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1、材料科學(xué)基礎(chǔ)-晶體缺陷(總分:430.00,做題時(shí)間:90分鐘)一、論述題(總題數(shù):43,分?jǐn)?shù):430.00)設(shè)Cu中空位周?chē)拥恼駝?dòng)頻率為10i3S-i,AEv為0.15X10-i8j,exp(S/k)約為1,試計(jì)算在700K和室溫(27C)時(shí)空位的遷移頻率。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(空位的遷移頻率*)解析:Nb的晶體結(jié)構(gòu)為bcc,其晶格常數(shù)為0.3294nm,密度為8.57g/cm3,試求每10eNb中所含的空位數(shù)目。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(設(shè)空位之粒子數(shù)分?jǐn)?shù)為x,*106X7.1766X 10-3=7176.6(個(gè))所以,106個(gè)Nb中有7176.6個(gè)空位。)解析:P
2、t的晶體結(jié)構(gòu)為fcc,其晶格常數(shù)為0.3923nm,密度為21.45g/cm3,試計(jì)算其空位粒子數(shù)分?jǐn)?shù)。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(設(shè)空位所占粒子數(shù)分?jǐn)?shù)為x,*)解析:若fcc的Cu中每500個(gè)原子會(huì)失去1個(gè),其晶格常數(shù)為0.3615nm,試求Cu的密度。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(*)解析:由于H原子可填入a -Fe的間隙位置,若每200個(gè)鐵原子伴隨著1個(gè)H原子,試求a -Fe理論的和實(shí)際 的密度與致密度(巳知 a -Fe 的 a=0.286nm, rF=0.1241nm, rH=0.036nm)。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:( *)解析:MgO的密度為3.58g/cm3,其
3、晶格常數(shù)為0.42nm,試求每個(gè)MgO單位晶胞內(nèi)所含的肖特基缺陷數(shù)。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(設(shè)單位晶胞內(nèi)所含的肖特基缺陷數(shù)為x個(gè),正確答案:(熱激活過(guò)程通??捎芍腁rrhenius正確答案:(熱激活過(guò)程通??捎芍腁rrhenius方程來(lái)描述。令E為形成一個(gè)間隙原子所需的能量, 因此,能量超過(guò)平均能量而具有高能量的原子數(shù)n與總原子數(shù)N之比為正確答案:(解析:若在MgF2中溶入LiF,則必須向MgF2中引入何種形式的空位(陰離子或陽(yáng)離子)?相反,若要使LiF中溶入 MgF2,則須向LiF中引入何種形式的空位(陰離子或陽(yáng)離子)? (分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(MgF2若要溶入L
4、iF,由Mg2+取代Li,,則須引入陽(yáng)離子空位,因?yàn)楸蝗〈碾x子和新加入的離子, 其價(jià)電荷必須相等。相反,若要使LiF溶入MgF2,由Li+取代Mg2+,則須引入陰離子空位,使電荷平衡且不 破壞原來(lái)的MgF2結(jié)構(gòu)。)解析:若FeO固溶于NiO中,其質(zhì)量分?jǐn)?shù)3 (FeO)=10%。此時(shí),部分3Ni2,。被(2Fe3+口)取代以維持電荷平衡。 I732 3巳知求巳知求1m3中有多少個(gè)陽(yáng)離子空位數(shù)?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(根據(jù)其固溶度,100g固溶體中則有10g的Fe2O90g的NiO。*2 3*因?yàn)镹iO具有NaCl型結(jié)構(gòu),CN=6,且*,故可視為3 (FeR)為10%時(shí)母體的NaCl型
