數(shù)字信號(hào)處理：第一章 電力電子器件-1.5－1.8

電力電子器件電力電子器件的分類能夠被控制的程度不可控器件：電力二極管半控型器件：晶閘管全控型器件：GTO、GTR、電力MOSFET、IGBT等驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)電壓驅(qū)動(dòng)：電力MOSFET、IGBT等電流驅(qū)動(dòng)：晶閘管、GTO、GTR等載流子參與導(dǎo)電的情況單極型：電力MOSFET雙極型：電力二極管、晶閘管、GTR復(fù)合型：IGBT10/22/20221Xi'anJiaotongUniversity其他新型電力電子器件1.5.1MOS控制晶閘管MCT1.5.2靜電感應(yīng)晶體管SIT1.5.3靜電感應(yīng)晶閘管SITH1.5.4集成門(mén)極換流晶閘管IGCT1.5.5功率模塊與功率集成電路10/22/20222Xi'anJiaotongUniversityMOS控制晶閘管MCTMCT結(jié)合了二者的優(yōu)點(diǎn)：承受極高di/dt和du/dt，低驅(qū)動(dòng)功率，快速的開(kāi)關(guān)過(guò)程，開(kāi)關(guān)損耗小。高電壓，大電流、高載流密度，低導(dǎo)通壓降。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬(wàn)計(jì)的MCT元組成：每個(gè)元的組成為：一個(gè)PNPN晶閘管，一個(gè)控制該晶閘管開(kāi)通的MOSFET，和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。其關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題沒(méi)有大的突破，電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值，未能投入實(shí)際應(yīng)用。20世紀(jì)80年代以來(lái)，一度被認(rèn)為是一種有前途的電力電子器件MOSControlledThyristor——MOSFET與晶閘管的復(fù)合10/22/20223Xi'anJiaotongUniversity靜電感應(yīng)晶體管SITSIT基本情況：誕生于1970年多子導(dǎo)電的器件，工作頻率與電力MOSFET相當(dāng)，甚至更高，功率容量更大，因而適用于高頻大功率場(chǎng)合。在雷達(dá)通信設(shè)備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域獲得應(yīng)用。柵極不加信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，加負(fù)偏壓時(shí)關(guān)斷，稱為正常導(dǎo)通型器件，使用不太方便。通態(tài)電阻較大，通態(tài)損耗也大，因而還未在大多數(shù)電力電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。StaticInductionTransistor——結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管10/22/20224Xi'anJiaotongUniversity靜電感應(yīng)晶閘管SITHSITH是兩種載流子導(dǎo)電的雙極型器件，具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，通態(tài)壓降低、通流能力強(qiáng)。其很多特性與GTO類似，但開(kāi)關(guān)速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。

