2022年新潔能研究報(bào)告

1、2022年新潔能研究報(bào)告一、新潔能：功率器件領(lǐng)先企業(yè)，盈利能力穩(wěn)步提升（一）深耕多年國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，專注功率器件產(chǎn)品研發(fā)和設(shè)計(jì)深耕功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品推陳出新，應(yīng)用廣泛。公司是國(guó)內(nèi) MOSFET、IGBT 等半導(dǎo)體 功率器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域龍頭企業(yè)，一直以來(lái)從事 MOSFET 和 IGBT 等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研 發(fā)設(shè)計(jì)以及銷售，是國(guó)內(nèi)率先掌握超結(jié)理論技術(shù)、并量產(chǎn)屏蔽柵功率 MOSFET 及超結(jié)功率 MOSFET 的企業(yè)，也是國(guó)內(nèi)最早在 12 英寸工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)溝槽型 MOSFET、屏蔽柵 MOSFET 量產(chǎn)的企業(yè)。是國(guó)內(nèi) 8 寸和 12 寸功率器件累計(jì)出貨量最大的設(shè)計(jì)公司，作為唯一的功率器件 設(shè)計(jì)公司，

2、2016 年以來(lái)連續(xù)五年被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為“中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”。 根據(jù) IHS 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020 年國(guó)內(nèi) MOSFET 市場(chǎng)銷售額排名中，包括國(guó)際廠商在內(nèi)公司排名第 八，其中設(shè)計(jì)領(lǐng)域公司名列第一。從目前公司主要銷售產(chǎn)品來(lái)看，公司主要銷售產(chǎn)品包括半導(dǎo)體芯片以及功率器件，具體可 以包括溝槽型 MOSFET、超結(jié) MOSFET、屏蔽柵 MOSFET 及 IGBT，公司未來(lái)戰(zhàn)略聚焦高附 加值超結(jié) MOSFET 和 IGBT 產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋汽車電子、光伏及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、5G 通訊、 工業(yè)電源、機(jī)器人、智慧農(nóng)業(yè)無(wú)人機(jī)、安防、鋰電保護(hù)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。（二）股權(quán)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，管理層多為技

3、術(shù)出身公司實(shí)際控制人為公司創(chuàng)始人朱袁正，股權(quán)激勵(lì)綁定核心員工。截止 2022 年一季度末， 公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理朱袁正先生持有公司 23.15%的股份，他在半導(dǎo)體行業(yè)中有豐富的研究和 工作經(jīng)歷，是帶領(lǐng)公司發(fā)展的核心人物，公司創(chuàng)始人董事長(zhǎng)朱袁正是公司核心研發(fā)人員，具備 長(zhǎng)達(dá) 32 年的半導(dǎo)體研究和工作經(jīng)歷，是國(guó)內(nèi)極少數(shù)同時(shí)掌握半導(dǎo)體工藝、器件設(shè)計(jì)及應(yīng)用的 綜合人才，核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)幫助公司鑄就長(zhǎng)期成長(zhǎng)的護(hù)城河。同時(shí)公司于 2017 年和 2021 年兩次 實(shí)施股權(quán)激勵(lì)，綁定核心團(tuán)隊(duì)，穩(wěn)定員工利益和公司發(fā)展。 子公司布局封測(cè)環(huán)、功率模塊封裝和集成電路業(yè)務(wù)。子公司電基集成主要布局封測(cè)領(lǐng)域， 金蘭功率半導(dǎo)體

