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模電第1單元自測(cè)題解答模電第1單元自測(cè)題解答模電第1單元自測(cè)題解答資料僅供參考文件編號(hào):2022年4月模電第1單元自測(cè)題解答版本號(hào):A修改號(hào):1頁(yè)次:1.0審核:批準(zhǔn):發(fā)布日期:第1章習(xí)題一、填空題:1.N型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中摻入極微量的五價(jià)元素構(gòu)成。這種半導(dǎo)體內(nèi)的多數(shù)載流子為自由電子,少數(shù)載流子為空穴,定域的雜質(zhì)離子帶正電。2.雙極型三極管內(nèi)部分有基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)三個(gè)區(qū),發(fā)射結(jié)和集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié),從三個(gè)區(qū)向外引出三個(gè)鋁電極。3.PN結(jié)正向偏置時(shí),內(nèi)、外電場(chǎng)方向相反,電阻很小,多子擴(kuò)散形成較大的正向電流,PN結(jié)導(dǎo)通;PN結(jié)反向偏置時(shí),其內(nèi)、外電場(chǎng)方向相同,電阻很大,少子漂移形成很小的反向電流,PN結(jié)幾乎截止。PN結(jié)的這種特性稱為單向?qū)щ娦浴?.二極管的伏安特性曲線劃分為四個(gè)區(qū),分別是死區(qū)、正向?qū)▍^(qū)、反向截止區(qū)和反向擊穿區(qū)。5.用指針式萬(wàn)用表檢測(cè)二極管極性時(shí),需選用歐姆擋的R×1k檔位,檢測(cè)中若指針偏轉(zhuǎn)較大,可判斷與紅表棒相接觸的電極是二極管的陰極;與黑表棒相接觸的電極是二極管的陽(yáng)極。檢測(cè)二極管好壞時(shí),若兩表棒位置調(diào)換前后萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)都很大,說(shuō)明二極管已經(jīng)被擊穿;兩表棒位置調(diào)換前后萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)都極小時(shí),說(shuō)明該二極管已經(jīng)老化不通。6.BJT中,由于集電極大電流ic受基極小電流ib控制,屬于電流控制型器件;FET中,由于漏極大電流iD受柵源電壓uGs控制,屬于電壓控制型器件。7.溫度升高時(shí),PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng),造成二極管正向電壓減小,反向電壓增大。8.穩(wěn)壓管正常工作時(shí)應(yīng)在反向擊穿區(qū);發(fā)光二極管正常工作時(shí)應(yīng)在正向?qū)▍^(qū);光電二極管正常工作應(yīng)在反向截止區(qū)。9.晶閘管有陽(yáng)極、陰極和門控極三個(gè)電極。10.晶閘管既有單向?qū)щ姷恼髯饔?,又有可以控制?dǎo)通時(shí)間的作用。晶閘管正向?qū)ǖ臈l件是陽(yáng)極加正電壓時(shí),門控極也要有正向觸發(fā)電壓,關(guān)斷的條件是晶閘管反偏或電流小于維持電流。二.判斷下列說(shuō)法的正確與錯(cuò)誤:1.半導(dǎo)體中自由電子是帶負(fù)電的離子,空穴是帶正電的離子。(錯(cuò))2.晶體管和場(chǎng)效應(yīng)管都是由兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電。(錯(cuò))3.用萬(wàn)用表測(cè)試晶體管好壞和極性時(shí),應(yīng)選擇歐姆檔R×10k檔位。(錯(cuò))4.溫度升高后,本征半導(dǎo)體內(nèi)自由電子和空穴數(shù)目都增多,且增量相等。(對(duì))5.無(wú)論在任何情況下,三極管都具有電流放大能力。(錯(cuò))6.PN結(jié)的單向?qū)щ娦灾挥性谕饧与妷簳r(shí)才能體現(xiàn)出來(lái)。