SITH一般也是正常導(dǎo)通型，但也有正常關(guān)斷型。此外，制造工藝比GTO復(fù)雜得多，電流關(guān)斷增益較小，因而其應(yīng)用范圍還有待拓展。SITH(StaticInductionThyristor)——場(chǎng)控晶閘管(FieldControlledThyristor—FCT)10/22/20225Xi'anJiaotongUniversity集成門(mén)極換流晶閘管IGCT20世紀(jì)90年代后期出現(xiàn)，結(jié)合了IGBT與GTO的優(yōu)點(diǎn)，容量與GTO相當(dāng)，開(kāi)關(guān)速度快10倍?？墒∪TO龐大復(fù)雜的緩沖電路，但驅(qū)動(dòng)功率仍很大。目前正在與IGBT等新型器件激烈競(jìng)爭(zhēng)，試圖最終取代GTO在大功率場(chǎng)合的位置。IGCT(IntegratedGate-CommutatedThyristor)——GCT（Gate-CommutatedThyristor）10/22/20226Xi'anJiaotongUniversity功率模塊與功率集成電路20世紀(jì)80年代中后期開(kāi)始，模塊化趨勢(shì)，將多個(gè)器件封裝在一個(gè)模塊中，稱為功率模塊?？煽s小裝置體積，降低成本，提高可靠性。對(duì)工作頻率高的電路，可大大減小線路電感，從而簡(jiǎn)化對(duì)保護(hù)和緩沖電路的要求。將器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測(cè)、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路（PowerIntegratedCircuit——PIC）?；靖拍?0/22/20227Xi'anJiaotongUniversity功率模塊與功率集成電路高壓集成電路（HighVoltageIC——HVIC）一般指橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率集成電路（SmartPowerIC——SPIC）一般指縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路的單片集成。智能功率模塊（IntelligentPowerModule——IPM）則專指IGBT及其輔助器件與其保護(hù)和驅(qū)動(dòng)電路的單片集成，也稱智能IGBT（IntelligentIGBT）。實(shí)際應(yīng)用電路10/22/20228Xi'anJiaotongUniversity功率模塊與功率集成電路功率集成電路的主要技術(shù)難點(diǎn)：高低壓電路之間的絕緣問(wèn)題以及溫升和散熱的處理。以前功率集成電路的開(kāi)發(fā)和研究主要在中小功率應(yīng)用場(chǎng)合。智能功率模塊在一定程度上回避了上述兩個(gè)難點(diǎn),最近幾年獲得了迅速發(fā)展。功率集成電路實(shí)現(xiàn)了電能和信息的集成，成為機(jī)電一體化的理想接口。發(fā)展現(xiàn)狀10/22/20229Xi'anJiaotongUniversity電力電子器件的驅(qū)動(dòng)1.6.1電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述1.6.2晶閘管的觸發(fā)電路1.6.3典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路10/22/202210Xi'anJiaotongUniversity電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述使電力電子器件工作在較理想的開(kāi)關(guān)狀態(tài)，縮短開(kāi)關(guān)時(shí)間，減小開(kāi)關(guān)損耗。對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要的意義。一些保護(hù)措施也往往設(shè)在驅(qū)動(dòng)電路中，或通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)電路的基本任務(wù)將信息電子電路傳來(lái)的信號(hào)按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開(kāi)通或關(guān)斷的信號(hào)。對(duì)半控型器件只需提供開(kāi)通控制信號(hào)。對(duì)全控型器件則既要提供開(kāi)通控制信號(hào)，又要提供關(guān)斷控制信號(hào)。

驅(qū)動(dòng)電路——主電路與控制電路之間的接口10/22/202211Xi'anJiaotongUniversity電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路還要提供控制電路與主電路之間的電氣隔離環(huán)節(jié)，一般采用光隔離或磁隔離。

光隔離一般采用光耦合器

磁隔離的元件通常是脈沖變壓器圖1-25光耦合器的類型及接法a)普通型b)高速型c)高傳輸比型10/22/202212Xi'anJiaotongUniversity電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述按照驅(qū)動(dòng)信號(hào)的性質(zhì)分，可分為電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型。驅(qū)動(dòng)電路具體形式可為分立元件的，但目前的趨勢(shì)是采用專用集成驅(qū)動(dòng)電路。雙列直插式集成電路及將光耦隔離電路也集成在內(nèi)的混合集成電路。為達(dá)到參數(shù)最佳配合，首選所用器件生產(chǎn)廠家專門(mén)開(kāi)發(fā)的集成驅(qū)動(dòng)電路。

分類10/22/202213Xi'anJiaotongUniversity晶閘管的觸發(fā)電路作用：產(chǎn)生符合要求的門(mén)極觸發(fā)脈沖，保證晶閘管在需要的時(shí)刻由阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。晶閘管觸發(fā)電路應(yīng)滿足下列要求：脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管可靠導(dǎo)通。觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度。不超過(guò)門(mén)極電壓、電流和功率定額，且在門(mén)級(jí)伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi)。有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。tIIMt1t2t3t4圖1-26理想的晶閘管觸發(fā)脈沖電流波形t1~t2脈沖前沿上升時(shí)間（<1s）t1~t3強(qiáng)脈寬度IM強(qiáng)脈沖幅值（3IGT~5IGT）t1~t4脈沖寬度I脈沖平頂幅值（1.5IGT~2IGT）10/22/202214Xi'anJiaotongUniversity晶閘管的觸發(fā)電路V1、V2構(gòu)成脈沖放大環(huán)節(jié)。脈沖變壓器TM和附屬電路構(gòu)成脈沖輸出環(huán)節(jié)。

