光刻膠行業(yè)深度研究：半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠-迎來國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇

光刻膠行業(yè)深度研究：半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠_迎來國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇

1.光刻膠：泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心材料，高價(jià)值量&高壁壘

1.1.光刻膠：泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心材料，半導(dǎo)體材料皇冠上的明珠

光刻膠又名“光致抗蝕劑”，光刻膠具有光化學(xué)敏感性，通過利用光化學(xué)反應(yīng)，并經(jīng)光刻工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上。光刻膠被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵材料，可應(yīng)用于PCB、LCD與集成電路等下游領(lǐng)域。

光刻膠主要是由光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體（活性稀釋劑）、溶劑和其他助劑組成的對(duì)光敏感的混合液體。樹脂和光引發(fā)劑是光刻膠最核心的部分，樹脂對(duì)整個(gè)光刻膠起到支撐作用，使光刻膠具有耐刻蝕性能；光引發(fā)劑是光刻膠材料中的光敏成分，能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。

光刻膠廣泛應(yīng)用于IC、面板顯示和PCB等下游泛半導(dǎo)體領(lǐng)域。光刻膠自1959年被發(fā)明以來，就成為半導(dǎo)體工業(yè)最核心的工藝材料；隨后光刻膠被改進(jìn)運(yùn)用到印制電路板的制造工藝，成為PCB生產(chǎn)的重要材料；二十世紀(jì)九十年代，光刻膠又被運(yùn)用到LCD器件的加工制作，對(duì)LCD面板的大尺寸化、高精細(xì)化、彩色化起到了重要的推動(dòng)作用。光刻膠經(jīng)過幾十年不斷的發(fā)展和進(jìn)步，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，衍生出非常多的種類。

在IC（集成電路）行業(yè)：光刻工藝是將掩膜版的電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到硅片上的過程，，而光刻膠是光刻工藝中的重要材料。光刻工藝的成本約為整個(gè)芯片制造工藝的35%，并且耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片工藝的40%-60%。可以將光刻工藝和照相技術(shù)做一個(gè)類比，照相是將鏡頭里的畫面“印”到底片上，光刻工藝是將電路圖和電子元件“刻”在“底片”上。

在LCD面板行業(yè)：應(yīng)用于顯示面板行業(yè)的光刻膠可以按用途再細(xì)分為TFT用光刻膠、觸摸屏用光刻膠和濾光片用光刻膠。

（1）TFT用光刻膠：用于在玻璃基板上制造場(chǎng)效應(yīng)管（FET）。每一個(gè)TFT都用來驅(qū)動(dòng)一個(gè)子像素下的液晶，因此需要很高的精度。

（2）觸摸屏用光刻膠：用于在玻璃基板上趁機(jī)ITO，從而制作圖形化的觸摸電極。

（3）濾光片用光刻膠：用于制作彩色濾光片，又分為彩色光刻膠和黑色光刻膠。

在PCB（印制電路板）行業(yè)：PCB制造目前90%以上使用光刻膠光刻制造，所用材料為抗蝕油墨。早期電路板用絲網(wǎng)印刷方式將抗蝕油墨轉(zhuǎn)移到覆銅板上，形成電路圖案，再用腐蝕液腐蝕出電路板。但是由于光刻技術(shù)具有精度高、速度快、相對(duì)成本較低的優(yōu)勢(shì)，已經(jīng)基本取代了絲網(wǎng)印刷方式制造電路板。

1.2.光刻工藝&光刻膠——半導(dǎo)體摩爾定律發(fā)展核心驅(qū)動(dòng)力

上世紀(jì)60年代，英特爾公司的創(chuàng)始人戈登·摩爾通過對(duì)1959—1965年芯片上晶體管的集成數(shù)據(jù)的觀察，提出了著名的“摩爾定律”——每隔18~24個(gè)月，芯片上集成的晶體管數(shù)目就會(huì)增加一倍，也就是說處理器的功能和處理速度會(huì)翻一番，而成本卻會(huì)降低一半。電子元件在芯片上集成度的迅速提高是集成電路性能提高、價(jià)格降低的重要原因。

迄今為止，規(guī)模集成電路均采用光刻技術(shù)進(jìn)行加工，光刻的線寬極限和精度直接決定了集成路的集成度、可靠性和成本。根據(jù)摩爾定律，由于光源波長(zhǎng)與加工線寬呈線性關(guān)系，這意味著光源采用更短的波長(zhǎng)將得到更小的圖案、在單位面積上實(shí)現(xiàn)更高的電子元件集成度，從而使得芯片性能可能呈指數(shù)增長(zhǎng)，而成本卻同步大幅下降。

圖形的縮微需要曝光波長(zhǎng)的縮短來實(shí)現(xiàn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演變，于是就有了光刻技術(shù)的演變迭代，支撐著整個(gè)數(shù)字時(shí)代的進(jìn)步。隨著光刻的曝光光源向深紫外光發(fā)展、加工線寬逼近10nm、甚至達(dá)到7nm以下，但同時(shí)光源的發(fā)生系統(tǒng)和聚焦系統(tǒng)也面臨更大的挑戰(zhàn)，制造相同照度的曝光光源所需的能耗和加工成本也呈指數(shù)增長(zhǎng)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要繼續(xù)摩爾定律，就需要光刻膠等材料的革新和光刻技術(shù)的顛覆性轉(zhuǎn)變。

光刻膠可按照曝光波長(zhǎng)分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。通常來說，波長(zhǎng)越短，加工分辨率越佳，X射線曝光可達(dá)到50nm左右的精度，深紫外光源的曝光精度在100nm左右，而由于電子的波長(zhǎng)較小，電子束光刻的加工精度可以達(dá)到10nm以內(nèi)。

不同曝光波長(zhǎng)的光刻技術(shù)的進(jìn)階意味重大的技術(shù)演變，需要光刻機(jī)與光刻膠的協(xié)同優(yōu)化來保證每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的按時(shí)推出。自上世紀(jì)50年代開始，光刻技術(shù)經(jīng)歷了紫外全譜（300-450nm）、G線（436nm）、I線（365nm）、深紫外（248nm和193nm）、極紫外（13.5nm）和電子束光刻等六個(gè)階段，除了對(duì)應(yīng)于各曝光波長(zhǎng)的光刻機(jī)不斷取得進(jìn)階外，光刻膠及其組成部分也隨著光刻技術(shù)的發(fā)展而變化。

以ArF光刻膠為例，本世紀(jì)初，90nm節(jié)點(diǎn)邏輯器件開始采用ArF193nm光刻膠，一直沿用至65/55nm節(jié)點(diǎn)；從45nm節(jié)點(diǎn)開始采用浸沒式ArF193nm光刻膠，對(duì)應(yīng)193nm浸液式光刻技術(shù)的極限分辨率是10nm（晶體管密度相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm）。而EUV作為突破摩爾定律瓶頸的關(guān)鍵因素之一，已經(jīng)成為制造7nm、5nm和3nm邏輯集成電路的關(guān)鍵武器，相應(yīng)地，EUV光刻膠也需在這些工藝節(jié)點(diǎn)上與光刻技術(shù)配套使用。

1.3.光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈：樹脂&單體等原料、光刻膠成品——高價(jià)值&高壁壘

1.3.1.全球光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈：日本獨(dú)占鰲頭

光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈可以分為上游原材料，中游制造和下游應(yīng)用三個(gè)環(huán)節(jié)。上游包括感光樹脂、單體、光引發(fā)劑及添加助劑等原材料，中游包括PCB光刻膠、面板光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠的制備，下游是各種光刻膠的應(yīng)用。

在上游原材料環(huán)節(jié)，行業(yè)代表企業(yè)有陶氏杜邦、富士膠片、巴斯夫和強(qiáng)力新材等公司，全球主要生產(chǎn)企業(yè)分布于日本、美國(guó)、中國(guó)、韓國(guó)、英國(guó)以及荷蘭，其中所屬地在日本的企業(yè)占比為49%。我國(guó)企業(yè)數(shù)量占比有29%，但各個(gè)企業(yè)在光刻膠專用化學(xué)品上的產(chǎn)量和規(guī)模較小，品種規(guī)格較為單一，分布極不均衡。在技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB光刻膠上游原材料，各國(guó)企業(yè)分布較為均衡，而在面板顯示和半導(dǎo)體光刻膠上游，被日韓美等廠商壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)受限于關(guān)鍵技術(shù)積累少、產(chǎn)能規(guī)模小、資金投入有限等因素，市場(chǎng)份額很低。

在中游光刻膠制造環(huán)節(jié)，全球光刻膠供應(yīng)市場(chǎng)高度集中，核心技術(shù)掌握在日、美等國(guó)際大公司手中，日本的JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)及富士膠片四家企業(yè)占據(jù)了全球70%以上的市場(chǎng)份額，處于市場(chǎng)壟斷地位。在全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)上，日本企業(yè)處于絕對(duì)壟斷地位。

1.3.2.中國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈：上游布局不全，中游正在崛起

國(guó)內(nèi)光刻膠行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈自上而下可以分為上游原材料，中游光刻膠制造商以及下游終端應(yīng)用廠商。

上游：原材料市場(chǎng)長(zhǎng)期被日韓廠商壟斷，國(guó)內(nèi)從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少，光刻膠制造商對(duì)于光刻膠原材料主要依賴于進(jìn)口，在原材料環(huán)節(jié)的議價(jià)能力弱。光刻膠設(shè)備供應(yīng)商方面，主要依賴美國(guó)、日本、荷蘭等國(guó)，國(guó)內(nèi)在上游設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力較弱，不如國(guó)外設(shè)備廠商議價(jià)能力強(qiáng)。

