光刻膠圖像轉(zhuǎn)移媒介關(guān)注進(jìn)口替代進(jìn)程

1、目錄索引 HYPERLINK l _TOC_250012 一、光刻膠：利用化學(xué)反應(yīng)轉(zhuǎn)移圖像的媒體 7 HYPERLINK l _TOC_250011 （一）圖像轉(zhuǎn)移的媒介，摩爾定律核心驅(qū)動力 7 HYPERLINK l _TOC_250010 （二）原材料合成難度大，光刻膠下游應(yīng)用廣泛 11 HYPERLINK l _TOC_250009 （三）光刻膠技術(shù)參數(shù)及發(fā)展難點 12 HYPERLINK l _TOC_250008 二、光刻膠技術(shù)壁壘高、市場增速快，進(jìn)口替代有望加速 14 HYPERLINK l _TOC_250007 （一）半導(dǎo)體光刻膠市場：技術(shù)壁壘高，進(jìn)口替代空間大 15 HYPE

2、RLINK l _TOC_250006 （二）面板光刻膠市場：受益國內(nèi)面板廠商擴(kuò)容，部分彩色光刻膠實現(xiàn)進(jìn)口替代 21 HYPERLINK l _TOC_250005 （三）PCB 光刻膠：PCB 產(chǎn)能東移趨勢顯著，國產(chǎn)化率高 25 HYPERLINK l _TOC_250004 三、日本巨頭壟斷高端品種，低端市場進(jìn)口替代率先打開缺口 31 HYPERLINK l _TOC_250003 （一）海外巨頭壟斷半導(dǎo)體及面板光刻膠，PCB 光刻膠實現(xiàn)國產(chǎn)替代 31 HYPERLINK l _TOC_250002 （二）光刻膠相關(guān)A 股公司 33 HYPERLINK l _TOC_250001 （三）光

3、刻膠相關(guān)非上市公司 48 HYPERLINK l _TOC_250000 四、風(fēng)險提示 52圖表索引圖 1：光刻膠應(yīng)用原理 7圖 2：集成電路光刻膠產(chǎn)品技術(shù)路線演化 9圖 3：正性負(fù)性光刻膠作用原理 9圖 4：集成電路光刻和刻蝕工藝流程 10圖 5：光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈 11圖 6：2010-2022 年全球光刻膠市場規(guī)模 14圖 7：2017 年全球光刻膠市場結(jié)構(gòu) 14圖 8：2011-2019 年中國光刻膠市場規(guī)模 15圖 9：2017 年中國本土企業(yè)光刻膠生產(chǎn)結(jié)構(gòu) 15圖 10：全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模 16圖 11：全球半導(dǎo)體用光刻膠銷售量（立方米） 16圖 12：全球半導(dǎo)體用光刻膠銷售額（億

4、美元） 16圖 13：邏輯芯片拋光次數(shù)隨制程上升增長（次） 18圖 14：7nm 以下晶圓市場規(guī)?？焖偕仙▋|美元） 18圖 15：全球主要邏輯/晶圓代工廠制程路線圖 18圖 16：3DNAND 比 2DNAND 堆疊層數(shù)更多 19圖 17：2015-2025E3DNAND 市場持續(xù)擴(kuò)張（億美元） 19圖 18：3D-NAND 堆疊主要廠商推進(jìn)情況 19圖 19：2018 年全球半導(dǎo)體光刻膠競爭格局 20圖 20：2018 年全球 g 線/i 線光刻膠競爭格局 21圖 21：2018 年全球 Krf 光刻膠競爭格局 21圖 22：2018 年全球 Arf 線光刻膠競爭格局 21圖 23：201

5、6-2022 年全球面板用光刻膠銷售量 22圖 24：2016-2022 年全球面板用光刻膠銷售額（億美元） 22圖 25：全球新型顯示面板需求面積含預(yù)測（萬平方米） 23圖 26：2018 年彩色光刻膠的應(yīng)用領(lǐng)域占比 24圖 27：2018 年黑色光刻膠的應(yīng)用領(lǐng)域占比 24圖 28：2018 年全球 TFT 面板用光刻膠競爭格局 25圖 29：2018 年全球 LCD/TP 襯墊料光刻膠競爭格局 25圖 30：2018 年全球彩色光刻膠競爭格局 25圖 31：2018 年全球黑色光刻膠競爭格局 25圖 32：2016-2022 年全球阻焊油墨銷售量（萬噸） 26圖 33：2016-2022

6、年全球阻焊油墨銷售金額（億元） 26圖 34：全球不同地區(qū)PCB 產(chǎn)值變化 27圖 35：我國PCB 產(chǎn)值變化 27圖 36：2019-2022 年全球PCB 電路板行業(yè)產(chǎn)值預(yù)測（億美元） 27圖 37：2018-2023 各個國家和地區(qū)的產(chǎn)值復(fù)合增長速度 28圖 38：2018 年全球干膜光刻膠銷售占比 28圖 39：2018 年全球阻焊油墨銷售占比 28圖 40：2018 年全球干膜光刻膠競爭格局 29圖 41：2018 年全球阻焊油墨競爭格局 29圖 42：2014-2020H1 晶瑞股份營業(yè)收入及增速 34圖 43：2014-2020H1 晶瑞股份歸母凈利潤及增速 34圖 44：201

7、4-2020H1 晶瑞股份主營產(chǎn)品毛利率 34圖 45：2020H1 晶瑞股份主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 34圖 46：2014-2020H1 南大光電營業(yè)收入及增速 35圖 47：2014-2020H1 南大光電歸母凈利潤及增速 35圖 48：2014-2020H1 南大光電主營產(chǎn)品毛利率 36圖 49：2019 年南大光電主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 36圖 50：南大光電光刻膠業(yè)務(wù)營業(yè)收入預(yù)測（萬元） 37圖 51：2014-2020H1 上海新陽營業(yè)收入及增速 37圖 52：2014-2020H1 上海新陽歸母凈利潤及增速 37圖 53：2014-2020H1 上海新陽主營產(chǎn)品毛利率 38圖 54：2020

8、H1 上海新陽主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 38圖 55：上海新陽光刻膠業(yè)務(wù)營業(yè)收入預(yù)測（萬元） 38圖 56：2014-2020H1 雅克科技營業(yè)收入及增速 39圖 57：2014-2020H1 雅克科技?xì)w母凈利潤及增速 39圖 58：2014-2020H1 雅克科技主營產(chǎn)品毛利率 40圖 59：2020H1 雅克科技主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 40圖 60：LG 化學(xué)彩色光刻膠業(yè)務(wù)營業(yè)收入及增速 40圖 61：LG 化學(xué)彩色光刻膠業(yè)務(wù)息稅前利潤及增速 40圖 62：2014-2020H1 飛凱材料營業(yè)收入及增速 41圖 63：2014-2020H1 飛凱材料歸母凈利潤及增速 41圖 64：2014-2020H1

