大學(xué)物理A(2)總復(fù)習(xí)

1、1、均勻磁場(chǎng)通過平面的通量計(jì)算dS2、非均勻磁場(chǎng)的通量計(jì)算若是閉合曲面以曲面外法線方向?yàn)檎厞W-薩伐爾定律：真空中的磁導(dǎo)率： o= 4 10-7 TmA-1PIdlr1、1 ，2 角1指的是Po線與P和電流始端A的連線的夾角2指的是Po線與P和電流末端B的連線的夾角d+aoPAB2、1 ，2 角的正負(fù)從Po旋轉(zhuǎn)到PA（或PB)旋轉(zhuǎn)方向與電流流向相同為正相反為負(fù)討論：1.當(dāng)直線電流為“無(wú)限長(zhǎng)”時(shí)2.若導(dǎo)線為“半無(wú)限長(zhǎng)”,其一端dpI12ABdPIAB23.在AB的延長(zhǎng)線上的點(diǎn)B=0討論: (1)圓心處xyxdBx(2)半圓環(huán)電流I在圓心處的B？1/4圓環(huán)時(shí)圓心處的B？N度圓環(huán)圓心處的B？周期：頻

2、率：- - - - - - - - - - - - - - -+ + + + + + + + + + + + +V1V2II+ + + + + + + + + + + +- - - - - - - - - - - - - - - -V1V2II+四類磁介質(zhì)1、動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)的計(jì)算兩種方法： SLoab感生電動(dòng)勢(shì)的計(jì)算方法總結(jié)：（1）需先求出L上各點(diǎn)的感生電場(chǎng)（2）求對(duì)稱性分布的EK若回路不閉合需先構(gòu)造閉合回路。假想回路OBA,方向如圖所示回路磁通量： ABR C利用法拉第電磁感應(yīng)定律對(duì)于OA,OB段 垂直與ldEkvv d 如圖所示，在半徑為R的無(wú)限長(zhǎng)圓柱形空間內(nèi)存在均勻磁場(chǎng)，在垂直于圓柱軸線的平

3、面內(nèi)有一無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線，距圓柱軸線距離為d(dR)求長(zhǎng)直導(dǎo)線感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小和方向.R解：方法一 利用法拉第電磁感應(yīng)定律作回路l如圖所示 方向與 的繞行方向相反自感電動(dòng)勢(shì)自感系數(shù)互感電動(dòng)勢(shì) 互感系數(shù)磁場(chǎng)的能量：電場(chǎng)能量與磁場(chǎng)能量的比較電場(chǎng)能量磁場(chǎng)能量電容器儲(chǔ)能自感線圈儲(chǔ)能電場(chǎng)能量密度磁場(chǎng)能量密度磁場(chǎng)能量能量法求L電場(chǎng)能量能量法求CS2+-LS1 oP麥克斯韋方程組的積分形式:簡(jiǎn)諧振動(dòng)特征及其表達(dá)式則總能量一. 同一直線上兩個(gè)同頻率的諧振動(dòng)的合成xyopxO點(diǎn)的振動(dòng)方程：波源振動(dòng)方程：S1S2PP點(diǎn)的相位差：同(振動(dòng))方向同頻率的兩列平面諧波的疊加振幅：初相：加強(qiáng)減弱1、形成條件：兩列振幅相同的相

4、干波沿相反方向傳播疊加而成。駐波2、駐波方程 駐波方程：Ox弦上形成駐波的條件：（n=1,2,3,)x波節(jié)波腹0半波損失條件：當(dāng)波從波疏媒質(zhì)垂直入射到波密媒質(zhì)時(shí)對(duì)于弦波：當(dāng)反射點(diǎn)固定時(shí)，有半波損失 當(dāng)反射點(diǎn)為自由，無(wú)半波損失入射波方程：無(wú)半波損失反射波方程：有半波損失反射波方程：xyxL波疏媒質(zhì)波密媒質(zhì)2、反射波xLyx波疏媒質(zhì)波密媒質(zhì)O1.普通光源獲得相干光的途徑pS *分波面法分振幅法p薄膜S *干涉n0112233r1r2xPSs1s2Ddo光程：附加光程差n1n2n3n2n1n3n1 n2 n2 n2 n3n1 n3n1n2n3e123abcdQP薄膜干涉1、等傾干涉2、等厚干涉 形狀