中游：國(guó)內(nèi)光刻膠行業(yè)中游制造商主要負(fù)責(zé)光刻膠的研發(fā)、制造與銷售，北京科華微電子和蘇州瑞紅是國(guó)內(nèi)光刻膠制造龍頭企業(yè)，與國(guó)外知名廠商依然存在較大差距，特別是在高端半導(dǎo)體用光刻膠領(lǐng)域。

下游：國(guó)內(nèi)光刻膠行業(yè)下游主要包括半導(dǎo)體、平板顯示和PCB三大領(lǐng)域及其終端應(yīng)用。隨著5G應(yīng)用落地、新能源汽車行業(yè)快速發(fā)展、消費(fèi)電子等行業(yè)高景氣，以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與平板顯示行業(yè)逐步東移，國(guó)內(nèi)光刻膠行業(yè)下游需求有望持續(xù)強(qiáng)勢(shì)。

1.4.光刻膠及配套化學(xué)品占半導(dǎo)體材料產(chǎn)值12%

光刻膠及其配套化學(xué)品作為重要的半導(dǎo)體材料，在芯片制造材料成本中的占比高達(dá)12%，是繼晶圓、電子氣體之后第三大IC制造材料。

近年來，中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)與全球市場(chǎng)形成鮮明對(duì)比，全球半導(dǎo)體材料將逐步向中國(guó)大陸市場(chǎng)轉(zhuǎn)移。近些年來，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)受周期性影響較大，尤其中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)兩地波動(dòng)較大。北美和歐洲市場(chǎng)幾乎處于零增長(zhǎng)狀態(tài)，日本的半導(dǎo)體材料長(zhǎng)期處于負(fù)增長(zhǎng)狀態(tài)。全球范圍看，只有中國(guó)大陸半導(dǎo)體材料市場(chǎng)處于長(zhǎng)期增長(zhǎng)狀態(tài)，2016-2018年連續(xù)三年增速超過10%。2007年至2018年，我國(guó)半導(dǎo)體材料銷售額從全球占比7.5%大幅提升至16.2%。2020年中國(guó)對(duì)新冠疫情的有效防控也幫助中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)迅速恢復(fù)生產(chǎn)，穩(wěn)定需求和供給，與西方各國(guó)進(jìn)一步拉大差距。

半導(dǎo)體材料空間大，高端領(lǐng)域替代需求更旺。2019年中國(guó)大陸是各地區(qū)中唯一增長(zhǎng)的市場(chǎng)，銷售額為86.9億美元，占全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)份額的17%，相比于國(guó)內(nèi)電子產(chǎn)業(yè)全球占比還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，在美日公司占據(jù)優(yōu)勢(shì)的情況下，雖然目前各大主要品類的半導(dǎo)體材料領(lǐng)域均有國(guó)內(nèi)企業(yè)涉足，但整體對(duì)外依存度仍在60%以上，特別地，大硅片、靶材、CMP拋光墊、高端光刻膠等半導(dǎo)體材料對(duì)外依存度高達(dá)90%以上，未來提升空間大。

半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升，IC光刻膠有望充分受益。2019年我國(guó)半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)用于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體晶圓加工領(lǐng)域的銷售額達(dá)138億元，同比增長(zhǎng)4.4%，整體國(guó)產(chǎn)化率提高到23.8%，充分顯示了近年來企業(yè)綜合實(shí)力的提升。未來隨著半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)國(guó)產(chǎn)化率穩(wěn)步提升，光刻膠及其配套化學(xué)品有望受益。

1.5.技術(shù)&客戶壁壘高，行業(yè)持續(xù)高盈利能力

光刻膠按照用途可以分為半導(dǎo)體用光刻膠、面板顯示光刻膠和PCB光刻膠，技術(shù)難度逐級(jí)降低，IC用光刻膠的技術(shù)壁壘最高。在上游原材料環(huán)節(jié)，存在原材料壁壘；在中游光刻膠制備環(huán)節(jié)，存在配方壁壘、品質(zhì)管控壁壘以及設(shè)備壁壘，光刻膠制備完成之后，還面臨著下游客戶認(rèn)證壁壘。

技術(shù)壁壘和客戶認(rèn)證壁壘是光刻膠行業(yè)主要的壁壘。

（1）技術(shù)壁壘：光刻膠工藝復(fù)雜，定制化程度高，且難以對(duì)光刻膠成品進(jìn)行逆向分析和仿制，目前光刻膠核心技術(shù)被日本、歐美企業(yè)壟斷。全球光刻膠研制專利主要分布在日本和美國(guó)，合計(jì)占比高達(dá)82%；

（2）客戶認(rèn)證壁壘：光刻膠在下游企業(yè)的審核認(rèn)證周期長(zhǎng)（1-3年），測(cè)試驗(yàn)證成本高。

由于光刻膠行業(yè)較高的技術(shù)壁壘高，被譽(yù)為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域皇冠上的明珠，這也使得光刻膠行業(yè)保持持續(xù)較高的盈利能力。根據(jù)上海新陽光刻膠項(xiàng)目效益測(cè)算數(shù)據(jù)，該項(xiàng)目穩(wěn)定產(chǎn)生收益后，項(xiàng)目的毛利率和凈利率分別有望達(dá)到55%以上和40%以上。

1.6.EUV光刻膠&電子束光刻膠：重要技術(shù)發(fā)展方向

隨著集成電路芯片設(shè)計(jì)尺寸的不斷減小，光學(xué)光刻越來越接近其物理分辨的極限，盡管通過193nm浸沒式、雙重曝光、雙重圖形等技術(shù)可以將193nm曝光延續(xù)到10nm工藝節(jié)點(diǎn)，但工藝復(fù)雜度及成本越來越高，EUV光刻作為下一代光刻技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。EUV光刻技術(shù)不僅能夠提升光刻的精細(xì)程度，還能降低芯片的成本。

EUV光刻是集成電路先進(jìn)制程發(fā)展的趨勢(shì)，目前市場(chǎng)上最先進(jìn)的芯片采用5納米工藝，臺(tái)積電等廠商正致力于將3nm制程商業(yè)化，而解決EUV光刻膠的難題則是推進(jìn)芯片制造技術(shù)的最關(guān)鍵途徑。據(jù)TECHCET預(yù)測(cè)，EUV光刻膠的市場(chǎng)規(guī)模在2020年將超過1000萬美元，到2023年年平均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)到50%以上。目前，EUV光刻膠的市場(chǎng)幾乎被日本TOK、信越化學(xué)和JSR壟斷。

同時(shí)，電子束光刻也是最受關(guān)注的下一代光刻技術(shù)之一。如前所述，限制紫外光刻分辨率的重要因素是光源的波長(zhǎng)，而進(jìn)一步開發(fā)波長(zhǎng)更小的光源面臨巨大挑戰(zhàn)。電子束與紫外光一樣能使一些聚合物產(chǎn)生解鏈或者交聯(lián)反應(yīng)，從而在顯影過程中形成對(duì)應(yīng)的圖形，因此，電子束光刻技術(shù)也在逐步發(fā)展。

電子束光刻是至今為止分辨率最高的光刻技術(shù)，由于它是直寫式方法，不需要昂貴且費(fèi)時(shí)的掩模版，成本相對(duì)較低，而且易于控制、修改靈活，已經(jīng)引起廣泛重視。電子束光刻膠與紫外光刻膠的反應(yīng)機(jī)理相似，但由于光源特性——比如，電子束在反應(yīng)過程中會(huì)產(chǎn)生散射，導(dǎo)致其作用過程比紫外光刻復(fù)雜的多。

市場(chǎng)方面，目前EUV光刻膠的市場(chǎng)幾乎被日本TOK、信越化學(xué)和JSR壟斷，日本在EUV光刻膠領(lǐng)域具備十分明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。國(guó)外電子束光刻技術(shù)的研究水平已能加工出2.2nm的線寬，電子束光刻膠早已投入批量生產(chǎn)。而國(guó)內(nèi)尚未具備EUV和電子束光刻膠的研發(fā)與生產(chǎn)能力，這一方面仍需突破。

2.供需不匹配，IC、FPD領(lǐng)域KrF、ArF等光刻膠亟待國(guó)產(chǎn)化

2.1.市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算：中國(guó)市場(chǎng)發(fā)展速度遠(yuǎn)高于全球，重心逐漸東移

按下游應(yīng)用看，面板行業(yè)，主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等；在PCB行業(yè)，主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等；在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)，主要使用G/I線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模有望破百億美元，中國(guó)市場(chǎng)正在崛起。

根據(jù)Cision數(shù)據(jù)，2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)約91億美元，自2010年至2019年CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)該市場(chǎng)2019-2022年仍將以年均5%的速度增長(zhǎng)，至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過100億美元。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模約88億人民幣，預(yù)計(jì)該市場(chǎng)2019-2022年仍將以年均15%的速度增長(zhǎng)，至2022年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過117億人民幣。