9、 飛凱材料主營產(chǎn)品毛利率 42圖 65：2020H1 飛凱材料主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 42圖 66：2014-2020H1 容大感光營業(yè)收入及增速 43圖 67：2014-2020H1 容大感光歸母凈利潤及增速 43圖 68：2014-2020H1 容大感光主營產(chǎn)品毛利率 43圖 69：2019 年容大感光主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 43圖 70：容大感光光刻膠業(yè)務(wù)營業(yè)收入及毛利率 44圖 71：容大感光光刻膠產(chǎn)能、產(chǎn)量及產(chǎn)能利用率 44圖 72：2014-2020H1 強力新材營業(yè)收入及增速 44圖 73：2014-2020H1 強力新材歸母凈利潤及增速 44圖 74：2014-2020H1 強力新材主營產(chǎn)

10、品毛利率 45圖 75：2020H1 強力新材主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 45圖 76：2014-2020H1 永太科技營業(yè)收入及增速 46圖 77：2014-2020H1 永太科技?xì)w母凈利潤及增速 46圖 78：2014-2020H1 永太科技主營產(chǎn)品毛利率 46圖 79：2020H1 永太科技主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 46圖 80：2014-2019 年東方材料營業(yè)收入及增速 47圖 81：2014-2020H1 東方材料歸母凈利潤及增速 47圖 82：2014-2020H1 東方材料主營產(chǎn)品毛利率 48圖 83：2020H1 東方材料主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成 48圖 84：2016-2018 北京科華營業(yè)收入及增

11、速 49圖 85：2016-2018 北京科華歸母凈利潤及增速 49表 1：半導(dǎo)體光刻膠體系構(gòu)成 8表 2：根據(jù)感官樹脂的光刻膠分類 9表 3：根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的光刻膠分類 10表 4：光刻十部法工藝過程 11表 5：成膜樹脂的種類及應(yīng)用評價 12表 6：光刻膠性能的主要參數(shù) 13表 7：半導(dǎo)體用光刻膠應(yīng)用制程及組分 15表 8：12 寸晶圓廠建設(shè)情況 17表 9：3DNANDFlash 堆疊層數(shù)演變 20表 10：面板用光刻膠組分 22表 11：近三年全球投產(chǎn)或在建的 AMOLED 產(chǎn)線分布 24表 12：阻焊油墨構(gòu)成組分 26表 13：光刻膠產(chǎn)品、市場及國產(chǎn)化進(jìn)程匯總 30表 14：全球生產(chǎn)半

12、導(dǎo)體光刻膠廠商梳理 31表 15：全球生產(chǎn)面板光刻膠廠商梳理 32表 16：全球PCB 光刻膠主要生產(chǎn)企業(yè) 33表 17：晶瑞股份光刻膠項目 35表 18：南大光電光刻膠項目 37表 19：上海新陽光刻膠項目 39表 20：2019-2020H1 江蘇科特美財務(wù)數(shù)據(jù)（萬元） 41表 21：飛凱材料光刻膠項相關(guān)項目 42表 22：2019 年強力新材光刻膠相關(guān)項目 45表 23：永太科技光刻膠相關(guān)項目 46表 24：永太科技與華星光電合作項目 47表 25：2019 年恒坤股份前五大客戶營業(yè)收入及占比（元） 48表 26：北旭電子光刻膠相關(guān)項目 50表 27：理碩科技光刻膠相關(guān)項目 50表 28

13、：博硯電子光刻膠相關(guān)項目 51一、光刻膠：利用化學(xué)反應(yīng)轉(zhuǎn)移圖像的媒體（一）圖像轉(zhuǎn)移的媒介，摩爾定律核心驅(qū)動力光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移媒介。作用原理是利用紫外光、準(zhǔn)分子激光、電子束、離子束、X射線等光源的照射或輻射光刻膠,使其溶解度發(fā)生變化，最終得以在晶圓上刻蝕出需的圖形。光刻膠主要用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件的微細(xì)加工，同時在平板顯示、LED、PCB印刷線路板等制作過程中也有著廣泛的應(yīng)用。圖1：光刻膠應(yīng)用原理數(shù)據(jù)來源：廣發(fā)證券發(fā)展研究中心光刻膠又稱光致抗蝕劑，由主要成分和溶劑構(gòu)成，當(dāng)前光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA

14、），占光刻膠含量約為80%90%。光刻膠的主要成分包括樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑四類，其中樹脂含量約占主要成分的50%60%，單體含量約占35%45%。樹脂：光刻膠的主要原料，具備光敏性和能力敏感的特殊聚合物，一般是由碳、氫和氧組成的大分子。經(jīng)光照后在曝光區(qū)能很快地發(fā)生固化反應(yīng)，溶解性、親和性等發(fā)生明顯變化，用適當(dāng)?shù)娜軇┨幚砭涂梢缘玫綀D像。溶劑：光刻膠中含量最大的成分，能夠使光刻膠的各組成部分溶解在一起，同時也是后續(xù)光刻化學(xué)反應(yīng)的介質(zhì)。單體：又稱為活性稀釋劑，對光引發(fā)的光化學(xué)反應(yīng)有調(diào)節(jié)作用。光引發(fā)劑：又稱為光敏劑或光固化劑，是一類能從光中吸收一定波長的能量、經(jīng)光化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生具有引發(fā)聚合能力

15、的活性中間體的分子。該類化學(xué)反應(yīng)的產(chǎn)物能與光刻膠中別的物質(zhì)進(jìn)一步反應(yīng)，幫助完成光刻過程。其他添加劑：控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)物質(zhì)，比如顏料等。自20世紀(jì)50年代開始到現(xiàn)在，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜（300450nm），G線 (436nm)，線（365nm），深紫外（Deep Ultra violet，DUV，248nm和193nm），以及下一代光刻技術(shù)中最引人注目的極紫外（Extreme Ultra violet，EUV,13.5nm）光刻，電子束光刻等6個階段，對應(yīng)于各曝光波長的光刻膠組分（樹脂、光引發(fā)劑和添加劑等）也隨著光刻技術(shù)的發(fā)展而變化。表1：半導(dǎo)體光刻膠體系構(gòu)成光刻膠體系成膜樹脂

16、感光劑光刻波長技術(shù)節(jié)點及用途聚乙烯醇肉桂酸酯系負(fù)性光刻膠聚乙烯醇肉桂酸酯成膜樹脂自身紫外全譜(300-450nm)3m 以上集成電路和半導(dǎo)體器件環(huán)化橡膠一雙疊氮負(fù)膠環(huán)化橡膠芳香族雙疊氮化合物紫外全譜(300-450nm)2m 以上集成電路和半導(dǎo)體器件酚醛樹脂-重氮萘醌正膠酚醛樹脂重氮萘醌化合物G 線(436nm)I 線(365nm)0.5m 以上集成電路0.35m-0.5m 集成電路248nm 光刻膠聚對羥基苯乙烯及其衍生物光致產(chǎn)酸劑KrF(248nm)0.25m-0.13m 集成電路193nm 光刻膠聚脂環(huán)族丙烯酸酯及其共聚物光致產(chǎn)酸劑ArF(193nm 干法)ArF(193nm 浸沒法)1

