合工大電力電子技術(shù)二章

1、第二講 電力電子器件及其驅(qū)動(dòng)電路Power Electronic Parts and Driver杜少武第一頁(yè)，共五十一頁(yè)。第二講 電力電子器件及其驅(qū)動(dòng)電路 Power Electronic Parts and Driver2.1 門極可關(guān)斷晶閘管2.2 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管2.3 絕緣柵雙極晶體管第二頁(yè)，共五十一頁(yè)。2.1 門極可關(guān)斷晶閘管門極可關(guān)斷晶閘管（Gate-Turn-Off Thyristor GTO）晶閘管的一種派生器件可以通過(guò)在門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷GTO的電壓、電流容量較大，與普通晶閘管接近，因而在兆瓦級(jí)以上的大功率場(chǎng)合仍有較多的應(yīng)用返回第三頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的結(jié)構(gòu)和工

2、作原理結(jié)構(gòu)：與普通晶閘管的相同點(diǎn)： PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，外部引出陽(yáng)極、陰極和門極和普通晶閘管的不同：GTO是一種多元的功率集成器件，內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的小GTO元，這些GTO元的陰極和門極則在器件內(nèi)部并聯(lián)在一起第四頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理工作原理：導(dǎo)通原理與普通晶閘管一樣，同樣可以用雙晶體管模型來(lái)分析1+2=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。當(dāng)1+21時(shí)，兩個(gè)等效晶體管過(guò)飽和而使器件導(dǎo)通；當(dāng)1+21時(shí)，不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷第五頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理GTO能夠通過(guò)門極關(guān)斷的原因是其與普通晶閘管有如下區(qū)別：設(shè)計(jì)2較大，使晶體管V2控制靈敏，易于 GTO關(guān)斷導(dǎo)通

3、時(shí)1+2更接近1（1.05，普通晶閘管1+21.15）導(dǎo)通時(shí)飽和不深，接近臨界飽和，有利門極控制關(guān)斷，但導(dǎo)通時(shí)管壓降增大多元集成結(jié)構(gòu)使GTO元陰極面積很小，門、陰極間距大為縮短，使得P2基區(qū)橫向電阻很小，能從門極抽出較大電流第六頁(yè)，共五十一頁(yè)。導(dǎo)通過(guò)程:與普通晶閘管一樣，只是導(dǎo)通時(shí)飽和程 度較淺關(guān)斷過(guò)程：強(qiáng)烈正反饋門極加負(fù)脈沖即從門 極抽出電流，則Ib2減小，使IK和Ic2減小，Ic2的減小又使IA和Ic1減小，又進(jìn)一步減小V2的基極電流當(dāng)IA和IK的減小使1+21時(shí)，器件退出飽和而關(guān)斷多元集成結(jié)構(gòu)還使GTO比普通晶閘管開通過(guò)程快，承受di/dt能力強(qiáng) GTO的結(jié)構(gòu)和工作原理第七頁(yè)，共五十一頁(yè)

4、。GTO的動(dòng)態(tài)特性開通過(guò)程：與普通晶閘管類似，需經(jīng)過(guò)延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tr圖27 GTO的開通和關(guān)斷過(guò)程電流波形第八頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的動(dòng)態(tài)特性關(guān)斷過(guò)程：與普通晶閘管有所不同抽取飽和導(dǎo)通時(shí)儲(chǔ)存的大量載流子儲(chǔ)存時(shí)間ts，使等效晶體管退出飽和等效晶體管從飽和區(qū)退至放大區(qū)，陽(yáng)極電流逐漸減小下降時(shí)間tf殘存載流子復(fù)合尾部時(shí)間tt通常tf比ts小得多，而tt比ts要長(zhǎng)門極負(fù)脈沖電流幅值越大，前沿越陡，抽走儲(chǔ)存載流子的速度越快，ts越短門極負(fù)脈沖的后沿緩慢衰減，在tt階段仍保持適當(dāng)負(fù)電壓，則可縮短尾部時(shí)間 第九頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的主要參數(shù) GTO的許多參數(shù)和普通晶閘管相應(yīng)的參數(shù)意義相同，以下只