半導(dǎo)體光刻膠方面

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模逐步提升，預(yù)計(jì)2020年達(dá)539億美元，2021年增長(zhǎng)5%，半導(dǎo)體光刻膠作為重要的半導(dǎo)體材料，主要的G-Line/I-Line、DUV光刻膠的2020年的市場(chǎng)規(guī)模繼2018年之后，會(huì)再次超過16億美元（約人民幣112億元）。另一方面，EUV光刻膠的市場(chǎng)規(guī)模在2020年超過1,000萬美元（約人民幣7,000萬元），到2023年年平均增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)到50%以上。同時(shí)，2020年-2022年，中國(guó)大陸圓晶廠將迎來投產(chǎn)高峰期。下游產(chǎn)能增長(zhǎng)將帶來對(duì)上游光刻膠等材料的高需求。據(jù)國(guó)內(nèi)晶圓廠的建設(shè)速度和規(guī)劃，預(yù)計(jì)2022年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)是2019年的兩倍，半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)迎來高速發(fā)展，約55億元。

分不同曝光波長(zhǎng)看，目前，g線/i線光刻膠仍占據(jù)著最大的市場(chǎng)份額。隨著未來功率半導(dǎo)體、傳感器、LED市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)大，i線光刻膠市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，而精細(xì)化需求的增加將推動(dòng)KrF光刻膠的增長(zhǎng)并逐漸替代i線光刻膠。ArF光刻膠對(duì)應(yīng)的集成電路制程節(jié)點(diǎn)最為先進(jìn)，且隨著雙/多重曝光技術(shù)的使用，ArF光刻膠的市場(chǎng)將快速成長(zhǎng)。此外，目前雖已有使用EUV來實(shí)現(xiàn)更高分辨率微細(xì)加工技術(shù)的試探，但由于新型微細(xì)加工技術(shù)的導(dǎo)入需要巨額的設(shè)備投資，半導(dǎo)體芯片制造商導(dǎo)入EUV加工技術(shù)的步伐暫未完全邁開。

PCB光刻膠方面

PCB光刻膠受益于中國(guó)PCB產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)提升，PCB光刻膠（包含干膜光刻膠及阻焊油墨光刻膠）產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移已經(jīng)基本完成，2015年，中國(guó)的PCB光刻膠產(chǎn)值已經(jīng)占全球的70%以上。2015-2020年中國(guó)PCB產(chǎn)值年復(fù)合增長(zhǎng)率為3.5%，高于全球增速。隨著PCB板向高密度、高精度、多層化發(fā)展，對(duì)于PCB光刻膠的質(zhì)與量的要求會(huì)越來越高。

面板光刻膠方面

彩色光刻膠——LCD面板生產(chǎn)過程中的關(guān)鍵化學(xué)品，成本占比高。在LCD面板的加工過程中，彩色濾光片是液晶顯示器實(shí)現(xiàn)彩色顯示的關(guān)鍵器件，占面板成本的14-16%，其生產(chǎn)成本直接影響到液晶顯示器產(chǎn)品的售價(jià)和競(jìng)爭(zhēng)力；彩色光刻膠和黑色光刻膠是制備彩色濾光片的核心材料，在彩色濾光片材料成本中，彩色光刻膠和黑色光刻膠在整體成本中占比約27%。

全球各面板光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)相對(duì)穩(wěn)定，彩色光刻膠的需求量最大。

2.2.PCB領(lǐng)域光刻膠基本突破國(guó)產(chǎn)化

隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。中國(guó)光刻膠市場(chǎng)需求增速高于國(guó)際平均，但中國(guó)本土供應(yīng)量在全球的占比僅有10%左右，具有較大發(fā)展空間。全球市場(chǎng)中，半導(dǎo)體、LCD、PCB用光刻膠的供應(yīng)結(jié)構(gòu)較為均衡；但中國(guó)市場(chǎng)中，本土供應(yīng)以PCB用光刻膠為主，LCD、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低。

隨著PCB光刻膠生產(chǎn)廠商向中國(guó)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，PCB光刻膠專用電子化學(xué)品供應(yīng)商的市場(chǎng)份額及行業(yè)地位也在逐漸變化。2002年以前，國(guó)內(nèi)所需的干膜光刻膠和光成像阻焊油墨全部需要進(jìn)口，國(guó)內(nèi)尚無PCB光刻膠專用電子化學(xué)品的生產(chǎn)廠家。2002年以后，日本、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的干膜光刻膠、光成像阻焊油墨廠商開始在中國(guó)建立生產(chǎn)工廠，作為原料供應(yīng)商的中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)光引發(fā)劑廠商和日本光刻膠樹脂廠商也在此時(shí)進(jìn)入中國(guó)大陸建廠。

PCB光刻膠市場(chǎng)的行業(yè)集中度較高，在干膜光刻膠方面，中國(guó)臺(tái)灣長(zhǎng)興材料、日本旭化成、日本日立化成三家公司占據(jù)了全球超過80%的市場(chǎng)份額；光成像阻焊油墨方面，日本太陽油墨占據(jù)了全球約60%的市場(chǎng)份額，前十家公司占據(jù)了80%以上的市場(chǎng)份額。目前中國(guó)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化的光刻膠主要集中在低端PCB光刻膠，國(guó)產(chǎn)化率約50%。

2.3.IC、FPD領(lǐng)域KrF、ArF等光刻膠對(duì)外依存度高，亟待國(guó)產(chǎn)化

與低端PCB光刻膠的高國(guó)產(chǎn)化率形成鮮明對(duì)比的是，高端LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域基本依賴于進(jìn)口，如面板領(lǐng)域彩色光刻膠、半導(dǎo)體領(lǐng)域KrF光刻膠國(guó)產(chǎn)化率5%左右，半導(dǎo)體領(lǐng)域ArF光刻膠份額1%左右、EUV更是全部進(jìn)口。在LCD光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)企業(yè)已逐漸具備一定競(jìng)爭(zhēng)力，中國(guó)的大部分光刻膠企業(yè)均涉及面板領(lǐng)域，但中國(guó)LCD光刻膠的綜合國(guó)產(chǎn)化率還處在5%左右的較低水平，存在較大進(jìn)口替代空間；而中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)水平離國(guó)際先進(jìn)水平差距更大，與世界先進(jìn)水平仍有2-3代的差距，之路任重道遠(yuǎn)。

中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠：技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平差距較大

半導(dǎo)體光刻膠代表了光刻膠發(fā)展的最高水平。目前，主要面向45nm以下制程工藝的ArF浸沒光刻膠在國(guó)際上是主流，為主要市場(chǎng)參與者所掌握，而國(guó)內(nèi)廠商在這一領(lǐng)域尚未實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。在更為先進(jìn)的EUV光刻膠領(lǐng)域，JSR與東京應(yīng)化已經(jīng)有能力供應(yīng)面向10nm以下半導(dǎo)體制程的EUV光刻膠。在技術(shù)積累，產(chǎn)能建設(shè)，品牌形象等多個(gè)領(lǐng)域，目前中國(guó)廠商與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手目前均有較大差距。

以KrF光刻膠和ArF光刻膠為代表的高端光刻膠是目前國(guó)際上使用量最高的半導(dǎo)體光刻膠，在全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)占比分別41%和22%。其中，KrF光刻膠可用于3DNAND等產(chǎn)品的生產(chǎn)制造，目前KrF厚膜光刻膠主要由日韓、歐美等國(guó)家提供，國(guó)產(chǎn)化率不足5%；ArF光刻膠可以用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路制造工藝，廣泛應(yīng)用于高端芯片制造，如邏輯芯片、AI芯片、5G芯片和云計(jì)算芯片等，國(guó)內(nèi)ArF光刻膠幾乎全部依賴進(jìn)口，超過90%為日本廠商制造。

KrF光刻膠和ArF光刻膠對(duì)外依存度極高，亟需國(guó)產(chǎn)化。目前國(guó)內(nèi)適用于8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，而適用于12寸硅片的ArF光刻膠基本依靠進(jìn)口，空間很大。國(guó)內(nèi)廠商紛紛布局KrF光刻膠和ArF光刻膠，如晶瑞股份子公司蘇州瑞紅高端KrF（248nm）光刻膠完成中試，產(chǎn)品分辨率達(dá)到了0.25～0.13μm的技術(shù)要求，建成了中試示范線；南大光電ArF光刻膠產(chǎn)品2020年底通過客戶認(rèn)證，成為國(guó)內(nèi)通過產(chǎn)品驗(yàn)證的第一只國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠。等等。

面板光刻膠：廠商多有布局，國(guó)產(chǎn)化率仍然較低

彩色光刻膠和黑色光刻膠是彩色濾光片制造中的關(guān)鍵材料，彩色光刻膠和黑色光刻膠的生產(chǎn)目前由日本、韓國(guó)公司主導(dǎo)，全世界的生產(chǎn)幾乎被數(shù)家日本、韓國(guó)廠商所壟斷，近幾年中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣的少數(shù)廠商才開始實(shí)現(xiàn)突破并進(jìn)入該領(lǐng)域。

LCD光刻膠的全球供應(yīng)集中在日本、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等地區(qū)，境外企業(yè)的市占率超過90%。核心材料中，彩色濾光片所需的顏料和顏料分散技術(shù)主要被阪田油墨、御國(guó)色素等日本顏料廠商所掌握，彩色光刻膠和黑色光刻膠的核心技術(shù)基本被日本和韓國(guó)企業(yè)壟斷。隨著中國(guó)大陸企業(yè)在LCD光刻膠領(lǐng)域的積極布局，目前已能在TFT正性膠等產(chǎn)品方面具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力，但在技術(shù)含量更高的彩色光刻膠方面，仍處于探索研發(fā)階段。

