光電檢測技術作業(yè)答案

1、精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)專心-專注-專業(yè)精選優(yōu)質(zhì)文檔-傾情為你奉上專心-專注-專業(yè)光電檢測技術作業(yè)21.設某只S光敏電阻的最大功耗為光電導靈敏度Sg=0.510-6 S/lx，暗電導 g0 =0 。試求當 CdS 光敏電阻上的偏置電壓為 20V 時的極限照度。2. 在如圖所示的照明燈控制電路中，將上題所給的CdS光敏電阻用作光電傳感 器，若已知繼電器繞組的電阻為 5 K，繼電器的吸合電流為 2mA，電阻 R 。求為使繼電器吸合所需要的照度。要使繼電器在 3lx 時吸合，問應如何調(diào)整電阻器R？3. Rb 8203.3k,Uw Rp ， 當光照度為40l

2、x時輸出電壓為時為30100lx之間的值不變。試求：（1）輸出電壓為8V時的照度。（2）若Re 增加到6k，輸出電壓仍然為8V，求此時的照度。（3）若光敏面上的照度為70lx，求Re 3.3k與Re 6k時輸出的電壓。（4）求該電路在輸出電壓為 8V 時的電壓靈敏度。4. 影響光生伏特器件頻率響應特性的主要因素有哪些？為什么PN結型硅光電二極管的最高工作頻率小于等于107 Hz？5 為什么在光照度增大到一定程度后，硅光電池的開路電壓不再隨入射照度的增大而增大？硅光電池的最大開路電壓為多少？為什么硅光電池的有載輸出電壓總小于相同照度下的開路電壓？6 硅光電池的內(nèi)阻與哪些因素有關？在什么條件下硅光

3、電池的輸出功率最大？答：（1）極電容，串接電阻，串接電阻越小越好。（2）顯然，存在著最佳負載電阻Ropt，在最佳負載電阻情況下負載可以獲得最大的輸出功率Pmax7 光生伏特器件有幾種偏置電路？各有什么特點？8. 選擇最適當?shù)拇鸢柑钊肜ㄌ栔校ㄖ挥幸粋€答案正確）（1）用光電法測量某高速轉(zhuǎn)軸（15000r/min 光電接收器件。APMTB CdS光敏電阻C 2CR42硅光電池D 3DU型光電三極管（2） 若要檢測脈寬為107 s 的光脈沖，應選用（A）為光電變換器件。A PIN型光電二極管B 3DU型光電三極管C PN結型光電二極管D2硅光電池（3） 且動態(tài)范圍較大。A恒流B 自偏置C 零伏偏置D

4、反向偏置 （4）硅光電池在（B）情況下有最大的功率輸出。 A開路B自偏置C 零伏偏置 D 反向偏置 9. 假設調(diào)制波是頻率為500Hz，振幅為5V，初相位為0 的正弦波，載波頻率為10kHz，振 幅為50V，求調(diào)幅波的表達式、帶寬及調(diào)制度。10. 利用 2CU22 光電二極管和 3DG40 三極管構成如下圖所示的探測電路。已知光電二極管的電流靈敏度 Si =0.4A / W ，其暗電流ID =0.2A ，三極管 3DG40 的電流放大倍數(shù) =50 ，最高入射輻射功率為 400 W 時的拐點電壓 UZ =1.0V 。求入射輻射功率最大時，電阻 Re 的值與輸出信號Uo 的幅值。入射輻 射變化 5

5、0W 時的輸出電壓變換量為多少？利用2CU22 光電二極管和3DG40 三極管構成如圖3-46 所示的探測電路。已知光電二極管的電流靈敏度Si 0.4A/W ，其暗電流ID 0.2A，三極管3DG40 的電流放大倍數(shù)50 ，最高入射輻射功率為 400 時的拐點電壓UZ Re 的值與輸出信號Uo 射變化50W 時的輸出電壓變換量為多少？11. 真空光電倍增管的倍增極有哪幾種結構？各有什么特點？12 何謂光電倍增管的增益特性？光電倍增管各倍增極的發(fā)射系數(shù) 與哪些因素有關？最主要的因素是什么？13 光電倍增管產(chǎn)生暗電流的原因有哪些？如何降低暗電流？14. 怎樣理解光電倍增管的陰極靈敏度和陽極靈敏度？

6、二者的區(qū)別是什么？二者有什么關系？15. 光電倍增管GDB44F 的陰極光照靈敏度為 使用時陽極允許電流限制在2A以內(nèi)。求：（1）陰極面上允許的最大光通量。（2）當陽極電阻為75K時，最大的輸出電壓。（3）若已知該光電倍增管為12級的Cs3Sb倍增極，其倍增系數(shù)DD)0.7 ,實計算它的供電電壓。（4）當要求輸出信號的穩(wěn)定度為1%時，求高壓電源電壓的穩(wěn)定度。16. 為什么說發(fā)光二極管的發(fā)光區(qū)在PN結的P區(qū)？這與電子、空穴的遷移率有關嗎？17 為什么發(fā)光二極管必須在正向電壓下才能發(fā)光？反向偏置的發(fā)光二極管能發(fā)光嗎？18. 產(chǎn)生激光的三個必要條件是什么？粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布的條件是什么？為什么 LD必須有諧振腔？19. 半導體激光器有什么特點？LD與LED發(fā)光機理的根本區(qū)別是