維修電工培訓第二章(電子技術與元器件的基礎知識)課件

1、電子技術與元器件的基礎知識第二章電子技術與元器件的基礎知識2.1 電子元器件2.2 元器件的修理常識 2.1 電子元器件2.1.1 晶體二極管 1. 二極管的結構、符號、分類和型號 （1）二極管的結構、電路符號 二極管的內(nèi)部結構如圖2-1（a）所示。采用摻雜工藝，使鍺或硅晶體的一邊形成P型半導體區(qū)域，另一邊形成N型半導體區(qū)域，在P型半導體與N型半導體的交界面會形成一個具有特殊電性能的薄層，即PN結。從P區(qū)引出的電極為正極（或陽極），從N區(qū)引出的電極為負極（或陰極）。二極管一般用金屬、塑料或玻璃材料作為封裝外殼，外殼上印有標記便于區(qū)分正負電極。二極管的電路符號如圖2-1（b）所示，箭頭所指的方向

2、為正向電流流通的方向，習慣用字母V（或D）代表二極管。 2.1 電子元器件圖2-1 （a）二極管的內(nèi)部結構 （b）二極管的電路符號 2.1 電子元器件 穩(wěn)壓電源、收音機、電視機等電子產(chǎn)品中各種不同外形的二極管如圖2-2所示。 圖2-2 常見二極管外形圖 2.1 電子元器件 表2-1國產(chǎn)半導體器件的型號命名方法第一部分第二部分第三部分用數(shù)字表示器件的電極數(shù)目用漢語拼音字母表示器件的材料和極性用漢語拼音字母表示器件的類別符號意義符號意義符號意義符號意義2二極管ABCDN型鍺材料P型鍺材料N型硅材料P型硅材料PVWCZ普通管微波管穩(wěn)壓管參量管整流管LSNUK整流堆隧道管阻尼管光電器件開關管3三極管A

3、BCDEPNP型鍺材料NPN型鍺材料PNP型硅材料NPN型硅材料化合物材料XGDAUK低頻小功率管（fT3MHz,PC1W）高頻小功率管（fT3MHz,PC1W）低頻大功率（fT3MHz,PC1W）高頻大功率（fT3MHz,PC1W）光電器件開關管開關管 2.1 電子元器件 由于目前歐洲各國沒有明確統(tǒng)一的標準半導體器件型號命名法，故他們大都使用國際電子聯(lián)合會的標準。例如：3AD50C表示低頻大功率PNP型鍺管；3DG6E表示高頻小功率NPN型硅管。 根據(jù)美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）規(guī)定的半導體器件型號命名方法如表2-2所示。例如：1N4148表示開關二極管，2N3464表示高頻大功率NPN型硅管

4、。 2.1 電子元器件日本半導體器件型號共用五部分組成，其表示方法如表2-3。表2-3 日本半導體器件命名法 第一部分 第二部分 第三部分 用數(shù)字表示器 件的電極數(shù)目用字母表示半導體器件 用拉丁字母表示器件的結構和類型符號意義符號意義 符號意義 0光電器件S半導體器件A高頻PNP型三極管快速開關三極管三極管B低頻大功率PNP管3有三個PN結的器件C高頻及快速開關NPN三極管D低頻大功率NPN管FP控制極可控硅GN控制極可控硅HN基極單結管JP溝道場效應管KN溝道場效應管M雙向可控硅 2.1 電子元器件 2. 二極管的重要特性單向?qū)щ娦?(1)加正向電壓導通 如果將電源正極與二極管正極相連，電源

5、負極與二極管負極相連，稱為正向偏置，簡稱正偏。此時二極管內(nèi)部呈現(xiàn)較小的電阻，有較大電流通過，二極管狀態(tài)為正向?qū)顟B(tài)。 (2)加反向電壓截止 如果將電源正極與二極管負極相連，電源負極與二極管正極相連，稱為反向偏置，簡稱反偏。此時二極管內(nèi)部呈現(xiàn)較大的電阻，幾乎無電流通過，二極管狀態(tài)為反向截止狀態(tài)。由上可知，二極管加正偏壓時導通，加反偏壓時截止，即單向?qū)щ娦允嵌O管最重要的特性。 2.1 電子元器件 3. 二極管的伏安特性 加在二極管兩端的電壓VD和流過二極管的電流ID之間的關系稱為二極管的伏安特性，利用晶體管特性圖示儀能方便地測出VD與ID關系曲線，即伏安特性曲線，見圖2-3。 圖2-3 二極管