4、主要致力于半導(dǎo)體功率模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售，國(guó)硅集成專注于車規(guī) 級(jí)智能功率集成電路芯片的設(shè)計(jì)。（三）盈利能力持續(xù)增長(zhǎng)，研發(fā)鑄就長(zhǎng)期護(hù)城河行業(yè)景氣度向上，公司業(yè)績(jī)迅速增長(zhǎng)。從收入來(lái)看，公司 2016 年的營(yíng)業(yè)收入從 4.22 億元 增長(zhǎng)至 2021 年的 14.98 億，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到 23.5%；歸母凈利潤(rùn)從 0.36 億提高至 4.1 億，復(fù) 合增長(zhǎng)率達(dá) 50%。2020 年下半年以來(lái)，由于上游晶圓廠 8 英寸產(chǎn)能供不應(yīng)求且下游多重需求 旺盛，功率器件迎來(lái)缺貨漲價(jià)潮，公司多產(chǎn)品供不應(yīng)求。公司和上游晶圓廠保持良好合作，憑 借自身布局多年行業(yè)設(shè)計(jì)能力和子公司封測(cè)能力，產(chǎn)能供給得到保證，下游

5、需求轉(zhuǎn)化為收入能 力突出。功率器件銷售占比穩(wěn)步提升，IGBT 出貨量快速增長(zhǎng)。從公司銷售的產(chǎn)品類別來(lái)看，公司 主要銷售功率芯片和功率器件，公司根據(jù)客戶需求進(jìn)行出貨，器件即公司通過(guò)封測(cè)子公司或者 委外加工芯片后得到的最終產(chǎn)品，從趨勢(shì)上來(lái)看，功率器件銷售占比穩(wěn)步提升，功率器件營(yíng)收 占比從 2016 年的 57.34%提升到 2021 年的 90.47%，芯片業(yè)務(wù)相應(yīng)的下降至 9.53%。 IGBT 與超結(jié) MOSFET 產(chǎn)品需求快速成長(zhǎng)，高附加值產(chǎn)品占比提升。公司中低壓主要產(chǎn) 品為溝槽型功率 MOSFET 和屏蔽柵 MOSFET，目前公司正在調(diào)整兩種產(chǎn)品的比重，減少了傳 統(tǒng)成熟工藝的溝槽型 MOS

6、FET 的生產(chǎn)銷售，從 2020 年的 55.79%減少至 2021 的 45.31%，擴(kuò) 大了屏蔽柵型功率 MOSFET，從 2020 年的 31.69%增加至 2021 年的 38.96%。從絕對(duì)收入來(lái) 看，2021 年公司超級(jí) MOSFET 收入 1.39 億元，同比增長(zhǎng) 61.72%，IGBT 收入 0.73 億元，同 比增長(zhǎng) 649.69%，公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)逐步向高附加值產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，提升公司產(chǎn)品護(hù)城河。毛利率穩(wěn)步提升，費(fèi)控情況表現(xiàn)良好。公司整體毛利率表現(xiàn)與全球功率半導(dǎo)體行業(yè)周期存 在相關(guān)性，同時(shí)也與自身業(yè)務(wù)線調(diào)整相關(guān)，由于 2019 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)周期波動(dòng)以及上游晶 圓廠提高代工成本，使

7、得產(chǎn)品價(jià)格下降、芯片代工成本上升，毛利率有所下降，隨后 2021 年 新能源車和光伏需求大幅提升，供需錯(cuò)配成為行業(yè)共識(shí)，功率器件產(chǎn)品單價(jià)增長(zhǎng)明顯。同時(shí)公 司在 2018 年后增加器件產(chǎn)品出貨量，器件經(jīng)后代加工后，產(chǎn)品利潤(rùn)率提升，2021 年公司整體 毛利率達(dá)到 39.12%，同比增加 13.75pct。持續(xù)研發(fā)投入，股權(quán)激勵(lì)穩(wěn)定核心團(tuán)隊(duì)。公司持續(xù)投入研發(fā)，2021 年公司整體研發(fā)支出 0.8 億元，同比增長(zhǎng) 54.05%，研發(fā)人員在 2021 年末達(dá)到 78 人，占總員工人數(shù)的 25.32%。2019 年以來(lái)，公司研發(fā)人員占比減少，主要系電基集成子公司封裝人員需求提升，整體研發(fā)人員的 減少具備