5、結(jié)構(gòu)不變,因此*2 3由于每單位晶胞含有4個(gè)Ni2+和 4個(gè)O2-,故1m3中含有氧離子數(shù)為*而在此固溶度條件下,每1.393mol的氧離子同時(shí)含有0.125mol的Fe3+和*mol的陽(yáng)離子空位數(shù),所以1m3 固溶體中含有陽(yáng)離子空位數(shù)為*)解析:在某晶體的擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn),在500C時(shí),1010個(gè)原子中有1個(gè)原子具有足夠的激活能,可以跳出其平衡 位置而進(jìn)入間隙位置;在600C時(shí),此比例會(huì)增加到109。求此跳躍所需要的激活能。在700C時(shí),具 有足夠能量的原子所占的比例為多少?(分?jǐn)?shù):10.00)*解上述聯(lián)立方程得lnA=-2.92,E=2.14X10-ic)(J)在700C時(shí)*故*)解析:某晶
6、體中形成一個(gè)空位所需要的激活能為0.32X10-18J。在800C時(shí),1X104個(gè)原子中有一個(gè)空位。求在 何種溫度時(shí),103個(gè)原子中含有一個(gè)空位?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(根據(jù)Arrhenius方程得知:*將巳知條件代入上式:*得lnA=12.4而*所以T=1201K=928C)解析:已知Al為fcc晶體結(jié)構(gòu),其點(diǎn)陣常數(shù)a=0.405nm,在550C時(shí)的空位濃度為2X10-6,計(jì)算這些空位均 勻分布在晶體中的平均間距。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(川m3體積Al含有陣點(diǎn)數(shù)為*所以川m3體積內(nèi)的空位數(shù)n=CN=6.021 X 1010X2X 10-6=1.204X 105(個(gè))假定空
7、位在晶體內(nèi)是均勻分布的,其平均間距*)解析:在Fe中形成1mol空位的能量為104.675kJ,試計(jì)算從20C升溫至850C時(shí)空位數(shù)目增加多少倍?(分?jǐn)?shù):10.00)正確答案:(*故*)解析:W在20C時(shí)每1023個(gè)晶胞中有一個(gè)空位,從20C升溫至1020C時(shí),點(diǎn)陣常數(shù)膨脹了(4X1g)%,而密度 下降了 0.012%,求W的空位形成能和形成熵。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(*;而W的晶體結(jié)構(gòu)為bcc,每個(gè)晶胞含有2個(gè)W原子,故*。由于升溫時(shí)晶體總質(zhì)量不變,即*而晶體從T1上升至T2時(shí),體積的膨脹是由點(diǎn)陣原子間距增大和空位濃度增高共同引起的,對(duì)邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的立 方體,從t1升至T2時(shí)總的體積變
8、化率*12由點(diǎn)陣常數(shù)增大引起的體積變化率*若T1時(shí)空位濃度與T2時(shí)相比可忽略不計(jì),則T2時(shí)的平衡空位濃度:* 122故 C =(0.012-3X4X10-4)%=1X10-41020因此,*解得*)解析:Al的空位形成能(Ev)和間隙原子形成能(Ej)分別為0.76eV和3.0eV,求在室溫(20C)及500C時(shí),Al空 位平衡濃度與間隙原子平衡濃度的比值。1(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(20C時(shí):*500C 時(shí):*討論:點(diǎn)缺陷形成能的微小變化會(huì)引起其平衡濃度產(chǎn)生大幅度的變化。由于Al晶體中空位形成能低于間隙 原子形成能,從而使同一溫度下空位平衡濃度大大高于間隙原子平衡濃度。溫度越低,此現(xiàn)