6、的伏安特性曲線 2.1 電子元器件 （2）反向特性 反向伏安特性曲線指VVIV坐標系的第三象限部分，它的主要特點是： 當二極管承受反向電壓VR時，加強了PN結內(nèi)電場，使二極管呈現(xiàn)很大電阻，此時僅有極小的反向電流IR。曲線OC（或OC）段稱為反向截止區(qū)，此處的IR稱為反向飽和電流或反向漏電流。實際應用中IR越小越好。一般硅二極管的IR在幾十微安以下，鍺二極管的IR達幾百微安，大功率二極管則更大些。 反向擊穿區(qū) 當反向電壓增大到超過某個值（圖中C或C點），反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象叫反向擊穿。CD（或CD）段稱為反向擊穿區(qū)，C（或 C）點對應的電壓叫反向擊穿電壓VBR。擊穿后電流過大將使管子損壞，

7、所以除穩(wěn)壓管外，加在二極管上的反向電壓不允許超過擊穿電壓。 2.1 電子元器件 4. 二極管的主要技術參數(shù)及選擇 （1）主要參數(shù) 不同類型的二極管有不同參數(shù)供選用者參考，在實際應用中最主要的參數(shù)如下： 最大整流電流IFM 又稱為額定工作電流，是二極管長期運行時允許通過的最大正向平均電流。如果實際工作時的正向平均電流值超過IFM，二極管內(nèi)的PN結會過分發(fā)熱而損壞。不同型號的二極管IFM參數(shù)懸殊很大。一些大電流的二極管要求使用散熱片，且它的IFM是指帶有規(guī)定散熱片條件下的參數(shù)值，選用時要注意實際工作電流要比IFM小得較多才安全。 2.1 電子元器件 （2）器件手冊的使用 二極管類型非常多，并且有很

8、多的參數(shù)都可從不同側面反映管子的性能。從晶體管手冊中可以查出常用國產(chǎn)、進口二極管的技術參數(shù)和使用資料，這些是正確使用二極管的依據(jù)。通常晶體管手冊包含以下基本內(nèi)容：器件型號、主要參數(shù)、主要用途和器件外形等。表2-5列舉了幾種典型二極管的技術參數(shù)。 2.1 電子元器件 表2-5 典型二極管的技術參數(shù)型號最大整流電流IFM/mA最高反向工作電壓VRM/V反向飽和電流IR/ mA最高工作頻率fM/MHZ主要用途2AP32CK842CP312CZ55C 25 100 250 1000 30 30 25 100 0.25 1 300 0.01 150 003 檢波管 開關管 整流管 整流管 2.1 電子元

9、器件2.1.2 晶體三極管 三極管的結構、分類及符號 （1）三極管的外形 半導體三極管亦稱雙極型晶體三極管，簡稱晶體管。功率不同的三極管體積和封裝形式也不一樣，近年來生產(chǎn)的小、中功率管多采用硅酮塑料封裝；大功率管多采用金屬封裝，且其外殼和散熱器連成一體便于散熱。常見的三極管外形如圖2-4所示。 圖2-4 常見的三極管外形 2.1 電子元器件（2）三極管的結構、符號 （a）NPN型 （b）PNP 型 圖25 三極管的結構和符號 2.1 電子元器件 晶體三極管的核心是兩個靠得很近的PN結，如圖2-5所示。內(nèi)部有三個半導體區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)，對應的三個電極分別為發(fā)射極e、基極b、集電極c；由三