V1、V2導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)脈沖變壓器向晶閘管的門(mén)極和陰極之間輸出觸發(fā)脈沖。VD1和R3是為了V1、V2由導(dǎo)通變?yōu)榻刂習(xí)r脈沖變壓器TM釋放其存儲(chǔ)的能量而設(shè)的。VD3是箝位，限制輸出電壓和電流圖1-27常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路常見(jiàn)的晶閘管觸發(fā)電路10/22/202215Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路(1)GTO圖1-28推薦的GTO門(mén)極電壓電流波形OttOuGiG電流驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路正的門(mén)極電流5V的負(fù)偏壓GTO的開(kāi)通控制與普通晶閘管相似，但對(duì)觸發(fā)脈沖前沿的幅值和陡度要求高，且一般在整個(gè)導(dǎo)通器件施加門(mén)級(jí)正向電流GTO關(guān)斷控制需施加負(fù)門(mén)極電流，對(duì)其幅值和陡度的要求更高。GTO關(guān)斷后還需要在門(mén)陰極施加約5V的負(fù)偏壓，以提高抗干擾能力。GTO驅(qū)動(dòng)電路通常包括開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電路、關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路和門(mén)極反偏電路三部分，可分為脈沖變壓器耦合式和直接耦合式兩種類型。10/22/202216Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路直接耦合式驅(qū)動(dòng)電路可避免電路內(nèi)部的相互干擾和寄生振蕩，可得到較陡的脈沖前沿。目前應(yīng)用較廣，但其功耗大，效率較低。圖1-29典型的直接耦合式GTO驅(qū)動(dòng)電路電源由高頻電源經(jīng)二極管整流后提供VD1和C1提供＋5V電壓C2、C3、VD2、VD3提供＋15V電壓VD4和C4提供－15V電壓場(chǎng)效應(yīng)管V1通，提供正強(qiáng)脈沖場(chǎng)效應(yīng)管V2通，提供正脈沖平頂部分V2關(guān)斷而V3開(kāi)通時(shí)，輸出負(fù)脈沖V3關(guān)斷后，電阻R3和R4提供門(mén)極負(fù)偏壓10/22/202217Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)通驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)使GTR處于準(zhǔn)飽和導(dǎo)通狀態(tài)，使之不進(jìn)入放大區(qū)和深飽和區(qū)。關(guān)斷GTR時(shí)，施加一定的負(fù)基極電流有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。關(guān)斷后同樣應(yīng)在基射極之間施加一定幅值（6V左右）的負(fù)偏壓。tOib

圖1-30理想的GTR基極驅(qū)動(dòng)電流波形(2)GTR10/22/202218Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路，包括電氣隔離和晶體管放大電路兩部分。圖1-31GTR的一種驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)GTR的集成驅(qū)動(dòng)電路中，THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL較為常見(jiàn)。VD2和VD3構(gòu)成所謂的貝克箝位電路，即抗飽和電路如果負(fù)載較輕時(shí)，如果V5的發(fā)射極電流全部注入V，會(huì)使V過(guò)飽和，關(guān)斷時(shí)退飽和時(shí)間延長(zhǎng)當(dāng)V過(guò)飽和使得V的集電極電位低于基極電位時(shí)，VD2自動(dòng)導(dǎo)通，使多于電流流入集電極，維持Ubc約等于0。使得V始終處于臨界飽和狀態(tài)

C2位加速開(kāi)通過(guò)程電容，實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流的過(guò)沖10/22/202219Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路電力MOSFET和IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)型器件。為快速建立驅(qū)動(dòng)電壓，要求驅(qū)動(dòng)電路輸出電阻小。使MOSFET開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般10~15V，使IGBT開(kāi)通的驅(qū)動(dòng)電壓一般15~20V。關(guān)斷時(shí)施加一定幅值的負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓（一般取-5~-15V）有利于減小關(guān)斷時(shí)間和關(guān)斷損耗。在柵極串入一只低值電阻可以減小寄生振蕩。2)電壓驅(qū)動(dòng)型器件的驅(qū)動(dòng)電路10/22/202220Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路(1)電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路：電氣隔離和晶體管放大電路兩部分圖1-32電力MOSFET的一種驅(qū)動(dòng)電路專為驅(qū)動(dòng)電力MOSFET而設(shè)計(jì)的混合集成電路有三菱公司的M57918L，其輸入信號(hào)電流幅值為16mA，輸出最大脈沖電流為+2A和-3A，輸出驅(qū)動(dòng)電壓+15V和-10V。

