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1、第七章電場(chǎng)填空題1、兩無(wú)限大平行平面的電荷面密度分別為和+仃,則兩無(wú)限大帶電平面外的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為,方向?yàn)椤?、在靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度 E沿任意閉合路徑的線積分為 0,這叫做靜電場(chǎng)的環(huán)路定理。3、靜電場(chǎng)的環(huán)路定理的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 qEd= 0,該式可表述為 在靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度 E沿任意閉合路徑的線積分為 0。4、只要有運(yùn)動(dòng)電荷,其周圍就有 電場(chǎng) 產(chǎn)生;而法拉弟電磁感應(yīng)定律表明,只要 電流 發(fā)生變化,就有 磁場(chǎng) 產(chǎn)生。5、一平行板電容器,若增大兩極板的帶電量,則其電容值會(huì)增大 ;若在兩極板間充入均勻電介質(zhì),會(huì)使其兩極板間的電勢(shì)差 。(填“增大”,“減小”或“不變”)6、在靜電場(chǎng)中,若將電量為 q=

2、2X 108庫(kù)侖的點(diǎn)電荷從電勢(shì) V=10伏的A點(diǎn)移到電勢(shì) 居=-2伏特 的B點(diǎn),電場(chǎng)力對(duì)電荷所作的功 Ab=焦耳。7、當(dāng)導(dǎo)體處于靜電平衡時(shí),導(dǎo)體內(nèi)部任一點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)相等 。8、電荷在磁場(chǎng)中不一定(填一定或不一定)受磁場(chǎng)力的作用。9、如圖所示,在電場(chǎng)強(qiáng)度為 E的均勻磁場(chǎng)中,有一半徑為 R的半球面,E與半球面軸線的夾角為口。則通過(guò)該半球面的電通量為 。9題圖10、真空中兩帶等量同號(hào)電荷的無(wú)限大平行平面的電荷面密度分別為柏和十仃,則兩無(wú)限大帶電平面之間的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 ,兩無(wú)限大帶電平面外的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 。11、在靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)力所做的功與路徑 無(wú)關(guān)、只與初始位置電勢(shì)和 末位置電勢(shì)有關(guān)。12、由高斯定

3、理可以證明,處于靜電平衡態(tài)的導(dǎo)體其內(nèi)部各處無(wú)電場(chǎng) ,電荷只能分布于導(dǎo)體 表面。因此,如果把任一物體放入空心導(dǎo)體的空腔內(nèi),該物體就不受任何外電場(chǎng)的影響,這就是 靜電屏蔽 的原理。13、靜電場(chǎng)的高斯定理和環(huán)路定理表明靜電場(chǎng)是有源 場(chǎng)、靜電場(chǎng)與感生電場(chǎng)的相同之14、帶均勻正電荷的無(wú)限長(zhǎng)直導(dǎo)線,電荷線密度為 入。它在空間任意一點(diǎn)(距離直導(dǎo)線的垂直距 離為x處)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為 ,方向?yàn)?。15、靜電場(chǎng)的環(huán)路定理的數(shù)學(xué)表達(dá)式為 ,該式可表述為 。16、靜電場(chǎng)中a、b兩點(diǎn)的電勢(shì)為Ua Ub,將正電荷從a點(diǎn)移到b點(diǎn)的過(guò)程中,電場(chǎng)力做 負(fù)功,電勢(shì)能 增加 。17、帶電體處于靜電平衡狀態(tài)時(shí),它所帶的電荷只分布在

4、表面,導(dǎo)體內(nèi)部無(wú)運(yùn)動(dòng)電荷,且 越尖的表面處電場(chǎng)強(qiáng)度 最強(qiáng)。18、在靜電場(chǎng)中,導(dǎo)體處于靜電平衡的條件是閉合 和。19、在靜電場(chǎng)中作一球形高斯面,A、B分別為球面內(nèi)的兩點(diǎn),把一個(gè)點(diǎn)電荷從A點(diǎn)移到B點(diǎn)時(shí), 高斯面上的電場(chǎng)強(qiáng)度的分布 ,通過(guò)高斯面的電通量 。(填改變或不改變)20、在靜電場(chǎng)中各點(diǎn)的電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng) E等于該點(diǎn)電勢(shì)梯度的 ,其數(shù)學(xué)表達(dá)式為 。判斷題1、靜電場(chǎng)高斯定理表明,閉合曲面上的電場(chǎng)強(qiáng)度只由曲面內(nèi)的電荷決定。X2、安培環(huán)路定理說(shuō)明電場(chǎng)是保守力場(chǎng)。3、感生電場(chǎng)和靜電場(chǎng)是完全一樣的電場(chǎng)。4、均勻帶電圓環(huán)中心的電勢(shì)為零。5、通過(guò)一閉合曲面的電通量為該曲面所包圍的所有電荷的代數(shù)和除以真空電容率。6、