9、象越明顯。隨 溫度下降,形成能較高的間隙原子的平衡濃度下降速度要比形成能較低的空位cv下降速度快得多。) 解析:若將一位錯(cuò)線的正向定義為原來(lái)的反向,此位錯(cuò)的伯氏矢量是否改變?位錯(cuò)的類(lèi)型性質(zhì)是否變化?一個(gè)位 錯(cuò)環(huán)上各點(diǎn)位錯(cuò)類(lèi)型是否相同?(分?jǐn)?shù):10.00)有兩根左螺旋位錯(cuò)線,各自的能量都為E1,當(dāng)它們無(wú)限靠攏時(shí),總能量為多少?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(由于位錯(cuò)的應(yīng)變能與b2成正比,同號(hào)螺型位錯(cuò)的能量又都相同,因此其伯氏矢量b必然相同。 若它們無(wú)限靠攏時(shí),合并為伯氏矢量為2b的新位錯(cuò),其總能量應(yīng)為4E。但是,實(shí)際上此位錯(cuò)反應(yīng)是無(wú)法 進(jìn)行的,因?yàn)楹喜⒑竽芰渴窃黾拥?,何況同性相斥,兩同號(hào)位錯(cuò)間
10、的排斥力將不允許它們無(wú)限靠攏。) 解析:如圖3-18所示的兩根螺型位錯(cuò),一個(gè)含有扭折,而另一個(gè)含有割階。圖上所示的箭頭方向?yàn)槲诲e(cuò)錢(qián)的 正方向,扭折部分和割階部分都為刃型位錯(cuò)。若圖示滑移面為fcc的(111 )面,問(wèn)這兩根位錯(cuò)線段中(指 割階和扭折),哪一根比較容易通過(guò)它們自身的滑移而去除?為什么?解釋含有割階的螺型位錯(cuò)在滑動(dòng)時(shí)是(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(由于扭折處于原位錯(cuò)所在滑移面上,在線張力的作用下可通過(guò)它們自身的滑移而去除。割階 則不然,它與原位錯(cuò)處于不同的面上,fcc的易滑移面為(111),割階的存在對(duì)原位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)必定產(chǎn)生阻力, 故也難以通過(guò)原位錯(cuò)的滑動(dòng)來(lái)去除。12和34段均為刃
11、型割階,并且在12的左側(cè)多一排原子面,在34的右側(cè)多一排原子面,若隨著 位錯(cuò)線05的運(yùn)動(dòng),割階12向左運(yùn)動(dòng)或割階34向右運(yùn)動(dòng),則沿著這兩段割階所掃過(guò)的面積會(huì)產(chǎn)生厚 度為一個(gè)原子層的空位群。) 解析:假定有一個(gè)b在晶向的刃型位錯(cuò)沿著(100)晶面滑動(dòng),如果有另一個(gè)伯氏矢量在010方向,沿 著(001)晶面上運(yùn)動(dòng)的刃型位錯(cuò),通過(guò)上述位錯(cuò)時(shí)該位錯(cuò)將發(fā)生扭折還是割階?如果有一個(gè)b方向?yàn)?00, 并在(001)品面上滑動(dòng)的螺型位錯(cuò)通過(guò)上述位錯(cuò),試問(wèn)它將發(fā)生扭折還是割階?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(扭折;割階。)解析:有一截面積為1mm2、長(zhǎng)度為10mm的圓柱狀晶體在拉應(yīng)力作用下,與圓柱體軸線成45
12、。的晶面上若有 一個(gè)位錯(cuò)線運(yùn)動(dòng),它穿過(guò)試樣從另一面穿出,問(wèn)試樣將發(fā)生多大的伸長(zhǎng)量(設(shè)b=2X10-1m)?若晶體中位錯(cuò) 密度為1014m-2,當(dāng)這些位錯(cuò)在應(yīng)力作用下全部運(yùn)動(dòng)并走出晶體,試計(jì)算由此而發(fā)生的總變形量(假定沒(méi)有新 的位錯(cuò)產(chǎn)生)。求相應(yīng)的正應(yīng)變。(分?jǐn)?shù):10.00)有兩個(gè)被釘扎住的刃型位錯(cuò)A-B和C-D,它們的長(zhǎng)度x相等,且具有相同的b,而b的大小和方向相同(圖 3-21)。每個(gè)位錯(cuò)都可看作F-R位錯(cuò)源。試分析在其增殖過(guò)程中二者間的交互作用。若能形成一個(gè)大的位錯(cuò) 源,使其開(kāi)動(dòng)的T多大?若兩位錯(cuò)b相反,情況又如何?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(兩位錯(cuò)在外力作用下將向上彎曲并不斷擴(kuò)大,
