芯片測(cè)試規(guī)范

1、測(cè)試規(guī)范合用范圍1.1本規(guī)范為導(dǎo)入DDR芯片的測(cè)試方法和標(biāo)準(zhǔn)，以考證和確認(rèn)新物料能否合適批量生產(chǎn)；.目的2.1使開發(fā)部門導(dǎo)入新的重點(diǎn)器件過程中有章可循，有據(jù)可依。3.靠譜性測(cè)試6.1：假如代替料是FLASH的話，我們一般需要做10個(gè)循環(huán)的拷貝校驗(yàn)（我們測(cè)試工具APK設(shè)置：500M/拷貝次數(shù)/重啟10次）6.2：假如代替料是DDR的話，我們也需要考證DDR的運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)固性，那么也需要做循環(huán)拷貝校驗(yàn)（測(cè)試工具APK設(shè)置：500M/拷貝次數(shù)/重啟5次）PS：1.拷貝次數(shù)=（FLASH可用容量*1024M/500M）-12.DDR考證只要要考證運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)固性，因此一般做3-5個(gè)循環(huán)就OK了，F(xiàn)LASH要求比較

2、嚴(yán)格，一般需要做10個(gè)循環(huán)以上；考慮到FLASH壓力測(cè)試超出20次以上可能會(huì)對(duì)MLC造成影響，故關(guān)于考證次數(shù)太多的機(jī)器出貨前需要改換。7.常溫老化：PND我們一般跑模擬導(dǎo)航連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)12H，安卓我們一般運(yùn)轉(zhuǎn)MP4-1080P連續(xù)老化12H，老化后需要評(píng)估休眠喚醒能否正常；高低溫老化：環(huán)境（60度，-10度）鑒于高低溫下DDR運(yùn)轉(zhuǎn)穩(wěn)固性或存在必定的影響，DDR代替需要進(jìn)行高低溫老化，我們PND一般運(yùn)轉(zhuǎn)模擬導(dǎo)航、安卓由于運(yùn)轉(zhuǎn)模導(dǎo)不太方便，就運(yùn)轉(zhuǎn)MP4各連續(xù)老化12H。從多年的經(jīng)驗(yàn)來看，F(xiàn)LASH關(guān)于溫度要求沒有這么敏感。自動(dòng)重啟測(cè)試：一般做50次/PCS，需要每次啟動(dòng)系統(tǒng)都能正常啟動(dòng)；-一般是前面恢

3、復(fù)出廠設(shè)置有問題，異樣的機(jī)器排查才會(huì)用到；復(fù)位、通斷電測(cè)試：這個(gè)測(cè)試屬于系統(tǒng)損壞性測(cè)試，測(cè)試非正常操作能否存在掉程序的現(xiàn)象，一般做20次/PCS，要求系統(tǒng)可以正常啟動(dòng)。焊接成效，假如是內(nèi)部焊接的話，需要采納X-RAY評(píng)估，LGA封裝的話就需要SMT制程工藝躲避空洞率；功能測(cè)試；休眠電流、休眠喚醒測(cè)試：DDR必測(cè)項(xiàng)目，頻頻休眠喚醒最好3-5次/PCS，休眠電流大小自行定義；FLASH測(cè)不測(cè)影響不大；容量檢查，容量標(biāo)準(zhǔn)你們依據(jù)客戶需求自行定義，自然是越大越好；-大貨時(shí)這一點(diǎn)最好供給工具給到阿杜隨線挑選；恢復(fù)出廠設(shè)置：我們一般做50次/PCS，運(yùn)轉(zhuǎn)正常的話界面會(huì)顯示50次測(cè)試達(dá)成，假如出現(xiàn)半途不進(jìn)主

4、界面、死機(jī)等異樣現(xiàn)象就需要剖析問題本源；6.FLASH壓力測(cè)試：這部分需要分開來說明測(cè)試環(huán)境溫度：252濕度：60%70%；大氣壓強(qiáng)：86kPa106kPa。測(cè)試工具可調(diào)電源（最好能顯示對(duì)應(yīng)輸出電流）可調(diào)電子負(fù)載示波器萬(wàn)用表測(cè)試參數(shù)表1電源芯片測(cè)試參數(shù)必測(cè)選測(cè)待測(cè)參數(shù)測(cè)試方法簡(jiǎn)要說明項(xiàng)項(xiàng)1）調(diào)理電子負(fù)載，保證電源芯片滿載工作；2）調(diào)理可調(diào)電源輸出為下限值VIN_MIN，記錄此時(shí)對(duì)應(yīng)輸出電壓，記為V1輸入電壓范圍3）調(diào)理可調(diào)電源輸出為下限值VIN_MAX，記錄此時(shí)輸出電壓，記為V24）電源芯片額定輸出為V05）分別計(jì)算|V1-V0|/V0100，|V2-V0|/V0100，判斷此時(shí)輸出精度紋涉及

