科技基建正當(dāng)時(shí)消費(fèi)電子和面板景氣回升

1、目錄1、受益 5G 和云計(jì)算，通信PCB&CCL 需求持續(xù)爆發(fā) .- 4 -1.1、進(jìn)入 5G 基站建設(shè)高峰期，通信板率先放量.- 4 -1.2、云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心高速化驅(qū)動(dòng)，高多層板和CCL 需求旺盛.- 5 -1.3、高頻高速PCB&CCL 技術(shù)壁壘高，行業(yè)龍頭充分受益.- 10 -2、半導(dǎo)體：國(guó)產(chǎn)替代加速，核心供應(yīng)鏈自主可控勢(shì)在必行.- 13 -2.1、設(shè)計(jì)：多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，但整體尚有差距.- 13 -2.2、制造：中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn) 14nm 工藝突破，長(zhǎng)鑫長(zhǎng)存存儲(chǔ)雙子星閃耀.- 15 -2.3封測(cè)：國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展最快，已經(jīng)躋身國(guó)際第一梯隊(duì).- 16 -2.4、設(shè)備、材料：下游晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)提速

2、，疊加國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，催生設(shè)備材料業(yè)績(jī)快速提升.- 17 -3、消費(fèi)電子：看好 5G 換機(jī)周期，穿戴設(shè)備空間巨大.- 19 -3.1、歐美解禁后行業(yè)復(fù)蘇在即，看好 5G 換機(jī)周期.- 19 -3.2、新藍(lán)牙協(xié)議下TWS 加速滲透，萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代智能穿戴空間巨大.- 24 -4、中長(zhǎng)期看好面板、LED 等板塊優(yōu)質(zhì)標(biāo)的.- 29 -4.1、面板：國(guó)內(nèi)廠商將主導(dǎo) LCD 市場(chǎng)，在OLED 領(lǐng)域奮起直追.- 29 -4.2、LED：Mini/Micro LED 添增長(zhǎng).- 32 -4.3、被動(dòng)元件：行業(yè)景氣復(fù)蘇，MLCC 國(guó)產(chǎn)替代空間巨大.- 35 -5、投資策略.- 37 -圖 1、5G 基站價(jià)值量測(cè)

3、算.- 4 -圖 2、5G 基站建設(shè)節(jié)奏（單位：萬(wàn)）.- 5 -圖 3、5G 基站側(cè)拉動(dòng)PCB 規(guī)模（單位：億元） .- 5 -圖 4、5G 基站建設(shè)拉動(dòng)的高頻CCL 市場(chǎng)規(guī)模（億元）.- 5 -圖 5、5G 基站建設(shè)帶動(dòng)的高速CCL 市場(chǎng)規(guī)模（億元）.- 5 -圖 6、北美五大云巨頭廠商資本開(kāi)支情況（單位：億美元）.- 6 -圖 7、全球服務(wù)器出貨量 19Q4 恢復(fù)正增長(zhǎng).- 7 -圖 8、英特爾 19Q4、20Q1 數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)超預(yù)期.- 7 -圖 9、PCIe 接口的主板.- 8 -圖 10、PCIe 標(biāo)準(zhǔn)快速發(fā)展.- 8 -圖 11、服務(wù)器市場(chǎng)高速 PCB 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：億元）

4、.- 8 -圖 12、服務(wù)器市場(chǎng)高速CCL 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：億元）.- 9 -圖 13、數(shù)據(jù)中心光模塊出貨量和交換機(jī)芯片推出關(guān)系.- 9 -圖 14、高速交換機(jī)、路由器對(duì)應(yīng) CCL 板材升級(jí).- 10 -圖 15、高頻板生產(chǎn)與 FR4 的特殊之處及品質(zhì)控制.- 11 -圖 16、高速板關(guān)鍵生產(chǎn)工序控制.- 11 -圖 17、高頻和高速CCL 對(duì) Df 指標(biāo)有要求 .- 12 -圖 18、全球高頻、高速CCL 市場(chǎng)格局.- 12 -圖 19、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在各個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破.- 13 -圖 20、全球 IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)值分析.- 14 -圖 21、國(guó)產(chǎn)廠商在 IC 設(shè)計(jì)各環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)不同程度突破.

5、- 14 -圖 22、中芯國(guó)際在先進(jìn)代工領(lǐng)域正逐漸突破.- 15 -圖 23、長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 3D NAND 正實(shí)現(xiàn)快速突破.- 16 -圖 24、合肥長(zhǎng)鑫在DRAM 正實(shí)現(xiàn)快速突破.- 16 -圖 25、國(guó)內(nèi)三家封測(cè)廠商擠進(jìn)全球前十.- 17 -圖 26、國(guó)內(nèi)三家封測(cè)廠商產(chǎn)品布局較為完善.- 17 -圖 27、國(guó)內(nèi)晶圓廠存儲(chǔ)廠資本開(kāi)支進(jìn)入爆發(fā)期 .- 18 -圖 28、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備在各個(gè)環(huán)節(jié)不同程度突破.- 18 -圖 29、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料在各個(gè)環(huán)節(jié)不同程度突破.- 19 -圖 30、2019 VS 2020 新機(jī)型國(guó)內(nèi)銷售滲透率.- 19 -圖 31、5G 手機(jī)出貨量情況.- 20 -圖 3