10、個區(qū)域半導體類型的不同，三極管分為PNP型和NPN型；發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結稱為發(fā)射結IC, 基區(qū)和集電區(qū)之間的PN稱為集電結IC。注意：由三極管制造工藝的特殊性知，三極管并不是兩個PN結的簡單組合，使用時不能用兩個二極管代替，也不能將發(fā)射極和集電極對調(diào)使用。 2.1 電子元器件 （3）三極管的分類和命名 三極管的種類很多，一般有以下幾種分類：按照結構工藝分為NPN 型和PNP型（目前國產(chǎn)的硅三極管多為NPN 型，鍺三極管多為PNP型）；按所用半導體的材料分為硅三極管和鍺三極管（由于硅管溫度穩(wěn)定性好，所以在自控設備中常用硅管）；按允許耗散的功率大小分為大功率管（耗散功率大于幾十瓦）和小功率管

11、（耗散功率小于1瓦）；按工作頻率不同分為高頻管（f3MHZ且高頻管的工作頻率可以達到幾百兆赫）和低頻管（f3MHZ）；按用途分為普通三極管和開關三極管等。三極管型號的具體識別方法見表2-1。 2.1 電子元器件 （1）共發(fā)射極電流放大系數(shù) 共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)（或hFE），共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)（或hfe），同一個三極管在相同條件下hfe略大于hFE，但應用時二者可相互代替。 （2）極間反向飽和電流 集電極基極間反向飽和電流ICBO，集電極發(fā)射極間反向飽和電流ICEO（又稱穿透電流）。ICEO=（1+）ICBO。 （3）極限參數(shù) 集電極最大允許電流ICN（當IC超過ICM將下降到不能工作

12、的地步）；集電極最大允許耗散功率PCM（PC=ICVCE超過此值三極管會過熱而燒壞）；集電極發(fā)射極間反向擊穿電壓V（BR）CEO，當基極開路時，集射極間電壓超過此值后會由電擊穿導致熱擊穿而損壞管子。 2.1 電子元器件 3. 三極管內(nèi)電流分配和電流放大作用 三極管各極電流分配關系為：IE=IB+IC其中，由于IB遠小于IC，所以IEIC； 三極管具有電流放大作用：共發(fā)射極電流放大系數(shù)，=IC/IB，=IC/IB； 4. 三極管的工作特性 在模擬電路中，三極管應用較多的是共發(fā)射極電路，輸入電壓VBE與輸入電流IB間的數(shù)量關系稱為三極管的輸入特性；輸出電壓VCE與輸出電流IC間的數(shù)量關系稱為三極管

13、的輸出特性；三極管的輸入輸出特性，統(tǒng)稱為三極管的工作特性。三極管的輸入、輸出特性曲線如圖26（a）、（b）。 2.1 電子元器件 通常把三極管輸出特性曲線分成三個工作區(qū)來分析其工作狀態(tài)，即放大區(qū)、截止區(qū)和飽和區(qū)。截止區(qū)是圖2-6（b）中iB=0曲線下方的區(qū)域，三極管處于截止狀態(tài)。在iB=0時，iC并非為零，這時電流就是穿透電流ICEO；飽和區(qū)在uCE較小的區(qū)域，此區(qū)域三極管iC不隨iB增大而變化，即處于飽和狀態(tài)，飽和時的uCE值稱為飽和壓降VCES（小功率硅管約0.3伏，鍺管欲0.1伏）；放大區(qū)在截止區(qū)和飽和區(qū)之間，此區(qū)域內(nèi)三極管iC受iB的控制，即iC=iB，具有電流放大作用，三極管處于放大

14、狀態(tài)。且iB一定時，IC不隨VCE變化而保持恒定，這種現(xiàn)象稱三極管的恒流特性。 由上述特性總結，三極管工作的外部條件為：當三極管的發(fā)射結正偏，集電結反偏時處于放大狀態(tài)；發(fā)射結反偏（或零偏）時，處于截止狀態(tài)；發(fā)射結正偏，集電結正偏時，處于飽和狀態(tài)。注：工作的內(nèi)部條件由三極管制造工藝決定。 2.1 電子元器件2.1.3 晶閘管 晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又叫做可控硅。是一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層叁端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管最初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅(SCR)。結構