彩色光刻膠和黑色光刻膠所用的上游材料也被國(guó)際大公司高度壟斷，如顏料、光引發(fā)劑、樹脂等原料，性能要求特別、品質(zhì)要求苛刻，壟斷程度更高。如高性能光引發(fā)劑市場(chǎng)長(zhǎng)期被BASF公司壟斷，LCD光刻膠樹脂主要由日本供應(yīng)商供應(yīng)。

大陸企業(yè)方面布局廠商有：

（1）強(qiáng)力新材布局光刻膠上游單體及光引發(fā)劑，其研發(fā)的LCD肟酯類光引發(fā)劑填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)空白，打破了BASF的壟斷。

（2）雅克科技收購江蘇科特美55%股權(quán)及LG化學(xué)下屬的彩色光刻膠事業(yè)部的部分經(jīng)營(yíng)性資產(chǎn)。通過收購，雅克科技擁有了韓國(guó)光刻膠龍頭COTEM的相關(guān)專利，也將同時(shí)掌握彩膠和正膠的制程工藝，以及全球知名大客戶資源（如LGDisplay），成為全球主要的面板光刻膠供應(yīng)商之一。

3.發(fā)展歷史：起源美國(guó)，日本稱霸，重視光刻膠+光刻機(jī)聯(lián)動(dòng)產(chǎn)業(yè)規(guī)律

3.1.美國(guó)占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，光刻膠發(fā)源地、實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化

起源于美國(guó)，柯達(dá)KTFR光刻膠為光刻膠工業(yè)的開創(chuàng)者，光刻膠跟隨摩爾定律不斷演進(jìn)。1950s貝爾實(shí)驗(yàn)室嘗試開發(fā)首塊集成電路，半導(dǎo)體光刻膠由此誕生，并成為六七十年代半導(dǎo)體工業(yè)的主力體系，為半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展立下汗馬功勞。邏輯支撐跟隨摩爾定律，光刻膠不斷推進(jìn)產(chǎn)業(yè)演進(jìn)。i線/g線光刻膠的產(chǎn)業(yè)化始于上世紀(jì)70年代，KrF光刻膠的產(chǎn)業(yè)化也早在上世紀(jì)80年代就由IBM完成。

受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移等影響，全球光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈自誕生至今共發(fā)生了3次較大規(guī)模的轉(zhuǎn)移。由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體從美國(guó)-日本-韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣-中國(guó)大陸進(jìn)行轉(zhuǎn)移，同時(shí)由于下游市場(chǎng)需求的轉(zhuǎn)移和擴(kuò)散以及光刻機(jī)等配套產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，全球光刻膠產(chǎn)業(yè)大致經(jīng)歷了“美國(guó)起源-日本爭(zhēng)霸-中國(guó)崛起”三個(gè)階段。

美國(guó)強(qiáng)大的經(jīng)濟(jì)、科技基礎(chǔ)、半導(dǎo)體先發(fā)優(yōu)勢(shì)和大規(guī)模集成電路需求催生了美國(guó)光刻產(chǎn)業(yè)。基于美國(guó)強(qiáng)大的經(jīng)濟(jì)及科技優(yōu)勢(shì)支撐、人才的吸納與培養(yǎng)、完備的政策引導(dǎo)及美國(guó)科學(xué)基金等的支持促使美國(guó)有強(qiáng)大的研發(fā)投入資本，使得美國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)由于美國(guó)大規(guī)模集成電路的需求，加速催生了全球第一批光刻產(chǎn)業(yè)。

美國(guó)IBM公司不斷推進(jìn)光刻膠的演進(jìn)，在光刻膠早期市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。美國(guó)IBM公司不斷突破光刻膠材料，將tBOC光刻膠作為專有知識(shí)產(chǎn)權(quán)材料，化學(xué)放大tBOC光刻膠使得IBM成為第一個(gè)使用深紫外制造技術(shù)的公司，賦予了IBM顯著的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，在化學(xué)放大光刻膠的時(shí)代牢牢占據(jù)了市場(chǎng)主導(dǎo)地位。

美國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)為何逐漸衰弱：

（1）20世紀(jì)70s-90s，美國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)衰退，光刻機(jī)被日本的尼康和佳能所占據(jù)，失去了配套的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)后美國(guó)的光刻膠產(chǎn)業(yè)也逐漸呈現(xiàn)頹勢(shì)；

（2）20世紀(jì)90年代，其他光刻膠產(chǎn)業(yè)推出自己的化學(xué)放大深紫外光刻膠，打破了IBM對(duì)材料的壟斷。

（3）計(jì)算機(jī)巨頭踴躍參與半導(dǎo)體制造，多數(shù)企業(yè)（包括IBM）傾向于從專業(yè)的外部供應(yīng)商獲得制造設(shè)備（光刻機(jī)）和材料（光刻膠），IBM由于市場(chǎng)行業(yè)分工的動(dòng)力積極地將第2代和第3代化學(xué)放大光刻膠轉(zhuǎn)移到了外界，加速了美國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。

總結(jié)光刻膠“美國(guó)起源-日本爭(zhēng)霸-中國(guó)崛起”產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的背后邏輯主要系：

（1）跟隨半導(dǎo)體整體市場(chǎng)的轉(zhuǎn)移而轉(zhuǎn)移；

（2）受整體研發(fā)實(shí)力以及技術(shù)的轉(zhuǎn)移而轉(zhuǎn)移；

（3）受全球貿(mào)易環(huán)境的影響，例如日韓貿(mào)易摩擦推動(dòng)日中的光刻膠轉(zhuǎn)移；

（4）受光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)影響；

（5）受國(guó)家對(duì)光刻膠產(chǎn)業(yè)的重視程度、扶持力度以及國(guó)家的經(jīng)濟(jì)、科技實(shí)力影響。

3.2.下游需求崛起，日本逐步壟斷全球光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈

解讀日本光刻產(chǎn)業(yè)崛起：20世紀(jì)50-60年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸萌芽，在科研投入和下游需求拉動(dòng)的作用下，日本光刻產(chǎn)業(yè)于20世紀(jì)70-90年代成功崛起。

承接半導(dǎo)體裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移下游家電需求拉動(dòng)，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸萌芽。戰(zhàn)后日本經(jīng)濟(jì)以勞動(dòng)密集型紡織業(yè)為主，50年代開始逐步承接美國(guó)勞動(dòng)密集型產(chǎn)業(yè)的半導(dǎo)體裝配產(chǎn)業(yè)以及IC制造產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)不斷轉(zhuǎn)型升級(jí)，戰(zhàn)后經(jīng)濟(jì)得到快速發(fā)展。隨后，日本家電產(chǎn)業(yè)的繁榮帶動(dòng)上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起。

日本“產(chǎn)、學(xué)、官”相互協(xié)作體系誕生，一舉奠定了一舉奠定了日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力基礎(chǔ)。1976年至1979年，日本開始建立“VLSI技術(shù)研究所”，由政府出資320億日元，企業(yè)籌集400億元，聯(lián)合日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大企業(yè)，共同設(shè)立國(guó)家性科研機(jī)構(gòu)，依賴于舉國(guó)體制，1986年日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第一次市占率超美。

解讀日本光刻膠產(chǎn)業(yè)崛起：

（1）日本光刻機(jī)尼康和佳能的崛起，帶動(dòng)了上游核心材料光刻膠的崛起；

（2）美國(guó)IBM公司積極轉(zhuǎn)移第2代和第3代化學(xué)放大光刻膠，放棄光刻膠發(fā)展機(jī)會(huì)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壓力減??；

（3）東京應(yīng)化于1995年實(shí)現(xiàn)KrF光刻膠的商業(yè)化，恰逢半導(dǎo)體工藝制程節(jié)點(diǎn)逐步觸碰i線光刻的極限，天時(shí)地利下，日本光刻膠成功崛起。

半導(dǎo)體第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移后，日本光刻膠憑借高度的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壁壘，仍占據(jù)高端市場(chǎng)的壟斷地位。伴隨半導(dǎo)體第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，失去和光刻機(jī)設(shè)備市場(chǎng)協(xié)同的日本光刻膠產(chǎn)業(yè)憑借多年積累的技術(shù)壁壘，在高端的ArF和EUV光刻膠市場(chǎng)站穩(wěn)腳步，日本廠商進(jìn)一步鞏固霸主地位。

當(dāng)前日本光刻膠仍保持領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，企業(yè)數(shù)量約占全球一半。據(jù)產(chǎn)業(yè)研究與顧問公司勢(shì)銀（TrendBank）調(diào)研，全球光刻膠用光引發(fā)劑、溶劑、成膜樹脂及單體的主要生產(chǎn)企業(yè)總共44家，其中所屬地在日本的企業(yè)最多，占據(jù)全球光刻膠原材料生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量的49%。同時(shí)國(guó)外企業(yè)在生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品品種規(guī)格上具有較明顯的優(yōu)勢(shì)，且覆蓋面更廣。

3.3.光刻膠&光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)：協(xié)同發(fā)展

光刻膠是光刻機(jī)的核心耗材，光刻機(jī)與光刻膠在新產(chǎn)品開發(fā)、產(chǎn)品銷售等方面均存在一定協(xié)同效應(yīng)。光刻是芯片誕生過程中至為關(guān)鍵的步驟，復(fù)雜度較高，光刻機(jī)與光刻膠需要搭配使用，光刻工藝需要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等數(shù)道工序才得以最終完成。