17、30-65nm 集成電路45nm,32nm 集成電路EUV 光刻膠聚酯衍生物分子玻璃單組分材科光致產(chǎn)酸劑EUV(13.5nm)32nm，22nm 及以下集成電路電子束光刻膠體系甲基丙烯酸酯及其共聚物光致產(chǎn)酸劑電子束掩膜板制備納米壓印紫外光刻膠體系丙烯酸酯類:環(huán)氧樹脂:乙烯基醚陽離子光引發(fā)劑紫外光電子學(xué)、生物學(xué)、光學(xué)等領(lǐng)城數(shù)據(jù)來源：CNKI（光刻材料的發(fā)展及應(yīng)用_龐玉蓮），富士經(jīng)濟(jì)廣發(fā)證券發(fā)展研究中心光刻膠的發(fā)展是摩爾定律運行的核心驅(qū)動力，193nm光刻技術(shù)是當(dāng)前主流光刻工藝。半導(dǎo)體工業(yè)集成電路的尺寸越來越小，集成度越來越高，并能夠按照摩爾定律向前發(fā)展，其內(nèi)在驅(qū)動力就是光刻技術(shù)的不斷深入發(fā)展。當(dāng)

18、前，較先進(jìn)的光刻技術(shù)是193nm浸沒式光刻，配合雙重曝光技術(shù)可以達(dá)到32nm節(jié)點，采用四重曝光技術(shù)可以達(dá)到14nm節(jié)點，缺點在于增加光刻的難度和步驟，增加成本，降低了生產(chǎn)能力。利用13.5nm的極紫外光（EUV）光刻技術(shù)，可以達(dá)到22nm節(jié)點，甚至可以達(dá)到小于10nm的技術(shù)節(jié)點，是下一代光刻技術(shù)的研究重點。由于EUV光刻技術(shù)中使用的光源、光刻膠、掩膜及光刻環(huán)境均與現(xiàn)有的光刻體系有很大差別，限制了EUV光刻技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，一定時間內(nèi)193nm技術(shù)仍將會成為市場主流。圖2：集成電路光刻膠產(chǎn)品技術(shù)路線演化數(shù)據(jù)來源：CNKI（光刻膠的應(yīng)用及發(fā)展_鄭金紅），廣發(fā)證券發(fā)展研究中心根據(jù)反應(yīng)機理和顯影原理，

19、可以將光刻膠分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正性光刻膠形成的圖形與掩膜版（光罩）相同，負(fù)性光刻膠顯影時形成的圖形與掩膜版相反。根據(jù)感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)，光刻膠可分為光聚合型，光分解型和光交聯(lián)型。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域，光刻膠可以分為PCB光刻膠、面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠。圖3：正性負(fù)性光刻膠作用原理數(shù)據(jù)來源：容大感光招股說明書，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心表2：根據(jù)感官樹脂的光刻膠分類類型材料原理特點光聚合型烯類單體光作用下生成自由基,自由基進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,生成聚合物形成正像光分解型疊氮醌類優(yōu)合物光照后發(fā)生分解反應(yīng),由油溶性變?yōu)樗苄钥芍瞥烧z光交聯(lián)型聚乙烯醇月桂酸酯光作用下分子中的雙鍵被打開,鏈與鏈之間發(fā)生交聯(lián)

20、,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)起到抗蝕作用負(fù)性光刻膠數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心表3：根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域的光刻膠分類主要類型主要具體品種PCB 光刻膠干膜光刻膠、濕膜光刻膠、光成像陽焊油墨面板光刻股彩色光刻膠及黑色光刻膠、LCD 村墊料光刻膠、TFT 配線用光刻膠等半導(dǎo)體光刻膠G 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF 光刻膠、ArF 光刻膠、聚酰亞胺光刻膠,掩模板光刻膠等數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，晶瑞股份招股說明書，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能的關(guān)鍵因素。光刻和刻蝕技術(shù)是精細(xì)線路圖形加工中最重要的工藝，決定著芯片的最小特征尺寸。根據(jù)晶瑞股份招股書披露，光刻工藝的成本約為整個芯

21、片制造工藝的30%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%，因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的核心材料。光刻膠經(jīng)預(yù)烘、涂膠、前烘對準(zhǔn)、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上，形成與掩膜版對應(yīng)的幾何圖形。圖4：集成電路光刻和刻蝕工藝流程數(shù)據(jù)來源：晶瑞股份招股說明書，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心表4：光刻十部法工藝過程工藝步驟目的表面準(zhǔn)備清洗并甩干晶圓表面涂膠用旋涂法在表面涂覆一層薄的光刻膠軟烘焙通過加熱使光刻膠溶劑部分蒸發(fā)對準(zhǔn)和曝光掩膜版與晶圓的精確對準(zhǔn)，并使光刻膠曝光顯影去除非聚合的光刻膠硬烘焙對溶劑的繼續(xù)蒸發(fā)顯影檢查檢查表面的對準(zhǔn)和缺陷刻蝕將晶圓頂層通過光刻膠的開口部分去除剝

22、離將晶圓上的光刻膠去除最終檢查對于刻蝕的不規(guī)則和其他問題進(jìn)行表面檢查數(shù)據(jù)來源：芯片制造_PeterVanZant/韓鄭生，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心（二）原材料合成難度大，光刻膠下游應(yīng)用廣泛成膜樹脂是合成光刻膠的重要原材料，技術(shù)壁壘高。在光刻膠主要幾種原材料中，成膜樹脂的合成難度最高，如何保證高分子樹脂每次制造出來的分子量分布和性能都相差無幾，是核心難題。隨著光刻工藝的曝光波長從紫外g線的436nm、i線的365nm、縮短到KrF準(zhǔn)分子激光的248nm、再到ArF準(zhǔn)分子激光的193nm，相應(yīng)光刻膠所需的主體成膜樹脂也從環(huán)化橡膠類、聚乙烯醇肉桂酸酯類發(fā)展到線性酚醛樹脂類，再發(fā)展到聚對羥基苯乙烯類、聚脂

