微電子工藝基礎(chǔ)污染控制和芯片制造基本概述

第3章污染控制、芯片制造基

本工藝概述

2第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述本章（3學(xué)時(shí)）目標(biāo)：1、列出至少三種在芯片廠中盡量減少人員污染的技術(shù)2、掌握晶片的清洗技術(shù)3、重點(diǎn)理解一號(hào)和二號(hào)溶液的使用方法4、鑒別和解釋四種基本的芯片生產(chǎn)工藝十二月223第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述一、芯片制造中的污染源二、潔凈室的建設(shè)三、硅片清洗四、芯片制造基本工藝概述五、工藝良品率十二月224第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物2、污染來源3、空氣的凈化5第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物污染物可歸納為以下四類,分別是：

d細(xì)菌

a微粒

b金屬離子c化學(xué)物質(zhì)6第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物

a微粒由經(jīng)驗(yàn)所得出的法則是微粒的大小要小于器件上最小的特征圖形尺寸的1/10倍。

71、半導(dǎo)體器件的污染物

b金屬離子*

少量的摻雜物可實(shí)現(xiàn)我們希望的效果,但遺憾的是在晶片中出現(xiàn)的極少量的具有電性的污染物也會(huì)改變器件的典型特征，改變它的工作表現(xiàn)和可靠性參數(shù)。

可以引起上述問題的污染物稱為可移動(dòng)離子污染物

（MICs）。它們是在材料中以離子形態(tài)存在的金屬離子。而且，這些金屬離子在半導(dǎo)體材料中具有很強(qiáng)的可移動(dòng)性。鈉是在未經(jīng)處理的化學(xué)品中最常見的可移動(dòng)離子污染物，同時(shí)也是硅中移動(dòng)性最強(qiáng)的物質(zhì)。因此，對(duì)鈉的控制成為硅片生產(chǎn)的首要目標(biāo)。

第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源8

在半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域第三大主要的污染物是不需要的化學(xué)物質(zhì)。工藝過程中所用的化學(xué)品和水可能會(huì)受到對(duì)芯片工藝產(chǎn)生影響的痕量物質(zhì)的污染。它們將導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕，.器件上生成無法除去的化合物，或者引起不均勻的工藝過程。氯就是這樣一種污染物，它在工藝過程中用到的化學(xué)品中的含量受到嚴(yán)格的控制。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物

C化學(xué)品

9

細(xì)菌是第四類的主要污染物。細(xì)菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機(jī)物。細(xì)菌一旦在器件上形成，會(huì)成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望見到的金屬離子。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物

d細(xì)菌10一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物2、污染來源3、空氣的凈化第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源112、污染來源（1）空氣

（2）廠務(wù)設(shè)備

（3）潔凈室工作人員

（4）工藝使用水

（5）工藝化學(xué)溶液

（6）工藝化學(xué)氣體

（7）靜電主要的污染源有：第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源12第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源一、芯片制造中的污染源1、半導(dǎo)體器件的污染物2、污染來源3、空氣的凈化133、空氣的凈化美國(guó)聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E

規(guī)定空氣質(zhì)量由區(qū)域中空氣級(jí)別數(shù)來表示。標(biāo)準(zhǔn)按兩種方法設(shè)定，一是顆粒大小，二是顆粒密度。區(qū)域中空氣級(jí)別數(shù)是指在一立方英尺中所含直徑為0.5微米或更大的顆?？倲?shù)。聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)209E規(guī)定最小潔凈度可到一級(jí)。（1）空氣級(jí)別表示第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源143、空氣的凈化（1）空氣級(jí)別表示第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源

一般城市的空氣中通常包含煙、霧、氣。每立方英尺有多達(dá)五百萬個(gè)顆粒，所以是五百萬級(jí)。153、空氣的凈化（1）空氣級(jí)別表示第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源163、空氣的凈化（1）空氣級(jí)別表示

因?yàn)?09E以0.5微米的顆粒定義潔凈度，而成功的晶圓加工工藝要求更嚴(yán)格的控制，所以工程技術(shù)人員工程師們致力于減少10級(jí)和1級(jí)環(huán)境中0.3微米顆粒的數(shù)量。Semetech/Jessi建議：64兆內(nèi)存加工車間為0.1級(jí)，256兆內(nèi)存為0.01級(jí)。