與光刻膠產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移類似，全球光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了“光刻機(jī)早期-群雄爭(zhēng)霸-ASML崛起”三個(gè)階段。光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移前期與光刻膠產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移步調(diào)一致，主要是從美國(guó)轉(zhuǎn)移至日本，而在20世紀(jì)80年代，由飛利浦和荷蘭國(guó)際先進(jìn)半導(dǎo)體材料公司合資成立的ASML成為行業(yè)黑馬，逐漸在半導(dǎo)體高端光刻機(jī)市場(chǎng)一家獨(dú)大，形成了ASML、尼康和佳能三分天下局面。

解讀日本：20世紀(jì)七八十年代日本光刻機(jī)的崛起帶動(dòng)了日本光刻膠的發(fā)展，第二次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移后，日本光刻機(jī)企業(yè)尼康衰退，光刻膠卻牢牢占據(jù)了高端市場(chǎng)壟斷地位。

光刻機(jī)發(fā)展帶來的光刻膠協(xié)同發(fā)展：

（1）光刻膠是光刻機(jī)重要的上游材料，對(duì)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有至關(guān)重要的作用。20世紀(jì)70s-90s日本尼康和佳能的崛起帶動(dòng)了日本光刻機(jī)上游的光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展，日本JSR進(jìn)軍光刻膠領(lǐng)域，東京應(yīng)化研制出日本首個(gè)正性光刻膠。

（2）日本光刻機(jī)和光刻膠的崛起是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的成果，戰(zhàn)后美國(guó)將半導(dǎo)體裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移至日本，帶動(dòng)日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)萌芽；

（3）日本家電產(chǎn)業(yè)的繁榮帶動(dòng)上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起，下游需求的增加帶動(dòng)了光刻機(jī)和光刻機(jī)的上游材料協(xié)同發(fā)展。

光刻機(jī)衰退后，光刻膠仍屹立不倒：

（1）由于尼康選擇干式投影技術(shù)放棄浸入式光刻技術(shù)，在光刻機(jī)的波長(zhǎng)和成本方面與ASML相比皆不具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，開始逐漸衰退；

（2）基于JSR等日本企業(yè)先后研發(fā)出ArF光刻膠、ArF浸沒光刻膠等產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)EUV光刻膠的量產(chǎn)、重視研發(fā)投入、目標(biāo)市場(chǎng)擴(kuò)展到歐洲、美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸和日本，并在中國(guó)擁有穩(wěn)定的生產(chǎn)基地，為世界各地開發(fā)和提供尖端材料，故日本企業(yè)仍能憑借高度的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壁壘，占絕光刻膠的高端市場(chǎng)。

解讀荷蘭：ASML在加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)和不斷收購、投資的過程中搶占光刻機(jī)市場(chǎng)，占據(jù)80%市場(chǎng)份額，成為光刻機(jī)領(lǐng)域的龍頭，沒有良好的光刻膠配套產(chǎn)業(yè)。

ASML光刻機(jī)為何能成為市場(chǎng)龍頭：

（1）模塊化分工外包協(xié)作，集中精力系統(tǒng)研發(fā)和整合，降低產(chǎn)業(yè)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)；

（2）適宜的產(chǎn)品更新策略，推出PAS5000、雙工作臺(tái)、浸入式光刻機(jī)和EUV光刻機(jī)四大里程碑事件使得ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域的地位逐漸不可撼動(dòng)；

（3）適宜的經(jīng)營(yíng)管理策略，與飛利浦、臺(tái)積電和英特爾構(gòu)建穩(wěn)定的利益關(guān)系，積極并購美國(guó)公司和拓展海外市場(chǎng)。

荷蘭為何沒有配套的光刻膠配套產(chǎn)業(yè)：

（1）日本光刻膠在高端的ArF和EUV光刻膠市場(chǎng)占據(jù)了高度的技術(shù)壁壘和市場(chǎng)壁壘，難以突破相關(guān)壁壘；

（2）為了分享產(chǎn)業(yè)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)、合作伙伴共同研發(fā)攻克技術(shù)，填補(bǔ)自身經(jīng)費(fèi)空白和滿足資本人才需求，ASML光刻機(jī)90%的零件都是面向全球采購，故沒有配套的光刻膠產(chǎn)業(yè)。

反觀中國(guó)：在國(guó)家全力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移背景和中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)快速開拓之下，中國(guó)光刻產(chǎn)業(yè)正在逐步發(fā)展。

中國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展：中國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)已建成248nm光刻膠生產(chǎn)線，研發(fā)EUV等中高端光刻膠材料，但仍與日本企業(yè)具有較大的差距。大陸北京科華微電子擁有中高檔光刻膠生產(chǎn)基地，分別有百噸級(jí)環(huán)化橡膠系紫外負(fù)性光刻膠和千噸級(jí)負(fù)性光刻膠配套試劑生產(chǎn)線、G/I線正膠生產(chǎn)線（500噸/年）和正膠配套試劑生產(chǎn)線（1000噸/年）、百噸級(jí)248nm光刻膠生產(chǎn)線；中國(guó)臺(tái)灣長(zhǎng)興化學(xué)工業(yè)股份有限公司、中國(guó)臺(tái)灣長(zhǎng)春化工集團(tuán)在PCB干膜光刻膠市場(chǎng)占有一席之地。

受下游電子終端消費(fèi)品市場(chǎng)拉動(dòng)，國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快，整體處于起步階段。截至2019年5月，我國(guó)共有305家企業(yè)從事光刻膠生產(chǎn)和研發(fā)，其中數(shù)量較多的省或直轄市為江蘇（86家）、廣東（59家）、上海（32家）、北京（20家）。低端光刻膠產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)尚處于起步階段。實(shí)力較強(qiáng)的上市公司在KrF和ArF線技術(shù)研發(fā)上尚處于起步狀態(tài)，距離海外企業(yè)（尤其是日本企業(yè)）仍存在較大差距。

中國(guó)光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展：國(guó)內(nèi)光刻機(jī)依賴進(jìn)口，中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)積電取得一定的成就，但中國(guó)大陸距離國(guó)產(chǎn)化仍有相當(dāng)一段距離。總體而言，中國(guó)光刻正在高速發(fā)展，光刻膠的崛起有望帶動(dòng)國(guó)內(nèi)光刻機(jī)公司崛起，有望實(shí)現(xiàn)光刻機(jī)和光刻膠的協(xié)同發(fā)展。

4.國(guó)產(chǎn)化突圍：把握成熟制程，核心材料一體化是關(guān)鍵，看好先發(fā)優(yōu)勢(shì)龍頭

4.1.下游需求旺盛：面板制造產(chǎn)能向大陸聚集，半導(dǎo)體成熟制程擴(kuò)產(chǎn)顯著

下游需求旺盛，中上游高端制造業(yè)“缺芯少屏”，政府大力扶植，半導(dǎo)體、面板產(chǎn)業(yè)鏈表現(xiàn)出同樣的特征——下游旺盛需求倒逼上游產(chǎn)業(yè)進(jìn)步構(gòu)成發(fā)展根本動(dòng)力；政府和資本合力助推大陸半導(dǎo)體&面板制造蓬勃發(fā)展。5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、智能制造、智慧交通、智能電網(wǎng)等技術(shù)在中國(guó)快速發(fā)展，成為驅(qū)動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。中國(guó)大陸對(duì)下游高科技產(chǎn)品的旺盛需求使其與日韓、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)相比，具備了天然的優(yōu)勢(shì)。中國(guó)也在從低成本制造逐漸轉(zhuǎn)向系統(tǒng)方案、再到技術(shù)創(chuàng)新，逐漸成為全球產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的重要合作伙伴。

4.1.1.面板制造：LCD面板產(chǎn)能向大陸聚集

全球顯示面板產(chǎn)能正向大陸轉(zhuǎn)移?；仡櫲騆CD產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，產(chǎn)能經(jīng)歷了“美國(guó)起源—日本發(fā)展—韓國(guó)超越—中國(guó)臺(tái)灣崛起—大陸發(fā)力”的過程：最早由美國(guó)成功研發(fā)出LCD技術(shù)，由日本廠商將LCD技術(shù)產(chǎn)業(yè)化。1988年夏普推出世界第一臺(tái)14英寸的液晶顯示器，之后日本幾乎壟斷世界液晶面板產(chǎn)業(yè)。90年代后，韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣面板企業(yè)隨之崛起，成功超越日本企業(yè)，并在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)主導(dǎo)整個(gè)市場(chǎng)。2009年后，大陸LCD面板廠商開始發(fā)力，經(jīng)過十年努力，發(fā)展起來以京東方、華星光電、惠科股份、中電熊貓、和天馬微電子等企業(yè)為代表的的LCD面板廠商，全球液晶面板產(chǎn)能也由日韓及中國(guó)臺(tái)灣轉(zhuǎn)向中國(guó)大陸。