5、:一系列同心圓環(huán)r環(huán)= f tgi 條紋間隔分布:內(nèi)疏外密 條紋級(jí)次分布: 膜厚變化時(shí),條紋的移動(dòng)：等傾干涉加強(qiáng)：減弱：條紋特征：內(nèi)高外低e增大，條紋向外移動(dòng)（長(zhǎng)出）n1n2n3e123abcd增透膜和增反膜n1 n垂直入射時(shí)2、等厚干涉nA反射光2反射光1入射光(單色平行光垂直入射)e空氣介質(zhì)B劈尖l劈尖對(duì)應(yīng)的膜厚度為：條紋特征：3、條紋級(jí)次 k 隨著劈尖的厚度而變化，因此這種干涉稱為等厚干涉。條紋為一組平行于棱邊的平行線。2、由于存在半波損失，棱邊上為0級(jí)暗紋。1、條紋等間距 例2 在半導(dǎo)體元件生產(chǎn)中，為了測(cè)定硅片上SiO2薄膜的厚度，將該膜的一端腐蝕成劈尖狀，已知SiO2 的折射率n =

6、1.46，用波長(zhǎng) =5893埃的鈉光照射后，觀察到劈尖上出現(xiàn)9條暗紋，且第9條在劈尖斜坡上端點(diǎn)M處，Si的折射率為3.42。試求SiO2薄膜的厚度。SiSiO2OM解：由暗紋條件 e = (2k+1) /4n= 2ne = (2k+1） /2 (k=0,1,2)知,第9條暗紋對(duì)應(yīng)于k=8,代入上式得= 1.72(m)所以SiO2薄膜的厚度為1.72 m。（二）、牛頓環(huán)oRre暗紋明紋h1、牛頓環(huán)半徑公式：2、條紋特征明環(huán)暗環(huán)1）明暗相間的內(nèi)疏外密的同心圓環(huán)2）中央為一暗斑，條紋級(jí)次中間低外邊高3）透射光干涉條紋與反射 明暗互補(bǔ)3、牛頓環(huán)應(yīng)用牛頓環(huán)半徑公式（空氣膜n=1）：eoRrh光程差變化*

7、( 單縫夫瑯禾費(fèi)衍射典型裝置 ) 中央明紋暗紋條件明紋條件中央明紋 角寬度線寬度第k 級(jí)明紋 角寬度線寬度半角寬度衍射屏透鏡觀測(cè)屏光柵方程：理論和實(shí)驗(yàn)證明：光柵的狹縫條數(shù)越多，條紋越明亮，光柵常數(shù)越小，條紋間距越大，條紋越細(xì)。ab光柵常數(shù)（a+b）oP光柵缺級(jí)：按多縫干涉應(yīng)出現(xiàn)明紋處，由于衍 射效應(yīng)反成為暗紋的現(xiàn)象。 缺級(jí)-66543210-1-2-3-4-5II1I2馬呂斯定律光強(qiáng)為I1的線偏振光，透過偏振片后，透射強(qiáng)度為：I0布儒斯特定律：當(dāng)自然光以布儒斯特角入射到兩不同介質(zhì)的表面，其反射光為線偏振光，光振動(dòng)垂直于入射面。布儒斯特角：例題：畫出下列圖中的反射光、折射光以及它們的偏振狀態(tài)。-光KAGVIU0IHUa0NaCa0102220mchcmh+=+nno能量守恒：x反沖電子散射光子y-賴曼系巴爾末系帕邢系布喇開系-13.58-3.39-1.51-0.85-0.540En(eV)12354氫原子能級(jí)圖普芳德系線系限德布羅意假設(shè)： 實(shí)物粒子具有波粒二象性。意義：1、對(duì)于微觀粒子動(dòng)量和坐標(biāo)不能同時(shí)確定2、不確定關(guān)系是劃分經(jīng)典力學(xué)和量子力