(對(duì))7.二極管只要工作在反向擊穿區(qū),一定會(huì)被擊穿而造成永久損壞。(錯(cuò))8.在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可改變成P型半導(dǎo)體。(對(duì))9.場(chǎng)效應(yīng)管若出廠前襯底與源極相連,則漏極和源極就不能互換使用。(對(duì))10.雙極型三極管的集電極和發(fā)射極類型相同,因此可以互換使用。(錯(cuò))11.只要晶閘管門極上加正向觸發(fā)電壓,晶閘管就會(huì)導(dǎo)通。(錯(cuò))12.晶閘管觸發(fā)脈沖與主電路不需要同步。(錯(cuò))三.單項(xiàng)選擇題:1.單極型半導(dǎo)體器件是(C)。A、二極管B、雙極型三極管C、場(chǎng)效應(yīng)管D、穩(wěn)壓管2.P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體中加入微量的(A)元素構(gòu)成的。A、三價(jià)B、四價(jià)C、五價(jià)D、六價(jià)3.特殊二極管中,正常工作時(shí)是在反向擊穿區(qū)的是(A)。A、穩(wěn)壓二極管B、發(fā)光二極管C、光電二極管D、變?nèi)荻O管4.用萬(wàn)用表檢測(cè)某二極管時(shí),發(fā)現(xiàn)其正、反電阻均約等1kΩ,說(shuō)明該二極管(C)。A、已經(jīng)擊穿B、完好狀態(tài)C、內(nèi)部老化不通D、無(wú)法判斷5.PN結(jié)兩端加正向電壓時(shí),其正向電流是(A)而成。A、多子擴(kuò)散B、少子擴(kuò)散C、少子漂移D、多子漂移6.測(cè)得NPN型三極管上各電極對(duì)地電位分別為VE=,VB=,VC=,說(shuō)明此三極管處在(A)。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、反向擊穿區(qū)7.絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電流(C)。A、較大B、較小C、為零D、無(wú)法判斷8.正弦電流經(jīng)過(guò)二極管整流后的波形為(C)。A、矩形方波B、等腰三角波C、正弦半波D、仍為正弦波9.在摻雜半導(dǎo)體中,多子的濃度主要取決于(B);少子的濃度則受(A)的影響很大。A、溫度B、摻雜濃度C、摻雜工藝D、晶體缺陷10.若使三極管具有電流放大能力,必須滿足的外部條件是(B)A、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏B、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏C、發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏D、發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)正偏四.簡(jiǎn)答題:1.N型半導(dǎo)體中的多子是帶負(fù)電的自由電子載流子,P型半導(dǎo)體中的多子是帶正電的空穴載流子,因此說(shuō)N型半導(dǎo)體帶負(fù)電,P型半導(dǎo)體帶正電。上述說(shuō)法對(duì)嗎為什么答:這種說(shuō)法是錯(cuò)誤的。因?yàn)?,晶體在摻入雜質(zhì)后,只是共價(jià)鍵上多出了電子或少了電子,從而獲得了N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體,但整塊晶體中既沒(méi)有失電子也沒(méi)有得電子,所以仍呈電中性。2.某人用測(cè)電位的方法測(cè)出放大電路中晶體管三個(gè)管腳的對(duì)地電位分別為管腳①12V、管腳②3V、管腳③,試判斷管子的類型以及各管腳所屬電極。答:管腳③和管腳②電壓相差,顯然一個(gè)硅管,其中管腳③電位高于管腳,管腳電位最高,符合NPN管的放大電路中集電極電位最高,發(fā)射極電位最低的原則,因此判斷該管是NPN型硅管。其中管腳是基極,管腳是發(fā)射極,管腳①是集電極。3.