6、2、5G 手機(jī)各季度銷售預(yù)測(cè)（按地區(qū) VS 按品牌）.- 21 -圖 33、全球手機(jī)銷量各地區(qū)份額占比.- 21 -圖 34、全球手機(jī)銷售額各地區(qū)份額占比.- 21 -圖 35、疫情后國(guó)內(nèi)手機(jī)銷量快速反彈.- 22 -圖 36、全球手機(jī)季度環(huán)比銷量.- 24 -圖 37、三種 TWS 傳輸方案.- 25 -圖 38、2019 年TWS 銷量（單位：百萬(wàn)個(gè)） .- 25 -圖 39、Apple Watch 銷量 .- 27 -圖 40、蘋(píng)果產(chǎn)品 Roadmap .- 27 -圖 41、1Q20 全球 LCD 面板出貨量及占比（單位：千片）.- 30 -圖 42、大尺寸液晶面板產(chǎn)能面積結(jié)構(gòu)（依面板

7、廠區(qū)分）.- 30 -圖 43、2017-2019 年面板供應(yīng)商在AMOLED 手機(jī)面板市場(chǎng)中占比情況.- 31 -圖 44、Mini LED 的市場(chǎng)空間預(yù)估.- 34 -圖 45、2024 年Mini LED 產(chǎn)品在應(yīng)用端滲透率預(yù)測(cè).- 34 -圖 46、LED 對(duì)比 MicroLED 燈珠密度.- 34 -圖 47、MicroLED 結(jié)構(gòu)對(duì)比 OLED 更為簡(jiǎn)潔.- 34 -圖 48、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)（Mass Transfer）.- 35 -圖 49、國(guó)巨月度營(yíng)收（單位：億新臺(tái)幣） .- 36 -圖 50、華新科月度營(yíng)收（單位：億新臺(tái)幣）.- 36 -圖 51、網(wǎng)絡(luò)通信和車用提供被動(dòng)元件市場(chǎng)

8、規(guī)模增長(zhǎng)動(dòng)力.- 36 -圖 52、MLCC 的多層化、高容值趨勢(shì).- 37 -圖 53、全球 MLCC 格局.- 37 -表 1、歐美國(guó)家陸續(xù)放松管制，復(fù)工復(fù)產(chǎn).- 22 -表 2、Apple Watch 3、4、5 代對(duì)比.- 26 -表 3、穿戴式裝置供應(yīng)鏈企業(yè)一覽.- 28 -表 4、2019-2021 年中國(guó)大陸高世代液晶面板投產(chǎn)情況.- 29 -表 5、全球已建及在建AMOLED 生產(chǎn)線.- 32 -表 6、Mini LED 與OLED 技術(shù)性能對(duì)比.- 33 -報(bào)告正文1、受益 5G 和云計(jì)算，通信 PCB&CCL 需求持續(xù)爆發(fā)、進(jìn)入 5G 基站建設(shè)高峰期，通信板率先放量5G 基

9、站主要在AAU、CU+DU 兩部分使用大量PCB，AAU 部分：天線底板，面積 0.3 平米，高頻板，價(jià)值量在 1000 元以上。TRX 收發(fā)板，面積不到 0.3 平米，10 層左右常規(guī)板，價(jià)值量 700 元以上。功放板，面積 0.027 平米，4 塊，高頻板，價(jià)值量 300 元左右。DU+CU 部分，主要是控制板、基帶處理板和接口板等幾塊主板，每塊面積 0.15平米，20 層以上的高速板，價(jià)值量在 2500 元以上。另外，天線陣子、電源模塊等也有PCB 的使用。圖 1、5G 基站價(jià)值量測(cè)算資料來(lái)源：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院測(cè)算根據(jù)我們測(cè)算 5G 基站單站 PCB 價(jià)值量在 9000

10、 元以上，4G 基站單站價(jià)值量不到 4000 元，5G 基站 PCB 價(jià)值量仍是 4G 的 2-3 倍。今年國(guó)內(nèi) 5G 基站建設(shè)加速，我們預(yù)估建設(shè)量在 70 萬(wàn)站以上，全球預(yù)計(jì)在 130 萬(wàn)左右。預(yù)計(jì)整個(gè) 5G 建設(shè)周期全球 5G 基站累計(jì)建設(shè)數(shù)目在 700 萬(wàn)以上，整個(gè)建設(shè)周期帶動(dòng) PCB 規(guī)模累計(jì)達(dá) 600億元以上，2020-2022 年將是 5G 基站建設(shè)高峰期，每年基站側(cè) PCB 需求量都在 120 億元以上。圖 2、5G 基站建設(shè)節(jié)奏（單位：萬(wàn)）圖 3、5G 基站側(cè)拉動(dòng) PCB 規(guī)模（單位：億元）數(shù)據(jù)來(lái)源：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)來(lái)源：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研