8、合理性。截至 2021 年末，公司擁有 135 項(xiàng)專利，其中發(fā)明專利 36 項(xiàng)，發(fā)明專利數(shù) 量和占比在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)內(nèi)位居前列。同時(shí)公司在 2022 年 2 月，公司向 136 名員 工以 84.25 元/股的價(jià)格共授予 114.1 萬(wàn)股，其中核心技術(shù)人員、骨干業(yè)務(wù)人員和子公司高管人 員等均完成授予。費(fèi)用把控能力出眾，現(xiàn)金流保持穩(wěn)定水平。公司自 2018 年后，費(fèi)用把控能力穩(wěn)步提升， 銷售費(fèi)用率常年保持在 2%左右，并且呈現(xiàn)下降趨勢(shì)，體現(xiàn)出公司產(chǎn)品力水平提升，對(duì)銷售支 出把控嚴(yán)格，管理費(fèi)用率常年保持 3%水平。同時(shí)公司經(jīng)營(yíng)活動(dòng)現(xiàn)金流量保持穩(wěn)定水平，銷售商品提供勞務(wù)收現(xiàn)/營(yíng)業(yè)收入基本保持

9、 100%，證明公司的強(qiáng)回款能力和業(yè)務(wù)穩(wěn)定水平。二、功率器件供需錯(cuò)配仍將持續(xù)，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛（一）功率器件迭代升級(jí)，市場(chǎng)需求不斷增加功率半導(dǎo)體是電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件。功率半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)了多次 技術(shù)進(jìn)步，從 20 世紀(jì) 50 年代的二極管，再到 70 年代的晶閘管，再到 80 年代的 MOSFET 和 21 世紀(jì)開始逐漸成熟的 IGBT。目前行業(yè)內(nèi)的發(fā)展方向依舊是高端化的 MOSFET 和 IGBT。功 率半導(dǎo)體主要分為功率分立器件和功率 IC 兩大類。功率 IC 是由功率分立器件加上保護(hù)電路 和驅(qū)動(dòng)電路組成的，屬于集成電路中的模擬 IC，包括 DC/DC、AC/DC、PMIC

10、、驅(qū)動(dòng) IC 等， 而功率器件主要包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等產(chǎn)品。功率器件迭代路徑從制程，到工藝，再到材料不斷突破。MOSFET 自 1970s 問(wèn)世以來(lái)， 伴隨摩爾定律的步伐不斷縮小制程線寬，從早期的 10 微米迭代至現(xiàn)在的 0.15-0.35 微米區(qū)間， 而后成本和電容之間的壁壘使得功率芯片在制程的優(yōu)化上進(jìn)展緩慢，在制作工藝上，最早由平 面結(jié)構(gòu)到溝槽型再到超級(jí)結(jié)，器件結(jié)構(gòu)變化，使得某些單項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)和產(chǎn)品性能得到了優(yōu)化。 再到現(xiàn)在材料領(lǐng)域，SiC/GaN 等第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用使得寬禁帶材料進(jìn)入了功率領(lǐng)域。新能源車、儲(chǔ)能、光伏、工控領(lǐng)域?yàn)槠湫枨笤鲩L(zhǎng)最快領(lǐng)域。針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景

11、所對(duì)應(yīng)的功 率、電壓和頻率不同，各細(xì)分行業(yè)所選用的功率器件不同，MOSFET 憑借其高開關(guān)頻率、低損 耗特點(diǎn)，主要用于手機(jī)、PC、LED 等消費(fèi)電子領(lǐng)域。IGBT 因耐高壓的特點(diǎn)，主要應(yīng)用于智能 家電、新能源車和工控領(lǐng)域。根據(jù)行業(yè)發(fā)展來(lái)看，新能源車相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈為功率半導(dǎo)體下游中最 具發(fā)展?jié)摿Φ男枨笫袌?chǎng)，同時(shí)低碳概念包括光伏、儲(chǔ)能等也同樣會(huì)加速成長(zhǎng)，這些領(lǐng)域的功率 半導(dǎo)體市場(chǎng)需求增長(zhǎng)較快。（二）國(guó)內(nèi)功率市場(chǎng)增長(zhǎng)快于全球，國(guó)內(nèi)廠商有望實(shí)現(xiàn)從市場(chǎng)空間來(lái)看，中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)增速高于全球增速。根據(jù) Omida 數(shù)據(jù)顯示，全球 2021 年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為 435.62 億美元，預(yù)計(jì) 2024 年市