23、環(huán)族丙烯酸酯類和聚甲基丙烯酸酯類。圖5：光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)據(jù)來源：晶瑞股份招股說明書，富士經(jīng)濟(jì)，公司財報，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心表5：成膜樹脂的種類及應(yīng)用評價波長成膜樹脂優(yōu)點不足與基材的表面（如硅的表面）粘附性差，涂覆效果不好，聚乙烯光刻膠感光靈敏度高，形成光刻膠膜不均勻，而且在顯影時線條間距太小，表面肉桂酸樹脂貯存和使用期限長張力過大，顯影時膠膜溶脹，因此只能用于小規(guī)模集成電路和分立器件的加工紫外光刻膠（300450 nm）環(huán)化橡膠成膜樹脂光刻膠與硅片具有良好的粘附性、優(yōu)異的抗酸抗堿性、較強的抗?jié)穹ㄎg刻能力，是一種人工合成橡膠光刻膠的感光劑重氮萘醌曝光后失去氮產(chǎn)生硝酸，引起一 系列副反應(yīng)，在顯影液

24、中不溶，易發(fā)生膨脹造成周邊毛刺，從而使其分辨率受到限制，該類膠主要用于中小規(guī)模集成電路和分辨率要求不高的電路加工制作玻璃化溫度較低，耐熱性不足。光刻中烘時增大了催化劑質(zhì)子的遷移，無法滿足更高分辨率的電路器件，并且目前G 線、I 線紫外正性光刻膠常用的成膜材料，大多數(shù)微電子加工工藝中要求的光刻膠耐熱溫度在線性酚醛樹脂此類光刻膠透光性好，與基材的粘附性好，200 甚至更高，線性酚醛樹脂類光刻膠在高于 120 就抗干法、濕法腐蝕性強會出現(xiàn)光刻圖形變形，對光有著強烈的吸收，對曝光光源沒有良好的透過性，造成光敏劑在光分解后透明度降低，無法在大規(guī)模集成電路中應(yīng)用其主鏈為線型結(jié)構(gòu)、分子鏈斷裂需要很高的能量、

25、曝光靈聚甲基丙烯酸酯類最早作為 248 nm 光刻膠的成膜樹脂材料敏度低，此外，分子結(jié)構(gòu)中不含苯環(huán)，在等離子作用下很容易斷裂，抗干法腐蝕性很差，從而限制了它在 248 nm深紫外光刻膠光刻膠體系中的使用（248 nm）聚對羥基苯乙烯可作為 248 nm 體系的首選樹脂材料必須是純度很高的對羥基苯乙烯，否則會造成聚對羥基苯乙烯在 248 nm 對光過度吸收，影響光透明性N-取代具有較高的 Tg、透明性、低吸水性和良好馬來酰亞胺的熱穩(wěn)定性聚甲基丙烯酸酯未引入脂環(huán)基團(tuán)時，該體系光刻膠抗干法腐蝕性相對較差，引入后,又使得該類聚合物的疏水性太大，與基片的粘附性差；且蝕刻后，圖形表面粗糙度有所增大深紫外光

26、刻膠環(huán)烯烴-馬來酸酐共聚物采用標(biāo)準(zhǔn)的自由基聚合合成，聚合工藝簡單，不但可以提高抗蝕性，還可以提高玻璃化溫度于其酸酐結(jié)構(gòu)容易水解，因此必須控制膠中的水分以提高存放期（193 nm）乙烯醚采用自由基聚合，在乙烯醚和馬來酸酐之間骨架柔軟，成像能力和抗蝕刻性由丙烯酸酯承擔(dān)，在設(shè)計-馬來酸酐共聚物通過 C-型質(zhì)子受體復(fù)合形成上滿足光刻膠的要求降冰片烯加成聚合物體系有良好的抗蝕性，透明性單體共聚活性低，采用過渡金屬引發(fā)的陽離子聚合制得。后續(xù)工序需去除金屬雜質(zhì)，制備工藝復(fù)雜環(huán)化聚合物體系是由雙烯單體通過自由基聚合制備，有高的透明性粘附性不好，很難設(shè)計出滿足光刻膠要求的單體深紫外光刻膠具有更高的透過性，對簡單

27、的碳?xì)浠衔锶纾?57 nm）聚乙烯都有非常強的吸收數(shù)據(jù)來源：CNKI（光刻膠成膜樹脂的研究進(jìn)展，馮波等），富士經(jīng)濟(jì)，廣發(fā)證券研究中心（三）光刻膠技術(shù)參數(shù)及發(fā)展難點光刻膠的選擇是一個復(fù)雜的過程，主要的決定因素是晶圓表面對尺寸的要求，光刻膠首先必須具有產(chǎn)生所要求尺寸的能力。此外，在刻蝕過程中保持特定厚度的光刻膠層中不存在真空，與晶圓表面很好的粘結(jié)等。衡量光刻膠性能優(yōu)劣的主要參數(shù)為分辨率、對比度、感光速度、粘滯性/黏度、粘附性、抗蝕性、表面張力、存儲和傳送。表6：光刻膠性能的主要參數(shù)參數(shù)解釋分辨率區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,一-般用關(guān)鍵尺寸(CD,CriticalDimension)來衡量分辨

28、率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。對比度敏感度粘滯性/黏度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。光刻膠上產(chǎn)生一個良好的圖形所需一定波長光的最小能量值(或最小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或 mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。是衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會產(chǎn)生厚的光刻膠：越小的粘滯性,就有越均勻的光刻膠厚度。光刻膠的比重(SG,SpecifcGravity)是衡量光刻膠的密度的指標(biāo)。它與光刻膠中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠中

29、含有更多的固體，粘滯性更高，流動性更差。粘度的單位：泊(poise)，光刻膠一-般用厘泊 (cps,厘泊為 1%泊)來度量。百分泊即厘泊為絕對粘滯率：運動粘滯率定義為：運動粘滯率=絕對粘滯率/比重。單位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG粘附性抗蝕性表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻蝕、離子注入等)。光刻膠必須保持它的粘附性,在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。表面張力存儲和傳送液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋

30、。能量(光和熱)可以激活光刻膠。應(yīng)該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存儲溫度環(huán)境。一旦超.過存儲時間或較高的溫度范圍，負(fù)膠會發(fā)生交聯(lián)，正膠會發(fā)生感光延遲。數(shù)據(jù)來源：CNKI（光刻膠材料發(fā)展?fàn)顩r及下一代光刻技術(shù)對圖形化材料的挑戰(zhàn)，李冰等），廣發(fā)證券發(fā)展研究中心縱觀半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化進(jìn)程，光刻膠的國產(chǎn)化程度遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于靶材、電子特氣、濕電子化學(xué)品等材料。我們認(rèn)為主要原因在于光刻膠的發(fā)展存在以下幾大難點：光刻膠的驗證周期長，驗證成本高，客戶粘性大光刻膠的認(rèn)證過程通常包括匹配原有線上產(chǎn)品的參數(shù)、送樣檢驗、信息反饋與技術(shù)研討、樣本改進(jìn)、小批量試產(chǎn)、MSTR(中試)、大批量供應(yīng)