5、介紹意義不同的參數(shù)1)開通時(shí)間ton 延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和。延遲時(shí)間一般約12s，上升時(shí)間則隨通態(tài)陽(yáng)極電流值的增大而增大2)關(guān)斷時(shí)間toff 一般指儲(chǔ)存時(shí)間和下降時(shí)間之和，不包括尾部時(shí)間。GTO的儲(chǔ)存時(shí)間隨陽(yáng)極電流的增大而增大，下降時(shí)間一般小于2s不少GTO都制造成逆導(dǎo)型，類似于逆導(dǎo)晶閘管，需承受反壓時(shí)，應(yīng)和電力二極管串聯(lián) 第十頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的主要參數(shù)3) 最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO : GTO的額定電流4) 電流關(guān)斷增益off 最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流與門極負(fù)脈沖電流最大值IGM之比稱為電流關(guān)斷增益 （1-8） off一般很小，只有5左右，這是GTO的一個(gè)主要缺點(diǎn)。1000A的GTO關(guān)斷

6、時(shí)門極負(fù)脈沖電流峰值要200A 第十一頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的驅(qū)動(dòng)GTO的開通控制與普通晶閘管相似，但對(duì)脈沖前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流使GTO關(guān)斷需施加負(fù)門極電流，對(duì)其幅值和陡度的要求更高，關(guān)斷后還應(yīng)在門陰極施加約5V的負(fù)偏壓以提高抗干擾能力推薦的GTO門極電壓電流波形如圖28所示。圖28推薦的GTO門極電壓電流波形第十二頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的驅(qū)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電路通常包括開通驅(qū)動(dòng)電路、關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門極反偏電路三部分，可分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合式兩種類型直接耦合式驅(qū)動(dòng)電路可避免電路內(nèi)部的相互干擾和寄生振蕩，可得到較陡的脈沖前沿，因此目前應(yīng)用較廣，但其功耗大，效

7、率較低第十三頁(yè)，共五十一頁(yè)。GTO的驅(qū)動(dòng)典型的直接耦合式GTO驅(qū)動(dòng)電路V1開通時(shí)，輸出正強(qiáng)脈沖V2開通時(shí)輸出正脈沖平頂部分V2關(guān)斷而V3開通時(shí)輸出負(fù)脈沖V3關(guān)斷后R3和R4提供門極負(fù)偏壓第十四頁(yè)，共五十一頁(yè)。2.2 電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型但通常主要指絕緣柵型中的MOS型簡(jiǎn)稱 電力MOSFET（Power MOSFET）結(jié)型電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管特點(diǎn)用柵極電壓來(lái)控制漏極電流驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小開關(guān)速度快，工作頻率高熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過(guò)10kW的電力電子裝置 返回第十五頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的種類按導(dǎo)電溝道可分

8、為 P溝道 和N溝道 耗盡型當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道增強(qiáng)型對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道電力MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型第十六頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的結(jié)構(gòu)導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電，是單極型器件導(dǎo)電機(jī)理與小功率MOS管相同，但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別電力MOSFET的多元集成結(jié)構(gòu)第十七頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的結(jié)構(gòu)小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷娏OSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，又稱為 VMOSFET（Vertical MOSFET）大大提高了 MOSFET器件的耐壓和耐電流能力按垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的差異，又分為利用V型槽實(shí)現(xiàn)垂 直導(dǎo)

9、電的VVMOSFET和具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散結(jié)構(gòu)的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）這里主要以VDMOS器件為例進(jìn)行討論第十八頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的工作原理截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N

10、溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電第十九頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的基本特性電力MOSFET的基本特性：主要包括靜態(tài)特性與動(dòng)態(tài)特性。靜態(tài)特性：包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性動(dòng)態(tài)特性：包括開通延時(shí)時(shí)間、關(guān)斷延時(shí)時(shí)間和開關(guān)速度等返回第二十頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的靜態(tài)特性1)靜態(tài)特性：包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性電力MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性第二十一頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的靜態(tài)特性MOSFET的轉(zhuǎn)移特性漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關(guān)系稱為MOSFET的轉(zhuǎn)移特性ID較大時(shí)，ID與UGS的關(guān)系近似線性，曲線的斜率定義為 跨導(dǎo)Gfs第二十二頁(yè)，共五

11、十一頁(yè)。電力MOSFET的靜態(tài)特性MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的截止區(qū)）、飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的放大區(qū)）、非飽和區(qū)（對(duì)應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）電力MOSFET工作在開關(guān)狀態(tài)，即在截止區(qū)和非飽和區(qū)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通電力MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù)，對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利第二十三頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的動(dòng)態(tài)特性2)動(dòng)態(tài)特性：電力MOSFET的開關(guān)過(guò)程a) 測(cè)試電路 b) 開關(guān)過(guò)程波形第二十四頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的動(dòng)態(tài)特性開通過(guò)程開通延遲時(shí)間td(on) up前沿時(shí)刻到uGS=UT