15、上分為單向晶閘管、雙向晶閘管、快速晶閘管、可關斷晶閘管、逆導晶閘管和光控晶閘管等，是一種大功率的半導體器件；外形上分為螺栓形、平板形和平底形。下面介紹單向晶閘管。圖2-7（a）、（b）、（c）是常見單向晶閘管外形圖。 2.1 電子元器件（a）小功率 （b）中功率 （c）大功率管圖2-7 單向晶閘管外形圖 2.1 電子元器件 單向晶閘管的結構和符號如圖2-8（a）、（b）所示。內(nèi)部結構有四層半導體區(qū)、三個PN結，外部有三個引腳即陽極A、陰極K和控制極（又稱門極）G。晶閘管導通必須具備兩個條件：即在陽極、陰極間加正偏壓，同時在控制極和陰極間加正向觸發(fā)電壓。管子一旦導通后門極即失去控制作用，無論門極

16、有無電壓，管子仍然保持導通狀態(tài)。關斷晶閘管有兩種方法：一是將陽極電壓降低到足夠小或瞬間反向電壓；二是將陽極瞬間開路。（a）內(nèi)部結構 （b）符號 圖2-8 單向晶閘管的結構和符號 2.1 電子元器件 單向晶閘管的工作原理及基本特性： 晶閘管是P1N1P2N2四層叁端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如圖2-9所示。圖2-9 可控硅等效圖解 2.1 電子元器件 當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號，BG2便有基流ib2流過，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=2ib2。因為BG2

17、的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=1ib1=12ib2。這個電流又流回到BG2的基極，形成正反饋，使ib2不斷增大，如此正反饋循環(huán)的結果，兩個管子的電流劇增，使可控硅飽和導通。由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號只起觸發(fā)作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化。 2.1 電子元器件 晶閘管的優(yōu)點很多，例如：具有容量大、效率高、成本低

18、、重量輕、體積小、控制靈敏等優(yōu)點；以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍，可實現(xiàn)小信號功率對大信號功率的變換和控制；在脈沖數(shù)字電路中可作為功率開關管使用；反應極快，在微秒級內(nèi)開通、關斷；無觸點運行，無火花、無噪音等。缺點：抗干擾能力和過載能力較差，工作電路較復雜，靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導通。2.2 元器件的修理常識2.2.1 元器件的檢測和故障分析 元器件的檢測是維修電工的一項基本功，如何準確有效地檢測元器件的相關參數(shù)，判斷元器件是否正常，沒有千篇一律的方法，必須根據(jù)不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件是否正常。特別對初學者來說，熟練掌握常用元器件的檢測方法是很必

19、要的，以下介紹常用電子元器件的檢測方法供讀者參考。2.2 元器件的修理常識2.2.1.1 二極管的檢測和故障分析 從外形上判斷二極管管腳如圖2-10所示。 陰極 陽極 圖2-10普通整流管（1N4007型）管腳圖2.2 元器件的修理常識 可以用晶體管特性圖示儀對二極管作較準確的測量。為操作方便，基于二極管的單向?qū)щ娦栽?，實踐中常用萬用表來檢測判別其管腳和性能。操作如下： 先將萬用表調(diào)至歐姆擋的R1K或R100（此時黑表筆接內(nèi)部電池的正極，紅表筆接內(nèi)部電池的負極）；然后將萬用表的紅、黑表筆分別接到二極管兩端，若測得電阻較?。◣浊W以下），再將紅、黑表筆對調(diào)后接于二極管兩端時，測得的電阻較大（幾

20、百千歐），則可判斷該管質(zhì)量較好，且測得電阻較小的那次黑表筆接的是二極管的陽極。 故障分析：若上述檢測中二極管的正、反向電阻都很小，甚至為零，表明管子內(nèi)部短路；若測得二極管的正、反向電阻都很大，表明內(nèi)部已斷路。 2.2 元器件的修理常識實用時根據(jù)情況也可用其他方法，舉例如下： （1）檢測1N400型二極管 平時裝配和檢修各類電子電器的整流電源時，1N400型二極管的應用是相當多的。檢測二極管性能采用電筒電路，能迅速地判斷其好壞。讓電池的正極先、后接二極管兩腳，如果電珠一次發(fā)出微弱光，另一次不發(fā)光，則電珠發(fā)光那次電池正極處接的是二極管陽極，不發(fā)光的那次是二極管的陰極，同時也說明該二極管性能良好；如