31、。光刻膠批量測試的過程需要占用晶圓廠機臺的產(chǎn)線時間，測試需要付出的成本極高。此外，光刻膠需要與光刻機、掩膜版及半導(dǎo)體制程中的許多工藝步驟配合，客戶極少愿意去主動改變光刻膠供應(yīng)商，光刻膠下游廠商的客戶粘性大。光刻膠的驗證周期長，通常面板光刻膠驗證周期為1-2年，半導(dǎo)體光刻膠驗證周期為2-3年。原材料成膜樹脂具有專利壁壘成膜樹脂的結(jié)構(gòu)設(shè)計是光刻膠的生產(chǎn)的另一難點，樹脂的合成難度高，并且對前后產(chǎn)品一致性的要求高。通常光刻膠廠商在合成一種樹脂后會申請相應(yīng)的專利，目前樹脂結(jié)構(gòu)上的專利主要被日本公司占據(jù)。光刻膠產(chǎn)品品類多，配方需要滿足差異化需求針對不同應(yīng)用需求，光刻膠的品類非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻

32、膠的配方來實現(xiàn)，滿足差異化的應(yīng)用需求是光刻膠廠商核心的技術(shù)。缺乏光刻機是光刻膠發(fā)展的瓶頸光刻膠研發(fā)出來需要通過對應(yīng)光刻機的驗證，缺乏對應(yīng)的光刻機，研制光刻膠就是紙上談兵。最新的EUV光刻機售價接近1億美金，193nm光刻機售價也上千萬美金，高昂的價格超出國內(nèi)廠商所能承受的底線。同時由于瓦森納協(xié)定，外國對出口中國光刻機有限制，進(jìn)一步增大了國內(nèi)光刻膠的研發(fā)難度。二、光刻膠技術(shù)壁壘高、市場增速快，進(jìn)口替代有望加速全球光刻膠市場空間廣闊。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，全球光刻膠市場的主要構(gòu)成包括PCB光刻膠、LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠，相應(yīng)的市場份額占比為25%、27%和24%。隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光

33、刻膠需求不斷釋放。2018年全球光刻膠市場規(guī)模約87億美元，2010年至今年均復(fù)合增長率（CAGR）約5.4%，預(yù)計未來3年仍以年均5%的速度增長，2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。圖6：2010-2022年全球光刻膠市場規(guī)模圖7：2017年全球光刻膠市場結(jié)構(gòu)25%25%24%27%1208%1007%6%805%604%403%2%201%00%數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：SEMI，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心中國光刻膠市場需求增速高于全球，低端PCB光刻膠生產(chǎn)比重高。根據(jù)雅克科技（2020年2月27日）公告數(shù)據(jù)，2018年國內(nèi)光刻膠市場規(guī)模約72.8億元，

34、2011-2018年均復(fù)合增長率（CAGR）達(dá)11.59%，遠(yuǎn)高于全球平均5%的增速。產(chǎn)品構(gòu)成方面，國內(nèi)市場主要以PCB用光刻膠為主，占比超過90%，LCD和半導(dǎo)體光刻膠供應(yīng)量占比較低。圖8：2011-2019年中國光刻膠市場規(guī)模圖9：2017年中國本土企業(yè)光刻膠生產(chǎn)結(jié)構(gòu)9025%807020%605015%4010%30205%1000% 中國光刻膠市場本土供應(yīng)量（億元，左軸）YOY(右軸）2%1%3%94%PCB光刻膠LCD光刻膠半導(dǎo)體光刻膠其他光刻膠數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心（一）半導(dǎo)體光刻膠市場：技術(shù)壁壘高，進(jìn)口替代空間

35、大根據(jù)加工芯片的制程的不同，半導(dǎo)體光刻膠分為g線/i線光刻膠、Krf光刻膠、Arf光刻膠（干法及濕法）和EUV光刻膠。各類光刻膠中雖然各組分含量存在差異，但樹脂含量一般在20%以下。總體來說，波長越短的光刻膠，其樹脂含量越低，溶劑含量越高。表7：半導(dǎo)體用光刻膠應(yīng)用制程及組分光刻膠類型應(yīng)用制程組分（質(zhì)量占比）g 線/i 線光刻膠0.35mKrF 光刻膠0.15-0.25m樹脂10-20%I酚醛樹脂溶劑80-90%PGMEA其他0.5-5%感光材料：DNQ、光致產(chǎn)酸劑樹脂7-10%PHS/HS-甲基丙烯酸酯共聚物溶劑90-93%PGMEA其他0.5-2%光致產(chǎn)酸劑、表面活性劑等樹脂4-5%側(cè)鏈具備

36、金剛烷或內(nèi)酯結(jié)構(gòu)的甲基丙烯酸樹脂ArF（干法及濕法）干法：65-130nm濕法：45-7nm溶劑95-96%PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯，亦簡稱 PMA）等其他 0.4-2%光致產(chǎn)酸劑、表面活性劑等；樹脂3-4%分子玻璃、金屬氧化物等不同體系EUV 光刻膠90 層5.5552020 年120 層7502021 年140 層845-50數(shù)據(jù)來源：江蘇省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告_于變康，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心日本企業(yè)占據(jù)半導(dǎo)體光刻膠市場，進(jìn)口替代空間大日本企業(yè)占據(jù)光刻膠主要市場。在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，日本廠商一家獨大，前五大生產(chǎn)企業(yè)包括JSR、日本東京應(yīng)化、住友化學(xué)、信越化學(xué)、美國杜邦等企業(yè)，其中日本

37、企業(yè)占據(jù)光刻膠約占70%市場份額。圖19：2018年全球半導(dǎo)體光刻膠競爭格局13%28%10%13%21%15%日本JSR株式會社日本東京應(yīng)化美國杜邦日本信越化學(xué)日本富士電子其他數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心高端品種壟斷格局顯著。細(xì)分產(chǎn)品來看，在g線/i線和Krf光刻膠領(lǐng)域，東京應(yīng)化占居龍頭地位，市場份額分別達(dá)到27.5%和32.7%。JSR在Arf光刻膠領(lǐng)域市占率最高，為25.6%，同時日本企業(yè)在Arf光刻膠上，占據(jù)約93%市場份額，呈現(xiàn)高度寡頭壟斷格局。圖20：2018年全球g線/i線光刻膠競爭格局圖21：2018年全球Krf光刻膠競爭格局9.2%2.1%27.5%16.2%5.

