無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)題庫-選擇題

1、a.1b.a.1b. .下列選項(xiàng)中不屬于晶體的基本性質(zhì)的是（B）A、最小內(nèi)能性B、各向同性C、對稱性口、自限性.根據(jù)開爾文方程，固體顆粒越小，其溶解度（a）a.越小b.越大c.不變.若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在氧化氣氛下形成陽離子空位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：0=1：1.1,則其化學(xué)式應(yīng)為（）d.X1.1Oa.XO1.1b.X0.90Oc.X0.91Od.X1.1O.從工藝的角度考慮,下列選項(xiàng)中不是造成二次再結(jié)晶的原因的是（B）A、原始粒度不均勻B、燒結(jié)溫度過低C、燒結(jié)速率太快D、坯體成型壓力不均勻37、二元化合物AmBn若正離子的配位數(shù)為6,負(fù)離子的配位數(shù)為（B）A

2、、m/nB、6m/nC、n/mD、n/6m38、下列礦物中,屬于架狀結(jié)構(gòu)的是（D）A、Mg2SiO4B、Ca2Mg2Si4O11C、Be3Al2Si6O18D、CaAl2Si2O839、在氧化氣氛下，F(xiàn)eO形成非化學(xué)計(jì)量化合物，鐵空位濃度與氧分壓關(guān)系為（A）A、1/6B、-1/6C、1/4D、-1/440、在1850,15mol%CaO的添加到ZrO2中，形成的固溶體的化學(xué)式為（C）A、Zr0.925Ca0.15O2B、Zr0.85Ca0.3O2C、Zr0.85Ca0.15O1.85D、Zr0.85Ca0.15O41、2Na2O-CaO-Al2O3.2SiO2的玻璃中，結(jié)構(gòu)參數(shù)Y（C）A、2.

3、25B、2.5C、3D、3.542、。2-在UO2晶體中的擴(kuò)散機(jī)制為（B）A、空位B、間隙C、易位43、刃位錯(cuò)位錯(cuò)線與柏格斯矢量關(guān)系（B）A、平行B、垂直C、相交44、離子晶體中的空位擴(kuò)散,擴(kuò)散活化能隨材料的熔點(diǎn)升高（）A、增加B、減小C、不變45、為提高陶瓷坯釉的附著力,應(yīng)降低（A、C）A、喂B、,V7V46、P42晶系屬于（B）A、三方B、四方C、立方D、正交47、Pm3m晶系屬于（C）A、三方B、四方C、立方D、正交A、肖特基缺陷B、弗倫克爾缺陷C、非化學(xué)計(jì)量化合物A、肖特基缺陷B、弗倫克爾缺陷C、非化學(xué)計(jì)量化合物d.固溶體49下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中,（b）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散a.

4、間隙機(jī)構(gòu)b.空位機(jī)構(gòu)c.亞間隙機(jī)構(gòu)d.易位機(jī)構(gòu)50.右圖為具有L44P對稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的基本單位，L44P圖中給出了六種可能的劃分方式，若根據(jù)劃分平行六面體的原則中第一條進(jìn)行選取，不被排除的有（d,e）a.1b.2c.3d.4e.5f.651在晶粒生長過程中晶界（a）a.向凸面曲率中心移動(dòng)b.背離凸面曲率中心移動(dòng)c.不移動(dòng).K2O.Al2O3.4SiO2-SiO2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（C）A、4B、3C、2D、1.在析晶過程中，若AT較大，則獲得的晶粒為（a）a.數(shù)目多而尺寸小的細(xì)晶b.數(shù)目少而尺寸大的粗晶c.數(shù)目多且尺寸大的粗晶d.數(shù)目少且尺寸小的細(xì)晶.目前常用GB晶界能