齊納擊穿和雪崩擊穿能否造成二極管的永久損壞為什么答:齊納擊穿和雪崩擊穿都屬于電擊穿,其過(guò)程可逆,只要控制使其不發(fā)生質(zhì)變引起熱擊穿,一般不會(huì)造成二極管的永久損壞。4.圖所示電路中,已知E=5V,V,二極管為理想元件(即認(rèn)為正向?qū)〞r(shí)電阻R=0,反向阻斷時(shí)電阻R=∞),試畫出uo的波形。圖VDu/Vωt0uiuo105答:分析:根據(jù)電路可知,當(dāng)ui>E時(shí),二極管VD導(dǎo)通,uo=ui,當(dāng)ui圖VDu/Vωt0uiuo1055.半導(dǎo)體二極管由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,三極管則由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成,那么,能否將兩個(gè)二極管背靠背地連接在一起構(gòu)成一個(gè)三極管如不能,說(shuō)說(shuō)為什么答:將兩個(gè)二極管背靠背地連接在一起是不能構(gòu)成一個(gè)三極管的。因?yàn)椋鶕?jù)三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)條件,基區(qū)很薄,只能是幾個(gè)微米,若將兩個(gè)二極管背靠背連接在一起,其基區(qū)太厚,即使是發(fā)射區(qū)能向基區(qū)發(fā)射電子,到基區(qū)后也都會(huì)被基區(qū)中大量的空穴復(fù)合掉,根本不可能有載流子繼續(xù)擴(kuò)散到集電區(qū),所以這樣的“三極管”是不會(huì)有電流放大作用的。6.如果把三極管的集電極和發(fā)射極對(duì)調(diào)使用三極管會(huì)損壞嗎為什么答:集電極和發(fā)射極對(duì)調(diào)使用,三極管不會(huì)損壞,但是其電流放大能力大大降低。因?yàn)榧姌O和發(fā)射極的雜質(zhì)濃度差異很大,且結(jié)面積也不同。7.有A、B、C三個(gè)二極管,測(cè)得它們的反向電流分別是2μA、μA和5μA,在外加相同的電壓時(shí),電流分別是10mA、30mA和15mA。比較而言,哪個(gè)二極管的性能最好答:二極管在外加相同的正向電壓下電流越大,其正向電阻越小;反向電流越小,其單向?qū)щ娦阅茉胶?,所以綜合來(lái)看,B管的性能最好。8.晶閘管與普通二極管、普通三極管的導(dǎo)通和截止的條件有什么不同答:普通二極管正向偏置時(shí)導(dǎo)通,反向偏置時(shí)截止;普通三極管只要發(fā)射結(jié)正向偏置就會(huì)導(dǎo)通,發(fā)射結(jié)反向偏置或正向電壓小于死區(qū)電壓時(shí)均可截止;晶閘管加正向電壓且門極有同步觸發(fā)時(shí)導(dǎo)通,當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受多大電壓,晶閘管都處于阻斷狀態(tài),或者晶閘管在導(dǎo)通情況下,其主回路電壓(或電流)減小到小于維持電流IH時(shí),晶閘管也會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。9.晶閘管可控整流電路中采用何種觸發(fā)方式為什么答:實(shí)際應(yīng)用的晶閘管觸發(fā)電路是可控“觸發(fā)”。只有當(dāng)觸發(fā)脈沖與主電路電壓同步時(shí),在晶閘管承受的正半周電壓范圍內(nèi),門控極才能獲得一個(gè)時(shí)刻相同的正向觸發(fā)脈沖,晶閘管也才可能“觸發(fā)”起到可控導(dǎo)通作用。因此,晶閘管可控整流電路中必須采用同步觸發(fā),否則由于每個(gè)正半周的控制角不同,輸出電壓就會(huì)忽大忽小發(fā)生波動(dòng),從而產(chǎn)生失控現(xiàn)象。五.計(jì)算分析題:1.在圖所示電路中,已知E=5V,V,二極管為理想元件(即認(rèn)為正向?qū)〞r(shí)電阻R=0,反向阻斷時(shí)電阻R=∞),試對(duì)應(yīng)ui畫出各輸出電壓uo的波形。