38、8%2.0% 2.5%14.18.3%9.5%32.7%15.515.5%17.8%21.3%東京應(yīng)化陶氏杜邦JSR住友化學(xué)東進(jìn)世美肯 富士膠片其他東京應(yīng)化信越化學(xué)JSR陶氏杜邦東進(jìn)世美肯 富士膠片住友化學(xué)其他數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心圖22：2018年全球Arf線光刻膠競爭格局3.5%3.6%7.0%25.6%24.0%19.2%17.3%JSR信越化學(xué)東京應(yīng)化住友化學(xué)富士膠片陶氏杜邦其他數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心（二）面板光刻膠市場：受益國內(nèi)面板廠商擴(kuò)容，部分彩色光刻膠實現(xiàn)進(jìn)口替代面板光刻膠主要包括TFT配線用光刻膠、LC

39、D/TP襯墊料光刻膠、彩色光刻膠及黑色光刻膠四大類別。其中TFT配線用光刻膠用于對ITO布線，LCD/TP沉淀料光刻膠用于使LCD兩個玻璃基板間的液晶材料厚度保持恒定。彩色光刻膠及黑色光刻膠可賦予彩色濾光片顯色功能。表10：面板用光刻膠組分光刻膠類型組分（質(zhì)量占比）樹脂5-20%酚醛樹脂TFT 配線用光刻膠溶劑80-95%PGMEA（丙二醇甲醚醋酸酯，亦簡稱 PMA）等其他少量DNQ 等樹脂5%-20%環(huán)氧樹脂，光敏聚酰亞胺樹脂，丙烯酸材料等LCD/TP 襯墊料光刻膠溶劑80%-95%溶劑其他90%晶瑞股份、北京科華、北旭電子、理碩科技實現(xiàn)量產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠KrF 光刻膠3.887651097.

40、5%9.00%北京科華、恒坤股份量產(chǎn)；晶瑞晶瑞下游驗證中Arf 光刻膠（干、濕）6.7439.20171898%南大光電下游驗證中；上海新陽、北京科華研發(fā)中EUV 光刻膠4.1422.503522100%-TFT 配線光刻膠面板LCD/TP 襯墊料3.2164050.1993%雅克科技、容大感光、晶瑞股份等國內(nèi)企業(yè)實現(xiàn)量產(chǎn)光刻膠光刻膠2.512.27%萬噸3.51 萬美元/噸90%晶瑞股份、國科天驥實現(xiàn)量產(chǎn)PCB彩色光刻膠8.772.29 萬噸3.83 萬美元/噸95%雅克科技、容大感光量產(chǎn)黑色光刻膠1.990.38 萬噸5.20 萬美元/噸97%博硯電子量產(chǎn)干膜光刻膠-95%蘇州瑞紅、北京科

41、華實現(xiàn)量產(chǎn)濕膜光刻膠-容大感光、飛凱材料實現(xiàn)量產(chǎn)光刻膠光成像阻焊油墨6.852.15%4.69 萬噸1.46 萬美元/噸64%廣信材料、容大感光、東方材料、北京力拓達(dá)實現(xiàn)量產(chǎn)丙烯酸酯單體21.202.32%32.89 萬噸0.64 萬美元/噸68.2%單體甲基丙烯酸酯10.404.36%13.36 萬噸0.78 萬美元/噸100%單體氨基甲酸酯丙烯酸酯18.201.83%9.10 萬噸2 萬美元/噸58.4%萬潤股份、強力新材、揚帆新材、樹脂其他添加劑環(huán)氧丙烯酸酯6.352.78%7.64 萬噸0.83 萬美元/噸50%聚酯丙烯酸酯1.161.67%2.52 萬噸0.46 萬美元/噸-脂環(huán)族環(huán)

42、氧0.568.45%0.77 萬噸0.72 萬美元/噸60%樹脂抗蝕劑聚合物2.784.67%0.67 萬噸4.16 萬美元/噸-光引發(fā)劑8.82.38%3.89 萬噸2.26 萬美元/噸58.3%光酸發(fā)生劑0.927.36%43.40 噸212 萬美元/噸100%久日新材生產(chǎn)部分光刻膠專用化學(xué)品數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，各公司財報，公司官網(wǎng)，環(huán)評報告，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心三、日本巨頭壟斷高端品種，低端市場進(jìn)口替代率先打開缺口（一）海外巨頭壟斷半導(dǎo)體及面板光刻膠，PCB 光刻膠實現(xiàn)國產(chǎn)替代全球半導(dǎo)體光刻膠市場基本被國外巨頭所壟斷。光刻膠屬于高技術(shù)壁壘材料，生產(chǎn)工藝復(fù)雜，純度要求高，需要長期的技術(shù)積累

43、。日本合成橡膠(JSR)與比利時微電子研究中心(IMEC)的合資企業(yè)以及東京應(yīng)化已經(jīng)有能力供應(yīng)面向10nm以下半導(dǎo)體制程的EUV極紫外光刻膠。而主要面向45nm以下制程工藝的浸沒法ArF光刻膠在國際上已經(jīng)成主流，為主要市場參與者所掌握。在技術(shù)積累，產(chǎn)能建設(shè)，品牌形象等多個領(lǐng)域，目前中國廠商與國際競爭對手目前均有較大差距。表14：全球生產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠廠商梳理公司名稱國家/地區(qū)I/G 線KrF干法 ArF浸沒式 ArFEUVJSR 株式會社日本量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)東京應(yīng)化日本量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)信越化學(xué)日本量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)富士電子日本量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)住友化學(xué)日本量產(chǎn)（I 線）量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)杜邦美

44、國量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)在建產(chǎn)能默克德國量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)東進(jìn)世美肯韓國量產(chǎn)量產(chǎn)Kumho Petrochemical三星 SDI永光化學(xué)韓國韓國中國臺灣量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)晶瑞股份中國大陸量產(chǎn)（I 線）驗證南大光電中國大陸驗證上海新陽中國大陸研發(fā)研發(fā)研發(fā)容大感光中國大陸研發(fā)北京科華中國大陸量產(chǎn)量產(chǎn)研發(fā)研發(fā)北旭電子中國大陸量產(chǎn)恒坤股份中國大陸量產(chǎn)理碩科技中國大陸量產(chǎn)數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，各公司財報，公司官網(wǎng)，環(huán)評報告，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心LCD光刻膠的全球供應(yīng)集中在日本、韓國、中國臺灣等地區(qū)，海外企業(yè)市占率超過90%。彩色濾光片所需的高分子顏料和顏料分散技術(shù)主要集中在Ciba等日本顏料廠商手中，

45、因此彩色光刻膠和黑色光刻膠的核心技術(shù)基本被日本和韓國企業(yè)壟斷。表15：全球生產(chǎn)面板光刻膠廠商梳理公司名稱國家/地區(qū)TFT 配線光刻膠彩色光刻膠黑色光刻膠LCD 襯墊光刻膠默克德國量產(chǎn)東京應(yīng)化日本量產(chǎn)量產(chǎn)東進(jìn)世美肯日本量產(chǎn)杜邦美國量產(chǎn)JSR 株式會社日本量產(chǎn)量產(chǎn)住友化學(xué)日本量產(chǎn)量產(chǎn)DNP 精細(xì)化工TOYO日本量產(chǎn)量產(chǎn)東洋油墨日本量產(chǎn)三菱化學(xué)日本量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)新應(yīng)材中國臺灣量產(chǎn)量產(chǎn)奇美化工中國臺灣量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)達(dá)興材料中國臺灣量產(chǎn)量產(chǎn)LG 化學(xué)韓國量產(chǎn)三星 SDI韓國量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)薩米亞奧普蒂斯韓國量產(chǎn)新日鐵住金日本量產(chǎn)艾迪科日本量產(chǎn)大版有機化學(xué)日本量產(chǎn)雅克科技中國大陸量產(chǎn)量產(chǎn)飛凱材料中國大陸驗證永太科