5、在靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度大的點(diǎn),電勢(shì)一定高。7、靜電場(chǎng)力所作的功等于電勢(shì)能的增量。8、通過(guò)任一閉合曲面的電場(chǎng)強(qiáng)度通量等于零。9、勻強(qiáng)電場(chǎng)的電力線是等間距的互相平行的直線。10、有人認(rèn)為:(1)如果高斯面上E處處為零,則高斯面內(nèi)必?zé)o電荷;(2)如果高斯面內(nèi)無(wú)電荷, 則高斯面上E處處為零。單項(xiàng)選擇題1、(簡(jiǎn)單)兩條無(wú)限長(zhǎng)平行直導(dǎo)線相距為r,均勻帶有等量同種電荷,電荷線密度為 入。兩導(dǎo) 線構(gòu)成的平面上任意一點(diǎn)x處的電場(chǎng)強(qiáng)度為 TOC o 1-5 h z (A) -2_;(B)上+,);(C)上(1_,;(D) 02 二;r2 二;. x r - x2 二;. x r - x2、(簡(jiǎn)單)電量為Q的兩等量同

6、號(hào)點(diǎn)電荷相距為 2d,當(dāng)選擇無(wú)窮遠(yuǎn)處的電勢(shì)為零時(shí),它們連線中 點(diǎn)的電勢(shì)為(A)(A);(B) 0;(C)(D)2 二;0 d2二;0d2二;0d3、(一般綜合)邊長(zhǎng)為a的正方體中心放置一個(gè)點(diǎn)電荷 Q,則通過(guò)任一側(cè)面的電通量為(B )(A)=(B) (C)(D)4 二;。6 ;。2二;二;4、(簡(jiǎn)單)若通過(guò)某一閉合曲面的電通量為零時(shí),下列說(shuō)法正確的是(B )(A)閉合曲面上的場(chǎng)強(qiáng)為零;(B)閉合面內(nèi)的電荷代數(shù)和為零;(C)閉合曲面內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)為零;(D)無(wú)法判斷。5、(簡(jiǎn)單)在靜電場(chǎng)中,若高斯面內(nèi)凈電荷為零,下列說(shuō)法正確的是:BA、高斯面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)E只能由高斯面外的電荷產(chǎn)生。B、表達(dá)式加E,dS

7、=仍成立。s;。C、高斯面上各點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)E處處為零。D、以上說(shuō)法都不正確。6、(簡(jiǎn)單)當(dāng)一個(gè)帶電導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡時(shí):A、表面上電荷密度較大處電勢(shì)較高。B、表面曲率較大處電勢(shì)較高。G導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面的電勢(shì)高。 D導(dǎo)體內(nèi)任一7、(簡(jiǎn)單)高斯面內(nèi)的凈電荷為零,則在芮斯面上所有各處 的電場(chǎng)強(qiáng)度E是:AG導(dǎo)體內(nèi)部電勢(shì)比導(dǎo)體表面的電勢(shì)高。 D導(dǎo)體內(nèi)任一7、(簡(jiǎn)單)高斯面內(nèi)的凈電荷為零,則在芮斯面上所有各處 的電場(chǎng)強(qiáng)度E是:A、處處為零;B、處處不為零; C、不一定為零;D以上說(shuō)法都/、對(duì)。8、(簡(jiǎn)單)在靜電場(chǎng)中,關(guān)于場(chǎng)強(qiáng)和電勢(shì)的關(guān)系說(shuō)法正確的是:A、場(chǎng)強(qiáng)E大的點(diǎn),電勢(shì)一7E局;電勢(shì)局的點(diǎn),場(chǎng)強(qiáng) E也