第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源173、空氣的凈化（1）空氣的凈化方法潔凈工作臺(tái)隧道型設(shè)計(jì)完全潔凈室微局部環(huán)境

第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

一、芯片制造中的污染源

潔凈室的設(shè)計(jì)是要使生產(chǎn)免污染晶圓的能力更完整化。設(shè)計(jì)時(shí)的主要思路是保持加工車間中空氣的潔凈。共有四種不同的潔凈室設(shè)計(jì)方法：18第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述一、芯片制造中的污染源二、潔凈室的建設(shè)三、硅片清洗四、芯片制造概述五、工藝良品率19第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素2、人員產(chǎn)生的污染（**）3、工藝用水（**）4、工藝化學(xué)品5、化學(xué)氣體6、設(shè)備7、潔凈室的物質(zhì)和供給20第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素1.板墊2.更衣區(qū)3空氣壓力4.空氣淋浴器5.維修區(qū)6.雙層門進(jìn)出通道7.靜電控制8.凈鞋器9.手套清洗器（3）九種控制外界污染的技術(shù)（1）凈化空氣方法的選擇是潔凈室設(shè)計(jì)的首要問題。（2）潔凈室的所有建造材料都由不易脫落的材料建造。不銹鋼材料就廣泛地被用于制造工作臺(tái)。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)

251、潔凈室要素第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)26第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素2、人員產(chǎn)生的污染（**）3、工藝用水（**）4、工藝化學(xué)品5、化學(xué)氣體6、設(shè)備7、潔凈室的物質(zhì)和供給272、人員產(chǎn)生的污染（1）潔凈室工作人員是最大的污染源之一。即使一個(gè)經(jīng)過風(fēng)淋的潔凈室操作員，當(dāng)他坐著時(shí)，每分鐘也可釋放十萬到一百萬個(gè)顆粒。見教材圖5.18。（2）人類的呼吸也包含著大量的污染，每次呼氣向空氣中排出大量的水汽和微粒。而一個(gè)吸煙者的呼吸在吸煙后在很長(zhǎng)時(shí)間里仍能帶有上百萬的微粒。（3）而體液，例如含鈉的唾液也是半導(dǎo)體器件的主要?dú)⑹帧＝鉀Q辦法：全封閉、穿衣順序、詳見教材。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述二、潔凈室的建設(shè)28第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素2、人員產(chǎn)生的污染（**）3、工藝用水（**）4、工藝化學(xué)品5、化學(xué)氣體6、設(shè)備7、潔凈室的物質(zhì)和供給293、工藝用水（1）工藝用水的重要性在晶圓制造的整個(gè)過程中，晶圓要經(jīng)過多次的化學(xué)刻蝕與清洗，每步刻蝕與清洗后都要經(jīng)過清水沖刷。在整個(gè)的制造過程中，晶圓總共要在沖洗的系統(tǒng)中待上好幾個(gè)小時(shí)，一個(gè)現(xiàn)代的晶圓制造廠每天要使用多達(dá)幾百萬加侖的水，這樣實(shí)際上產(chǎn)生了一個(gè)投資項(xiàng)目，包括水的加工處理、向各個(gè)加工工藝區(qū)的水的傳輸、廢水的處理與排放。由于半導(dǎo)體器件容易受到污染，所以所有工藝用水，必須經(jīng)過處理，達(dá)到非常嚴(yán)格的潔凈度要求。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)303、工藝用水（2）城市用水中含有的主要污染物①溶解的礦物

②顆粒③細(xì)菌④有機(jī)物⑤溶解的氧氣⑥二氧化碳第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)313、工藝用水（3）工藝用水的獲得①反滲透（RO）和離子交換系統(tǒng)

去除離子（鹽分、礦物）在制造區(qū)域的許多地方都監(jiān)測(cè)工藝用水的電阻，在VLSI制造中，工藝水的目標(biāo)與規(guī)格是18兆歐姆，但其他一些制造廠也使用15兆歐姆的工藝水。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)十二月22323、工藝用水（3）工藝用水的獲得②固態(tài)雜質(zhì)（顆粒）通過沙石過濾器、泥土過濾器與次微米級(jí)薄膜從水中去除。③細(xì)菌和真菌可由消毒器去除。這種消毒器使用紫外線殺菌，并通過水流中的過濾器濾除。④有機(jī)污染物（植物與排泄物）可通過碳類過濾器去除。