46、技中國大陸驗證容大感光中國大陸量產(chǎn)量產(chǎn)晶瑞股份中國大陸量產(chǎn)量產(chǎn)博硯電子中國大陸量產(chǎn)北旭電子中國大陸量產(chǎn)中電彩虹中國大陸量產(chǎn)北京欣奕華中國大陸量產(chǎn)國科天驥中國大陸量產(chǎn)山東康泓化學(xué)中國大陸量產(chǎn)數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，各公司財報，公司官網(wǎng)，環(huán)評報告，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心PCB光刻膠的國產(chǎn)化滲透率較高。以容大感光、廣信材料為首的內(nèi)資企業(yè)已在國內(nèi)PCB市場中占據(jù)50%以上的市場份額。表16：全球PCB光刻膠主要生產(chǎn)企業(yè)公司名稱國家/地區(qū)干膜光刻膠阻焊油墨濕膜光刻膠長興材料工業(yè)日立化成 旭化成杜邦KOLON長春化工太陽油墨塔姆拉制造所滬門化學(xué)工業(yè)山榮化學(xué)三井化學(xué)亨斯邁 容大感光廣信材料飛凱材料東方材料蘇州瑞紅

47、(晶瑞股份)北京科華北京力拓達(dá)中國臺灣日本 日本 美國 韓國中國臺灣日本 日本 日本 日本 日本 美國中國大陸中國大陸中國大陸中國大陸中國大陸中國大陸量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)量產(chǎn)數(shù)據(jù)來源：富士經(jīng)濟(jì)，各公司財報，公司官網(wǎng)，環(huán)評報告，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心（二）光刻膠相關(guān) A 股公司晶瑞股份晶瑞股份是一家專業(yè)從事微電子化學(xué)品的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司主導(dǎo)產(chǎn)品包括超凈高純試劑、光刻膠、功能性材料和鋰電池粘結(jié)劑四大類微電子化學(xué)品，應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏太陽能電池、LED、平板顯示和鋰電池等五大新興行業(yè)。具體應(yīng)用到下游電子信息產(chǎn)品的清

48、洗、光刻、顯影、蝕刻、去膜、漿料制備等工藝環(huán)節(jié)。圖42：2014-2020H1晶瑞股份營業(yè)收入及增速圖43：2014-2020H1晶瑞股份歸母凈利潤及增速9008007006005004003002001000營收（百萬元，左軸）YOY（右軸）60%50%40%30%20%10%0%-10%60100%5080%60%4040%3020%200%-20%10-40%0-60% 凈利潤（百萬元，左軸）YOY（右軸）數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心圖44：2014-2020H1晶瑞股份主營產(chǎn)品毛利率圖45：2020H1晶瑞股份主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成70%6

49、0%50%40%30%20%10%0%201420152016201720182019 2020H19.5%10.1%6.9%8.7%29.6%35.2%鋰電池粘結(jié)劑超凈高純試劑光刻膠功能性材料基礎(chǔ)化工材料鋰電池粘結(jié)劑超凈高純試劑光刻膠功能性材料基礎(chǔ)化工材料其他數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心深耕光刻膠行業(yè)二十余年，產(chǎn)品達(dá)到國際中高級水準(zhǔn)。晶瑞股份是國內(nèi)最早規(guī)模量產(chǎn)光刻膠的幾家企業(yè)之一。子公司蘇州瑞紅1993年開始光刻膠生產(chǎn)，承擔(dān)并完成了國家02重大專項“i線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目，i線光刻膠已向中芯國際、揚杰科技、福順微電子等客戶供貨，K

50、rF（248nm深紫外）光刻膠完成中試，產(chǎn)品分辨率達(dá)到了0.250.13m的技術(shù)要求，建成了中試示范線。全資子公司蘇州瑞紅承擔(dān)的國家科技重大專項（02專項）項目，已完成項目驗收。通過本項目的實施，研發(fā)的i線正膠完成了產(chǎn)品定型，各項技術(shù)指標(biāo)和工藝性能滿足0.350.25um集成電路技術(shù)和生產(chǎn)工藝要求，建成了100噸/年規(guī)模的i線正膠產(chǎn)品生產(chǎn)線，并已向客戶供貨。研發(fā)的厚膜膠完成了產(chǎn)品定型，涂膜厚度達(dá)到220um，技術(shù)指標(biāo)符合硅片級封裝及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的工藝要求，建成了20噸/年規(guī)模的厚膜膠生產(chǎn)線，并已向客戶供貨。完成了KrF（248nm深紫外）光刻膠成膜樹脂和配膠的中試技術(shù)研究，研發(fā)的248nm深紫外光

51、刻膠分辨率達(dá)到了0.250.13m的技術(shù)要求。根據(jù)晶瑞股份招股說明書披露，2017年子公司蘇州瑞紅約占國內(nèi)LCD觸摸屏用光刻膠30%40%。同時，TFT-Array光刻膠產(chǎn)品、厚膜光刻膠等光刻膠產(chǎn)品也將逐步量產(chǎn)，取得三安光電、華燦光電等客戶的訂單，公司亦代工生產(chǎn)三菱化學(xué)的彩色光刻膠。表17：晶瑞股份光刻膠項目公司子公司產(chǎn)品產(chǎn)能備注晶瑞股份蘇州瑞紅I 線正膠G 線厚膠100 噸20 噸半導(dǎo)體光刻膠半導(dǎo)體光刻膠KrF 光刻膠100 噸半導(dǎo)體光刻膠數(shù)據(jù)來源：晶瑞股份 2019 年報，晶瑞股份公告（創(chuàng)業(yè)板公開發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券募集說明書），廣發(fā)證券發(fā)展研究中心南大光電南大光電是國內(nèi)ArF光刻膠研發(fā)生產(chǎn)

52、的領(lǐng)軍企業(yè)。公司主要業(yè)務(wù)包括MO源、電子特氣，同時公司正在推進(jìn)光刻膠及配套材料業(yè)務(wù)、ALD前驅(qū)體產(chǎn)品業(yè)務(wù)。公司自 2017年6月開始自主研發(fā)ArF（193nm）光刻膠，2018年1月獲得國家02專項“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”的立項。公司組建高級光刻膠專業(yè)人才的獨立研發(fā)團(tuán)隊， 2017年8月底建成1500平方米的研發(fā)中心和百升級光刻膠中試生產(chǎn)線，產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展和成果得到業(yè)界專家的認(rèn)可。2018年1月設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并設(shè)立子公司寧波南大光電材料有限公司全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”的落地實施。圖46：2014-2020H1南大光電營業(yè)收入及增速圖47：2014-2020H1南大光電