5、和SV表面能之比值來衡量燒結(jié)的難易，若材料GB/SV越大，則（a）a.愈容易燒結(jié)b.對燒結(jié)無影響c.愈難燒結(jié).伯格斯矢量與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（b）a.螺型位錯(cuò)b.刃型位錯(cuò)c.混合位錯(cuò).在熔體中加入網(wǎng)絡(luò)變性體會(huì)使得熔體的析晶能力（c）：a.不變b.減弱c.增大.塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（c）a.范德華力b.靜電引力c.毛細(xì)管力.在7個(gè)晶系中，晶體幾何常數(shù)為：a=b=c,=90的是（c）a.六方晶系b.四方晶系c.三方晶系d.正交晶系.NaCl型結(jié)構(gòu)中，Cl-按立方最緊密方式堆積，Na+充填于（b）之中a.全部四面體空隙b.全部八面體空隙c.1/2四面體空隙d.1/2八面體空隙.下列質(zhì)

6、點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（a）最適用于間隙型固溶體的擴(kuò)散a.間隙機(jī)構(gòu)b.空位機(jī)構(gòu)c.亞間隙機(jī)構(gòu)d.易位機(jī)構(gòu).劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（b）a.體積最小b.棱間直角關(guān)系最多c.結(jié)點(diǎn)間距最小.在燒結(jié)過程中，只改變氣孔形狀不引起坯體收縮的傳質(zhì)方式是（c）a.擴(kuò)散傳質(zhì)b.溶解沉淀傳質(zhì)c.蒸發(fā)凝聚傳質(zhì)d.流動(dòng)傳質(zhì).過冷度越大，相應(yīng)的成核位壘（b），臨界晶核半徑（b），析晶能力（a）a.越大b.越小c.不變64.在離子型化合物中晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)（b）。c.DgDsD64.在離子型化合物中晶粒內(nèi)部擴(kuò)散系數(shù)（b）。c.DgDsDb）更容易進(jìn)行？a.DbDgDsb.DsDgDb.均勻成核與非均

7、勻成核相比（ba.均勻成核b.非均勻成核c.二者一樣.在晶體中形成空位的同時(shí)又產(chǎn)生間隙原子，這樣的缺陷稱為（b）a.肖特基缺陷b.a.肖特基缺陷b.弗倫克爾缺陷c.間隙缺陷.在質(zhì)點(diǎn)遷移的空位機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度較高時(shí)以（b）為主a.非本征擴(kuò)散a.非本征擴(kuò)散b.本征擴(kuò)散c.非化學(xué)計(jì)量空位擴(kuò)散68過冷度愈大，臨界晶核半徑（c）相應(yīng)地相變（e）a.不變b.愈大c.愈小a.不變b.愈大c.愈小d.愈難進(jìn)行e.愈易進(jìn)行f.不受影響69.若有一個(gè)變價(jià)金屬氧化物XO,在還原氣氛下形成陰離子缺位型非化學(xué)計(jì)量化合物，金屬元素X和氧原子數(shù)之比為X：0=1.2：1,則其化學(xué)式應(yīng)為（b）X1.2OXO0.8370立方結(jié)構(gòu)的

8、（112）X1.2OXO0.8370立方結(jié)構(gòu)的（112）與（113）晶面同屬于（XO0.91)晶帶軸。XO1.2a.110b.111c.211a.71下列關(guān)于電動(dòng)電位的描述錯(cuò)誤的是（a.由一價(jià)陽離子飽和的粘土其-電位大于由三價(jià)陽離子飽和的同種粘土c.b.對于同價(jià)陽離子飽和的粘土而言，隨著離子半徑增大-電位增大c.由同種陽離子飽和的粘土，隨著離子濃度增大-電位減小72.菲克第一定律描述了穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散的特征，即擴(kuò)散物質(zhì)的濃度不隨（b）變化。a.距離b.a.距離b.時(shí)間c.溫度73劃分單位平行六面體時(shí)，在滿足對稱性關(guān)系之后應(yīng)考慮（b）a.體積最小棱間直角關(guān)系最多結(jié)點(diǎn)間距最小a.體積最小棱間直角關(guān)系最多結(jié)