21、果電池正極碰觸二極管任一腳小電珠都能發(fā)光，說明此二極管內(nèi)部已短路；若電珠都不亮，則二極管內(nèi)部已斷路。注意：此法不能確定二極管的耐壓。2.2 元器件的修理常識 （2）檢測發(fā)光二極管 發(fā)光二極管因其工作電壓低，所以用電筒電路能直觀地判斷其性能和質(zhì)量好壞。如果將待測發(fā)光二極管跨接入電路后發(fā)光二極管不點亮，而將其調(diào)換極性后再次接入電路時，發(fā)光管微微發(fā)光，那么證明該管性能良好，同時可以判斷發(fā)光管與電池負極相接的管腳即為發(fā)光管的負極，另一腳為正極。但如果通過上述兩次接入電路二極管均不發(fā)光點燃，則說明該管已壞。但反過來說，如發(fā)光管兩次接入電路，雖然發(fā)光管均不亮，但電路中的小電珠卻已閃亮發(fā)光，則說明該發(fā)光管內(nèi)

22、部已擊穿導通。2.2 元器件的修理常識 （3）檢測光電二極管 光電二極管是一種能把光照強弱的變化轉(zhuǎn)換為電信號的半導體器件。其頂端有一個能射入光線的窗口，光線通過窗口照射到管芯上，在光的激發(fā)下，光電二極管產(chǎn)生大量“光生載流子”，光電二極管的反向電流大大增加使內(nèi)阻減小。常用的光電二極管為2CU、2DU型。其正向電阻不隨光照強弱而變化（約為幾千歐）；反向電阻在無光時約200K，受光照射時光線越強反向電阻越小，小到幾百歐，去除光照反向電阻立即恢復到無光時的阻值。根據(jù)上述原理用萬用表檢測即可。2.2 元器件的修理常識2.2.1.2 三極管檢測和故障分析 普通三極管的管腳排列如圖2-11所示。 圖211普

23、通三極管的管腳圖 可以用晶體管特性圖示儀對三極管作較準確的測量。為操作方便，基于三極管的內(nèi)部結構（“三區(qū)兩結”），常用萬用表來檢測判別其管腳及性能。操作如下：對于功率在1W以下的中小功率三極管，可用萬用表的R1K或R100擋測量，對于功率在1W以上的大功率三極管，用萬用表的R10或R1擋測量。2.2 元器件的修理常識1. 用萬用表判別管腳和管型 第一步：判別基極和管型 用黑表筆接觸某一管腳，用紅表筆分別接觸另兩個管腳，用此方法幾次試探，如表頭電阻讀數(shù)都很小，則與黑表筆接觸的管腳是基極，同時可確定為NPN型三極管；若用紅表筆接觸某一管腳，用黑表筆分別接觸另兩個管腳，如表頭讀數(shù)都很小，則與紅表筆接

24、觸的管腳是基極，同時可確定為PNP型三極管。 第二步：判別發(fā)射極e和集電極c以NPN型三極管為例，當基極確定后，假設余下的兩腳中的一腳是集電極，將黑表筆接到此腳上，紅表筆接到余下的假設發(fā)射極上，用稍潮濕的手捏在基極和假設的集電極之間（注意：b、e極不要相碰），觀察并計下此時的阻值。再把兩腳作相反假設，用同樣的方法測試并計下阻值。比較兩次讀數(shù)大小，則阻值小的那次黑表筆接的就是NPN管的集電極c，余下的一腳便是發(fā)射極e。判別PNP型三極管方法同上，但必須把上述表筆極性對調(diào)一下測試。 估測三極管的電流放大系數(shù) 把萬用表撥到相應的歐姆擋，測量集電極與發(fā)射極間的電阻，再用潮手捏在基極b與集電極e之間（潮