13、當(dāng)他們擴(kuò)大相遇時(shí),將于相互連接處斷開(kāi),放出 一個(gè)大的位錯(cuò)環(huán)。新位錯(cuò)源的長(zhǎng)度為5x,將之代入,F(xiàn)-R源開(kāi)動(dòng)所需的臨界切應(yīng)力時(shí),不須加切應(yīng)力。(2)時(shí),不須加切應(yīng)力。(2)對(duì)同號(hào)位錯(cuò)(以?xún)韶?fù)刃位錯(cuò)為例):要做相向運(yùn)動(dòng),*時(shí),需要加切應(yīng)力:*對(duì)位錯(cuò)A方向*,對(duì)位錯(cuò)B方向?yàn)?。*時(shí),不須加切應(yīng)力;要做反向運(yùn)動(dòng),*時(shí),不須加切應(yīng)力;*時(shí),需要加切應(yīng)力:*,對(duì)位錯(cuò)A方向*,對(duì)位錯(cuò)B方向?yàn)?。)解析:若兩個(gè)位錯(cuò)A-B和C-D的b相反時(shí),在它們擴(kuò)大靠近時(shí)將相互產(chǎn)生斥力,從而使位錯(cuò)環(huán)的擴(kuò)展阻力增大, 并使位錯(cuò)環(huán)的形狀發(fā)生變化。隨著位錯(cuò)環(huán)的不斷擴(kuò)展,斥力愈來(lái)愈大,最后將完全抑制彼此的擴(kuò)展運(yùn)動(dòng)而 相互釘扎住。)解析
14、:如圖3-22所示,在相距為h的滑移面上有兩個(gè)相互平行的同號(hào)刃型位錯(cuò)A,B。試求位錯(cuò)B滑移通過(guò)位 錯(cuò)A上面所需的切應(yīng)力表達(dá)式。(分?jǐn)?shù):10.00)巳知金晶體的G=27GPa,且晶體上有一直刃型位錯(cuò)b=0.2888nm,試?yán)L出此位錯(cuò)所產(chǎn)生的最大分剪應(yīng)力與 距離關(guān)系圖,并計(jì)算當(dāng)距離為2口 m時(shí)的最大分剪應(yīng)力。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(刃位錯(cuò)的應(yīng)力場(chǎng)中有兩個(gè)切應(yīng)力:*當(dāng)*一定時(shí),y=0時(shí),t最大,所以最大的分切應(yīng)力在滑移面上,其值隨著與位錯(cuò)距離的增大而減小,即(即(T*,如圖15所示。*若x=2p m,則*)解析:兩根刃位錯(cuò)b的大小相等且相互垂直(如圖3-24所示),計(jì)算位錯(cuò)2從其滑移面上x(chóng)
15、=8處移至x=a處所 需的能量。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(首先做坐標(biāo)變換(如圖16所示),原題意可轉(zhuǎn)為求位錯(cuò)2從y=-8移至y=-a處所需的能量,也 即在此過(guò)程中外力為克服y方向的作用力所做的功。位錯(cuò)2在位錯(cuò)1應(yīng)力場(chǎng)作用下受力為*設(shè)位錯(cuò)線長(zhǎng)度為l,位錯(cuò)2在y方向受力為*可見(jiàn),若|a|s|,位錯(cuò)2在y=-8至y=-a范圍內(nèi)始終受到正向的力,如果不考慮其他阻力,則不需要外 力做功便可自動(dòng)到達(dá)要求的位置。若|a|s|,將位錯(cuò)2從y=-8移至y=-a出所需的能量 *) 解析:已知Cu晶體的點(diǎn)陣常數(shù)a=0.35nm,剪切模量G=4X104MPa,有一位錯(cuò)其位錯(cuò)線方向?yàn)樵囉?jì)算該位錯(cuò)的應(yīng)變能。(分?jǐn)?shù)
16、:10.00) 正確答案:(根據(jù)伯氏矢量與位錯(cuò)線之間的關(guān)系可知,該位錯(cuò)為螺型位錯(cuò),其應(yīng)變能*取*RFX10-6m 故*)解析:在同一滑移面上有兩根相平行的位錯(cuò)線,其伯氏矢量大小相等且相交成q角,假設(shè)兩伯氏矢量相對(duì)位 錯(cuò)線呈對(duì)稱(chēng)配置(圖3-26),試從能量角度考慮,q在什么值時(shí)兩根位錯(cuò)線相吸或相斥?(分?jǐn)?shù):10.00)正確答案:(設(shè)想將兩根位錯(cuò)線合并為一根,合并后的伯氏矢量為。若合并后能量是增加的,則兩根位錯(cuò) 線是相斥的;若合并后能量是降低的,則兩根位錯(cuò)線相吸。3根據(jù)位錯(cuò)應(yīng)變能表達(dá)式可算得:合并前:*合并后:*當(dāng)代+烏)/。時(shí),可算得兩位錯(cuò)間作用力為零時(shí)的q值,即* 1 2將:* 代入上式,得*