9、點(diǎn)間距最小74.在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R74.在硅酸鹽熔體中，當(dāng)R=0/Si減小時(shí)，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化是：非橋氧百分?jǐn)?shù)（b），熔體粘度（a），熔體析晶傾向（b）a.增大b.減小a.增大b.減小c.不變75.下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（75.下列質(zhì)點(diǎn)遷移微觀機(jī)構(gòu)中，（）最適用于置換型固溶體的擴(kuò)散a.間隙機(jī)構(gòu)空位機(jī)構(gòu)亞間隙機(jī)構(gòu)易位機(jī)構(gòu)76.晶核生長速率u與溫度的關(guān)系為A、隨溫度的升高而增大B、隨溫度的升高而減小C、隨溫度的升高先增大后減小Da.間隙機(jī)構(gòu)空位機(jī)構(gòu)亞間隙機(jī)構(gòu)易位機(jī)構(gòu)76.晶核生長速率u與溫度的關(guān)系為A、隨溫度的升高而增大B、隨溫度的升高而減小C、隨溫度的升高先增大后減小D、隨溫度的升高

10、先減小后增大77.在燒結(jié)過程中不會(huì)引起坯體致密化的傳質(zhì)方式是（a.溶解-沉淀傳質(zhì)b.擴(kuò)散傳質(zhì)流動(dòng)傳質(zhì)蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)79.晶體結(jié)構(gòu)中所存在的一切對稱要素的集合稱為（ca.聚形b.點(diǎn)群c.空間群d.平移群80.右圖為具有L44P對稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的位，圖中給出了六種可能的劃分方式若根據(jù)劃分平行六面體的原條進(jìn)行選取，不被排除的有（a,ba.1b.2c.3d.4e.5a.聚形b.點(diǎn)群c.空間群d.平移群80.右圖為具有L44P對稱的一個(gè)平面點(diǎn)陣，現(xiàn)要選取此平面點(diǎn)陣的位，圖中給出了六種可能的劃分方式若根據(jù)劃分平行六面體的原條進(jìn)行選取，不被排除的有（a,ba.1b.2c.3d.4e.5

11、f.6基本單則中第一81.同價(jià)陽離子飽和的粘土，其-電位隨著離子半徑增大而（ba.增大b.減小c.不變L44P.Si:0趨近于1/2時(shí)硅酸鹽晶體的結(jié)構(gòu)類型為（d）a.島狀b.鏈狀a.島狀b.鏈狀c.層狀d.架狀.玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)中的z一般是已知的，其中硼酸鹽玻璃的z=a.2b.3c.4d.5a.2b.3c.4d.584在晶粒生長過程中晶界（cTOC o 1-5 h za.不移動(dòng)b.背離凸面曲率中心移動(dòng)c.向凸面曲率中心移動(dòng)85塑性泥團(tuán)中顆粒之間最主要的吸引力為（c）a.范德華力b.靜電引力c.毛細(xì)管力86在晶核形成過程中，臨界晶核半徑愈大，則相變（c）a.愈易進(jìn)行b.不受影響c.愈難進(jìn)行.Na2O

12、.Al2O3.4SiO2-SiO2系統(tǒng)的獨(dú)立組分?jǐn)?shù)為（c） HYPERLINK l bookmark16 a.4b.3c.2d.1.立方晶體中的001方向是（b）a.二次對稱軸b.四次對稱軸c.六次對稱軸.粘土顆粒周圍存在附著定向的水分子層和水化陽離子，這部分水稱為（b）a.結(jié)構(gòu)水b.結(jié)合水c.自由水.宏觀晶體中所有對稱要素的集合稱為（a）a.空間群b.平移群c.點(diǎn)群.在置換型固溶體中，原子擴(kuò)散的方式一般為（c）a.原子互換機(jī)制b.間隙機(jī)制c.空位機(jī)制.-石英與-方石英之間的晶型轉(zhuǎn)變屬于（a）a.重建型相變b.位移型相變c.擴(kuò)散型相變1、極化會(huì)對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（B）過渡，最終