11、究院預(yù)測(cè)同時(shí)，我們測(cè)算單基站高頻 CCL 價(jià)值量 1450 元左右，高速 CCL 價(jià)值量 800 元以上，預(yù)計(jì)整個(gè) 5G 基站建設(shè)周期將帶動(dòng)高頻、高速 CCL 市場(chǎng)規(guī)模累計(jì)在 100 億、 70 億元左右（AAU 的 TRX 板方案設(shè)計(jì)有變化，保守預(yù)計(jì)一部分在高速 CCL 內(nèi)）。圖 4、5G 基站建設(shè)拉動(dòng)的高頻 CCL 市場(chǎng)規(guī)模（億元）圖 5、5G 基站建設(shè)帶動(dòng)的高速 CCL 市場(chǎng)規(guī)模（億元）數(shù)據(jù)來(lái)源：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)來(lái)源：產(chǎn)業(yè)調(diào)研，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院預(yù)測(cè)同時(shí)，今年 SA 獨(dú)立組網(wǎng)開(kāi)始規(guī)模建設(shè)，拉動(dòng)傳輸網(wǎng) OTN 設(shè)備、高階交換機(jī)、路由器需求，需要使用大量的高速

12、單板和背板，也將大幅拉動(dòng)高多層 PCB 和高速 CCL 的需求。、云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心高速化驅(qū)動(dòng)，高多層板和 CCL 需求旺盛數(shù)據(jù)中心對(duì)于通信 PCB 和 CCL 的拉動(dòng)力度也非常大，而且更為持續(xù)。根據(jù)北美五大云巨頭（谷歌、Facebook、微軟、蘋(píng)果、亞馬遜）的資本開(kāi)支，2018 年五個(gè)廠商資本開(kāi)支 780 億美元左右，同比增長(zhǎng)超過(guò) 50%，19 年 Q1 短暫回落、Q2 跌幅收窄，Q3 恢復(fù)增長(zhǎng)，雖然 Q4 同比仍有回落，但是谷歌、微軟、Facebook 等對(duì) 2020年 Capex 展望均較為樂(lè)觀。我們認(rèn)為云計(jì)算、存儲(chǔ)需求的增長(zhǎng)是不可逆的，未來(lái)云相關(guān)資本開(kāi)支有望持續(xù)增長(zhǎng)。圖 6、北美五大云巨

13、頭廠商資本開(kāi)支情況（單位：億美元）資料來(lái)源：Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理服務(wù)器作為數(shù)據(jù)中心資本開(kāi)支最大的部分，與之密切關(guān)聯(lián)。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，2018年全球 X86 服務(wù)器出貨量 1175 萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng) 15.4%，成為過(guò)去幾年增長(zhǎng)最快的一年。19 年受資本開(kāi)支回落影響，前三季度服務(wù)器出貨量同比有所下滑，但 Q4出貨量 388 萬(wàn)臺(tái)，同比增長(zhǎng) 11.7%，恢復(fù)正增長(zhǎng)。我們判斷，隨著數(shù)據(jù)中心資本開(kāi)支恢復(fù)增長(zhǎng)，服務(wù)器、交換機(jī)、路由器、存儲(chǔ)器等 ICT 設(shè)備出貨量也將恢復(fù)并保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，拉動(dòng)高多層PCB 和CCL 的需求。圖 7、全球服務(wù)器出貨量 19Q4 恢復(fù)正增長(zhǎng)資料來(lái)源：IDC，

14、興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理從英特爾的數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)情況來(lái)看，當(dāng)芯片工藝升級(jí)時(shí)，收入同比會(huì)出現(xiàn)快速增長(zhǎng)。我們判斷，隨著今年下半年英特爾 10nm 服務(wù)器 CPU 芯片的推出，14nm 后累積了 4 年的需求有望集中釋放。另外，19Q4、20Q1 英特爾數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)超預(yù)期也代表了服務(wù)器需求的回暖。圖 8、英特爾 19Q4、20Q1 數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)超預(yù)期資料來(lái)源：Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理同時(shí)，今年 Intel 的服務(wù)器平臺(tái)要從Purely 升級(jí)至 Whitely，AMD 則在去年發(fā)布了ROME 平臺(tái)，新平臺(tái)的數(shù)據(jù)插槽接口標(biāo)準(zhǔn)PCIe 升級(jí)至 4.0，支持單通道傳輸速率從 8GT/s 提升

15、至 16GT/s。相應(yīng)地，服務(wù)器 PCB 的板材和層數(shù)都將出現(xiàn)較大變化，板材將從 Mid Loss 升級(jí)至 Low Loss 等級(jí)，層數(shù)從 10 層左右升級(jí)至 14 層以上，從而帶動(dòng)PCB 和CCL 價(jià)值量大幅提升，我們預(yù)計(jì)PCB 價(jià)值量提升 30%以上。圖 9、PCIe 接口的主板圖 10、PCIe 標(biāo)準(zhǔn)快速發(fā)展數(shù)據(jù)來(lái)源：ZOL 主板，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理數(shù)據(jù)來(lái)源：ITEQ，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理目前，再下一代Eagle Stream 平臺(tái)已經(jīng)在打樣中，價(jià)值量將進(jìn)一步提升，我們測(cè)算，隨著Whitely 平臺(tái)快速滲透，以及Eagle Sraeam 平臺(tái)的推出，服務(wù)器PCB 市場(chǎng)規(guī)