8、R場(chǎng)強(qiáng)E為零的點(diǎn),電勢(shì)f 為零;電勢(shì)為零的點(diǎn),場(chǎng)強(qiáng)X與其表面上任一點(diǎn)的電勢(shì)差等于零 一。9題圖一 Ah 人。E也一定為零。G場(chǎng)強(qiáng)E大的點(diǎn),電勢(shì)f高;場(chǎng)強(qiáng)D場(chǎng)強(qiáng)E為零的地方,電勢(shì)不一定為:9、(一般綜合)(如圖所示)閉合曲面E小的點(diǎn),電勢(shì)卻一定低。孝;電勢(shì)為零的地方,場(chǎng)強(qiáng)E也不一定為零.S內(nèi)有一點(diǎn)電荷q, P為S面點(diǎn),在S面外A點(diǎn)有一點(diǎn)電荷q,若將q移至b點(diǎn),則()(A)穿過(guò)S面的電通量改變、P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度不變;(B)穿過(guò)S面的電通量不變,P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度改變;(C)穿過(guò)S面的電通量和P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度都不變;(D)穿過(guò)S面的電通量和P點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度都改變。10、(綜合)導(dǎo)體處于靜電平衡狀態(tài)時(shí):()(A

9、)導(dǎo)體所帶的電荷均勻的分布在導(dǎo)體內(nèi);(B)表面曲率較大處電勢(shì)較高;(C)導(dǎo)體內(nèi)部任何一點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度為零,導(dǎo)體表面處電場(chǎng)強(qiáng)度的方向都與導(dǎo)體表面垂直;(D)導(dǎo)體內(nèi)部的電勢(shì)比導(dǎo)體表面的電勢(shì)低。11、(簡(jiǎn)單)電量為q的兩等量同種點(diǎn)電荷相距為2 r ,它們連線中點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小為:(A )qqqC 一 sC 一 s 2c . 一(A) 0(B) 2脾0r(C) 2脾0r(D) 2脾0r一、E dl =0 一12、(簡(jiǎn)單)電場(chǎng)的環(huán)路定理不說(shuō)明了靜電場(chǎng)是(C );(A)無(wú)源場(chǎng);(B)在閉合回路中各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零;(C)有源場(chǎng);(D)電場(chǎng)是閉合場(chǎng);13、(一般綜合)一條無(wú)限長(zhǎng)的直導(dǎo)線帶均勻的正電荷,電荷線

10、密度為入o它在空間任意一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度(設(shè)該點(diǎn)到導(dǎo)線的垂直距離為 x): ( B )(A) 0;(B)大小為2膜,方向垂直背離直導(dǎo)線;(C)無(wú)法確定;(D)大小為2.、,方向垂直指向直導(dǎo)線14、(簡(jiǎn)單)關(guān)于高斯定理得出的下述結(jié)論正確的是()(A)閉合曲面內(nèi)的電荷代數(shù)和為零,則閉合曲面上任一點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度必為零;(B)閉合曲面上各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度為零,則閉合曲面內(nèi)一定沒(méi)有電荷;(C)閉合曲面上各點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度僅由曲面內(nèi)的電荷決定;(D)通過(guò)閉合曲面的電通量?jī)H由曲面內(nèi)的電荷決定。15、(簡(jiǎn)單)取無(wú)限遠(yuǎn)處為零電勢(shì)點(diǎn),在一對(duì)等量同號(hào)點(diǎn)電荷連線的中點(diǎn)處(A)點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均為零;(B)點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)均

11、不為零;(C)點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度為零,電勢(shì)不為零;(D)點(diǎn)0的電場(chǎng)強(qiáng)度不為零,電勢(shì)為零。16、(一般綜合)在負(fù)點(diǎn)電荷激發(fā)的電場(chǎng)中,將一個(gè)電子從電場(chǎng)中某點(diǎn)移到無(wú)限遠(yuǎn)的過(guò)程中下述結(jié)論正確的是()(A)電場(chǎng)力對(duì)電子做正功,電子的電勢(shì)能減少;(A)電場(chǎng)力對(duì)電子做正功,電子的電勢(shì)能增加;(C)電場(chǎng)力對(duì)電子做負(fù)功,電子的電勢(shì)能減少;(D)電場(chǎng)力對(duì)電子做負(fù)功,電子的電勢(shì)能不變。17、(一般綜合)已知空間某區(qū)域?yàn)閯驈?qiáng)電場(chǎng)區(qū),下面說(shuō)法中正確的是 ()。(A)該區(qū)域內(nèi),電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面距離不等;(B)該區(qū)域內(nèi),電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面距離不一定相等;(C)該區(qū)域內(nèi),電勢(shì)差相等的各等勢(shì)面距離一定相等;(D)該區(qū)域內(nèi),電

