T-CSTM 00316-2022 光電晶體 熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體

ICS71.040.50CCSL90

T/CSTM00316—2022光電晶體熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體Optoelectricsinglecrystals-Lithiumtantalatesinglecrystalsforpyroelectricinfrareddetection2022-11-11發(fā)布 2023-02-11實施中關(guān)村材料試驗技術(shù)聯(lián)盟 發(fā)布T/CSTM00316T/CSTM00316—2022II前 言本文件參照GB/T1.1-2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)的結(jié)構(gòu)和編寫規(guī)則》的規(guī)定起草。請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利。本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任。本文件由中國材料與試驗團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會光電材料及產(chǎn)品領(lǐng)域委員會（CSTM/FC60）提出。本文件由中國材料與試驗團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)委員會光電材料及產(chǎn)品領(lǐng)域委員會（CSTM/FC60）歸口。T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202211光電晶體熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體范圍（以。下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅所注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/T1031產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范（GPS）表面結(jié)構(gòu)輪廓法表面粗糙度參數(shù)及其數(shù)值GB/T3389.1鐵電壓電陶瓷詞匯GB/T11297.8GB/T11297.9 tanδGB/T11297.10TCGB/T11297.11熱釋電材料介電常數(shù)的測試方法JC/T2545高性能紅外探測器用熱釋電單晶NB/SH/T0632比熱容的測定差示掃描量熱法YS/T42-2010鉭酸鋰單晶GB/T3389.1和JC/T2545界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。3.1熱釋電晶體均勻性homogeneityofpyroelectriccrystal用熱釋電系數(shù)p隨晶體不同位置的變化量Δp表示熱釋電晶體的均勻性。標(biāo)記1T/CSTM00316T/CSTM00316—202222圖1 熱釋電紅外探測用鉭酸鋰晶體的產(chǎn)品標(biāo)記標(biāo)記順序說明：—LT表示熱釋電鉭酸鋰晶體；—Z表示晶體切型為Z軸向；—D表示晶體直徑，單位為mm；—T表示晶片厚度，單位為μm；—P表示晶體專用于熱釋電紅外探測領(lǐng)域；標(biāo)記示例：LT-Z-76.2-250-P表示該產(chǎn)品為專用于熱釋電紅外探測領(lǐng)域的Z軸向熱釋電鉭酸鋰晶體，晶體直徑為76.2mm，厚度為250μm。晶體應(yīng)為無色。晶體外表面應(yīng)無明顯的劃痕、崩邊、崩口、肉眼可見的裂紋、色斑或其他外觀缺陷。晶體表面應(yīng)拋光。晶體邊緣倒角。晶體尺寸公差應(yīng)滿足以下要求：—直徑的尺寸公差不超過±0.5mm；—厚度的尺寸公差不超過±10μm。晶體表面粗糙度不超過50nm。晶體切型沿Z軸，晶片和晶面的定向面角度偏差≤10'。單疇化T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202233晶體應(yīng)呈單疇結(jié)構(gòu)，且分布均勻，方向一致。晶體居里溫度為605℃±3℃。晶體的物理性能應(yīng)符合表1的要求，也可根據(jù)供需雙方協(xié)商另行確定。