16、模將保持快速增長(zhǎng)，3-4 年后市場(chǎng)規(guī)模有望增長(zhǎng)至 450 億以上。圖 11、服務(wù)器市場(chǎng)高速 PCB 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：億元）資料來(lái)源：IDC，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理同時(shí)我們測(cè)算，新一代CPU 替換完畢后（2025 年左右），服務(wù)器市場(chǎng)將帶動(dòng)每年160 億元以上的高速CCL 增量，成為高速 CCL 最主要的增長(zhǎng)動(dòng)力。圖 12、服務(wù)器市場(chǎng)高速 CCL 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)（單位：億元）資料來(lái)源：IDC，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理另外，高速化在交換機(jī)、路由器和光模塊的趨勢(shì)也十分明顯，由于對(duì)傳輸速率的要求越來(lái)越高，每?jī)赡昃W(wǎng)絡(luò)設(shè)備的帶寬密度翻倍，高速交換機(jī)、路由器、光模塊占比持續(xù)提升。18 年年底，全

17、球最大的交換機(jī)廠商思科推出了 400G 交換機(jī)，博通于 19 年年底推出新款交換機(jī)芯片 Tomahawk4，具備 25.6Tbps 交換能力，我們預(yù)計(jì)今年 400 光模塊、交換機(jī)有望迎來(lái)放量。圖 13、數(shù)據(jù)中心光模塊出貨量和交換機(jī)芯片推出關(guān)系資料來(lái)源：Lightcounting，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理從 10G 到 40G，再到 100G、400G，端口速率的快速提升，帶動(dòng) PCB 板和高速CCL 的價(jià)值量大幅增加：1）40G、100G 一般使用松下 M4、M6 高速板材，400G需要使用松下 M7 等級(jí)，我們預(yù)估未來(lái)（2025 年左右）交換機(jī)、路由器相關(guān)高速 CCL 年增量有望超過(guò) 3

18、5 億元；2）400G 使用的 PCB 層數(shù)要更高，根據(jù)產(chǎn)業(yè)調(diào)研， 400G 交換機(jī)PCB 在 36 層及以上，100G 的不超過(guò) 30 層。同時(shí)，制造壁壘也會(huì)提升，一般網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中高速交換機(jī)的PCB 難度要高于服務(wù)器。圖 14、高速交換機(jī)、路由器對(duì)應(yīng) CCL 板材升級(jí)資料來(lái)源：ITEQ，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理、高頻高速 PCB&CCL 技術(shù)壁壘高，行業(yè)龍頭充分受益高頻板和高速多層板的制造難度要大于普通的PCB，有較高的技術(shù)壁壘。高頻PCB的主要難點(diǎn)在于高頻板材的加工，體現(xiàn)在四個(gè)方面：沉銅：高頻板因其材料的特性，孔壁不易上銅，沉銅工序特別難以控制，經(jīng)常出現(xiàn)沉不上銅、沉銅空洞等不良問(wèn)題。圖轉(zhuǎn)

19、、蝕刻、線寬的線路缺口、沙孔的控制。綠油工序：綠油附著力、綠油起泡的控制。高頻材料材質(zhì)較軟，各工序嚴(yán)格控制板面刮傷、凹點(diǎn)凹痕等不良。圖 15、高頻板生產(chǎn)與 FR4 的特殊之處及品質(zhì)控制資料來(lái)源：電子萬(wàn)花筒，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理高速多層板具有板件更厚、層數(shù)更多、線路和過(guò)孔更密集、單元尺寸更大、介質(zhì)層更薄等特性，制造工藝難度非常大，基站 BBU 的通信板一般在 20 層以上，5G的 OTN 傳輸網(wǎng)單板在 20 層以上、背板在 40 層以上。高速多層板的生產(chǎn)，對(duì)于內(nèi)層空間、層間對(duì)準(zhǔn)度、阻抗控制以及可靠性要求更為嚴(yán)格。圖 16、高速板關(guān)鍵生產(chǎn)工序控制資料來(lái)源：PCB 產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)

20、與金融研究院整理高速和高頻 CCL 的生產(chǎn)，對(duì)介質(zhì)損耗因子 Df、介電常數(shù) Dk 等指標(biāo)有嚴(yán)格的要求，技術(shù)壁壘高。Df、Dk 主要取決于原材料的選擇，配方，以及工藝控制，需要供應(yīng)商長(zhǎng)期的研發(fā)投入和技術(shù)儲(chǔ)備，對(duì)原材料的特性有深刻的理解，工藝流程中積累豐富的 know-how，這也是高速和高頻 CCL 的核心技術(shù)壁壘。圖 17、高頻和高速 CCL 對(duì) Df 指標(biāo)有要求資料來(lái)源：覆銅板資訊，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理因此這兩個(gè)細(xì)分行業(yè)的集中度也非常高。高頻 CCL 主要被美國(guó)企業(yè)壟斷，2018年羅杰斯、泰康尼、依索拉三家占比 70%左右。高速 CCL 主要由日本的松下，中國(guó)臺(tái)灣的聯(lián)茂、臺(tái)燿，和美國(guó)