圖VD(a)uiR(b)EuoVDuiREuoVDuiREuo(c)圖VD(a)uiR(b)EuoVDuiREuoVDuiREuo(c)圖(b):當(dāng)ui<E時(shí),VD導(dǎo)通,uo=ui;當(dāng)ui>E時(shí),VD截止,uo=E。圖(c):當(dāng)ui<-E時(shí),VD導(dǎo)通,uo=-E;當(dāng)ui>-E時(shí),VD截止,uo=ui。u/Vu/Vωt0uiuo105(b)圖u/Vωt0uiuo105(a)圖u/u/Vωt0uiuo105(c)圖2.由理想二極管組成的電路如圖所示,試求圖中電壓U及電流I的大小。圖10kΩVD+5V-5V(a)IU圖10kΩVD+5V-5V(a)IU(b)10kΩVD+5V-5VIU(c)10kΩVD+5V-5VIU(d)10kΩVD+5V-5VIU(b)圖中,VD截止,U鉗位在5V,I=0;(c)圖中,VD導(dǎo)通,U鉗位在5V,I=[5-(-5)]/10=1mA;(d)圖中,VD截止,U鉗位在-5V,I=0。3.同理想二極管構(gòu)成的電路如圖所示,求圖中電壓U及電流I的大小?!玼R-USVD+uR圖圖~uR-USVD+uR圖圖1kΩVD1+1V-5V(a)I+3VUVD2U(b)1kΩ+5VIVD1+1V+3VVD2圖(b)中,+5V電源與+1V輸入端之間電位差大首先使VD1導(dǎo)通,U被鉗位在1V,使VD2反偏截止,I=(5-1)/1=4mA.4在圖所示的電路圖中,已知US=5V,V,其中VD為理想二極管,試在輸入波形的基礎(chǔ)上畫出uR和uD的波形圖。u/Vωt0uiuR105uD解:當(dāng)u>US時(shí),VD導(dǎo)通,u/Vωt0uiuR105uD當(dāng)u<US時(shí),VD截止,uR=0,uD=u-US波形圖如右圖所示。5.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓電路如圖所示。已知穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓UZ=6V,最小穩(wěn)定電流IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW,試求電路中的限流電阻R的取值范圍。圖VD圖VDZUIUOR流過(guò)穩(wěn)壓管的電流應(yīng)滿足,又因?yàn)?,可得限流電阻R的取值范圍:測(cè)得某電路中晶體三極管的三個(gè)電極對(duì)地電位分別是:V1=4V,V2=,V3=,判斷該管的類型及三個(gè)電極。如果測(cè)得另一管子的三個(gè)管腳對(duì)地電位分別是V1=-,V2=-8V,V3=-3V,判斷此管的類型及三個(gè)電極。解:對(duì)地電位分別是:V1=4V,V2=,V3=時(shí),比較三個(gè)電極的電位可知管子是NPN型硅管,其中引腳1是基極、引腳2是發(fā)射極,引腳3是集電極。對(duì)地電位分別是:V1=-,V2=-8V,V3=-3V時(shí),比較三個(gè)電極的電位可知管子是PNP型鍺管,其中引腳1是發(fā)射極,引腳2是基極,引腳3是集電極。(c)(c)(a)(b)(f)(d)(e)0V9V-2V7V0V-1V-8V0V--圖IC(mA)UCEIC(mA)UCE(V)54321100μA80μA60μA40μA20μAIB=0圖012345678AωtC8.圖所示三極管的輸出特性曲線,試指出各區(qū)域名稱并根據(jù)所給出的參數(shù)進(jìn)行分析計(jì)算。(1)UCE=3V,IB=60μA,IC=(2)IC=4mA,UCE=4V,IB=(3)UCE=3V,IB由40~60μA時(shí),β=解:A區(qū)是飽和區(qū),B區(qū)是放大區(qū),C區(qū)是截止區(qū)。(1)觀察圖,對(duì)應(yīng)IB=60μA、UCE=3V處,集電極電流IC約為;(2)觀察圖,對(duì)應(yīng)IC=4mA、UCE=4V處,IB約小于80μA和大于70μA;(3)對(duì)應(yīng)ΔIB=20μA、UCE=3V處,ΔIC≈1mA,所以β≈1000/20≈50。9.已知NPN型三極管的輸入—輸出特性曲線如圖所示,當(dāng)(1)UBE=,UCE=6V,IC=(2)IB=5
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