12、場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 532.19 億美元， 未來(lái)三年復(fù)合增速為 6.9%；2021 年中國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為 157 億美元，預(yù)計(jì) 2024 年 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 195.22 億美元，未來(lái)三年復(fù)合增速為 7.53%，占全球市場(chǎng)約為 36.68%，中國(guó) 作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，未來(lái)市場(chǎng)發(fā)展前景良好。功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)占據(jù)比重高，且均為海外企業(yè)。從整個(gè)功率半導(dǎo)體試產(chǎn)來(lái)看，海外 IDM 廠商處于領(lǐng)先地位，占市場(chǎng)規(guī)模高。根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，2020 年全球功率器件 CR5 約為 44%，英飛凌市場(chǎng)占比高達(dá) 20%，安森美占比 8%，意法半導(dǎo)體占比 6%；功率 IC 市場(chǎng) CR5 約 為 43

13、%，德州儀器占比接近 16%。全球前十大功率半導(dǎo)體廠商均為外國(guó)公司。MOSFET：全球市場(chǎng)規(guī)模約 80 億美元，空間巨大。根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)顯示，功率 MOSFET 全球市場(chǎng)規(guī)模在近幾年保持比較穩(wěn)定，約為 80 億美元，約占功率器件市場(chǎng) 54%。國(guó) 內(nèi)市場(chǎng)約 30 億美元，約占全球市場(chǎng) 39.9%，未來(lái) 3 年市場(chǎng)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)。從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)景競(jìng)爭(zhēng) 來(lái)看，2019 年市場(chǎng)份額前 8 位的公司里僅有華潤(rùn)微和新潔能，兩家合計(jì)占比接近 12%，而海 外龍頭企業(yè)英飛凌及安森美市占率合計(jì)約為 45%，占據(jù)近一半市場(chǎng)，國(guó)產(chǎn)廠商具備較大替代市 場(chǎng)空間。IGBT：全球市場(chǎng)空間約 57 億美元，國(guó)內(nèi)消費(fèi)占 40

14、%，新能源領(lǐng)域?yàn)槠浜诵脑鲩L(zhǎng)催化劑。 從 IGBT 市場(chǎng)空間來(lái)看，2021 年全球 IGBT（分立+模塊）市場(chǎng)規(guī)模約 57 億美元，國(guó)內(nèi) IGBT 市場(chǎng)約為 22.43 美元，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模占全球比約為 40%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)與海外基本同步。 新能源汽車、新能源發(fā)電這些領(lǐng)域都是行業(yè)發(fā)展最大的催化劑。國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體自給率逐步抬升。根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)顯示，從 IGBT 產(chǎn)品自給率來(lái)看，2020 年前 IGBT 國(guó)內(nèi)廠商產(chǎn)量占比約 13%，2020 年 IGBT 產(chǎn)品自給率不到 20%，其主要受海外品 牌多年行業(yè)積累，產(chǎn)品在認(rèn)可度和行業(yè)認(rèn)知方面積累較高，國(guó)內(nèi)企業(yè)目前還處于追趕者狀態(tài)， 因此產(chǎn)品自給率

