PECVD工藝培訓-課件

1、PECVD工藝培訓-PPT課件PECVD工藝培訓-PPT課件目 錄總述PECVD設備簡介3 PECVD的基本原理與工藝4 PECVD檢測介紹5 注意事項目 錄1、PECVD工序在太陽電池制造中的位置清洗制絨磷擴散形成p-n結(jié)腐蝕，去磷硅玻璃PECVD 沉積SiNx印刷燒結(jié)測試分選包裝1、PECVD工序在太陽電池制造中的位置清洗制絨磷擴散形成p2、二廠PECVD設備介紹設備廠家：上下料設備臺達 PE設備ROTH&RAU2、二廠PECVD設備介紹設備廠家：上下料設備臺達 PECVD設備有三個腔體，分別是上料腔，工藝腔（包括預熱、沉積和冷卻三部分）和下料腔。各腔體直接有閘門閥隔開。gate1gate

2、2gate3gate4PECVD設備有三個腔體，分別是上料腔，工藝腔（包括預熱、沉石墨載板載板外觀圖掛鉤，支撐電池片尺寸：158*1585*9=45石墨載板載板外觀圖掛鉤，支撐電池片尺寸：158*1585*9 PECVD： Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition（等離子增強型化學氣相沉積） 等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫落原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合物組成的一種形態(tài)，這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)。 原理： PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學活性很強，很容易發(fā)

3、生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。 反應方程式：3SiH4+4NH3 Si3N4+12H23、PECVD原理及作用 PECVD： Plasma Enhance Chem 正常的SiNx的Si/N之比為0.75，即Si3N4。但是PECVD沉積氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，Si/N變化的范圍在0.75-2左右。除了Si和N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即SixNyHz或SiNx:H。 其物理性質(zhì)和化學性質(zhì)： 結(jié)構(gòu)致密，硬度大能抵御堿金屬離子的侵蝕 介電強度高 耐濕性好 耐一般的酸堿，除HF和熱H3PO4SiNx的優(yōu)點： 優(yōu)良的表面鈍化效果 高效的光學減反射性能（厚度和

4、折射率匹配） 低溫工藝（有效降低成本） Si3N4膜的作用: 減少光的反射:良好的折射率和厚度可以促進太陽光的吸收。 防氧化:結(jié)構(gòu)致密保證硅片不被氧化。 U型槽U型槽NH3入口Si3H4入口 特氣管石英管，及導電銅管等離子源U型槽U型槽NH3入口Si3H4入口 特氣管石英管，及導電銅U型槽截面圖石墨載板石英管磁體銅管氨氣入口高密度等離子區(qū)硅烷入口硅片U型槽截面圖石墨載板石英管磁體銅管氨氣入口高密度等離子區(qū)硅烷4、PECVD檢測介紹目前我們使用為SENTECH的SE 400adv PV 激光橢偏儀4、PECVD檢測介紹目前我們使用為SENTECH的SE 4測量： 對太陽能電池采用不同的測試樣品臺

5、。其中金字塔絨面單晶硅電池采用傾斜樣品臺測試，其他絨面的單晶硅和多晶硅電池采用水平固定樣品臺測試。 選擇預選設定的針對太陽能電池的Recipe，并點擊“Measure” 按鈕后開始運行測量。當次測量結(jié)果顯示在軟件右上位置。在Protocol中關注deg of polarization（偏振角度）值要大于0.95。 測量：5、操作流程及注意事項1.目的 本文規(guī)定了C2 PECVD工序的基本操作流程。2.適用范圍 本規(guī)定適用于C2 PECVD工序。PECVD操作流程：5、操作流程及注意事項1.目的 PECVD操作流程：3、內(nèi)容3.1 生產(chǎn)準備3.1.1 進入車間時必須穿好工作服、工作鞋，戴工作帽、

6、手套和防塵口罩，衣著標準嚴格按照6S執(zhí)行，不得穿著工作服在車間外活動，進入車間必須走風淋室。3.1.2做好工藝衛(wèi)生，接班后用酒精和無塵布擦拭機器傳送帶，使自動上下料設備保持清潔，并及時清理碎片。3、內(nèi)容3.2 操作流程3.2.1啟動工藝在RothRau操作界面上，進入OP操作界面，點擊“控制”，選擇設定的工藝，啟動工藝。等到等離子源全部啟動之后，對石墨板預熱至少一輪之后，進行生產(chǎn)。3.2.2上料裝滿去PSG后硅片的Schmid花籃運輸?shù)絇ECVD上料臺，保證擴散面向下。啟動上下料設備，進入自動狀態(tài)，進行生產(chǎn)。并確保PSG后硅片產(chǎn)出一小時內(nèi)進入PECVD鍍膜。3.2.3鍍膜檢測與不良檢驗鍍膜檢測

7、：硅片鍍膜之后，選取石墨板規(guī)定位置的硅片檢驗膜厚與折射率。不良檢驗：在上下料設備的lift處每4板，隨機抽取一列觀察其鍍膜情況，若有不良及時返工。3.2 操作流程3.2.4下料將空的Baccini花籃放在卸料臺上，硅片鍍膜之后，由上下料設備裝入片盒，將片盒從下料臺上取下，送到絲網(wǎng)印刷工序。3.2.5設備PM事項3.2.5.1設備PM或開腔體之后需將載板空跑一輪后方可生產(chǎn)，空運行期間由工藝人員調(diào)整工藝。3.2.5.2開始生產(chǎn)時，先做1板硅片進行跟蹤，如果膜厚折射率異常，及時通知工藝人員進行調(diào)整，異常消除后方可生產(chǎn)。3.2.4下料3.3儀器/工具/材料儀器：Roth&Rau 、橢偏儀工具：Schmid花籃、Baccini花籃、石墨板。材料：PSG后硅片3.3注意事項3.3.1注意去PSG后硅片方向，確保擴散面向下。3.3.2生產(chǎn)之前必須在工藝啟動狀態(tài)下預熱石墨板，至少預熱一輪。3.3.3保證抽檢硅片位置與順序準確。3.3.4上料片盒每次設備PM時用無塵布+酒精擦拭一次。3.3.5 任何人未經(jīng)允許不得更改工藝參數(shù)。3.3儀器/工具/材料其他事項-SPC（1）監(jiān)控項目：膜厚 折射率（2）監(jiān)控范圍： 膜厚：目標85nm，控制上下限范圍3nm，規(guī)格上下限范圍5nm；折射率： 目標2.05 ，控制上下限