13、使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。共價(jià)鍵向離子鍵B:離子鍵向共價(jià)鍵金屬鍵向共價(jià)鍵D:鍵金屬向離子鍵TOC o 1-5 h z2、離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（B），離子配位數(shù)（）。增大，降低B:減小，降低減小，增大D:增大，增大3、氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（C）。A:5B:6C:4D:34、NaCl單位晶胞中的分子數(shù)為4,Na+填充在Cl-所構(gòu)成的（B）空隙中。A:全部四面體B:全部八面體C:1/2四面體D:1/2八面體5、CsCl單位晶胞中的分子數(shù)為1,Cs+填充在Cl-所構(gòu)成的（C）空隙中。A:全部四面體B:全部八面體C:全部立方體D:1/2八面體6、MgO晶

14、體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（B）個(gè)MgO分子。TOC o 1-5 h zA:2B:4C:6D:87、螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)-填充了（D）。A:八面體空隙的半數(shù)B:四面體空隙的半數(shù)C:全部八面體空隙D:全部四面體空隙8、螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8,F-配位數(shù)為（B）。TOC o 1-5 h z HYPERLINK l bookmark104 A:2B:4 HYPERLINK l bookmark106 C:6D:89、CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8,Cl-的配位數(shù)為（D）。 HYPERLINK l boo

15、kmark108 A:2B:4 HYPERLINK l bookmark110 C:6D:810、硅酸鹽晶體的分類原則是（B）。A:正負(fù)離子的個(gè)數(shù)B:結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成D:離子半徑11、鋯英石ZrSiO4是（A）。A:島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)C:鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)12、硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被A13+取代，這種現(xiàn)象稱為（C）。A:同質(zhì)多晶B:有序無序轉(zhuǎn)變C:同晶置換D:馬氏體轉(zhuǎn)變13.鎂橄欖石MgJSiO4（A）。島狀結(jié)構(gòu)B:層狀結(jié)構(gòu)鏈狀結(jié)構(gòu)D:架狀結(jié)構(gòu)14、對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋ˋ）。A:沸石螢石MgOB:沸石MgO螢石C:螢石沸石

16、MgOD:螢石MgO沸石15、根據(jù)鮑林（Pauling）規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（B）。2B:46D:816、構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元SiO4四面體，兩個(gè)相鄰的SiO4四面體之間只能（A）連接。共頂B:共面共棱D:A+B+C17、點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān),以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（D）。A：弗侖克爾缺陷8：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷D：A+B18、位錯(cuò)的（A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。A:攀移B:攀移C:增值D:減少該位置帶有負(fù)電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)

17、生該位置帶有正電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生19、對于形成雜質(zhì)缺陷而言,低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí),該位置帶有負(fù)電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生該位置帶有正電荷,為了保持電中性,會(huì)產(chǎn)生（D）。B:間隙正離子D:AB:間隙正離子D:A或BC:間隙負(fù)離子20、對于形成雜質(zhì)缺陷而言,高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí),（D）。B:間隙負(fù)離子A:B:間隙負(fù)離子C:負(fù)離子空位D:A或B21、形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響,主要表現(xiàn)為（D）。A:穩(wěn)定晶格B:活化晶格C:固溶強(qiáng)化D:A+B+C22、固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。固溶體有有限和無限之分，其中（B

18、）。結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件23、缺陷對晶體的性能有重要影響，常見的缺陷為（D）。A:點(diǎn)缺陷B:線缺陷C:面缺陷D:A+B+C24、按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（D）。A:熱缺陷B:雜質(zhì)缺陷C:非化學(xué)計(jì)量缺陷D:A+B+C25、晶體中的熱缺陷的濃度隨溫度的升高而增加，其變化規(guī)律是（B）。A:線性增加B:呈指數(shù)規(guī)律增加C：無規(guī)律D:線性減少26、間隙式固溶體亦稱填隙式固溶體，其溶質(zhì)原子位于點(diǎn)陣的間隙中。討論形成間隙型固溶體的條件須考慮（D）。A:雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小B:晶體（基