25、手代替基極偏置電阻RB，約100K左右），觀察指針擺動幅度大小，擺動越大則越大。2.2 元器件的修理常識 2. 用萬用表直接測量 一般的萬用表都有測的功能，將萬用表撥到HFE擋，三極管插入測試孔中即可從刻度盤上直讀值。若c、e極未知，只要將c、e對調(diào)以下測兩次，指針偏轉(zhuǎn)較大的那次插腳正確，且從表插孔旁邊標記即可判別出c極和e極。 實踐小經(jīng)驗：對于常用的小功率三極管而言，如9013、9014等三極管，也可以利用電筒電路，快速地粗測其性能判斷好壞。將電路中的電池正極接三極管的基極，電池的負極分別碰觸三極管的集電極與發(fā)射極。如果在碰觸集電極時電珠即發(fā)光呈暗紅色亮光，而碰觸發(fā)射極時電珠也發(fā)亮光，則證明

26、該管性能基本良好。若碰觸集電極或發(fā)射極時，只有其中一次電珠不亮，則說明該管的一個電極存在斷路。但當電池負極碰觸集電極和發(fā)射極時，電珠均不發(fā)光，那么證明該管內(nèi)部已開路。 2.2 元器件的修理常識2.2.1.3 單向晶閘管檢測 單向晶閘管的管腳排列如圖2-12所示。 圖2-12晶閘管的管腳排列2.2 元器件的修理常識 1. 電極檢測判別 由晶閘管內(nèi)部結構知，控制極G和 陰極K間是一個PN結，而GA和AK間存在反向的PN結。檢測時先將萬用表撥到R1K擋，假定晶閘管某一端為控制極G且接上黑表筆，然后用紅表筆分別觸及另外兩腳，若有一次正向?qū)?，則假定的控制極是對的，而導通的那次紅表筆接的是陰極K。余下的

27、一極是陽極A。如果兩次都不導通，則假定錯誤，再重新設定檢測。2.2 元器件的修理常識2. 質(zhì)量判別 應用電筒電路亦能估測可控硅管子的好壞及導通和阻斷情況。將單向可控硅的陰極與電池負極相連接，陽極A與電池正極相接，這時電路中的小電珠若無光亮，則證明可控硅的正向阻斷性能基本良好。再找一根細導線將電池的正極端與可控硅的控制電極（G）迅速碰觸一下，這時電珠若閃光發(fā)亮，則說明可控硅的導通性能良好。若導線碰觸時電珠不亮，或小電珠瞬間閃亮一下又即刻熄滅，則說明該管的導通能力很差，根本無法導通。 故障分析 如果GK之間的正、反向電阻都等于零，或GK與AK之間的正、反向電阻都很小，說明晶閘管內(nèi)部短路；如果GK之

28、間的正、反向電阻都為無窮大，說明晶閘管內(nèi)部斷路。2.2 元器件的修理常識2.2.2 元器件的替代 在維修中若已判斷某一器件損壞，如果現(xiàn)有或能購到同樣的器件并將其換上最好，但有時很難買到同樣的器件，此時則應考慮替代的問題。 1. 半導體器件的替代 替代之前應確認元器件是否已損壞。因為半導體器件不如電容電阻那樣耐焊易拆卸，在拆卸中，人為損壞較多。記錄下各電極的位置，再將器件取下，并再次確認原器件是否損壞，在確認已損壞時，應記錄下器件的型號、制造廠家。最好的替代是同一制造廠家、同一型號的產(chǎn)品。如果不具備這一條件，應通過器件手冊查找元器件的主要參數(shù)。再根據(jù)這些主要參數(shù)選擇替代品，替代品應符合下述2.2 元器件的修理常識 幾個條件：材料相同，即鍺鍺、硅硅替代；極性相同，即PNPPNP、NPNNPN替代； 種類相同，三極管三極管、場效應管場效應管替代；主要特性相同，如最大直流耗散功率為PCM：替代品的PCM應大于或等于原器件，而且應進行測量和計算原器件在線路中實際功耗PC