17、當(dāng)q 80,(E+E)E,兩位錯(cuò)線相斥;q80,(E+E)E,兩位錯(cuò)線相吸。)123123解析:如圖3-27所示,某晶體滑移面上有一伯氏矢量為b的位錯(cuò)環(huán),并受到一均勻剪應(yīng)力T的作用,分析各段位錯(cuò)線所受力的大小并確定其方向。在T作用下,若要使它在晶體中穩(wěn)定不動(dòng),其最小半徑為多大?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(令逆時(shí)針?lè)较驗(yàn)槲诲e(cuò)環(huán)線的正方向,則A點(diǎn)為正刃型位錯(cuò),B點(diǎn)為負(fù)刃型位錯(cuò),D點(diǎn)為右螺 旋位錯(cuò),C點(diǎn)為左螺旋位錯(cuò),位錯(cuò)環(huán)上其他各點(diǎn)均為混合型位錯(cuò)。各段位錯(cuò)線所受的力均為f=T b,方向垂直于位錯(cuò)線并指向滑移面的未滑移區(qū)。在外力T和位錯(cuò)線的線張力T作用下,位錯(cuò)環(huán)最后在晶體中穩(wěn)定不動(dòng),此時(shí)*,故*
18、。)解析:試分析在fcc中,下列位錯(cuò)反應(yīng)能否進(jìn)行?并指出其中3個(gè)位錯(cuò)的性質(zhì)類(lèi)型?反應(yīng)后生成的新位錯(cuò)能否在 滑移面上運(yùn)動(dòng)?(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(位錯(cuò)反應(yīng)幾何條件:*能量條件:*因此:*位錯(cuò)反應(yīng)能進(jìn)行。對(duì)照湯普森四面體,此位錯(cuò)反應(yīng)相當(dāng)于*新位錯(cuò)*的位錯(cuò)線為*的交線位于(001)面上,且系純?nèi)行臀诲e(cuò)。由于(001)面系fcc非密排面,故不能運(yùn)動(dòng),系固定位錯(cuò)。)解析:試證明:fcc中兩個(gè)肖克利不全位錯(cuò)之間的平衡距離d可近似地由下式給出:(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(巳知兩平行位錯(cuò)之間的作用力為*;當(dāng)一個(gè)全位錯(cuò)*分解成兩個(gè)不全位錯(cuò):*時(shí),兩個(gè)不全位錯(cuò)之間夾角為60位錯(cuò)之間夾角為60,故它
19、們之間的作用力為F=*,此系斥力。由于兩個(gè)不全位錯(cuò)之間為一堆垛層錯(cuò),層錯(cuò)Y如同表面張力,有促進(jìn)層錯(cuò)區(qū)收縮的作用,從而使兩個(gè)不全 位錯(cuò)間產(chǎn)生引力。當(dāng)F=y時(shí),兩個(gè)不全位錯(cuò)到達(dá)平衡距離,令d=ds,*,而a為點(diǎn)陣常數(shù),ab,故*。)(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(正確答案:(位錯(cuò)A,B的應(yīng)力場(chǎng)作用于位錯(cuò)正確答案:(位錯(cuò)A,B的應(yīng)力場(chǎng)作用于位錯(cuò)C,使其在滑移面上發(fā)生滑移的力*位錯(cuò)C受到x正方向的力,所以向右運(yùn)動(dòng)。fx=0,位錯(cuò)C位置即為最終停住的位置,設(shè)停住時(shí)此位錯(cuò)C與位錯(cuò)A在x方向的距離為,由于正確答案:(如圖17所示,有一螺型位錯(cuò)在(111 )面上滑移(a),于某處受阻不能繼續(xù)滑移,此位錯(cuò)的一