19、質(zhì)）結(jié)構(gòu)C:電價(jià)因素D:A+B+C27、位錯(cuò)的滑移是指位錯(cuò)在（A）作用下，在滑移面上的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致永久形變。A:外力B:熱應(yīng)力C:化學(xué)力D:結(jié)構(gòu)應(yīng)力28、柏格斯矢量（BurgersVector）與位錯(cuò)線垂直的位錯(cuò)稱為（A），其符號表示為（）。A:刃位錯(cuò)；，B:刃位錯(cuò)；VXC:螺位錯(cuò)；D:刃位錯(cuò)；29、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。當(dāng)離子晶體生成肖特基缺陷（Schottkydefect）時(shí)，（B）。正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的縮小正離子空位和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加正離子空位和負(fù)離子間隙是同

20、時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加正離子間隙和負(fù)離子空位是同時(shí)成對產(chǎn)生的，同時(shí)伴隨晶體體積的增加30、熱缺陷亦稱為本征缺陷，是指由熱起伏的原因所產(chǎn)生的空位或間隙質(zhì)點(diǎn)（原子或離子）。生成弗侖克爾缺陷（Frenkeldefect）時(shí)，（A）。間隙和空位質(zhì)點(diǎn)同時(shí)成對出現(xiàn)正離子空位和負(fù)離子空位同時(shí)成對出現(xiàn)正離子間隙和負(fù)離子間隙同時(shí)成對出現(xiàn)正離子間隙和位錯(cuò)同時(shí)成對出現(xiàn)31、位錯(cuò)的具有重要的性質(zhì)，下列說法不正確的是（C）。位錯(cuò)不一定是直線B:位錯(cuò)是已滑移區(qū)和未滑移區(qū)的邊界C:位錯(cuò)可以中斷于晶體內(nèi)部D:位錯(cuò)不能中斷于晶體內(nèi)部32、位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng)包括位錯(cuò)的滑移和位錯(cuò)的攀移，其中（A）。A:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)

21、既可滑移又可攀移刃位錯(cuò)只作滑移，螺位錯(cuò)只作攀移C:螺位錯(cuò)只作攀移，刃位錯(cuò)既可滑移又可滑移D:螺位錯(cuò)只作滑移，刃位錯(cuò)只作攀移33、硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度（數(shù)量）受（D）因素的影響。B:溫度D:A+B+CA:B:溫度D:A+B+CC:時(shí)間34、當(dāng)熔體組成不變時(shí)，隨溫度升高，低聚物數(shù)量（C），粘度（）。A:降低；增加B:不變；降低增加；降低D:增加；不變35、當(dāng)溫度不變時(shí)，熔體組成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。A:降低；增加B:不變；降低增加；降低D:增加；不變36、硅酸鹽熔體的粘度隨O/Si升高而（B），隨溫度下降而（）。A:增大，降低B:降低，增大C:增大，增大D:降低，

22、降低37、由結(jié)晶化學(xué)觀點(diǎn)知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。A:極性共價(jià)鍵B:離子鍵C:共價(jià)鍵D:金屬鍵TOC o 1-5 h z38、NaQAl2O3.4SiO2熔體的橋氧數(shù)為（D）。A:1B:2C:3D:439、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的橋氧數(shù)為（B）。A:2.5B:3C:3.5D:440、如果在熔體中同時(shí)引入一種以上的R2O時(shí)，粘度比等量的一種R2O高，這種現(xiàn)象為（B）。A:加和效應(yīng)B:混合堿效應(yīng)C:中和效應(yīng)D:交叉效應(yīng)41、對普通硅酸鹽熔體，隨溫度升高，表面張力將（A）。A:降低B:升高C:不變D:A或B42、熔體的組成對熔體的表面張力有很重要的影響，一般情況下，O/Si減