15、水平更低。但是隨著國(guó)內(nèi)廠商發(fā)力布局功率器件，預(yù)計(jì) 2024 年，IGBT 產(chǎn)品國(guó) 產(chǎn)化率能達(dá)到 40%。全球功率半導(dǎo)體交付周期延長(zhǎng)，供需仍保持錯(cuò)配。根據(jù)富昌電子數(shù)據(jù)顯示，2021 年高壓 MOSSET 和 IGBT 產(chǎn)品交付周期延長(zhǎng)，帶來(lái)市場(chǎng)供給不足和產(chǎn)品單價(jià)上漲。以全球頭部廠商英 飛凌為例，高壓 MOSFET 交貨周期已由 21Q1 的 26-52 周延長(zhǎng)至 36-52 周，IGBT 的交貨周期 由 26-36 周延長(zhǎng)至 39-50 周，并且價(jià)格也處于上升趨勢(shì)之中，供需錯(cuò)配局面仍將維持。（三）新能源產(chǎn)業(yè)鏈為功率器件最大催化劑功率半導(dǎo)體在下游應(yīng)用領(lǐng)域的需求持續(xù)增長(zhǎng)，包括電子通信、工業(yè)電子、計(jì)算

16、機(jī)、汽車電 子，還有近幾年的新能源汽車，智能電網(wǎng)等發(fā)展都對(duì)功率半導(dǎo)體提出了大量需求，這也帶給功 率半導(dǎo)體行業(yè)廣闊的發(fā)展空間，驅(qū)動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 單車功率半導(dǎo)體價(jià)值量隨著汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推進(jìn)而增長(zhǎng)。區(qū)別于燃料汽車，電動(dòng)車中的 功率器件對(duì)于工作電流和電壓有跟高的要求，應(yīng)用領(lǐng)域主要有驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、引擎系統(tǒng)和車身三大 方面，尤其是 MOSFET 和 IGBT，是新能源汽車的重要組成部分，其中 MOSFET 產(chǎn)品可以用 于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)、電制動(dòng)系統(tǒng)，輔助驅(qū)動(dòng)各種電動(dòng)馬達(dá)，參與車燈控制。IGBT 也是新能 源汽車中的核心器件之一，作為大功率高頻開關(guān)在逆變器、電源變換器中被大量使用，主要應(yīng) 用于新能源汽車的電

17、力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)與電源系統(tǒng)中。 而且，在新能源汽車中，功率半導(dǎo)體的價(jià)值量大幅提升，根據(jù) Strategy Analytics 的數(shù)據(jù)， 2019 年傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為 338 美元，而功率半導(dǎo)體僅占 21%，為 71 美元。純電 動(dòng)車的半導(dǎo)體成本合計(jì)金額為 704 美元，其中功率半導(dǎo)體占比 55%，價(jià)值量高達(dá) 387 美元， 其價(jià)值為傳統(tǒng)汽車的 4 倍。因此新能源汽車的發(fā)展驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體的需求進(jìn)一步爆發(fā)。伴隨著汽車電動(dòng)化的大趨勢(shì)，新能源汽車有望成為功率半導(dǎo)體的主要需求增長(zhǎng)點(diǎn)。根據(jù) EV 的數(shù)據(jù)，盡管全球市場(chǎng) 2021 年全球新能源汽車銷量達(dá)到 681 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 72%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)新能源

18、車銷量同比增長(zhǎng) 157.6%，銷量 352 萬(wàn)輛。預(yù)計(jì)未來(lái)全球市場(chǎng) 2022 年新 能源車銷量有望達(dá) 1069 萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng) 57%，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)隨著雙碳政策和補(bǔ)貼政策推進(jìn)，國(guó)內(nèi) 2022 年新能源車銷量有望達(dá) 560 萬(wàn)輛，同比增加 59%。預(yù)計(jì) 2025 年，全球新能源車銷量有望 達(dá) 2625 萬(wàn)輛，全球未來(lái)四年 CAGR 達(dá) 34%。光伏裝機(jī)量提升，逆變器需求將迎來(lái)需求爆發(fā)。隨著國(guó)家節(jié)能減排力度提升，光伏發(fā)電、 風(fēng)能發(fā)電等產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)光伏裝機(jī)量達(dá)到全球 1/3，功率模塊及分立器件成本約占 功率器件總成本的 9%。據(jù)中國(guó)光伏行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2025 年，我國(guó)光伏市場(chǎng)新增裝機(jī)將介于 9