21、的依索拉供應(yīng)，2018 年四家占比在 65%左右。圖 18、全球高頻、高速 CCL 市場(chǎng)格局資料來(lái)源：覆銅板資訊，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理目前在高頻高速 PCB 領(lǐng)域，以深南電路、滬電股份、生益電子為代表的龍頭廠商繼續(xù)保持領(lǐng)先的技術(shù)水平，高頻和高速 CCL 方面，國(guó)產(chǎn) CCL 龍頭生益科技取得較大突破，份額持續(xù)提升，有望充分受益 5G 基站和數(shù)據(jù)中心建設(shè)。2、半導(dǎo)體：國(guó)產(chǎn)替代加速，核心供應(yīng)鏈自主可控勢(shì)在必行隨著下游終端廠商對(duì)于半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化需求日益強(qiáng)烈，國(guó)內(nèi)廠商經(jīng)過(guò)前期的不斷技術(shù)積累，在各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域分別實(shí)現(xiàn)了不同程度的突破。圖 19、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在各個(gè)環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)突破海外：高通 博通 賽靈

22、思亞德諾中國(guó)大陸：海思紫光國(guó)微圣邦卓勝微海外：臺(tái)積電聯(lián)電格羅方德三星中國(guó)大陸：中芯國(guó)際 華虹半導(dǎo)體華力微積塔半導(dǎo)體海外：日月光矽品 安靠中國(guó)大陸：長(zhǎng)電科技 華天科技 通富微電Fabless模式設(shè)計(jì)制造封測(cè)海外：IP核中國(guó)大陸：EDAARMImagination Synopsys海外：中國(guó)大陸：Cadence華大九天MentorSynopsys設(shè)備海外：中國(guó)大陸：應(yīng)用材料中微公司東京電子北方華創(chuàng) 泛林半導(dǎo)體 上海微電子愛(ài)德萬(wàn)長(zhǎng)川科技材料海外：中國(guó)大陸：勝高上海硅產(chǎn)業(yè)信越中環(huán)股份住友化學(xué)江豐電子卡伯特安集科技IDM模式設(shè)計(jì) +制造 +封測(cè)海外： 英特爾、三星、德州儀器、美光資料來(lái)源：興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與

23、金融研究院整理中國(guó)大陸：長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫、設(shè)計(jì)：多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，但整體尚有差距國(guó)內(nèi) IC 設(shè)計(jì)公司規(guī)模不斷提升，2018 年國(guó)內(nèi) IC 設(shè)計(jì)公司有 11 家廠商擠進(jìn)全球前 50 名，其中海思以 75.73 億美金首次擠進(jìn)全球前 5，國(guó)內(nèi)整體 IC 設(shè)計(jì)銷售額超過(guò) 2500 億元，相較于 2017 年有近 20%的增長(zhǎng)。圖 20、全球 IC 設(shè)計(jì)產(chǎn)值分析2018年全球IC設(shè)計(jì)公司收入排名公司收入（百萬(wàn)美金）1博通217542高通164503英偉達(dá)117164聯(lián)發(fā)科78945海思75736AMD64757Marvell29318Xilinx29049Novatek181810Realtek

24、1519Others-28400資料來(lái)源：DIGITIMES Research、興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理總體來(lái)看，國(guó)內(nèi)的 IC 設(shè)計(jì)公司在各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域都實(shí)現(xiàn)了不同程度的突破，細(xì)分來(lái)看，在消費(fèi)級(jí)SOC 芯片領(lǐng)域，海思、展訊實(shí)現(xiàn)了完全替代，在模擬芯片領(lǐng)域，矽力杰、圣邦股份、3peak 等公司業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)快速的成長(zhǎng)，可以做到部分替代，在射頻芯片領(lǐng)域，海思、卓勝微等公司的產(chǎn)品也實(shí)現(xiàn)了較大程度的突破，在 CIS 領(lǐng)域，豪威科技更是在高端產(chǎn)品范圍可以和索尼、三星的產(chǎn)品媲美，此外在 FPGA、MCU、功率半導(dǎo)體、MEMS 等領(lǐng)域也實(shí)現(xiàn)了不同程度的突破。圖 21、國(guó)產(chǎn)廠商在 IC 設(shè)計(jì)各環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)不同程度突破細(xì)

25、分領(lǐng)域全球市場(chǎng)空間（億美金）全球主要玩家國(guó)內(nèi)廠家國(guó)產(chǎn)化程度CPU600Intel、AMD飛騰、龍芯、中科曙光0%GPU80-100英偉達(dá)、AMD景嘉微0%消費(fèi)級(jí)SoC80-100高通、聯(lián)發(fā)科海思、展訊、全志科技、瑞芯微30%FPGA50賽靈思、Intel紫光同創(chuàng)、安路信息、高云1%MCU190意法、NXP、瑞薩兆易創(chuàng)新、中穎電子北京君正、 3%模擬芯片600TI、ADI、美信、安森美、MPS矽力杰、圣邦股份、3peak、杰華特2%射頻芯片100Skyworks、Qorvo、博通海思、卓勝微、三安光電、漢天下5%CIS150Sony、三星、豪威豪威、思比科15%功率半導(dǎo)體200英飛凌、NXP、安