23、小，表面張力將（A）。A:降低B:升高C:不變D:A或B43、由熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變的過程是（C）的過程。A:可逆與突變B:不可逆與漸變C:可逆與漸變D:不可逆與突變44、當(dāng)組成變化時(shí)，玻璃的物理、化學(xué)性質(zhì)隨成分變化具有(C)。A:突變性B:不變性C:連續(xù)性D:A或B45、熔體組成對熔體的表面張力有重要的影響，一般情況下，O/Si減小，表面張力將(A)。(A)降低(B)升高(C)不變(D)A或B46、不同氧化物的熔點(diǎn)TM和玻璃轉(zhuǎn)變溫度Tg的比值(Tg/TM)接近(B)易形成玻璃。A:二分之一B:三分之二C:四分之一D:五分之一47、可用三T(Time-Temperature-Transforma

24、tioi)曲線來討論玻璃形成的動(dòng)力學(xué)條件，三T曲線前端即鼻尖對應(yīng)析出106體積分?jǐn)?shù)的晶體的時(shí)間是最少的，由此可得出形成玻璃的臨界冷卻速率，通常，該臨界冷卻速率愈大，則系統(tǒng)形成玻璃(A)。A:愈困難B:愈容易C:質(zhì)量愈好D:質(zhì)量愈差48、不同O/Si比對應(yīng)著一定的聚集負(fù)離子團(tuán)結(jié)構(gòu)，形成玻璃的傾向大小和熔體中負(fù)離子團(tuán)的聚合程度有關(guān)。聚合程度越低，形成玻璃(A)。A:越不容易B:越容易C:質(zhì)量愈好D:質(zhì)量愈差49、當(dāng)熔體中負(fù)離子集團(tuán)以(C)的歪曲鏈狀或環(huán)狀方式存在時(shí)，對形成玻璃有利。A:低聚合B:不聚合C:高聚合D:A或C25、橋氧離子的平均數(shù)Y是玻璃的結(jié)構(gòu)參數(shù)，玻璃的很多性質(zhì)取決于Y值。在形成玻璃

25、范圍內(nèi)，隨Y的增大，粘度(D)，膨脹系數(shù)()。A:增大；不變B:降低；增大C:不變；降低D:增大；降低50、對于實(shí)際晶體和玻璃體，處于物體表面的質(zhì)點(diǎn)，其境遇和內(nèi)部是不同的，表面的質(zhì)點(diǎn)處于(A)的能階，所以導(dǎo)致材料呈現(xiàn)一系列特殊的性質(zhì)。A:較高B:較低C:相同D:A或C51、由于固相的三維周期性在固體表面處突然中斷，表面上原子產(chǎn)生的相對于正常位置的上、下位移，稱為(B)。A:表面收縮B:表面弛豫C:表面滑移D:表面擴(kuò)張52、固體的表面能與表面張力在數(shù)值上不相等，一般說來，同一種物質(zhì)，其固體的表面能(B)液體的表面能。A:小于B:大于C:小于等于D:等于53、重構(gòu)表面是指表面原子層在水平方向上的周

26、期性與體內(nèi)()，垂直方向的層間距與體內(nèi)(A)。A:不同；相同B:相同；相同C:相同；不同D:不同；不同54、粘附劑與被粘附體間相溶性(C)，粘附界面的強(qiáng)度()。A:越差；越牢固B:越好；越差C:越好；越牢固D:越好；不變55、離子晶體MX在表面力作用下，極化率小的正離子應(yīng)處于穩(wěn)定的晶格位置，易極化的負(fù)離子受誘導(dǎo)極化偶極子作用而移動(dòng)，從而形成表面(C，這種重排的結(jié)果使晶體表面能量趨于穩(wěn)定。A:收縮B:弛豫C:雙電層D:B+C56、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（），斷裂強(qiáng)度（A）。57、A:越長；越低C:越