19、0 和 110GW 之間。 2020-2025 年 CAGR 在 13.30%-17.94%之間。從成本測(cè)算來(lái)看，國(guó)內(nèi)光伏逆 變加權(quán)成本將由 2020 年的 0.2/W 下降到 2025 年的 0.15/W，并且根據(jù) IMS Research 數(shù)據(jù)顯示， 光伏逆變器中功率模塊約占成本的 9%，預(yù)計(jì) 2025年光伏逆變器中功率器件單位成本約為 1350 萬(wàn)元/GW。三、新潔能多優(yōu)勢(shì)帶來(lái)更多協(xié)同效應(yīng)（一）產(chǎn)品滲透多標(biāo)桿客戶，產(chǎn)品能力獲得多方認(rèn)證自成立以來(lái)，公司始終專注于半導(dǎo)體功率器件行業(yè)，具備獨(dú)立的 MOSFET 和 IGBT 芯片 設(shè)計(jì)能力和自主的工藝技術(shù)平臺(tái)。公司持續(xù)推進(jìn)高端 MOSFET、I

20、GBT 的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已 推出先進(jìn)的超結(jié)功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上，進(jìn) 一步對(duì)上述產(chǎn)品升級(jí)換代，并陸續(xù)推出 SiC MOSFET/GaN HEMT/功率模塊/智能功率驅(qū)動(dòng) IC 等新產(chǎn)品。 公司的主要產(chǎn)品種類豐富，擁有覆蓋了 12V1700V 電壓范圍、0.1A450A 電流范圍的多 系列細(xì)分型號(hào)產(chǎn)品，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件行業(yè)中 MOSFET 產(chǎn)品系列最齊全且技術(shù)先 進(jìn)的設(shè)計(jì)企業(yè)。采用“構(gòu)建-衍生-升級(jí)”的發(fā)展模式，MOSFET 產(chǎn)品料號(hào)數(shù)量領(lǐng)先。通過(guò)構(gòu)建工藝平臺(tái)推 動(dòng)產(chǎn)品繼續(xù)細(xì)分開發(fā)，開發(fā)產(chǎn)品又反過(guò)來(lái)推動(dòng)生產(chǎn)平臺(tái)的持續(xù)升級(jí)，提

21、高了產(chǎn)品的研發(fā)效率和 實(shí)際效果，實(shí)現(xiàn)了公司產(chǎn)品裂變式的增加，極大程度地滿足了下游企業(yè)的不同需求。截至 2021 年底，公司產(chǎn)品料號(hào)數(shù)量高達(dá) 1500 余種，在國(guó)內(nèi) MOSFET 市場(chǎng)具備齊全產(chǎn)品范圍，同時(shí)不同 產(chǎn)品的組合方案也能夠滿足不同客戶的需求。公司以市場(chǎng)需求為導(dǎo)向，加速新產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)，調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，持續(xù)推進(jìn)高端功率的 MOSFET 和 IGBT 等產(chǎn)品的研發(fā)。公司加大了 IGBT 和屏蔽柵 MOSFET 等產(chǎn)品的銷售比例， 減少了原有成熟的溝槽型功率 MOSFET。我們可以從公司申請(qǐng)專利的結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)，公司的專 利申請(qǐng)基本集中在最具有活躍度的功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，根據(jù)企知道的專利數(shù)據(jù)庫(kù)顯示