2020年，由于韓國(guó)廠商產(chǎn)能退出政策等，中國(guó)廠商市場(chǎng)挾產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)份額繼續(xù)上升。大尺寸方面，縱觀當(dāng)前趨勢(shì)，韓國(guó)液晶電視面板制造商最終可能會(huì)退出液晶電視面板業(yè)務(wù)，將其市場(chǎng)份額轉(zhuǎn)移給中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手；根據(jù)TrendForce集邦咨詢顯示器研究處數(shù)據(jù)，2020-2021年中國(guó)大陸面板廠囊括電視面板出貨排行榜前三大，合計(jì)共占LCD電視面板出貨量五成以上。中尺寸方面，根據(jù)TrendForce集邦咨詢初步統(tǒng)計(jì)2021年面板廠出貨數(shù)量，中國(guó)大陸面板廠在顯示器面板(monitor)的市占率，將自2020年的39%提升至52%；筆電面板市占率則由36%上升至39%。

液晶面板行業(yè)具備明顯的重資產(chǎn)特征，每條產(chǎn)線投資需上百億的資金，目前大陸廠商在高世代線領(lǐng)域已占據(jù)有利地位，大陸面板廠商擁有的8.X代線數(shù)已經(jīng)位居全球前列，未來投資興建的10+代線也以大陸廠商為主，領(lǐng)先于其他地區(qū)廠商。根據(jù)群智咨詢調(diào)研數(shù)據(jù)，2019-2022E全球TV面板產(chǎn)線規(guī)劃來看，新產(chǎn)能、高世代線主要來源于中國(guó)大陸地區(qū)，全球LCD面板制造產(chǎn)能正在向中國(guó)大陸聚集。

4.1.2.半導(dǎo)體：成熟制程擴(kuò)產(chǎn)顯著，28nm等技術(shù)將在國(guó)內(nèi)供需鏈迎來窗口爆發(fā)期

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，2011-2017年復(fù)合增長(zhǎng)率遠(yuǎn)超全球水平。據(jù)WSTS數(shù)據(jù)顯示，2011-2017年，全球集成電路市場(chǎng)銷售額僅從2471億美元增長(zhǎng)至3433億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率僅6%。與此同時(shí)，在下游旺盛需求、國(guó)家政策推動(dòng)下，我國(guó)集成電路市場(chǎng)快速發(fā)展，2014年市場(chǎng)規(guī)模突破萬億元。而中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2011-2017年，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模實(shí)現(xiàn)翻倍，由8066億元增長(zhǎng)至16709億元；銷售額擴(kuò)大近2倍，由1934億元增至5411億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)19%。我國(guó)在顯示面板行業(yè)“后來居上”的發(fā)展歷程為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供經(jīng)驗(yàn)與信心。

封測(cè)先行，設(shè)計(jì)&制造隨后，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)向高附加值、高技術(shù)含量環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)型，對(duì)全產(chǎn)業(yè)鏈提出了更高要求。在設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大集成電路細(xì)分子行業(yè)中，封測(cè)附加值較低，設(shè)計(jì)、制造技術(shù)含量較高，于是，封測(cè)業(yè)成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的“先行軍”，據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2004年，我國(guó)封測(cè)業(yè)占集成電路銷售額的52%，至2019年，這一數(shù)字已降至31%。2004年以來，設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三個(gè)子行業(yè)CAGR分別達(dá)27%、18%、15%。2017年，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)包括設(shè)計(jì)企業(yè)1380家、制造企業(yè)58家、封測(cè)企業(yè)89家，華為海思、紫光展銳、中興微、華大位居全球設(shè)計(jì)企業(yè)20強(qiáng)，中芯國(guó)際、華虹宏力位居制造企業(yè)20強(qiáng)，江蘇新潮、南通華達(dá)、天水華天等4家企業(yè)位居封測(cè)10強(qiáng)。集成電路產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展也對(duì)全產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)、各廠家提出了更高要求。

產(chǎn)能方面，國(guó)內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)顯著。當(dāng)前國(guó)內(nèi)成熟工藝代工仍然以中芯國(guó)際和華虹為主，中芯國(guó)際具有完善的成熟工藝節(jié)點(diǎn)制程的代工能力，可充分滿足下游各類需求，未來中芯國(guó)際將積極推進(jìn)上海8寸廠、天津8寸廠、深圳8寸廠產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)，并推動(dòng)寧波8寸廠投產(chǎn)。除中芯國(guó)際和華虹之外，粵芯、上海先進(jìn)（積塔半導(dǎo)體），士蘭集昕微等國(guó)內(nèi)現(xiàn)有成熟制程產(chǎn)線均有相應(yīng)的產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。后續(xù)晶圓代工環(huán)節(jié)國(guó)內(nèi)代工需求依然旺盛，預(yù)計(jì)國(guó)內(nèi)晶圓建廠和擴(kuò)產(chǎn)的熱潮將會(huì)至少持續(xù)2-3年。

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，從2017-2021年全球200nm晶圓產(chǎn)能預(yù)計(jì)增加約1268k/月，CAGR約為4.5%；而根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察及公司公告數(shù)據(jù)測(cè)算，同期我國(guó)200mm晶圓產(chǎn)能預(yù)計(jì)增加287k片，CAGR約為9.6%。

根據(jù)ICInsight數(shù)據(jù)，從整體來說，2017年中國(guó)大陸200nm晶圓產(chǎn)能落后于中國(guó)臺(tái)灣、日本，與美國(guó)歐洲處于同一水平。2017年中國(guó)大陸200mm產(chǎn)能與世界總產(chǎn)能之比約為13.1%，然而2017-2021年間，中國(guó)大陸產(chǎn)能增量占全球增量比卻約為22.6%。

而根據(jù)公司公告及半導(dǎo)體行業(yè)觀察數(shù)據(jù)，通過我們的測(cè)算，2021年中國(guó)大陸晶圓龍頭中芯國(guó)際的8英寸產(chǎn)能將達(dá)到358k片/月左右，2017-2021年間的CAGR達(dá)到了18%。

綜上，大陸地區(qū)作為近些年晶圓產(chǎn)能增量主要貢獻(xiàn)地區(qū)，根據(jù)ICInsights預(yù)測(cè)，2022年中國(guó)大陸有望成為全球第二市場(chǎng)，晶圓產(chǎn)能將僅次于中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)不斷演進(jìn)，先進(jìn)制程已達(dá)到5-7nm量產(chǎn)階段，但從終端產(chǎn)品需求看，成熟制程（28nm等）技術(shù)市場(chǎng)仍十分廣泛。據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，通訊方面，5G時(shí)代各種通訊基站及設(shè)施遍布，80%以上的芯片用量，都可由28nm及以上的成熟制程來完成；汽車電子方面，大部分的用量也都來自于14nm甚至28nm以上的技術(shù)；物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)下，IC使用量增加，但不必用到7nm、5nm生產(chǎn)，用28nm制程即可滿足大部分的需求。28nm成熟制程產(chǎn)能不足，在下游需求帶動(dòng)下，28nm全球的晶圓代工進(jìn)入快速擴(kuò)張期。

中芯國(guó)際已于2018年宣布完成28nmHKMG研發(fā)，在今年3月的公告中，中芯國(guó)際稱將對(duì)中芯深圳進(jìn)行項(xiàng)目發(fā)展和營(yíng)運(yùn)，重點(diǎn)生產(chǎn)28納米及以上的成熟工藝的集成電路，2022年開始生產(chǎn)，并且最終形成每月約4萬片12吋晶圓的產(chǎn)能。而在全球晶圓廠與中國(guó)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的合作情況方面，國(guó)內(nèi)的晶圓代工企業(yè)已經(jīng)能夠?yàn)橹袊?guó)國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)提供相當(dāng)比例的晶圓代工業(yè)務(wù)，并且都主要集中在28nm及以上成熟制程上的合作。

28nm作為關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，國(guó)內(nèi)圓晶廠已有一定量產(chǎn)能力，隨國(guó)內(nèi)成熟制程擴(kuò)產(chǎn)顯著，全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迎來窗口期。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，從國(guó)內(nèi)28nm產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展上看，絕大多數(shù)設(shè)備和材料在28nm節(jié)點(diǎn)基本已不存在技術(shù)問題。以光刻機(jī)為例，上海微電子計(jì)劃于2021年交付首臺(tái)國(guó)產(chǎn)28nm的immersion光刻機(jī)。這也就意味著，國(guó)內(nèi)28nm產(chǎn)業(yè)鏈自主，很快能夠取得比較大的進(jìn)展。尤其是在貿(mào)易環(huán)境多變的情況下，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的完善，或許能夠助力中國(guó)國(guó)內(nèi)的28nm得到更好的發(fā)展。Omdia認(rèn)為，28nm晶圓代工技術(shù)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)2021年將在國(guó)內(nèi)逐步完成供應(yīng)鏈自主，14nm的自主可控產(chǎn)業(yè)鏈也將在2022年左右可以實(shí)現(xiàn)。為國(guó)內(nèi)上游材料、設(shè)備產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供窗口期。

4.2.上游核心材料&設(shè)備是全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控薄弱環(huán)節(jié)，日本限制光刻膠供貨提供國(guó)產(chǎn)化催化劑

半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)難度高、產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)長(zhǎng)、下游應(yīng)用廣泛。其中，半導(dǎo)體材料與設(shè)備位于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，是芯片制造、封測(cè)的支撐性行業(yè)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料的供應(yīng)能力和質(zhì)量直接關(guān)系到我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的完整性，自主創(chuàng)“芯”意味著半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展；要實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控，材料與設(shè)備國(guó)產(chǎn)化是必然需求。