表1 物性能序號項目指標(biāo)要求1熱釋電系數(shù)（p）×10-4C/m2K≥1.52體積比熱容（Cv）×106J/m3K2.5～3.531-1000Hz下相對介電常數(shù)（εr）42～5041-1000Hz下介電損耗角正切（tanδ）≤0.1%5電流響應(yīng)優(yōu)值(Fi)×10-10m/V≥0.56電壓響應(yīng)優(yōu)值(Fv)m2/C≥0.17探測率優(yōu)值(Fd)×10-5Pa-1/2≥4.58均勻性(Δp)≤5%在不低于40W的光源下對晶體的外觀質(zhì)量采用目測檢驗，目測距離不超過0.3m。晶體的直徑采用分度值不大于0.02mm的游標(biāo)、帶表或數(shù)顯卡尺進(jìn)行檢測。晶體的厚度采用分度值不大于0.01mm的千分尺進(jìn)行檢測。（不需要約定量具）晶體的表面粗糙度按GB/T1031（選取標(biāo)準(zhǔn)針對的適用相）的規(guī)定進(jìn)行檢測。晶體的定向面偏差按YS/T42-2010的規(guī)定，采用X射線衍射儀進(jìn)行檢測。T/CSTM00316T/CSTM00316—202244單疇化晶體的單疇化按YS/T42-2010中附錄A的規(guī)定進(jìn)行檢測。晶體的居里溫度按GB/T11297.10的規(guī)定進(jìn)行檢測。晶體的熱釋電系數(shù)按GB/T11297.8的規(guī)定檢驗，在測試溫度為25℃的條件下進(jìn)行檢測。晶體的體積比熱容按NB/SH/T0632的規(guī)定檢驗，在測試溫度為25℃的條件下進(jìn)行檢測。晶體的相對介電常數(shù)按按照GB/T11297.11的規(guī)定檢驗，在測試溫度為25℃，測試頻率為1kHz的條件下進(jìn)行檢測。晶體的介電損耗角正切按照GB/T11297.9的規(guī)定檢驗，在測試溫度為25℃，測試頻率為1kHz的條件下進(jìn)行檢測。晶體的電流響應(yīng)優(yōu)值按JC/T2545的規(guī)定進(jìn)行計算。晶體的電壓響應(yīng)優(yōu)值按JC/T2545的規(guī)定進(jìn)行計算。晶體的探測率優(yōu)值按JC/T2545的規(guī)定進(jìn)行計算。均勻性晶體的均勻性測量方法：分別選定晶體中心位置和4個以上的中心對稱且離中心位置有一定距離的周圍位置進(jìn)行熱釋電系數(shù)測量，所有測量值的相對平均偏差定義為晶體的均勻性。檢驗分為出廠檢驗和型式檢驗，檢驗項目見表2。T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202255表2 檢項目檢驗順序檢驗項目要求條款號試驗方法條款號型式檢驗出廠檢驗1外觀質(zhì)量5.16.1√√2直徑5.26.2√√3厚度5.26.2√√4粗糙度5.36.2√□5定向面偏差5.46.3√□6單疇化5.56.4√□7居里溫度5.66.5√□8熱釋電系數(shù)5.76.6.1√√9體積比熱容5.76.6.2√□10相對介電常數(shù)5.76.6.3√√11介電損耗角正切5.76.6.4√√12電流響應(yīng)優(yōu)值5.76.6.5√□13電壓響應(yīng)優(yōu)值5.76.6.6√□14探測率優(yōu)值5.76.6.7√□15均勻性5.76.6.8√□注：表中“√”表示必檢項目；“□”表示選檢項目。組批每批由同一批原料，在同一條生產(chǎn)線上經(jīng)相同工藝連續(xù)生產(chǎn)的，具有相同規(guī)格尺寸的晶體組成。應(yīng)符合表3的規(guī)定。表3 抽方案批量數(shù)n0/片樣本數(shù)n/片1～10n011～10010＋（n0-10）×20%101～50030＋（n0-100）×10%>50070＋（n0-500）×5%應(yīng)按表3的規(guī)定加倍抽樣重新檢驗，仍有一項或一項以上指標(biāo)未符合規(guī)定要求，則應(yīng)對提交的產(chǎn)品判定為不合格。凡有下列情況之一時，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗：T/CSTM00316T/CSTM00316—202266晶體定型鑒定或產(chǎn)品轉(zhuǎn)廠生產(chǎn)時；正式生產(chǎn)后，如設(shè)備、原材料、工藝有改變，可能影響晶體的質(zhì)量時；停產(chǎn)12個月及以上，恢復(fù)生產(chǎn)時；批量生產(chǎn)時，每隔12個月進(jìn)行一次。按表3的抽樣方案進(jìn)行。每個試樣的各項檢驗項目均符合要求，則判型式檢驗合格；若有一項不符合要求，則判型式檢驗不合格。標(biāo)志包裝箱上的標(biāo)志應(yīng)包括：晶體名稱、型號規(guī)格、數(shù)量、生產(chǎn)企業(yè)名稱、地址。包裝晶體應(yīng)用帶防潮內(nèi)襯的塑料袋包裝。內(nèi)外包裝袋需密封良好，并能對產(chǎn)品提供足夠的抗碰撞、抗擠壓和抗震動保護(hù)。內(nèi)包裝里應(yīng)附有產(chǎn)品合格證，其內(nèi)容包括晶體名稱、批號、生產(chǎn)日期等。包裝