22、的公 開數(shù)據(jù)，公司在分類為 H01L29、H01L21 的專利占據(jù)了總專利數(shù)量中的 85%，而這兩個(gè)專利 基本都是集中在半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)和工藝方面。 截至公司 21 年年報(bào)，公司累計(jì)獲取 135 個(gè) 專利，其中發(fā)明專利 36 個(gè)，當(dāng)年新增產(chǎn)品近 300 多款，21 年新增申請(qǐng)發(fā)明專利 21 個(gè)，新增 獲得 9 個(gè)。深耕行業(yè)多年，積累多優(yōu)質(zhì)客戶。公司憑借多年在 MOSFET 領(lǐng)域積累，其下游行業(yè)分布 廣泛，主要應(yīng)用于汽車電子、光伏及儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、5G 通訊、工業(yè)電源、機(jī)器人、智慧農(nóng) 業(yè)無(wú)人機(jī)、安防、鋰電保護(hù)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。從下游客戶結(jié)構(gòu)來(lái)看，在行業(yè)內(nèi)擁有多家標(biāo)桿 客戶，例如比亞迪、寧德時(shí)代

23、、陽(yáng)光電源、固德威、富士康、視源股份、大疆等，經(jīng)銷與直銷 模式并存，拓寬了公司客戶結(jié)構(gòu)，搶占龍頭標(biāo)桿客戶。（二）產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同緊密，與上下游保持良好合作關(guān)系公司采用 fabless+先進(jìn)封測(cè)的商業(yè)模式，大部分芯片生產(chǎn)為外包，封測(cè)環(huán)節(jié)則通過(guò)子公司 電基集成以及外協(xié)廠進(jìn)行。公司為了保障芯片供給產(chǎn)能，和上游的晶圓制造廠商、封測(cè)廠等供 應(yīng)商都建立了較為穩(wěn)定的合作關(guān)系。 芯片代工業(yè)務(wù)方面，公司選擇華虹宏力和華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）等國(guó)內(nèi)主要的具備 MOSFET、 IGBT 等大尺寸晶圓芯片代工能力的本土芯片代工供應(yīng)商，其中 2021 年華虹宏力供應(yīng)商占年 度采購(gòu)總額比例為 38.23%，華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）占 30

24、%；尤其是華虹宏力，公司與其建立了 長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系，在華虹宏力一廠、二廠、三廠、七廠均已實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。公司和華虹宏力十幾 年來(lái)的深入合作，為國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體公司中唯一一家，也是華虹宏力最大的功率半導(dǎo)體客戶， 且是華虹宏力平臺(tái)上新產(chǎn)品開發(fā)成功率最高的客戶。華虹宏力 12 英寸平臺(tái) 2022 年以來(lái)持續(xù) 擴(kuò)充產(chǎn)能，并在籌劃新廠進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能，預(yù)計(jì)公司將獲得更多的產(chǎn)能支持。 在封測(cè)廠方面，一方面，公司子公司電基集成封裝測(cè)試產(chǎn)量穩(wěn)定提升，已能夠滿足公司近 四成產(chǎn)品的自主封測(cè)需求；另一方面，公司進(jìn)一步加強(qiáng)與長(zhǎng)電科技、日月光、捷敏電子、成都 集佳等十余家優(yōu)秀的封裝測(cè)試企業(yè)合作。公司與產(chǎn)業(yè)鏈中重要供應(yīng)商簽訂了框架合作協(xié)議，保持長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系，公司加強(qiáng)了 對(duì)于上下游企業(yè)的合作關(guān)系，公司與產(chǎn)業(yè)鏈中大部分優(yōu)秀供應(yīng)商已形成了相互依存、共同發(fā)展 的緊密合作，形成了公司較為突出的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)作優(yōu)勢(shì)。 經(jīng)銷為主，直銷為輔，建立良好銷售關(guān)系。公司采用“經(jīng)銷加直銷”的銷售模式。在經(jīng)銷 模式下，經(jīng)銷商可以幫助芯片設(shè)計(jì)企業(yè)快速地建立銷售渠道、擴(kuò)大市場(chǎng)份額，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品和資金 的較快周轉(zhuǎn)，節(jié)省了公司的資金及資源投入，有利于芯片設(shè)計(jì)企業(yè)將主要精力投入到產(chǎn)品研