我國(guó)各大產(chǎn)業(yè)的起步都要晚于歐美日韓等發(fā)達(dá)國(guó)家，雖然形成了后發(fā)優(yōu)勢(shì)，使得我國(guó)的互聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展程度處在前列，但最基礎(chǔ)的硬件制造產(chǎn)業(yè)反倒落后于發(fā)達(dá)國(guó)家。以芯片為代表的高端制造業(yè)“卡脖子”問題是我國(guó)產(chǎn)業(yè)升級(jí)、自主可控最突出的問題。就半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，其發(fā)展最大的問題就在于產(chǎn)業(yè)鏈不平衡，而整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈最薄弱的環(huán)節(jié)就在于上游的半導(dǎo)體材料和設(shè)備環(huán)節(jié)。

4.2.1.華為&中芯國(guó)際被制裁——高端半導(dǎo)體工藝“卡脖子”

2020年5月，美國(guó)商務(wù)部將華為公司列入“實(shí)體清單”，此后禁令接連升級(jí)，無論交易哪一階段，只要有華為公司參與，則任何公司未經(jīng)許可都不得出售用美國(guó)軟件或設(shè)備制造的半導(dǎo)體。2020年9月15日起，華為難以再從商業(yè)途徑獲得芯片。臺(tái)積電、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、美光等芯片大廠乃至中芯國(guó)際都相繼宣布，即日起無法繼續(xù)為華為供貨。

華為公司近年來高速發(fā)展，2019年?duì)I收超8000億人民幣，其半導(dǎo)體采購支出僅次于Apple、三星，位居全球第三。梳理其全球供應(yīng)鏈，半導(dǎo)體軟件主要來自美國(guó)33家企業(yè)、半導(dǎo)體代工生產(chǎn)主要來自中國(guó)臺(tái)灣。

華為雖擁有芯片設(shè)計(jì)能力，仍因美國(guó)制裁措施受到打擊（如華為海思設(shè)計(jì)麒麟9000芯片委托臺(tái)積電生產(chǎn)）。背后核心就在于半導(dǎo)體先進(jìn)制程尚未“國(guó)產(chǎn)”，高端半導(dǎo)體工藝成為“卡脖子”問題。

2020年12月3日，繼華為被制裁后，美國(guó)國(guó)防部將中芯國(guó)際加入“中國(guó)軍方企業(yè)”名單，意味著美國(guó)企業(yè)在向中芯國(guó)際供應(yīng)相關(guān)技術(shù)或產(chǎn)品時(shí)，需要獲得政府許可，同時(shí)無法將獲得來自美國(guó)的資金支持。中芯國(guó)際成為第二家被制裁的中國(guó)高科技企業(yè)，被半導(dǎo)體制造設(shè)備、材料“卡脖子”，背后仍是高端半導(dǎo)體工藝難以自主可控的重要短板。

4.2.2.日本光刻膠大廠限制供貨，多家晶圓廠KrF光刻膠供應(yīng)緊張，全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控刻不容緩，國(guó)產(chǎn)化加速

日本光刻膠大廠產(chǎn)能受限，國(guó)內(nèi)多家晶圓廠供貨受限，再次凸顯光刻膠國(guó)產(chǎn)化重要性。據(jù)集微網(wǎng)稱，由于KrF光刻膠產(chǎn)能受限以及全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)等原因，日本信越化學(xué)已經(jīng)向中國(guó)大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，甚至已通知部分中小晶圓廠停止供貨KrF光刻膠，國(guó)內(nèi)多家晶圓廠將會(huì)面臨KrF光刻膠大缺貨的處境。由于地震原因，信越化學(xué)KrF光刻膠產(chǎn)線受到很大程度的破壞，至今尚未完全恢復(fù)生產(chǎn)，在產(chǎn)線受到影響和晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)等多方因素下，信越化學(xué)不得不停止向中國(guó)大陸幾家晶圓廠供應(yīng)KrF光刻膠。雖然東京應(yīng)化（TOK）填補(bǔ)了信越化學(xué)海外大部分缺失的KrF光刻膠產(chǎn)能，但目前仍存在不小的缺口。

此外，以日韓貿(mào)易戰(zhàn)為鑒，材料“自主可控”成為國(guó)際趨勢(shì)。根據(jù)日本METI政府網(wǎng)站消息，從2019年7月1日開始，日本將韓國(guó)從出口貿(mào)易“白名單”中刪除；從7月4日開始，日本向韓國(guó)出口氟化聚酰亞胺（PI）、光刻膠和高純氟化氫這三種材料需要單獨(dú)申請(qǐng)出口許可證并進(jìn)行出口審查。此次受限的三種電子材料是上游核心材料，日本基本壟斷其全球主要產(chǎn)能，韓國(guó)OLED、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)日本電子材料有著較強(qiáng)的依賴性，面對(duì)政策調(diào)整，啟發(fā)下游制造商降低對(duì)單一供應(yīng)商/單一地區(qū)供應(yīng)商依賴、加快扶持本土產(chǎn)業(yè)集群提高供應(yīng)鏈安全，材料端“自主可控”成為國(guó)際趨勢(shì)。

就光刻膠這一核心材料領(lǐng)域來講，目前半導(dǎo)體光刻膠、面板光刻膠仍有較大國(guó)產(chǎn)化空間。高檔光刻膠的保質(zhì)期通常只有6個(gè)月左右甚至更短，一旦遇到貿(mào)易沖突或自然災(zāi)害，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)勢(shì)必面臨芯片企業(yè)短期內(nèi)全面停產(chǎn)的嚴(yán)重局面。我們認(rèn)為：

（1）無論是貿(mào)易摩擦下高端半導(dǎo)體工藝受到掣肘，還是高端半導(dǎo)體材料受限，都顯示著材料端自主可控的重要性；

（2）近期KrF光刻膠供應(yīng)受限再次敲響警鐘，同時(shí)也為國(guó)產(chǎn)光刻膠產(chǎn)品加速導(dǎo)入提供契機(jī)；

（3）以光刻膠為代表，對(duì)材料和設(shè)備產(chǎn)業(yè)來講，面對(duì)自主可控的迫切需求和尚未實(shí)現(xiàn)自主的現(xiàn)狀之間的矛盾，抓住下游機(jī)遇，從產(chǎn)業(yè)鏈角度入手、尋求產(chǎn)業(yè)鏈自主發(fā)展是破局之法。

4.3.產(chǎn)業(yè)鏈抱團(tuán)發(fā)展，加快產(chǎn)品導(dǎo)入、規(guī)模量產(chǎn)、新技術(shù)研發(fā)

光刻機(jī)龍頭ASML發(fā)展史、華為供應(yīng)鏈發(fā)展史，還是日本光刻膠及先進(jìn)材料產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展史，無不揭示了上下游協(xié)同、產(chǎn)業(yè)鏈抱團(tuán)發(fā)展對(duì)先進(jìn)制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要性。

4.3.1.復(fù)盤ASML創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)：生產(chǎn)高度分工，上下游協(xié)同發(fā)展，完成技術(shù)躍遷

高度外包，產(chǎn)業(yè)鏈布局全球，構(gòu)建以ASML為核心的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。ASML光刻設(shè)備85%的成本由外部供應(yīng)商提供，與全球700余家供應(yīng)商合作，其中40家核心供應(yīng)商供應(yīng)商占據(jù)超80%的外購成本。700多家一級(jí)、二級(jí)和三級(jí)供應(yīng)商中約有50%來自荷蘭本土，其余大多來自歐盟和美國(guó)。

ASML是這個(gè)龐大供應(yīng)商網(wǎng)絡(luò)的領(lǐng)導(dǎo)者，但同時(shí)也與其他幾家擁有光刻機(jī)關(guān)鍵專業(yè)知識(shí)的公司（尤其是Zeiss公司）分享其核心地位。Zeiss的專長(zhǎng)是精密光學(xué)和精密機(jī)械，生產(chǎn)的投影鏡頭是光刻機(jī)的核心部件；ASML則從系統(tǒng)與集成的角度關(guān)注光刻設(shè)備的需求和設(shè)計(jì)；實(shí)際模塊和組件的提供任務(wù)都盡可能移交給供應(yīng)商處理。

ASML歷史上最重要的技術(shù)躍遷之一——浸潤(rùn)式光刻機(jī)的誕生，是產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展的成果。浸液光刻思想最早是由臺(tái)積電工程師林本堅(jiān)提出，ASML敏銳捕捉到這個(gè)想法，2002年開始研究浸液光刻技術(shù)。此后通過與Philips、TNO、Zeiss以及ASML在荷蘭的Veldhoven研究中心和在美國(guó)Wilton研究中心的通力合作，創(chuàng)造性解決了浸液式項(xiàng)目面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)，完成了對(duì)浸液式光刻技術(shù)從概念驗(yàn)證到產(chǎn)品交付的過程。

在高度外包的合作模式下，供應(yīng)商財(cái)務(wù)的穩(wěn)定以及在研發(fā)和運(yùn)營(yíng)能力方面的投資對(duì)于支持ASML的技術(shù)創(chuàng)新至關(guān)重要，加強(qiáng)與關(guān)鍵企業(yè)的創(chuàng)新合作是ASML技術(shù)領(lǐng)先戰(zhàn)略的有機(jī)組成部分。ASML依據(jù)“產(chǎn)品路線圖”、“技術(shù)路線圖”，通過對(duì)荷蘭本土以外的關(guān)鍵供應(yīng)商的相關(guān)業(yè)務(wù)的股權(quán)收購來加強(qiáng)創(chuàng)新合作，使其可以集中資源按照ASML規(guī)劃節(jié)點(diǎn)進(jìn)行研發(fā)攻關(guān)。