53、歸母凈利潤及增速350300250200150100500營收（百萬元，左軸）YOY（右軸）100%80%60%40%20%0%-20%-40%100806040200400%300%200%100%0%-100%-200% 凈利潤（百萬元，左軸）YOY（右軸）數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心圖48：2014-2020H1南大光電主營產(chǎn)品毛利率圖49：2019年南大光電主營業(yè)務(wù)營收構(gòu)成80%70%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%201420152016201720182019 2020H1電子特氣MO源產(chǎn)品三甲基銦15.7

54、%14.3%50.9%17.4%三甲基鎵三甲基鋁三乙基鎵電子特氣三甲基銦三甲基鎵其他主營業(yè)務(wù)數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心2015年9月，南大光電為拓展光刻膠業(yè)務(wù)，出資4,272萬元受讓北京科華原股東持有的北京科華公司14.24%的股份，之后向北京科華增資人民幣8,000萬元，增資后合計持有北京科華31.39%的股份，以此項投資為契機公司正式進(jìn)入光刻膠領(lǐng)域。此次增資一部分用于補充北京科華的運營資金以支持其開發(fā)高端光刻膠（用于集成電路的248nm光刻膠等產(chǎn)品）市場；另一部分是基于北京科華的技術(shù)及產(chǎn)品優(yōu)勢，在公司455噸年產(chǎn)量的基礎(chǔ)上，另外選址建立

55、新生產(chǎn)線，新增年產(chǎn)量1,720噸光刻膠及配套試劑產(chǎn)能。2019年6月，南大光電擬出售所持有的北京科華微電子材料有限公司31.39%股權(quán)。2020年6月30日，公司與高盟新材等六家公司交易北京科華剩余股權(quán)，出售價格為1.77億元。南大光電承接的國家02專項“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目的基礎(chǔ)建設(shè)按計劃進(jìn)行，根據(jù)公司2020年5月公告，2019年底完成一條生產(chǎn)線的安裝，正在調(diào)試階段。2020年4月公司采購的用于檢測ArF（193nm）光刻膠產(chǎn)品性能的光刻機運入寧波南大光電工廠，5月開始進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計安裝調(diào)試需要4-5個月的時間。公司制備ArF（193nm）光刻膠用的高純原材料來源于自主研

56、發(fā)，研制出的ArF（193nm）光刻膠樣品正在供客戶測試。根據(jù)公司2020年4月公告，公司“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”尚未形成量產(chǎn)，正處于光刻膠產(chǎn)品驗證之中，通常需要12-18個月，甚至更長的時間。即使驗證通過后，客戶也會謹(jǐn)慎地使用國產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品，逐步放量，因此該項目對當(dāng)期的業(yè)績貢獻(xiàn)有限。根據(jù)公司測算，預(yù)計2021年光刻膠業(yè)務(wù)逐步貢獻(xiàn)業(yè)績，2020年光刻膠業(yè)務(wù)預(yù)計實現(xiàn)營業(yè)收入2.15億元。圖50：南大光電光刻膠業(yè)務(wù)營業(yè)收入預(yù)測（萬元）3000025000200001500010000500002021202220232024202520262027數(shù)據(jù)來源：南大光電公告（南大光電關(guān)注函的回

57、復(fù)），廣發(fā)證券發(fā)展研究中心表18：南大光電光刻膠項目公司子公司產(chǎn)品產(chǎn)能立項時間建設(shè)周期備注南大光電寧波南大光電ArF 干式/浸沒式25 噸2018 年 1 月3 年投資 6.56 萬元實施“193nm（ArF）光刻膠材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目數(shù)據(jù)來源：南大光電公告（關(guān)于實施國家“02 專項”ArF 光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的可行性研究報告），廣發(fā)證券發(fā)展研究中心上海新陽上海新陽作為國內(nèi)半導(dǎo)體材料龍頭，傳統(tǒng)封裝領(lǐng)域功能性化學(xué)材料銷量與市占率長年保持全國第一，IC制造關(guān)鍵材料芯片銅互連電鍍液及添加劑、蝕刻后清洗液已實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。目前正在加快開發(fā)光刻技術(shù)，公司半導(dǎo)體用ArF干法、KrF厚膜膠，i線等高

58、端光刻膠領(lǐng)域已有較大突破。圖51：2014-2020H1上海新陽營業(yè)收入及增速圖52：2014-2020H1上海新陽歸母凈利潤及增速7006005004003002001000營收（百萬元，左軸）YOY（右軸）90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%-10%2502001501005004000%3500%3000%2500%2000%1500%1000%500%0%-500% 凈利潤（百萬元，左軸）YOY（右軸）數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心圖53：2014-2020H1上海新陽主營產(chǎn)品毛利率圖54：2020H1上海新陽主營

59、業(yè)務(wù)營收構(gòu)成60%50%7.6%40%30%20%38.9%49.3%10%0%201420152016201720182019 2020H1氟碳涂料化學(xué)品設(shè)備產(chǎn)品涂料品氟碳涂料化學(xué)品設(shè)備產(chǎn)品數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心數(shù)據(jù)來源：Wind，廣發(fā)證券發(fā)展研究中心193nm光刻膠項目目前處于實驗室研發(fā)階段，2016年底公司內(nèi)部立項開發(fā)半導(dǎo)體用高端光刻膠，2017年公司開始基礎(chǔ)研發(fā)工作，2018年與鄧海博士合作設(shè)立上海芯刻微公司進(jìn)行193nmArF光刻膠項目的開發(fā)。因合作未達(dá)到預(yù)期，公司與鄧海博士解除合作，但公司還在按計劃推進(jìn)該項目，同時也在著手開發(fā)i線、KrF光刻膠及其配套材料。圖55

60、：上海新陽光刻膠業(yè)務(wù)營業(yè)收入預(yù)測（萬元）6000500040003000200010000202020212022數(shù)據(jù)來源：上海新陽公告（上海新陽193nm(ArF)干法光刻膠研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目可行性研究報告），廣發(fā)證券發(fā)展研究中心上海新陽擬向特定對象發(fā)行股票募集15億元資金，其中擬以本次募集資金的 7.32億元投入集成電路制造用高端光刻膠研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化項目，主要開發(fā)集成電路制造中ArF干法工藝使用的光刻膠和面向3DNAND臺階刻蝕的KrF厚膜光刻膠產(chǎn)品。預(yù)計KrF厚膜光刻膠2021年開始實現(xiàn)少量銷售，2022年可實現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計ArF（干式）光刻膠項目在2022年可實現(xiàn)少量銷售，2023年開始量產(chǎn)