12、并開始出現(xiàn)iD的時(shí)刻間的時(shí)間段上升時(shí)間tr uGS從uT上升到MOSFET進(jìn)入非飽和區(qū)的柵壓UGSP的時(shí)間段iD穩(wěn)態(tài)值由漏極電源電壓UE和漏極負(fù)載電阻決定UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變開通時(shí)間ton開通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和第二十五頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的動(dòng)態(tài)特性關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷延遲時(shí)間td(off) up下降到零起，Cin通過(guò)Rs和RG放電，uGS按指數(shù)曲線下降到UGSP時(shí)，iD開始減小止的時(shí)間段下降時(shí)間tf uGS從UGSP繼續(xù)下降起，iD減小，到uGS20V將導(dǎo)致絕緣層擊穿4)極間電容 極間電容CGS、CGD和C

13、DS第二十八頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的主要參數(shù)廠家提供：漏源極短路時(shí)的輸入電容Ciss、共源極輸出電容Coss和反向轉(zhuǎn)移電容Crss Ciss= CGS+ CGD Crss= CGD Coss= CDS+ CGD輸入電容可近似用Ciss代替第二十九頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的安全工作區(qū)漏源間的耐壓、漏極最大允許電流和最大耗散功率決定了電力MOSFET的安全工作區(qū)一般來(lái)說(shuō)，電力MOSFET不存在二次擊穿問題，這是它的一大優(yōu)點(diǎn)實(shí)際使用中仍應(yīng)注意留適當(dāng)?shù)脑Ａ縈OSFET正向偏置安全工作區(qū)（圖中的時(shí)間表示脈沖寬度）第三十頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)?xùn)旁撮g、柵射間有數(shù)千皮法的電容

14、，為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，要求驅(qū)動(dòng)電路輸出電阻小。使MOSFET開通的驅(qū)動(dòng)電壓一般1015V，使IGBT開通的驅(qū)動(dòng)電壓一般15 20V。關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓（一般取 5-10V）有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻（數(shù)十歐左右）可以減小寄生振蕩，該電阻阻值應(yīng)隨被驅(qū)動(dòng)器件電流額定值的增大而減小。返回第三十一頁(yè)，共五十一頁(yè)。電力MOSFET的驅(qū)動(dòng)專為驅(qū)動(dòng)電力MOSFET而設(shè)計(jì)的混合集成電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號(hào)電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為+2A和-3A，輸出驅(qū)動(dòng)電壓+15V和-10V。第三十二頁(yè)，共五十一頁(yè)。2.3 絕緣柵雙極晶體管GTR的特點(diǎn)雙極型

15、，電流驅(qū)動(dòng)，有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通流能力很強(qiáng)，開關(guān)速度較低，驅(qū)動(dòng)功率大，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜 MOSFET的優(yōu)點(diǎn)單極型，電壓驅(qū)動(dòng)，開關(guān)速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，驅(qū)動(dòng)功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單 兩類器件取長(zhǎng)補(bǔ)短結(jié)合而成的復(fù)合器件Bi-MOS器件GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)，具有好的特性1986年投入市場(chǎng)后，取代了GTR和一部分MOSFET的市場(chǎng),中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件繼續(xù)提高電壓和電流容量，以期再取代GTO的地位返回第三十三頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理IGBT是三端器件：柵極G、集電極C和發(fā)射極EIGBT的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b) 簡(jiǎn)化等

16、效電路 c) 電氣圖形符號(hào)第三十四頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的結(jié)構(gòu)N溝道VDMOSFET與GTR組合N溝道IGBT（N-IGBT）IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成了一個(gè)大面積的P+N結(jié)J1使IGBT導(dǎo)通時(shí)由P+注入?yún)^(qū)向N基區(qū)發(fā)射少子，從而對(duì)漂移區(qū)電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)制，使得IGBT具有很強(qiáng)的通流能力簡(jiǎn)化等效電路表明，IGBT是GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，一個(gè)由MOSFET驅(qū)動(dòng)的厚基區(qū)PNP晶體管第三十五頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的工作原理驅(qū)動(dòng)原理與電力MOSFET基本相同，場(chǎng)控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定導(dǎo)通：uGE大于開啟電壓UGE(th)時(shí)，MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體