5、噪聲開關(guān)頻次的輸出能否知足精度要求記錄電源芯片全部可能的輸出電壓最大值、最小值，進(jìn)行計(jì)算如圖2所示，測(cè)試時(shí)，在輸入端磁片電容雙側(cè)焊接兩“牛角”引線，示波器探頭去掉負(fù)端夾子，將示波器探針和負(fù)端金屬環(huán)直接貼在磁片電容的兩“牛角”上。測(cè)試紋波的同時(shí)，記錄相應(yīng)的紋波頻率，即為開關(guān)頻次1）設(shè)置可調(diào)電子負(fù)載，使電源滿載輸出；2）調(diào)理電源芯片輸入端可調(diào)電源的電壓，使輸入電壓為下限值，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U1；電壓調(diào)整率3）增大輸入電壓到額定值，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U0；4）調(diào)理輸入電壓為上限值，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U2；5按下式計(jì)算：電壓調(diào)整率=(U-U0)/U0100式中：U為U1和U2中相對(duì)U0變化較大的值；

6、1）輸入電壓為額定值，輸出電流取最小值，記錄最小負(fù)載量的輸出電壓U1；2）調(diào)理負(fù)載為50%滿載，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U0；負(fù)載調(diào)整率3）調(diào)理負(fù)載為滿載，記錄對(duì)應(yīng)的輸出電壓U2；4）負(fù)載調(diào)整率按以下公式計(jì)算：負(fù)載調(diào)整率=(U-U0)/U0100式中：U為U1和U2中相對(duì)U0變化較大的值；電源效率隨負(fù)載大小變化，如圖3所示。25、80%負(fù)載狀況下電源效率測(cè)試方法以下：電源效率1）調(diào)理電子負(fù)載，保證輸出電流為80%滿載狀況；此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出電壓記為U0，電流記為I0；2）調(diào)理輸入端可調(diào)電源，保證給電源芯片供給額定輸入電壓U1，并記錄此時(shí)可調(diào)電源的輸出電流，記為I1；3）電源效率按以下公式計(jì)算：電源效率=

7、(U0I0)/(U1I1)100該參數(shù)與環(huán)境溫度相關(guān)，如圖4所輸出最大功率示。該測(cè)試可借助高溫環(huán)境實(shí)驗(yàn)進(jìn)行電源輸出端為空載時(shí)，記錄此時(shí)對(duì)應(yīng)空載對(duì)應(yīng)芯片可調(diào)電源對(duì)應(yīng)的電壓、對(duì)應(yīng)電流，分別記為U、I，則：功耗空載功耗=UI；隔絕電壓只針對(duì)隔絕DC/DC隔絕電阻只針對(duì)隔絕DC/DC假如手冊(cè)給出芯片結(jié)-殼之間熱阻系數(shù)JC：1）將溫度傳感器或點(diǎn)溫計(jì)貼于芯片最大溫升待測(cè)電源芯片殼體表面；2）（結(jié)溫）調(diào)理電子負(fù)載，保證滿載輸出，假設(shè)此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出功率為P0；3）待電源芯片工作穩(wěn)固后，讀出對(duì)應(yīng)芯片殼體表面溫度，記為T0；4）則芯片結(jié)溫=T0+P0JC;假如手冊(cè)給出的是芯片結(jié)-環(huán)境之間的熱阻系數(shù)JA：1）調(diào)理電子負(fù)載，保證滿載輸出，假設(shè)此時(shí)對(duì)應(yīng)的輸出功率為P0；2）記錄測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)對(duì)應(yīng)環(huán)境溫度，記為T0;3）則芯片結(jié)溫=T0+P0JA工作環(huán)境溫度儲(chǔ)存環(huán)境溫度比較計(jì)算所得芯片結(jié)溫（T1）與該電源芯片所同意最大結(jié)溫（T2），設(shè)公司要求的此類電源溫度降額為T