股權(quán)交換或收購是加強(qiáng)創(chuàng)新合作的一種有效方式，ASML的股權(quán)投資不僅體現(xiàn)在與上游供應(yīng)商合作中，還體現(xiàn)在與下游客戶的合作之中。2012年，ASML啟動(dòng)“客戶共同投資計(jì)劃”，臺(tái)積電、三星和英特爾3家芯片制造商共同注資，產(chǎn)業(yè)鏈抱團(tuán)發(fā)展，加速新技術(shù)研發(fā)，英特爾率先認(rèn)購15%（10%是對(duì)18寸晶圓光刻機(jī)的投資，5%是對(duì)EUV的投資），臺(tái)積電認(rèn)購5%，三星認(rèn)購3%(放棄了2%)。

4.3.2.復(fù)盤華為供應(yīng)鏈：終端廠商加速培養(yǎng)上游產(chǎn)業(yè)集群，設(shè)計(jì)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)戴維斯雙擊

貿(mào)易摩擦加速，IC設(shè)計(jì)版塊迎來戴維斯雙擊。從2019年開始，在國(guó)際貿(mào)易摩擦加劇、供應(yīng)鏈被美國(guó)公司限制較強(qiáng)的背景下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體板塊先跌后升，最典型的戴維斯雙擊品種是在設(shè)計(jì)領(lǐng)域，集中在華為產(chǎn)業(yè)鏈上的芯片設(shè)計(jì)公司，比如射頻、指紋、光學(xué)領(lǐng)域，設(shè)計(jì)公司受益于下游的訴求，這些公司的業(yè)績(jī)釋放并且股價(jià)表現(xiàn)良好，如圣邦股份。

從公司營(yíng)收上看，圣邦股份在2019全年、2020前三季度年業(yè)績(jī)表現(xiàn)突出，均實(shí)現(xiàn)單季度營(yíng)收逐季增長(zhǎng)，2019年全年?duì)I收同比增長(zhǎng)38.5%。在盈利能力方面，2020年圣邦股份歸母凈利潤(rùn)同比保持增長(zhǎng)，增速均在40%以上。

從股價(jià)走勢(shì)上看，圣邦公司（模擬芯片）從2020年開始的股價(jià)上升非常顯著。

我們看到在華為等國(guó)內(nèi)重要整機(jī)廠商的需求拉動(dòng)下，模擬芯片供應(yīng)鏈的廠商圣邦股份在2019年、2020年都實(shí)現(xiàn)了超預(yù)期的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，事實(shí)上，對(duì)于國(guó)內(nèi)供應(yīng)商而言，如果能在供應(yīng)鏈上實(shí)現(xiàn)，價(jià)值量的躍遷和行業(yè)地位的提升將使得國(guó)內(nèi)公司迎來一輪戴維斯雙擊。以華為公司為代表的大陸終端品牌廠商將加速培養(yǎng)大陸上游產(chǎn)業(yè)集群，特別是上游關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

4.3.3.復(fù)盤日本光刻膠產(chǎn)業(yè)邏輯：緊抓下游需求，高度分工協(xié)作，建立光刻膠產(chǎn)業(yè)集群

半導(dǎo)體材料公司往往伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興起而發(fā)展，經(jīng)過長(zhǎng)期技術(shù)積累或兼并收購，建立起技術(shù)壁壘，形成寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局，并和下游制造公司形成穩(wěn)定合作關(guān)系。資本密集、技術(shù)高壁壘、導(dǎo)入周期長(zhǎng)，這些特征共同決定了單打獨(dú)斗無益，產(chǎn)業(yè)鏈抱團(tuán)——下游應(yīng)用廠商扶持上游光刻膠成品企業(yè)，成品領(lǐng)域協(xié)助原料供應(yīng)商，加速技術(shù)進(jìn)步、產(chǎn)品導(dǎo)入，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展事半功倍。

以日本為例，40年來，日本光刻膠產(chǎn)業(yè)已形成高度分工協(xié)作的產(chǎn)業(yè)集群。圍繞PCB光刻膠、面板光刻膠、IC光刻膠及其上游樹脂、光引發(fā)劑、溶劑&單體各領(lǐng)域，涌現(xiàn)一批大中小企業(yè)。

總結(jié)日本材料產(chǎn)業(yè)集群形成經(jīng)驗(yàn)，我們可以做出如下總結(jié)：

緊抓下游需求，伴隨本國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)同步崛起。

解讀日本光刻膠產(chǎn)業(yè)崛起：

（1）日本光刻機(jī)尼康和佳能的崛起，帶動(dòng)了上游核心材料光刻膠的崛起；

（2）美國(guó)IBM公司積極轉(zhuǎn)移第2代和第3代化學(xué)放大光刻膠，放棄光刻膠發(fā)展機(jī)會(huì)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壓力減?。?/p>

（3）東京應(yīng)化于1995年實(shí)現(xiàn)KrF光刻膠的商業(yè)化，恰逢半導(dǎo)體工藝制程節(jié)點(diǎn)逐步觸碰i線光刻的極限，天時(shí)地利下，日本光刻膠成功崛起。

重視持續(xù)技術(shù)開發(fā)和積累，材料超前制造業(yè)發(fā)展。

對(duì)材料企業(yè)來說，技術(shù)需經(jīng)過長(zhǎng)期生產(chǎn)實(shí)踐驗(yàn)證，2000年日本材料企業(yè)占據(jù)70%份額，在下游半導(dǎo)體制造業(yè)逐漸轉(zhuǎn)出的情況下，2015年仍能保持50%以上，最重要的原因在于其企業(yè)重視持續(xù)技術(shù)開發(fā)，與半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展同步。

同時(shí)，隨著摩爾定律不斷演進(jìn)，要求材料產(chǎn)業(yè)超前發(fā)展，對(duì)其精度、純度、質(zhì)量等要求越來越高，日本光刻膠上下游公司早已提前布局EUV光刻膠，實(shí)現(xiàn)超前發(fā)展。從專利數(shù)量看，全球EUV光刻膠領(lǐng)域主要申請(qǐng)人專利數(shù)量排列前10位的有7家日本企業(yè)，日本企業(yè)數(shù)及其專利數(shù)量遠(yuǎn)高于其他企業(yè)、頭部效應(yīng)明顯。排名首位的富士膠片更是擁有422項(xiàng)相關(guān)專利。

細(xì)分市場(chǎng)小、研發(fā)投資大，各有技術(shù)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)規(guī)?；止?。

光刻膠市場(chǎng)擁有較強(qiáng)“定制化”屬性，各項(xiàng)產(chǎn)品堪稱小眾，且驗(yàn)證周期長(zhǎng)，企業(yè)發(fā)展不易。材料品類繁多，規(guī)格多樣，對(duì)光刻膠企業(yè)來講，也并非都采用統(tǒng)一的技術(shù)路線，各個(gè)公司都有自己的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并在技術(shù)積累的基礎(chǔ)上，不斷加大研發(fā)投入，保持累積優(yōu)勢(shì)。在此發(fā)展思路的指導(dǎo)下，日本光刻膠產(chǎn)業(yè)形成了高度分工協(xié)作的產(chǎn)業(yè)集群。以上游材料光刻膠樹脂為例，綜研化學(xué)專注PCB光刻膠單體，大阪瓦斯化學(xué)等專注面板光刻膠樹脂，而丸善石化、住友電木等企業(yè)專職IC光刻膠樹脂制造。在光引發(fā)劑領(lǐng)域也有相同的分工布局。

上下游緊密合作，建立產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟。

20世紀(jì)70年代，日本半導(dǎo)體企業(yè)與材料企業(yè)緊密合作，充分利用半導(dǎo)體企業(yè)資本、人才、技術(shù)等經(jīng)營(yíng)資源，取得領(lǐng)先地位。多數(shù)材料的研發(fā)、樣品導(dǎo)入和產(chǎn)品驗(yàn)證都需要與下游及設(shè)備企業(yè)緊密配合。

時(shí)至今日，本日光刻膠企業(yè)仍不斷通過資本投資等方式實(shí)現(xiàn)“抱團(tuán)發(fā)展”。2013年，富士膠片就與IMEC（比利時(shí)微電子研究中心，是全球半導(dǎo)體的指標(biāo)性研發(fā)機(jī)構(gòu)）合作，為有機(jī)半導(dǎo)體亞微米技術(shù)開發(fā)一種新的光刻膠技術(shù)。2017年，JSR與IEMC在比利時(shí)共同成立了EUV光刻膠制備和認(rèn)證中心，目的是確保EUV光刻膠的認(rèn)證和半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用的質(zhì)量控制。2020年2月，在JSR的主導(dǎo)下，EUV光刻膠先驅(qū)Inpria完成了C輪3100萬美元的融資，參投方包括SK海力士、三星、英特爾、臺(tái)積電。

4.4.樹脂&光引發(fā)劑、光刻膠成品，核心材料一體化是自主可控關(guān)鍵，看好先發(fā)龍頭優(yōu)勢(shì)

反觀我國(guó)光刻膠行業(yè)，我國(guó)光刻膠研究始于20世紀(jì)70年代，起初與國(guó)際先進(jìn)水平相近，幾乎和日本同時(shí)起步，但目前差距愈來愈大