20、部 分就離開(kāi)(111)面而沿:*面進(jìn)行交滑移,同時(shí)產(chǎn)生刃型位錯(cuò)段AC和BD(b),然后CD又通過(guò)交滑移回到和 原來(lái)滑移面平行的另一(111)面上;由于AC和BD這兩段刃位錯(cuò)不在主滑移面上,而且A,B,C,D點(diǎn)又被 釘扎住,不能移動(dòng),因此A,B,C,D可以起到F_R源結(jié)點(diǎn)的作用。在應(yīng)力作用下,位錯(cuò)線CD可以不斷地 在滑移面上增殖(c),有時(shí)在第二個(gè)(111 )面上擴(kuò)展出來(lái)的位錯(cuò)圈又可以通過(guò)雙交滑移轉(zhuǎn)移到第三個(gè)(111) 面上進(jìn)行增殖,所以上述過(guò)程可使位錯(cuò)數(shù)目迅速增加,這就是位錯(cuò)增殖的雙交滑移機(jī)制。*)解析:31.在3個(gè)平行的滑移面上有3根平行的刃型位錯(cuò)線A,B,C(圖3-31),其伯氏矢量大小相
21、等,AB被釘扎 不能動(dòng),若無(wú)其他外力,僅在A,B應(yīng)力場(chǎng)作用下,位錯(cuò)C向哪個(gè)方向運(yùn)動(dòng)?指出位錯(cuò)向上述方向運(yùn)動(dòng) 時(shí),最終在何處停下?卜加以同號(hào)螺位錯(cuò)3,試計(jì)算加在螺位錯(cuò)卜加以同號(hào)螺位錯(cuò)3,試計(jì)算加在螺位錯(cuò)3上的力,并指出該力將使位錯(cuò)3向表面運(yùn)動(dòng)還是(分?jǐn)?shù):10.00)(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(在晶體內(nèi)離表面*處加了螺位錯(cuò)3后,在晶體外離表面*處有一符號(hào)相反的鏡像螺位錯(cuò)4, 設(shè)受力方向由晶內(nèi)向外為正,反之為負(fù)。位錯(cuò)3與位錯(cuò)1同號(hào)時(shí),螺位錯(cuò)3受力為*,方向指向表面。位錯(cuò)3與位錯(cuò)1異號(hào)時(shí),螺位錯(cuò)3受力為*,方向指向晶內(nèi)。)解析:銅單晶的點(diǎn)陣常數(shù)a=0.36nm,當(dāng)銅單晶樣品以恒應(yīng)變速率進(jìn)行拉伸變
22、形時(shí),3s后,試樣的真應(yīng)變?yōu)?%, 若位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的平均速度為4X10-3cm/s,求晶體中的平均位錯(cuò)密度。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(試樣拉伸時(shí)的恒應(yīng)變速率正確答案:(*正確答案:(*正六邊形面積*,總邊長(zhǎng)為6a。單位面積中亞晶數(shù)目*銅晶體中單位位錯(cuò)*的*而*故晶體中的平均位錯(cuò)密度 *) 解析:決定了材料的剪切強(qiáng)度,為達(dá)到銅單晶中相互纏結(jié)的三維位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)結(jié)點(diǎn)間平均距離為D,計(jì)算位錯(cuò)增殖所需的應(yīng)力T。如果此應(yīng)力 的強(qiáng)度值,且巳知G=50GPa,a=0.36nm,D應(yīng)為何值?計(jì)算當(dāng)剪切 強(qiáng)度為42MPa時(shí)的位錯(cuò)密度p。決定了材料的剪切強(qiáng)度,為達(dá)到(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)中兩結(jié)點(diǎn)
23、和它們之間的位錯(cuò)段可作為F-R源,位錯(cuò)增殖所需的切應(yīng)力即為F-R源開(kāi) 動(dòng)所需的最小切應(yīng)力:*對(duì)三維位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò):*)解析:試描述位錯(cuò)增殖的雙交滑移機(jī)制。如果進(jìn)行雙交滑移的那段螺型位錯(cuò)長(zhǎng)度為100nm,而位錯(cuò)的伯氏矢量 為0.2nm,試求實(shí)現(xiàn)位錯(cuò)增殖所必需的剪應(yīng)力(G=40GPa)。(分?jǐn)?shù):10.00)(分?jǐn)?shù):10.00)正確答案:(設(shè)障礙物受到的力為f,位錯(cuò)A受力平衡:正確答案:(當(dāng)相鄰兩相的晶面間距相差較大時(shí),會(huì)出現(xiàn)部分共格界面,如圖21正確答案:(當(dāng)相鄰兩相的晶面間距相差較大時(shí),會(huì)出現(xiàn)部分共格界面,如圖21所示。每經(jīng)過(guò)一定距離, 上下晶面重合,在原子間相互作用力的作用下,在中間對(duì)稱(chēng)位置上出現(xiàn)一