無(wú)輸入信號(hào)時(shí)，高速放大器A輸出負(fù)電平，V3導(dǎo)通輸出負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓有輸入信號(hào)時(shí)，高速放大器A輸出正電平，V2導(dǎo)通輸出正驅(qū)動(dòng)電壓10/22/202221Xi'anJiaotongUniversity典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路(2)IGBT的驅(qū)動(dòng)圖1-33M57962L型IGBT驅(qū)動(dòng)器的原理和接線圖常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）。多采用專用的混合集成驅(qū)動(dòng)器。10/22/202222Xi'anJiaotongUniversity電力電子器件器件的保護(hù)1.7.1過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)1.7.2過(guò)電流保護(hù)1.7.3緩沖電路10/22/202223Xi'anJiaotongUniversity過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)外因過(guò)電壓：主要來(lái)自雷擊和系統(tǒng)操作過(guò)程等外因操作過(guò)電壓：由分閘、合閘等開(kāi)關(guān)操作引起，電網(wǎng)側(cè)的過(guò)電壓傳遞雷擊過(guò)電壓：由雷擊引起內(nèi)因過(guò)電壓：主要來(lái)自電力電子裝置內(nèi)部器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程換相過(guò)電壓：晶閘管或與全控型器件反并聯(lián)的二極管在換相結(jié)束后，反向電流急劇減小，會(huì)由線路電感在器件兩端感應(yīng)出過(guò)電壓。關(guān)斷過(guò)電壓：全控型器件關(guān)斷時(shí)，正向電流迅速降低而由線路電感在器件兩端感應(yīng)出的過(guò)電壓。電力電子裝置可能的過(guò)電壓——外因過(guò)電壓和內(nèi)因過(guò)電壓10/22/202224Xi'anJiaotongUniversity過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)過(guò)電壓保護(hù)措施圖1-34過(guò)電壓抑制措施及配置位置F避雷器D變壓器靜電屏蔽層C靜電感應(yīng)過(guò)電壓抑制電容RC1閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用RC電路RC2閥側(cè)浪涌過(guò)電壓抑制用反向阻斷式RC電路RV壓敏電阻過(guò)電壓抑制器RC3閥器件換相過(guò)電壓抑制用RC電路RC4直流側(cè)RC抑制電路RCD閥器件關(guān)斷過(guò)電壓抑制用RCD電路電力電子裝置可視具體情況只采用其中的幾種。其中RC3和RCD為抑制內(nèi)因過(guò)電壓的措施，屬于緩沖電路范疇。10/22/202225Xi'anJiaotongUniversity過(guò)電流保護(hù)過(guò)電流——過(guò)載和短路兩種情況保護(hù)措施負(fù)載觸發(fā)電路開(kāi)關(guān)電路過(guò)電流繼電器交流斷路器動(dòng)作電流整定值短路器電流檢測(cè)電子保護(hù)電路快速熔斷器變流器直流快速斷路器電流互感器變壓器同時(shí)采用幾種過(guò)電流保護(hù)措施，提高可靠性和合理性。電子電路作為第一保護(hù)措施，快熔僅作為短路時(shí)的部分區(qū)段的保護(hù)，直流快速斷路器整定在電子電路動(dòng)作之后實(shí)現(xiàn)保護(hù)，過(guò)電流繼電器整定在過(guò)載時(shí)動(dòng)作。圖1-37過(guò)電流保護(hù)措施及配置位置10/22/202226Xi'anJiaotongUniversity過(guò)電流保護(hù)全保護(hù)：過(guò)載、短路均由快熔進(jìn)行保護(hù)，適用于小功率裝置或器件裕度較大的場(chǎng)合。短路保護(hù)：快熔只在短路電流較大的區(qū)域起保護(hù)作用。對(duì)重要的且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備，或全控型器件，需采用電子電路進(jìn)行過(guò)電流保護(hù)。常在全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置過(guò)電流保護(hù)環(huán)節(jié)，響應(yīng)最快。快熔的選擇依據(jù)及能保護(hù)工作那些器件？快熔對(duì)器件的保護(hù)方式：全保護(hù)和短路保護(hù)兩種10/22/202227Xi'anJiaotongUniversity電力電子開(kāi)關(guān)和機(jī)電式開(kāi)關(guān)電子器件的功率損耗、體積和價(jià)格都比同樣應(yīng)用條件下的機(jī)電開(kāi)關(guān)普遍高8倍以上。而且，由于電子器件不具備限流能力，開(kāi)斷容量較小，沒(méi)有可見(jiàn)的明顯斷口，承受過(guò)電壓和過(guò)電流能力差，存在比較突出的電磁兼容問(wèn)題，散熱及驅(qū)動(dòng)控制問(wèn)題等等，這樣在工業(yè)應(yīng)用中電子器件不可能代替承擔(dān)保護(hù)和安全功能的機(jī)電式斷路器。固態(tài)開(kāi)關(guān)或者混合式開(kāi)關(guān)由于其自身的優(yōu)勢(shì)，比如噪音小，環(huán)境影響小等。近年來(lái)在電機(jī)的軟啟動(dòng)器、鐵路、電動(dòng)汽車(chē)、鏟車(chē)等的驅(qū)動(dòng)控制中電子開(kāi)關(guān)也得到了一些應(yīng)用，然而，在主開(kāi)關(guān)上，由于必須滿足的保護(hù)和安全功能，仍然使用機(jī)電的有觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。10/22/202228Xi'anJiaotongUniversity緩沖電路關(guān)斷緩沖電路（du/dt抑制電路）——吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗。開(kāi)通緩沖電路（di/dt抑制電路）——抑制器件開(kāi)通時(shí)的電流過(guò)沖和di/dt，減小器件的開(kāi)通損耗。復(fù)合緩沖電路——關(guān)斷緩沖電路和開(kāi)通緩沖電路的結(jié)合。按能量的去向分類法：耗能式緩沖電路和饋能式緩沖電路（無(wú)損吸收電路）。通常將緩沖電路專指關(guān)斷緩沖電路，將開(kāi)通緩沖電路叫做di/dt抑制電路。緩沖電路(SnubberCircuit)：又稱吸收電路，抑制器件的內(nèi)因過(guò)電壓、du/dt、過(guò)電流和di/dt，減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。10/22/202229Xi'anJiaotongUniversityb)tuCEiCOdidt抑制電路無(wú)時(shí)didt抑制電路有時(shí)有緩沖電路時(shí)無(wú)緩沖電路時(shí)uCEiC緩沖電路緩沖電路作用分析無(wú)緩沖電路：有緩沖電路：圖1-38di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路b)波形ADCB無(wú)緩沖電路有緩沖電路uCEiCO

