè)務(wù)收入呈現(xiàn)季節(jié)性特征201820172016金額（億元）占比(%)金額（億元）占比(%)金額（億元）占比(%)Q10.603.70.646.60.396.4Q24.0524.70.484.91.6026.2Q35.1031.13.2032.91.4023.0Q46.63

20、40.55.4055.62.7144.4合計16.391009.721006.10100大部分設(shè)備集中于下半年驗收，導(dǎo)致三、四季度收入占比較高。圖表 16. 中微按季度的收入分布（2016-2018）資料來源：公司公告，中銀國際證券圖表 17. 中微各產(chǎn)品第四季度收入占比（2016-2018）項目子項目2018年第四季度2017年第四季度2016年第四季度收入（億元）當(dāng)年收入占比(%)收入（億元當(dāng)年收入占比(%)收入（億元）當(dāng)年收入占比(%)刻蝕設(shè)備3.5262.21.9166.22.2347.3MOCVD2.1225.53.0357.00.1061.5其他設(shè)備0.07100備品備件0.9341.40.3827.80.3732.2設(shè)備維護(hù)0.0641.20.0222.50.0119.7合計6.6340.55.4055.62.7144.4資料來源：公司公告，中銀國際證券 HYPERLINK / 2019 年 5 月 12 日中14、VOC 設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域VOC 設(shè)備主要應(yīng)用于平板顯示生產(chǎn)線等工業(yè)