26、森美、羅姆士蘭微、華微電子、揚(yáng)杰科技、捷捷微電2%MEMS150意法、博世士蘭微、耐威科技3%數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理但總體來(lái)看，在 IC 設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化的比例還普遍比較偏低，與國(guó)際巨頭的差距還較為明顯，我們認(rèn)為隨著國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程進(jìn)一步加速，國(guó)內(nèi)廠商在各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域有望逐漸縮小差距，國(guó)產(chǎn)化比例得到進(jìn)一步提升。、制造：中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn) 14nm 工藝突破，長(zhǎng)鑫長(zhǎng)存存儲(chǔ)雙子星閃耀國(guó)內(nèi)晶圓廠、存儲(chǔ)廠在各自領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了快速的突破。中芯國(guó)際在 14nm 先進(jìn)代工領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)今年年底產(chǎn)能達(dá)到 15k/月，同時(shí) N+1、N+2 更高階的產(chǎn)品也在同步研發(fā)中，有望在將來(lái)進(jìn)一步縮小和國(guó)際巨頭臺(tái)

27、積電、三星、Intel 等的技術(shù)差距。同時(shí)中芯國(guó)際進(jìn)一步提升資本開(kāi)支至 42 億美金，相較于之前規(guī)劃大幅上修近 35%，體現(xiàn)了公司對(duì)于先進(jìn)工藝產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的信心。圖 22、中芯國(guó)際在先進(jìn)代工領(lǐng)域正逐漸突破2016201720182019202020212022臺(tái)積電10nm7nm&7nm+5nm3nmIntel14nm10nm7nm三星14nm10nm7nm5nm格羅方德14nm12nm-聯(lián)電28nm14nm-中芯國(guó)際28nm14nmN+1數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理長(zhǎng)存長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)雙子星閃耀，進(jìn)展超預(yù)期。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 64L 3D NAND 產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，同時(shí) 128

28、L 的新一代產(chǎn)品也在研發(fā)中，有望在明年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。合肥長(zhǎng)鑫的 1xnm ddr4 DRAM 產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)，同時(shí)也在研發(fā)新一代 1ynm ddr4 的產(chǎn)品。長(zhǎng)存長(zhǎng)鑫的產(chǎn)品在存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了零的突破，并且正在逐漸與國(guó)際巨頭縮小技術(shù)差距，具有很強(qiáng)的戰(zhàn)略意義。201620172018201920202021三星64L96L128L192L東芝48L96L128L美光32L64L96L128L海力士48L96L192L長(zhǎng)江存儲(chǔ)-64L128L圖 23、長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 3D NAND 正實(shí)現(xiàn)快速突破數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理圖 24、合肥長(zhǎng)鑫在 DRAM 正實(shí)現(xiàn)快速突破20

29、1620172018201920202021三星20nm1xnm1ynm1znm1anm海力士20nm1xnm1ynm1znm美光20nm1xnm1ynm1znm南亞科30nm20nm1xnm合肥長(zhǎng)鑫-1xnm1ynm數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理封測(cè)：國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展最快，已經(jīng)躋身國(guó)際第一梯隊(duì)封測(cè)環(huán)節(jié)是半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展最快的，國(guó)內(nèi)的幾家封測(cè)廠商長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電等巨頭都已經(jīng)擠進(jìn)全球前十名，其中長(zhǎng)電科技通過(guò)收購(gòu)星科金鵬，規(guī)模進(jìn)一步提升，目前已經(jīng)做到全球第三名，同時(shí)在封測(cè)產(chǎn)品的布局上也進(jìn)一步完善，在低端、中端、高端等封裝領(lǐng)域都有突破。圖 25、國(guó)內(nèi)三家封測(cè)廠商擠進(jìn)

30、全球前十京元電欣邦2%其他19%日月光19%子 聯(lián)合2%科技3%華天科技4%通富微電4%力成科技8%矽品精密10%長(zhǎng)電科技13%安靠16%數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理圖 26、國(guó)內(nèi)三家封測(cè)廠商產(chǎn)品布局較為完善全球排名低端封裝中端封裝高端封裝DIPSOPQFP/QFLGABGAFCFCBGABumpinFCCSPWLCSPTSVTSVFan-outNg（2.5D）（3D）日月光O安靠XXXXX長(zhǎng)電科技O矽品XXXX天水華天OXO通富微電XXX數(shù)據(jù)來(lái)源：各公司官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理我們認(rèn)為，封測(cè)行業(yè)是國(guó)內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)力最強(qiáng)的細(xì)分環(huán)節(jié)，隨著國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程的不斷推進(jìn)，封測(cè)領(lǐng)域有望

31、持續(xù)受益。、設(shè)備、材料：下游晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)提速，疊加國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速，催生設(shè)備材料業(yè)績(jī)快速提升隨著中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等晶圓廠存儲(chǔ)廠在各自領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性的突破，產(chǎn)能擴(kuò)張將一步提速，資本開(kāi)支有望達(dá)到歷史高峰，對(duì)于上游設(shè)備、材料的需求將持續(xù)拉升。另外在貿(mào)易戰(zhàn)的大背景下，國(guó)內(nèi)晶圓廠對(duì)于設(shè)備、材料等核心供應(yīng)鏈的自主可控的需求越來(lái)越強(qiáng)烈，也會(huì)進(jìn)一步促進(jìn)設(shè)備、材料的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展。圖 27、國(guó)內(nèi)晶圓廠存儲(chǔ)廠資本開(kāi)支進(jìn)入爆發(fā)期6寸 8寸 12寸1,6001,400 成長(zhǎng)期 爆發(fā)期 1000億/年 1,2001,000800 萌芽期 初創(chuàng)期 穩(wěn)定期 500-1000億/年 600 100%80%-110%可視