圖1-39關(guān)斷時(shí)的負(fù)載線10/22/202230Xi'anJiaotongUniversity緩沖電路充放電型RCD緩沖電路，適用于中等容量的場(chǎng)合。圖1-38di/dt抑制電路和充放電型RCD緩沖電路及波形a)電路其中RC緩沖電路主要用于小容量器件，而放電阻止型RCD緩沖電路用于中或大容量器件。圖1-40另外兩種常用的緩沖電路RC吸收電路放電阻止型RCD吸收電路10/22/202231Xi'anJiaotongUniversity電力電子器件器件的串聯(lián)和并聯(lián)使用1.8.1晶閘管的串聯(lián)1.8.2晶閘管的并聯(lián)1.8.3電力MOSFET和IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)10/22/202232Xi'anJiaotongUniversity晶閘管的串聯(lián)問(wèn)題：理想串聯(lián)希望器件分壓相等，但因特性差異，使器件電壓分配不均勻。靜態(tài)不均壓：串聯(lián)的器件流過(guò)的漏電流相同，但因靜態(tài)伏安特性的分散性，各器件分壓不等。動(dòng)態(tài)不均壓：由于器件動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性的差異造成的不均壓。目的：當(dāng)晶閘管額定電壓小于要求時(shí)，可以串聯(lián)。10/22/202233Xi'anJiaotongUniversity晶閘管的串聯(lián)靜態(tài)均壓措施：選用參數(shù)和特性盡量一致的器件。采用電阻均壓，Rp的阻值應(yīng)比器件阻斷時(shí)的正、反向電阻小得多。b)a)RCRCVT1VT2RPRPIOUUT1IRUT2VT1VT2圖1-41晶閘管的串聯(lián)a)伏安特性差異b)串聯(lián)均壓措施動(dòng)態(tài)均壓措施：選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件。用RC并聯(lián)支路作動(dòng)態(tài)均壓。采用門(mén)極強(qiáng)脈沖觸發(fā)可以顯著減小器件開(kāi)通時(shí)間的差異。10/22/202234Xi'anJiaotongUniversity晶閘管的并聯(lián)問(wèn)題：會(huì)分別因靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性參數(shù)的差異而電流分配不均勻。

均流措施：挑選特性參數(shù)盡量一致的器件。采用均流電抗器。用門(mén)極強(qiáng)脈沖觸發(fā)也有助于動(dòng)態(tài)均流。當(dāng)需要同時(shí)串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時(shí)，通常采用先串后并的方法聯(lián)接。目的：多個(gè)器件并聯(lián)來(lái)承擔(dān)較大的電流10/22/202235Xi'anJiaotongUniversity電力MOSFET和IGBT并聯(lián)運(yùn)行的特點(diǎn)Ron具有正溫度系數(shù)