半導(dǎo)體芯片制造工：半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工考試資料模擬考試卷

--半導(dǎo)體芯片制造工：半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工考試資料----模擬考試卷----考試時(shí)間：120分鐘 考試總分：100分--線題號(hào)分?jǐn)?shù)題號(hào)分?jǐn)?shù)一二三四五總分_ -_ -_ -_ -_ -_ -_ -：_ -：號(hào)--遵守考場(chǎng)紀(jì)律，維護(hù)學(xué)問(wèn)尊嚴(yán)，杜絕違紀(jì)行為，確?？荚嚱Y(jié)果公正。號(hào)---學(xué)-1、問(wèn)答題__-襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？__-__-此題答案：〔1〕擦洗外表的大塊污物；〔2〕浸泡；〔3〕化學(xué)腐蝕；__-_-此題解析：〔1〕擦洗外表的大塊污物；〔2〕浸泡；〔3〕化學(xué)腐蝕；〔4〕水_-_ _ - _ 級(jí)封_ - 2、單項(xiàng)選擇題級(jí)封班-恒定外表源集中的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為什么分布？〔 、高斯函數(shù)班-_-_ - B、余誤差函數(shù)_-_-C、指數(shù)函數(shù)_-__-、線性函數(shù)__-__-B__-_：--此題解析：暫無(wú)解析_：--名 - 、填空題姓 -工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、準(zhǔn)時(shí)填寫(xiě)工藝記錄，做到記錄內(nèi)容具體、〔- 〕、〔 〕、書(shū)寫(xiě)工整、〔 〕。-此題答案：真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確--此題解析：真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確--4、單項(xiàng)選擇題-離子注入層的深度主要取決于離子注入的〔 能量--1010頁(yè)1010頁(yè)B.劑量A5、填空題白光照耀二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的〔 此題答案：干預(yù)色6、單項(xiàng)選擇題從離子源引出的是：〔 原子束B(niǎo)、分子束C、中子束D7、單項(xiàng)選擇題人們規(guī)定：〔 〕電壓為安全電壓.A.36伏以下B.50C.24A8、問(wèn)答題為什么說(shuō)干凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)？此題答案：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成簡(jiǎn)潔電路和微波器件的此題解析：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成簡(jiǎn)潔電路和微波器件的進(jìn)展是重要汚染來(lái)源。例如，PNNaMOS所以干凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)。9、單項(xiàng)選擇題二氧化硅在集中時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)展〔 。A.預(yù)B.再C.選擇C10、填空題拋光片的質(zhì)量檢測(cè)工程包括：幾何參數(shù)，直徑、〔 〕、主參考面、副參考面、平坦度、彎曲度等；〔 電阻率，載流子濃度，遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯(cuò)密度。11、填空題半導(dǎo)體材料的主要晶體構(gòu)造有〔 〕型、閃鋅礦型、〔 型。此題答案：金剛石；纖鋅礦12、單項(xiàng)選擇題工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片外表的掩膜層上的工藝〔 〕A.刻制圖形B.繪制圖形C.制作圖形A13、單項(xiàng)選擇題先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片外表接觸，再用紫外光照耀來(lái)進(jìn)展曝光的方法，稱為〔 〕曝光。A.接觸B.接近式C.投影A14、填空題對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：〔 〕、和〔〕、〔 〕、〔 〕。15、問(wèn)答題集成電容主要有哪幾種構(gòu)造？〔MIM〕構(gòu)造；②多晶〔MIM〕構(gòu)造；②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅構(gòu)造；③金屬叉指構(gòu)造；④PN16、填空題全定制、半定制幅員設(shè)計(jì)中用到的單元庫(kù)包含〔 〕、〔 〕、〔 〕和〔〕。17、填空題半導(dǎo)體材料有兩種載流子參與導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類型。一種是〔〕，另一種是〔〕。18、填空題離子注入是借其〔 〕強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)〔 物理過(guò)程。此題答案：動(dòng)能；非平衡此題解析：動(dòng)能；非平衡19、單項(xiàng)選擇題以下晶體管構(gòu)造中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：〔 條圖形B、雙基極條圖形、基極和集電極引線孔都是馬蹄形構(gòu)造D、梳狀構(gòu)造D20、填空題光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、〔 〕、曝光、〔 〕、堅(jiān)膜、腐蝕、〔 等步驟。21、填空題外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有〔〕外延、〔〕外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、〔〕、固相外延等。22、問(wèn)答題MOS此題答案：〔1〕S采此題解析：〔1〕SPN提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處?！?〕寸器件在幅員設(shè)計(jì)時(shí)還承受折疊的方式減小一維方向上的尺寸。