27、短；越低界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響58、5957、A:越長；越低C:越短；越低界面對材料的性質(zhì)有著重要的影響58、59、60、A:會(huì)引起界面吸附C:對位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)有阻礙作用只要液體對固體的粘附功（BA:小于C:小于等于當(dāng)液體對固體的潤濕角e90A:更難C:更易B:越長；越高D:越長；不變界面具有（D）的特性。B:界面上原子擴(kuò)散速度較快D:A+B+C）液體的內(nèi)聚功，液體即可在固體表面自發(fā)展開。B:大于D:等于時(shí)，即在潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（B:不變D:A或BC）。時(shí)，即在不潤濕的前提下，表面粗糙化后，液體與固體之間的潤濕（A）。B:不變D:A或B61、粘附功數(shù)值的大小，

28、標(biāo)志著固-液兩相輔展結(jié)合的牢固程度，粘附功數(shù)值（B），固-液兩相互相結(jié)合（）；61、A:越大；越松散B:越大；越牢固C:越?。辉嚼喂藾:越大；不變62、為了提高液相對固相的潤濕性，在固-氣和液-氣界面張力不變時(shí)，必須使液-固界面張力（B）。A:降低B:升高C:保持不變D:有時(shí)升高，有時(shí)降低63、對于附著潤濕而言，附著功表示為SV+LV-SL,根據(jù)這一原理，（A）才能使陶瓷釉在坯體上附著牢固。盡量采用化學(xué)組成相近的兩相系統(tǒng)盡量采用化學(xué)組成不同的兩相系統(tǒng)采用在高溫時(shí)不發(fā)生固相反應(yīng)的兩相系統(tǒng)前三種方法都不行64、將高表面張力的組分加入低表面張力的組分中去，則外加組分在表面層的濃度（C）體積內(nèi)部的濃度

29、。A:等于B:大于C:小于D:A或B65、表面微裂紋是由于晶體缺陷或外力作用而產(chǎn)生，微裂紋同樣會(huì)強(qiáng)烈地影響表面性質(zhì)，對于脆性材料的強(qiáng)度這種影響尤為重要，微裂紋長度（A），斷裂強(qiáng)度（）。A:越長；越低A:越長；越低C:越短；越低B:越長；越高D:越長；不變66、吸附膜使固體表面張力（B）。A:增大B:減小C:不變D:A或B67、粗糙度對液固相潤濕性能的影響是：C固體表面越粗糙，越易被潤濕固體表面越粗糙，越不易被潤濕不一定粗糙度對潤濕性能無影響68、下列關(guān)于晶界的說法哪種是錯(cuò)誤的。AA:晶界上原子與晶體內(nèi)部的原子是不同的晶界上原子的堆積較晶體內(nèi)部疏松晶界是原子、空位快速擴(kuò)散的主要通道晶界易受腐蝕6

30、9、相平衡是指在多相體系中，物質(zhì)在各相間分布的平衡。相平衡時(shí)，各相的組成及數(shù)量均不會(huì)隨時(shí)間而改變，是（C）。A:絕對平衡B:靜態(tài)平衡C:動(dòng)態(tài)平衡D:暫時(shí)平衡70、二元凝聚系統(tǒng)平衡共存的相數(shù)最多為3，而最大的自由度數(shù)為（A）。A:2B:3C:4D:571、熱分析法是相平衡的研究方法之一，其原理是根據(jù)系統(tǒng)在冷卻過程中溫度隨時(shí)間的變化情況來判斷系統(tǒng)中是否發(fā)生了相變化，該方法的特點(diǎn)是（D）。A:簡便B:測得相變溫度僅是一個(gè)近似值C:能確定相變前后的物相D:A+B72、淬冷法是相平衡的研究的動(dòng)態(tài)方法，其特點(diǎn)是（D）。A:準(zhǔn)確度高B:適用于相變速度慢的系統(tǒng)C:適用于相變速度快的系統(tǒng)D:A+B73、可逆多晶

