高考理綜35題《物質(zhì)結(jié)構(gòu)》難點易錯點答題大全

1、高考熱點透析：化學(xué)選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)簡答題難點易錯點一、構(gòu)造原理的應(yīng)用【19年全國卷IIFe成為陽離子時首先失去軌道電子，Sm的價層電子排布式為4f56s2,Sm3+的價層電子排布式為【答】4s4F【19年全國卷III】在周期表中，與Li的化學(xué)性質(zhì)最相似的鄰族元素是，該元素基態(tài)原子核外M層電子的自旋狀態(tài)(填“相同”或“相反”。)【答】Mg相反TOC o 1-5 h z【18年全國卷II】基態(tài)S原子電子占據(jù)最高能級的電子云輪廓圖為形?！敬稹繂♀?紡錘)基態(tài)K原子中，核外電子占據(jù)最高能層的符號是,占據(jù)該能層電子的電子云輪廓圖，K和Cr屬于同一周期，且核外最外層電子構(gòu)型相同，但金屬K的熔點、沸點等都比金

2、屬Cr低，原因是o【答】N球形K的原子半徑較大且價電子數(shù)較少，金屬鍵較弱。氧元素的第一電離能小于氮元素，原因是:【答】氮原子的2p軌道處于較穩(wěn)定的半充滿狀態(tài)而氧原子的不是。尿素CO(NH:)2分子中N、O元素的第一電離能NO,原因是:【答】N元素的2P能級為半充滿，是較穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，失去1個電子需要的能量多，所以第一電離能NOo比較Mn和Fe的電離能數(shù)據(jù)可知：氣態(tài)M1P+再失去一個電子比氣態(tài)F4+再失去一個電子難。對此，你的解釋是：o【答】M1F+的3d軌道電子排布為半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定：而Fe”的3d軌道電子數(shù)為6,不是較穩(wěn)定的狀態(tài)。元素銅與線的第二電離能分別為：I(Cu)=1959kJ/mol

3、,I(Ni)=1753kJ/mobI(Cu)1(Ni)的原因是:3【答】CM核外電子排布呈全充滿狀態(tài)，比Ni+穩(wěn)定，難以失去電子。某同學(xué)書寫基態(tài)銅原子的價層電子排布式為3d94s,該排布式違背了洪特規(guī)則特例。簡單金屬離子在水溶液中的顏色人多與價層含有未成對電子有關(guān)，Cif呈無色，其主要原因可能是：o【答】價層無未成對電子。P和S是同一周期的兩種元素，P的第一電離能比S大，原因是：?！敬稹縋的p亞層是半充滿狀態(tài)，比較穩(wěn)定，所以第一電離能比硫的人。從原子結(jié)構(gòu)角度分析Fe，+和Fe廣的穩(wěn)定性相對強弱：。 /12如下所示，簡要分析和解釋下列有關(guān)爭實?；瘜W(xué)鍵ccCHcOSiSiSiHSiO鍵能/(kJ-

4、mor1)356413336226318452硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷坯多，原因是：OS1H4的穩(wěn)定性小于CH4,更易生成氧化物，原因是：。【答】C-C鍵和C-H鍵較強，所形成的烷燒穩(wěn)定。而硅烷中Si-Si鍵和S1-H鍵的鍵能較低，易斷裂，導(dǎo)致長鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于C-O鍵，C-H鍵比C-O鍵穩(wěn)定。而S1-H鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于Si-O鍵，所以S1-H鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強的S1-O鍵。已知苯酚（）具有弱酸性，其Ka=l.lxio-10；水楊酸第一級電離形成的離子O=OH能形成分子內(nèi)氫鍵。據(jù)此判斷，相同溫度下電離平衡常數(shù)Ka2（水楊酸）Ka（苯

5、酚）（填“”或“V”），TOC o 1-5 h z其原因是：O【答】NH,在NFs中，共用電子對偏向F,偏離N原子，使得氮原子上的孤電子對難于與CQ十形成配位鍵。16與H9分子相比，OF?分子的極性更（填，大或T、），原因是:NOAI【答】小都是V形分子，且孤電子對均為2,F與O的電負(fù)性差值小于H與O電負(fù)性差值，導(dǎo)致正負(fù)電荷中心偏離程度減小。NOAI氮化鋁晶胞結(jié)構(gòu)如下，該晶體中存在配位鍵與共價鍵：判斷晶體中有配位鍵的依據(jù)是：3【答】氮化鋁晶體中，每個鋁原子與4個氮原子結(jié)合，而鋁原子只有3個價電子，需提供1個空軌道形成配位鍵以達(dá)到8電子對穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。（1）FeO熔點比Fe：O3熔點填“高”或低”）