32、角度中等高資料來(lái)源：LEDinside，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院Mini LED 背光應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模巨大。根據(jù) Yole Research 數(shù)據(jù)顯示，全球 Mini LED顯示設(shè)備將從 2019 年的 3.24 百萬(wàn)臺(tái)增長(zhǎng)至 2023 年的 80.7 百萬(wàn)臺(tái)，復(fù)合年均增長(zhǎng)率高達(dá) 90%。其中車用市場(chǎng)將是 Mini LED 最有發(fā)展機(jī)會(huì)的領(lǐng)域。調(diào)研機(jī)構(gòu) Yole Research 表示，車用市場(chǎng)的 Mini LED 出貨量將在 2023 年增長(zhǎng)至高達(dá) 3570 萬(wàn)，將成為最大的應(yīng)用領(lǐng)域。Mini LED 高端顯示滲透率有望持續(xù)提升。比較 OLED 與 Mini LED 背光顯示器的特性，Mini

33、LED 背光顯示器具有多區(qū)背光調(diào)控(Local Dimming)功能，對(duì)比效果可與 OLED 匹敵；在 TV 及Monitor 等產(chǎn)品應(yīng)用上，Mini LED 背光顯示器的成本相較 OLED 更具有競(jìng)爭(zhēng)性，因?yàn)?Mini LED 背光顯示器顯示效果幾乎等同于 OLED，但功耗遠(yuǎn)低于 OLED，藉此提高產(chǎn)品的性價(jià)比。據(jù) LED inside，下一代 Mini LED背光技術(shù)將是各家廠商的開(kāi)發(fā)重點(diǎn)，預(yù)估至 2023 年 Mini LED 市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 10 億美元，2018-2023 年 mini LED 市場(chǎng)規(guī)模CAGR 超過(guò) 46%。到 2024 年 Mini LED背光在 IT、電視及平板應(yīng)用

34、的滲透率，分別有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)至 20%、15%及 10%。圖 44、Mini LED 的市場(chǎng)空間預(yù)估圖 45、2024 年 Mini LED 產(chǎn)品在應(yīng)用端滲透率預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)來(lái)源：Yole、興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理數(shù)據(jù)來(lái)源：LEDinside、興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理、Micro LED 有望成為未來(lái)顯示新星MicroLED 是顯示行業(yè)未來(lái)目標(biāo)。MicroLED 是當(dāng)前顯示面板精尖科技之一，其定義也不盡相同，一般指燈珠間距密度在 0.5mm 以內(nèi)，晶片尺寸小于 50um 的自發(fā)光 LED 面板。光源即像素：采用每顆燈珠自發(fā)光形成像素，間距縮小的同時(shí)芯片尺寸也同步縮小，具有比 MiniLED 更高

35、的解析度與色彩飽和度。采用自發(fā)光技術(shù)，無(wú)背光模組，接近無(wú)邊框視角，屏占比更高M(jìn)icroLED 每個(gè)微型 LED 都可以關(guān)閉，提供完美的黑色與最佳的亮度，HDR色域表現(xiàn)更優(yōu)秀MicroLED 續(xù)航時(shí)間更長(zhǎng)，功耗也更低，僅為同尺寸 OLED 的 50%，LCD 的 10%。圖 46、LED 對(duì)比 MicroLED 燈珠密度圖 47、MicroLED 結(jié)構(gòu)對(duì)比 OLED 更為簡(jiǎn)潔資料來(lái)源：WCCFtech，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院資料來(lái)源：eyerys，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院“巨量轉(zhuǎn)移”技術(shù)，是決定 Micro LED 能否商業(yè)的關(guān)鍵?！熬蘖哭D(zhuǎn)移”技術(shù)，即如何將“巨量”的三色微小 LED 轉(zhuǎn)移到制

36、作好驅(qū)動(dòng)電路的基底上的工藝技術(shù)。無(wú)論是TV 還是手機(jī)屏，其像素的數(shù)量都是相當(dāng)巨大的，而像素的尺寸又是那么小，并且顯示產(chǎn)品對(duì)于像素錯(cuò)誤的容忍度也是很低的，沒(méi)有人愿意去購(gòu)買(mǎi)一塊有“亮點(diǎn)”或“暗點(diǎn)”的顯示屏，所以將這些小像素完美地轉(zhuǎn)移到做好驅(qū)動(dòng)電路的襯底上并實(shí)現(xiàn)電路連接是非常困難且復(fù)雜的技術(shù)。實(shí)際上，“巨量轉(zhuǎn)移”確實(shí)是目前 Micro LED 商業(yè)化上面的一大瓶頸技術(shù)，其轉(zhuǎn)移的效率和成功率都決定著商業(yè)化的成功與否。圖 48、巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)（Mass Transfer）資料來(lái)源：Micro LED 產(chǎn)業(yè)研究，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院目前 MicroLED 成本高昂。1 平方米MicroLED 顯示面板售