31、轉(zhuǎn)變是一種同質(zhì)多晶現(xiàn)象，多晶轉(zhuǎn)變溫度（A）兩種晶型的熔點(diǎn)。A:低于B:高于C:等于74、不可逆多晶轉(zhuǎn)變的多晶轉(zhuǎn)變溫度（D:A或BB種晶型的熔點(diǎn)。A:低于B:高于C:等于D:A或B75、在熱力學(xué)上，每一個(gè)穩(wěn)定相有一個(gè)穩(wěn)定存在的溫度范圍，超過這個(gè)范圍就變成介穩(wěn)相。在一定溫度下，穩(wěn)定相具有（C）的蒸汽壓。A:最高B:與介穩(wěn)相相等C:最低D:A或B76、多晶轉(zhuǎn)變中存在階段轉(zhuǎn)變定律，系統(tǒng)由介穩(wěn)狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉€(wěn)定態(tài)不是直接完成的，而是依次經(jīng)過中間的介穩(wěn)狀態(tài)，最后變?yōu)樵摐囟认碌姆€(wěn)定狀態(tài)。最終存在的晶相由（D）決定。A:轉(zhuǎn)變速度B:冷卻速度C:成型速度D:A與B77、二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，相界線上的自由度為（C）

32、。A:3B:2C:1D:078、根據(jù)杠杠規(guī)則，在二元凝聚系統(tǒng)的相圖中，如果一個(gè)總質(zhì)量為M的相分解為質(zhì)量G1和G2的兩個(gè)相，則生成兩個(gè)相的質(zhì)量與原始相的組成到兩個(gè)新生相的組成點(diǎn)之間線段（B。A:成正比B:成反比C:相等D:A或C79、三元相圖中，相界線上的自由度為（C）。A:3B:2C:1D:0C:180、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：（D）。A:需要較高溫度B:各向同性C:各向異性D:A+C81、在離子型材料中，影響擴(kuò)散的缺陷來自兩個(gè)方面：熱缺陷與不等價(jià)置換產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，后者引起的擴(kuò)散為（C）。A：互擴(kuò)散B：無序擴(kuò)散C：非本征擴(kuò)散D：本征擴(kuò)散82、固體中質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散特點(diǎn)為：DA:需要較高溫度B:各向同

33、性C:各向異性D:A+C83、擴(kuò)散之所以能進(jìn)行，在本質(zhì)上是由于體系內(nèi)存在（A）。B:濃度梯度A:B:濃度梯度C:溫度梯度D:壓力梯度84、固溶體的類型及溶質(zhì)的尺寸對溶質(zhì)擴(kuò)散的活化能有較大影響。則H、C、Cr在-Fe中擴(kuò)散的活化能的大小順序?yàn)椋˙）。A:QHQCQCrB:QCrQCQHC:QCQHQCrD:QCrQHQC85、晶體的表面擴(kuò)散系數(shù)Ds、界面擴(kuò)散系數(shù)Dg和體積擴(kuò)散系數(shù)Db之間存在（A）的關(guān)系。A:DsDgDbB:DbDgDsDbD:DgDs空位擴(kuò)散易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散=空位擴(kuò)散91、92、93、94、95、96、C:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散一般晶體中的擴(kuò)散為（

34、D）。A:空位擴(kuò)散B:間隙擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散D:A和B由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（AA:本征擴(kuò)散B:非本征擴(kuò)散C：91、92、93、94、95、96、C:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散D:易位擴(kuò)散間隙擴(kuò)散空位擴(kuò)散一般晶體中的擴(kuò)散為（D）。A:空位擴(kuò)散B:間隙擴(kuò)散C:易位擴(kuò)散D:A和B由肖特基缺陷引起的擴(kuò)散為（AA:本征擴(kuò)散B:非本征擴(kuò)散C：正擴(kuò)散D：負(fù)擴(kuò)散空位擴(kuò)散是指晶體中的空位躍遷入鄰近原子，而原子反向遷入空位，這種擴(kuò)散機(jī)制適用于（C）的擴(kuò)散。A:各種類型固溶體B:間隙型固溶體C:置換型固溶體D:A和B擴(kuò)散過程與晶體結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系，擴(kuò)散介質(zhì)結(jié)構(gòu)（A），擴(kuò)散（）。A:越緊密；越困難B:越疏松；越困難C:越緊密；活化能越小D:越疏松；活化能越大不同類型的固溶體具有不同