24、個(gè)刃位錯(cuò),位錯(cuò)間距位錯(cuò)B受力平衡:*位錯(cuò)C受力平衡:*聯(lián)立上述方程得*故f=3X2QOX1Q6XQ.248X1Q-9=0.15N/m *)解析:不對(duì)稱(chēng)傾斜晶界可看成由兩組伯氏矢量相互垂直的刃型位錯(cuò)、和 錯(cuò)排列而構(gòu)成的。試證明兩組 刃型位錯(cuò)距離為匚-。(分?jǐn)?shù):10.00)正確答案:(作圖18,令CFAE, 當(dāng)e很小時(shí),*AFCE。故AC晶界上單位長(zhǎng)度縱向排布的上型位錯(cuò)數(shù)為p :*故*同理,*)解析:證明公式代表形成扭轉(zhuǎn)晶界的兩個(gè)平行螺型位錯(cuò)之間的距離,這個(gè)扭轉(zhuǎn)晶界是繞晶界的垂直線轉(zhuǎn)動(dòng)了 e角而形成的。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(由圖19可得* *)解析:在鋁試樣中,測(cè)得晶粒內(nèi)部位錯(cuò)密度為5
25、X1Q9/cm2。假定位錯(cuò)全部集中在亞晶界上,每個(gè)亞晶粒的截面均為正六邊形。亞晶問(wèn)傾斜角為5,若位錯(cuò)全部為刃型位錯(cuò),均為正六邊形。亞晶問(wèn)傾斜角為5,若位錯(cuò)全部為刃型位錯(cuò),b=,伯氏矢量的大小等于2X1Q-i0m,試求亞晶界上的位錯(cuò)間距和亞晶的平均尺寸。(分?jǐn)?shù):10.00)求得a=1X10-5m)解析:Ni晶體的錯(cuò)排間距為2000nm,假設(shè)每一個(gè)錯(cuò)排都是由一個(gè)額外的(110)原子面所產(chǎn)生的,計(jì)算其小傾角 晶界的B角。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(110)的晶面間距令錯(cuò)配度*令錯(cuò)配度*則*)解析:*故0 =0.001785)解析:若由于嵌入一額外的(111)面,使得a -Fe內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)傾斜1的
26、小角度晶界,試求錯(cuò)排間的平均距離。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(a -Fe晶體的晶格常數(shù)*故*)解析:設(shè)有兩個(gè)a相晶粒與一個(gè)P相晶粒相交于一公共晶棱,并形成三叉晶界,巳知月相所張的兩面角為 100,界面能Y aa為0.31Jm-2,試求a相與p相的界面能y ap。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(如圖20所示,當(dāng)平衡時(shí)*)解析:一I jalulaiT證明一維點(diǎn)陣的a -p相界面錯(cuò)配可用一列刃型位錯(cuò)完全調(diào)節(jié),位錯(cuò)列的間距為,式中a p為p相的點(diǎn)陣常數(shù),6為錯(cuò)配度。(分?jǐn)?shù):10.00)*式中A為比例常數(shù);k為玻爾茲曼常數(shù);T為絕對(duì)溫度。上式兩邊取對(duì)數(shù),則有正確答案:(*,取 A=1*)解析:由600C降至300C時(shí),Ge晶體中的空位平衡濃度降低了 6個(gè)數(shù)量級(jí),試計(jì)算Ge晶體中的空位形成能。(分?jǐn)?shù):10.00) 正確答案:(由伯氏矢量回路來(lái)確定位錯(cuò)的伯氏矢量方法中得知,此位錯(cuò)的伯氏矢量將反向,但此位錯(cuò)的類(lèi) 型性質(zhì)不變。根據(jù)位錯(cuò)線與伯氏矢量之間的夾角判斷,若一個(gè)位錯(cuò)環(huán)的伯氏矢量垂直于位錯(cuò)環(huán)線上各點(diǎn)位 錯(cuò),則該位錯(cuò)環(huán)上各點(diǎn)位錯(cuò)性質(zhì)相同,均為
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