12、勢(shì)差相等的各等勢(shì)面一定相交。18、(一般綜合)兩個(gè)同號(hào)的點(diǎn)電荷相距r,要使它們的電勢(shì)能增加一倍,則應(yīng)該 (A)電場(chǎng)力做功使點(diǎn)電荷之間的距離增大為 2r(B)電場(chǎng)力做功使點(diǎn)電荷之間的距離增大為 4r(C)外力做功使點(diǎn)電荷之間的距離減少為 r/2(D)外力做功使點(diǎn)電荷之間的距離減少為 r /419、(一般綜合)一平行板電容器充電以后與電源斷開(kāi),然后減小兩極板之間的距離,則(A)極板 上的電荷減 少.(B)兩極板之間 的電場(chǎng)強(qiáng)度 不變(C)電容器的電容量減少 (D)電容器儲(chǔ)存的能量不變20、(簡(jiǎn)單)在任意靜電場(chǎng)中,下列說(shuō)法正確的是.(A)通過(guò)某一面元的電場(chǎng)線數(shù)越多,面元所在處的電場(chǎng)越強(qiáng);(B)通過(guò)與

13、電場(chǎng)線垂直的面元的電場(chǎng)線數(shù)越多,面元所在處的電場(chǎng)越強(qiáng);(C)面元所在處的電場(chǎng)線越密,該處的電場(chǎng)越強(qiáng);(D)通過(guò)與電場(chǎng)線垂直的單位面積的電場(chǎng)線越多,則該處的電場(chǎng)越強(qiáng).計(jì)算題計(jì)算題1圖計(jì)算題2圖計(jì)算題3圖1、(一般綜合)求無(wú)限長(zhǎng)載流圓柱體內(nèi)、外的磁場(chǎng)分布。設(shè)圓柱體半徑為 R ,電流I計(jì)算題1圖計(jì)算題2圖計(jì)算題3圖2、(綜合)在半徑為Ri和R的兩個(gè)同心球面上,分別均勻地分布著電荷 Q和Q,如圖所示。試分 別求:I、H、田三個(gè)區(qū)域的電勢(shì)分布。3、(一般綜合)(如圖)一半徑為R的實(shí)心球體均勻帶有電量+Q (電荷為體積分布),若其外還有 一半徑為R的同心球面,也均勻帶有電量-Q,求其周圍空間的電場(chǎng)分布5、

14、(一般綜合)如圖所不一半徑為 R的半圓細(xì)環(huán)上均勻地分布電荷C-:-4。5題圖6題圖5、(一般綜合)如圖所不一半徑為 R的半圓細(xì)環(huán)上均勻地分布電荷C-:-4。5題圖6題圖6、(一般綜合)如圖示,AB-2l, OCD是以B為中心、1為半徑1 點(diǎn)肩點(diǎn)電荷一q。求(1)把單位正電荷從O點(diǎn)沿OCD移到D點(diǎn),Q,求環(huán)心處的電場(chǎng)強(qiáng)度,7題圖的半圓,A點(diǎn)有點(diǎn)電荷+q, B電場(chǎng)力對(duì)它做了多少功?(2)單位負(fù)電荷從D點(diǎn)沿AB延長(zhǎng)線移到無(wú)窮遠(yuǎn)處,電場(chǎng)力對(duì)它做了多少功 ?7、(一般綜合)由細(xì)導(dǎo)線作成的圓環(huán),半徑為 R,其上均勻分布著電荷q(如圖)。試求在通過(guò)環(huán)心 垂直環(huán)面的直線上與環(huán)心相距 a處的p點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)。8、(一

15、般綜合)求無(wú)限長(zhǎng)均勻帶電圓柱面內(nèi)、外場(chǎng)強(qiáng) E的空間分布。設(shè)圓柱面半徑為 R,電荷面 密度為仃。 TOC o 1-5 h z 9、(綜合)求均勻帶電球體的電勢(shì)。已知電荷 q均勻地分布在半徑為R的球體上,求空間各點(diǎn)的電勢(shì)。j彳a 410、(綜合)如圖所示的電荷線密度為 九的無(wú)限長(zhǎng)均勻帶電直線,其卜1旁垂直放置電荷線密度為 船的有限長(zhǎng)均勻帶電直線 AB,兩者位于同:,4,一 10題圖一平面內(nèi)。則AB所受靜電作用力的大小為多少?簡(jiǎn)答1、如果通過(guò)閉合面S的電通量為零,能否肯定 S面的場(chǎng)強(qiáng)處處為零?(一般綜合)2、在一個(gè)等邊三角形的三個(gè)頂角處各放置一個(gè)電荷,電荷的大小和性質(zhì)都相同,如果以這三角形的中心為球心,作一個(gè)包圍這三個(gè)電荷的球形高斯面,問(wèn):(1)能否利用高斯定理求出它們所產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng) ?(2)高斯定理是否仍然成立?(一般綜合)-F E

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