微電子封裝技術(shù)-模擬題2及答案

微電子封裝技術(shù)習(xí)題練習(xí)2及答案-.填空題1、TAE按其結(jié)構(gòu)和形狀分為、、、四種。2、芯片凸點下多層金屬化是指在A1焊區(qū)上形成的多層金屬化系統(tǒng)。3、封裝是氣密性封裝，是非氣密性封裝。4、常用鉛一錫焊絲作為焊料，其含鉛量越高，焊絲的熔點溫度也就越,片式元器TOC\o"1-5"\h\z件最常用的焊接方法是。5、金剛石是一種理想的基板材料，是具有、、、、、、的材料。6、EGA的焊球分布有和兩種方法。7、IC小外形封裝結(jié)構(gòu)的引腳有兩種不同的形式，分別是型和型。二、名詞解脣1、PGA：2、QFP：3、C4技術(shù):4、WB：三、簡答題1、焊球連接缺陷有哪幾種？分別由什么原因引起的？2、2、簡述SMD元器件與通孔元器件相比，有哪些優(yōu)勢？3、EGA封裝的特點有哪些？4、CSP封裝的特點有哪些？5、A1N陶瓷材料具有哪些特點？四、綜合題1、畫出PQFP封裝工藝流程2、根據(jù)器件外形寫出其相應(yīng)対裝類型44、?：：?:::,：:：：：:?丿????????,2222299??????.?.????.????.?.??A?：：?:::,：:：：：:?丿????????,2222299??????.?.????.????.?.??A?.?《??、??.?????AWAMAM"""W貝??3、C4技術(shù)倒裝焊的特點是什么？習(xí)題答案一、填空題標(biāo)準(zhǔn)答案：]、Cu箔單層帶、Cu—PI雙層帶、Cu—粘接劑一PI三層帶和Cu—P[—Cu雙金屬帶。粘附層一一阻擋層一一導(dǎo)電層。金屬和陶瓷、塑料。高、再流焊接。高熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性最好、低的介電常數(shù)、高的熱輻射值、優(yōu)良的鈍化性能、M全陣列、部分陣列。7丄，_Jo二、名稱解釋1、PGA：針柵陣列2、QFP：四邊引腳扁平封裝3、C4技術(shù)：可控塌陷芯片連接4、WB：引線鍵合三、簡答題標(biāo)準(zhǔn)答案：1、（1）橋連；原因：焊料過量，鄰近焊球之間形成橋連。（2）連接不充分；原因：焊料太少，不能在焊球和基板之間形成牢固的連接，導(dǎo)致早期失效。（3）斷開；原因：基板過分翹曲，又沒有足夠的焊料使斷開的空隙連接起來。（4）空洞；原因：沾污及焊膏問題造成空洞。（5）浸潤性差；原因：焊區(qū)或焊球的浸潤性差，造成連接斷開。（6）形成焊料小球；原因：小的焊料球由再流焊接時濺出的焊料形成，是潛在短路缺陷的隱患。（7）誤對準(zhǔn)；原因：焊球重心不在焊區(qū)中心。2、（1）SMD體積小，重量輕，所占基板面積小，因而組裝密度高（2）具有更優(yōu)異的電性能（3）適合自動化生產(chǎn)（4）降低生產(chǎn)成本（5）能提高可靠性（6）更有利于環(huán)境保護3、（1）失效率低（2）焊點節(jié)距短（3）対裝密度高（4）EGA引腳牢固（5）改善了電性能（6）EGA有利于散熱（1）體積?。?）可容納的引腳數(shù)最多（3）電性能良好（4）散熱性能優(yōu)良5、（1）熱導(dǎo)率高（2）熱膨脹系數(shù)與硅接近（3）各種電性能優(yōu)良（4）機械性能好（5）無毒性（6）成本相對較低四、綜合題1、IC芯片粘接、固化一\VE或TAB-裝模具一預(yù)熱塑料一塑料加熱加壓一固化后開模一切筋、打彎、去溢、引線電鍍?老化篩選?測試、分選?打印包裝2、BGAPGAQFPSOTDIPSIPTO3、（1