17、管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通導(dǎo)通壓降：電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)使電阻RN減小，使通態(tài)壓降小關(guān)斷：柵射極間施加反壓或不加信號(hào)時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷第三十六頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的基本特性IGBT的基本特性：主要包括靜態(tài)特性與動(dòng)態(tài)特性。靜態(tài)特性：包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性動(dòng)態(tài)特性：包括開通延時(shí)時(shí)間、關(guān)斷延時(shí)時(shí)間和開關(guān)速度等第三十七頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的靜態(tài)特性 IGBT的靜態(tài)特性：主要包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性IGBT的轉(zhuǎn)移特性和輸出特性a) 轉(zhuǎn)移特性 b) 輸出特性第三十八頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的靜態(tài)特性轉(zhuǎn)移特性IC與UGE間的關(guān)系，與MOSFET轉(zhuǎn)移特性類似開啟

18、電壓UGE(th)IGBT能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低柵射電壓UGE(th)隨溫度升高而略有下降，在+25C時(shí)，UGE(th)的值一般為26V輸出特性（伏安特性）以UGE為參考變量時(shí)，IC與UCE間的關(guān)系分為三個(gè)區(qū)域：正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。分別與GTR的截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)相對(duì)應(yīng)uCE0時(shí)，IGBT為反向阻斷工作狀態(tài)第三十九頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的動(dòng)態(tài)特性IGBT的動(dòng)態(tài)特性：IGBT的開關(guān)過(guò)程第四十頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的動(dòng)態(tài)特性IGBT的開通過(guò)程 與MOSFET的相似，因?yàn)殚_通過(guò)程中IGBT在大部分時(shí)間作為MOSFET運(yùn)行開通延遲時(shí)間td(on) 從uGE上升至其幅值10%的時(shí)刻，

19、到iC上升至10% ICM 電流上升時(shí)間tr iC從10%ICM上升至90%ICM所需時(shí)間開通時(shí)間ton開通延遲時(shí)間與電流上升時(shí)間之和uCE的下降過(guò)程分為tfv1和tfv2兩段：tfv1IGBT中MOSFET單獨(dú)工作的電壓下降過(guò)程；tfv2MOSFET和PNP晶體管同時(shí)工作的電壓下降過(guò)程第四十一頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的動(dòng)態(tài)特性IGBT的關(guān)斷過(guò)程關(guān)斷延遲時(shí)間td(off) ：從uGE后沿下降到其幅值90%的時(shí)刻起，到iC下降至90%ICM電流下降時(shí)間tf：iC從90%ICM下降至10%ICM關(guān)斷時(shí)間toff：關(guān)斷延遲時(shí)間與電流下降之和電流下降時(shí)間又可分為tfi1和tfi2兩段：tfi1IGBT

20、內(nèi)部的MOSFET的關(guān)斷過(guò)程，iC下降較快；tfi2IGBT內(nèi)部的PNP晶體管的關(guān)斷過(guò)程，iC下降較慢第四十二頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的其它特性IGBT中雙極型PNP晶體管的存在，雖然帶來(lái)了電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)的好處，但也引入了少子儲(chǔ)存現(xiàn)象，因而IGBT的開關(guān)速度低于電力MOSFETIGBT的擊穿電壓、通態(tài)壓降和關(guān)斷時(shí)間也是需要折衷的參數(shù)第四十三頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的主要參數(shù)1) 最大集射極間電壓UCES 由內(nèi)部PNP晶體管的擊穿電壓確定2) 最大集電極電流 包括額定直流電流IC和1ms脈寬最大電流ICP3)最大集電極功耗PCM 正常工作溫度下允許的最大功耗 第四十四頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的特性

21、和參數(shù)特點(diǎn)開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。在電壓1000V以上時(shí)，開關(guān)損耗只有GTR的1/10，與電力MOSFET相當(dāng)相同電壓和電流定額時(shí)，安全工作區(qū)比GTR大，且具有耐脈沖電流沖擊能力通態(tài)壓降比VDMOSFET低，特別是在電流較大的區(qū)域輸入阻抗高，輸入特性與MOSFET類似與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時(shí)保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)第四十五頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū) IGBT的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)a) 內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖 b) 簡(jiǎn)化等效電路 c) 電氣圖形符號(hào)返回第四十六頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)寄生晶閘管由一個(gè)N-PN+晶體管和作為主開關(guān)器件的P+N-P晶體管組成正偏安全工作區(qū)（FBSOA) 最大集電極電流、最大集射極間電壓和最大集電極功耗確定反向偏置安全工作區(qū)（RBSOA） 最大集電極電流、最大集射極間電壓和最大允許電壓上升率duCE/dt確定第四十七頁(yè)，共五十一頁(yè)。IGBT的擎住效應(yīng)和安全工作區(qū)擎住效應(yīng)或自鎖效應(yīng) NPN晶體管基極與發(fā)射極之間存在體區(qū)短路電阻，P形體區(qū)的