和構(gòu)造上產(chǎn)生失配。23、單項(xiàng)選擇題單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定〔 左零右火B(yǎng).左火右零A24、填空題半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑〔 〕加速到的需要的〔 直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的〔 〕。25、填空題在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除〔 〕和配制〔 等。此題答案：光刻膠；洗液26、填空題用肉眼或顯微鏡可觀看二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色〔 〕、構(gòu)造〔 外表無(wú)〔 〕、無(wú)〔 〕、不發(fā)花；外表無(wú)裂紋、〔 〕。27、問(wèn)答題什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的根本要求是什么？膜上無(wú)針孔；硅片外表清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被腐蝕物質(zhì)。28、單項(xiàng)選擇題說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的根本門和根本單元的集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫〔 〕：A、規(guī)律設(shè)計(jì)B、物理設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)此題答案：A29、問(wèn)答題集成電路封裝有哪些作用？此題答案：〔1〕機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用?！?〕傳輸信此題解析：〔1〕機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。傳輸信號(hào)和安排電源的作用。熱耗散的作用。30、填空題之前在硅外表先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中這層雜質(zhì)作為集中的雜質(zhì)源，不再有的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種集中方式稱為：〔 〕31、單項(xiàng)選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用〔 鹽酸B、硫酸C、硝酸D、氫氟酸D32、多項(xiàng)選擇題硅外延片的應(yīng)用包括〔 二極管和三極管B.電力電子器件C.大規(guī)模集成電路此題答案：A,B,C,D此題解析：暫無(wú)解析33、填空題半導(dǎo)體材料可依據(jù)其性能、晶體構(gòu)造、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是依據(jù)其化學(xué)組成可分為元素〔 〕、〔 〕半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。34、多項(xiàng)選擇題按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：〔 〕蒸發(fā)、〔 〕蒸發(fā)A.電阻加熱B.電子束C.蒸氣原子此題答案：AB35、單項(xiàng)選擇題在溫度一樣的狀況下，制備一樣厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？〔 干氧B、濕氧C、水汽氧化此題答案：A36、填空題化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)〔 〕和強(qiáng)〔 〕將吸附在硅片外表的雜質(zhì)除去。37、填空題大容量可編程規(guī)律器件分為〔〕和〔〕。38、多項(xiàng)選擇題N〔〕。A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷〔P〕、砷〔As〕BB.、鋁〔Al〕C.砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅〔Si〕、碲〔TE〕D.砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂此題答案：AC39、填空題個(gè)晶圓上分布著很多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫〔 〕。40、問(wèn)答題H2SiCl4此題答案：在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，首先是反響劑輸運(yùn)到襯底外表；接著?；瘜W(xué)方程式如下：?；瘜W(xué)方程式如下：41、單項(xiàng)選擇題離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的〔 A.能量B.劑量B42、多項(xiàng)選擇題硅外延生長(zhǎng)工藝包括〔 襯底制備B.原位HCl腐蝕D.尾氣的處理此題答案：A,B,C,D此題解析：暫無(wú)解析43、填空題V〔〕的濕法化學(xué)腐蝕方法。此題答案：各向異性44、單項(xiàng)選擇題隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻”來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是〔 〕層。A.多晶硅B.氮化硅C此題解析：暫無(wú)解析45、單項(xiàng)選擇題屬于絕緣體的正確答案是〔 金屬、石墨、人體、大地B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦此題答案：B46、問(wèn)答題操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？此題答案：操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：〔1〕按規(guī)定承受培訓(xùn)考核，以到達(dá)此題解析：操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：〔1〕按規(guī)定承受培訓(xùn)考核，以到達(dá)所要求的技能、力氣和學(xué)問(wèn)；〔2〕嚴(yán)