6、，原TOC o 1-5 h z因：。（2）S03的三聚體壞狀結(jié)構(gòu)如圖，較短的鍵為（填右圖1中字母），原因是：O（3）四氯化碳與水不互溶發(fā)生分層，四氯化硅與四氯化碳分子結(jié)構(gòu)相似，但遇水極易發(fā)生水解反應(yīng)，導(dǎo)致二者性質(zhì)不同的原因是：.（4）PBr5氣態(tài)分子的結(jié)構(gòu)與PCh相似，它的熔體也能導(dǎo)電，經(jīng)測定知其中只存在一種P-Br鍵長，試用電離方程式解釋PBrs熔體能導(dǎo)電的原因：?！敬稹浚?）低F尹半徑比F尹大，電荷數(shù)小，F(xiàn)eO的晶格能較小。（2）b形成b鍵的氧原子與兩個硫原子結(jié)合，作用力較小。（3）硅原子有3d空軌道，而碳原子沒有d空軌道（因為沒有2d）,不能接受氧原子的孤對電子，所以四氯化硅能水解而四氯

7、化碳不能水解。PB15=PBrZ+Br19技鹽人多不穩(wěn)定，NHaF、NHaI中，較易分解的是原因是：【答】NHFF原子半徑比I小，H-F鍵比H-鍵強（H-F更易形成），F(xiàn)更易奪取NH爲(wèi)20氮化硼、氮化鋁、氮化鐐的結(jié)構(gòu)類似于金剛石，熔點如表中所示：物質(zhì)BNA1NGaN熔點廠C300022001700TOC o 1-5 h z試從結(jié)構(gòu)的角度分析它們?nèi)埸c不同的原因：【答】三者都是原子晶體，鍵長按EN、AIN、GaN依次增人,鍵能依次降低，熔點依次降低。21.銅可以形成一種離子化合物Cu（NH3）4（H9）2SO4,若要確定Cu（NH3）4（H:O）2SO4是晶體還是非晶體，最科學(xué)的方法是對其進(jìn)行實驗

8、，其中陰離子的空間構(gòu)型是_，該化合物加熱時首先失去的組分是HQ,原因是：?！敬稹縓-射線衍射正四而體HQ與Cu的配位鍵比NH）與C廬的弱。七、非輕基氧問題H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因：。【答】H0O3和HjSeO可表示成（HO）：SeO和（HO）2SeO2,H2SeO3中的Se為+4價，而H2SeO4中的Se為+6價，正電性更高，導(dǎo)致Se-O-H中O的電子更向Se偏移，越易電離出H*。NaErO、NaBiO2NaBiOj.NaBiO4四種鈉鹽中，Br的雜化方式均為SP?雜化，陰離子空間構(gòu)型為三角錐形的是(填化學(xué)式)。上述四種鈉鹽對應(yīng)的酸的酸性依次增強，試解釋HBrO4的酸性強于HBl

9、O3的原因：o【答】HE1O3HBiO3和可分別表示為(H0)BiO2和(HO)BK)3,HB1O3中Br為+5價而HBlO4中Er為+7價。后者正電性更高，導(dǎo)致H、O之間的電子對向O偏移，更易電離出H-。八、其他金屬銅單獨與氨水或單獨與過氧化氫都不反應(yīng)，但可與氨水和過氧化氫的混合溶液反應(yīng)，其原因是：【答】過氧化氫為氧化劑，氨與C2+形成配離子，兩者相互促進(jìn)使反應(yīng)進(jìn)行。H2SeO3和HSeCU第一步電離程度人于第二步電離的原因：。【答】第一步電離后生成的負(fù)離子，較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子解釋斤血晶體能導(dǎo)電的原因：【答】電子可在兩種不同價態(tài)的鐵離子間快迪發(fā)生移動C、Ge同屬于IVA族元素

10、，C原子之間可形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵，原因TOC o 1-5 h z是：。【答】Ge原子半徑大，原子間形成的。單鍵較長，P-P軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成兀鍵。從原子結(jié)構(gòu)的角度解釋CaCOs的熱分解溫度低于SrCOs的原因：,【答】半徑小于S/,Ca更易結(jié)合CO廣中的0,使CO產(chǎn)更易分解為CO,。冰中氫鍵的作用能為18.8KJ/mol,而冰的熔化熱為5.0KJ/mol,解釋原因：?！敬稹恳簯B(tài)水中仍然存在人量氫鍵(或冰融化時只破壞了部分氫鍵)。銅與銀的第二電離能分別為I(Cu)=1958KJ/moKI(Ni)=17531KJ/mol,I(Cu)1(Ni)的原因是：O【答】Cu失去的是全充滿的電子3捫電子，而Ni失去的是4s電子。元素的基態(tài)氣態(tài)原子得到1個電子形成氣態(tài)負(fù)一價離子時所放出的能H稱作第一電子親和能(EJo第二周期除