37、價(jià) 5 萬(wàn)美元，是 LCD液晶面板價(jià)格的 100 倍，同尺寸 OLED 面板價(jià)格的 510 倍。未來(lái)看 MicroLED仍然是面板發(fā)展的大趨勢(shì)，技術(shù)端與成本端亟需突破，根據(jù)三星 SDC 的預(yù)計(jì)有望在 2025 年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。產(chǎn)業(yè)鏈廠商積極布局。由于 Mini LED 具備的各種優(yōu)勢(shì)及廣闊的應(yīng)用前景，當(dāng)前大陸和臺(tái)灣 LED 芯片、封裝、面板和下游應(yīng)用廠商廣泛進(jìn)行跨領(lǐng)域上下游聯(lián)動(dòng)，產(chǎn)業(yè)鏈已初具規(guī)模，只待量產(chǎn)及應(yīng)用推廣的同時(shí)，發(fā)力超高清市場(chǎng)，爭(zhēng)取更高的效益及應(yīng)用市場(chǎng)份額。自 2018 年以來(lái)，Mini LED 產(chǎn)品頻頻亮相于各大展會(huì)，應(yīng)用場(chǎng)景包含車載顯示、電競(jìng)、筆記本電腦、電視等。在眾多廠家推動(dòng)

38、下，當(dāng)前 Mini LED 顯示技術(shù)和產(chǎn)品日趨成熟，產(chǎn)品應(yīng)用也逐漸增多，市場(chǎng)規(guī)模也不斷擴(kuò)大。據(jù) OF week 產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2018 年全球 Mini LED 市場(chǎng)規(guī)模約 5.2 億元，雖然整體規(guī)模還較小，但隨著 Mini LED 逐步導(dǎo)入產(chǎn)業(yè)應(yīng)用并開(kāi)始加速，尤其是高階顯示器應(yīng)用，2019 年 Mini LED 市場(chǎng)需求開(kāi)始起飛，未來(lái)兩三年 Mini LED 市場(chǎng)前景廣闊，預(yù)計(jì) 2022 年市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 55 億元。、被動(dòng)元件：行業(yè)景氣復(fù)蘇，MLCC 國(guó)產(chǎn)替代空間巨大根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，經(jīng)過(guò)一年左右的時(shí)間，行業(yè)去庫(kù)存在 19 年三季度末基本完成，而且?guī)齑嫠坏陀谡Ｋ?，四季度進(jìn)入補(bǔ)庫(kù)存階段。同

39、時(shí)，我們跟蹤了臺(tái)灣被動(dòng)元件大廠國(guó)巨、華新科的月度營(yíng)收來(lái)佐證，其同比跌幅在 19 年底都開(kāi)始明顯收窄，國(guó)巨在今年 3、4 月份實(shí)現(xiàn)正增長(zhǎng)，4 月同比增長(zhǎng) 36.6%，華新科 4 月銷售也基本實(shí)現(xiàn)同比持平。圖 49、國(guó)巨月度營(yíng)收（單位：億新臺(tái)幣）圖 50、華新科月度營(yíng)收（單位：億新臺(tái)幣）資料來(lái)源：Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院資料來(lái)源：Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院除了補(bǔ)庫(kù)存外，我們認(rèn)為，隨著 5G 手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備放量，汽車電子化程度提升，被動(dòng)元件需求量將恢復(fù)快速增長(zhǎng)。根據(jù) Paumanok 的預(yù)測(cè)，2017 年被動(dòng)元件市場(chǎng)規(guī)模為 238 億美元，預(yù)計(jì)到 2020 年將達(dá)到 286 億美

40、元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 6.3%，網(wǎng)絡(luò)通信和車用是兩個(gè)主要驅(qū)動(dòng)力量。圖 51、網(wǎng)絡(luò)通信和車用提供被動(dòng)元件市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)動(dòng)力資料來(lái)源：Paumanok，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理作為先進(jìn)陶瓷的一種應(yīng)用，與大部分先進(jìn)陶瓷的制造一樣，MLCC 技術(shù)壁壘非常高，從粉體制備到成型、燒結(jié)加工環(huán)節(jié)眾多。粉體均勻度和微細(xì)度的控制、添加劑配方都是生產(chǎn)過(guò)程中的難點(diǎn)，特別是薄層化技術(shù)、共燒工藝對(duì) MLCC 層數(shù)影響很大，層數(shù)直接決定了 MLCC 的容值，同樣尺寸、容值更大是 MLCC 行業(yè)的趨勢(shì)，這也是日本廠商的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)，而且關(guān)鍵設(shè)備也都需要自制。目前 MLCC 行業(yè)主要由日韓和中國(guó)臺(tái)灣主導(dǎo)，根據(jù)國(guó)巨披露的數(shù)據(jù)，村田以 31%的市占率排名第一，其次是三星電機(jī)市占率 19%，國(guó)巨和太陽(yáng)誘電市占率都在 13%左右，前七大廠商占據(jù) 85%份額，集中度很高，國(guó)內(nèi)玩家主要有風(fēng)華高科、三環(huán)集團(tuán)和宇陽(yáng)等，未來(lái)替代空間巨大。圖 52、MLCC 的多層化、高容值趨勢(shì)圖 53、全球 MLCC 格局?jǐn)?shù)據(jù)來(lái)源：智研咨詢，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理數(shù)據(jù)來(lái)源：國(guó)巨官網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟(jì)與金融研究院整理5、