⑤溶解的氧氣與二氧化碳可用碳酸去除劑和真空消除毒劑去除。

第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述二、潔凈室的建設(shè)333、工藝用水（3）工藝用水的獲得在系統(tǒng)中存貯的水用氮?dú)飧采w以防止二氧化碳溶于水中，水中的二氧化碳會(huì)干擾電阻值的測(cè)量引起錯(cuò)誤讀數(shù)。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)34第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素2、人員產(chǎn)生的污染（**）3、工藝用水（**）4、工藝化學(xué)品5、化學(xué)氣體6、設(shè)備7、潔凈室的物質(zhì)和供給354、工藝化學(xué)品（液體）（1）工藝化學(xué)品的級(jí)別一般溶劑、化學(xué)試劑、電子級(jí)、半導(dǎo)體級(jí)（3）要求其純度由成分來表示在制造工廠中，用于刻蝕和清洗晶圓和設(shè)備的酸、堿、溶劑必需是最高純度的?；瘜W(xué)品的主要污染是移動(dòng)的金屬離子，通常須限制為百萬分之一（PPM）級(jí)或更低。（2）工藝化學(xué)品的污染涉及的污染物有金屬離子微粒和其它化學(xué)品。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)36第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素2、人員產(chǎn)生的污染（****）3、工藝用水（****）4、工藝化學(xué)品5、化學(xué)氣體6、設(shè)備7、潔凈室的物質(zhì)和供給375、化學(xué)氣體（1）化學(xué)氣體的必要性除了許多濕（液體）化學(xué)品工藝制程，半導(dǎo)體晶圓還要使用許多氣體來加工。這些氣體有從空氣中分離出來的如氧氣、氮?dú)夂蜌錃猓€有特制的氣體如砷烷和四氯化碳。

①純度（使用成分?jǐn)?shù)）②水汽含量（當(dāng)有氧氣和水分存在時(shí)很容易氧化，上限3-5ppm）③微粒④金屬離子第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)（2）氣體質(zhì)量的4項(xiàng)指標(biāo)38第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)1、潔凈室要素2、人員產(chǎn)生的污染（**）3、工藝用水（**）4、工藝化學(xué)品5、化學(xué)氣體6、設(shè)備7、潔凈室的物質(zhì)和供給396、設(shè)備到二十世紀(jì)九十年代為止，設(shè)備引發(fā)的微粒升至所有污染源的75%至90%，但這并不意味機(jī)械設(shè)備變得越來越臟。由于對(duì)空氣、化學(xué)品與生產(chǎn)人員污染的控制越來越先進(jìn)，使得設(shè)備變?yōu)槲廴究刂频慕裹c(diǎn)。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述

二、潔凈室的建設(shè)40第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述一、芯片制造中的污染源二、潔凈室的建設(shè)三、硅片清洗（*****）四、芯片制造基本工藝概述五、工藝良品率41第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗1、概述2、清洗工藝設(shè)計(jì)3、清洗策略4、其它清洗方式5、硅片烘干42第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述1、概述A顆粒B有機(jī)殘余物C無機(jī)殘余物D需要去除的氧化層（2）硅片表面的污染物類型（1）簡(jiǎn)介潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過程中的基本要求，但并不是在每個(gè)高溫下的操作前都必須進(jìn)行。一般說來，全部工藝過程中的高達(dá)20%的步驟為晶片清洗。三、硅片清洗431、概述（3）硅片清洗的前提要求通常來說，一個(gè)晶片清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶片表面全部污染物（上述類型）的同時(shí)，不會(huì)刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗441、概述2、清洗工藝設(shè)計(jì)3、清洗策略4、其它清洗方式5、硅片烘干第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗452、清洗工藝設(shè)計(jì)（1）前線（FEOL）清洗—特指那些形成有源電性部件之前的生產(chǎn)步驟（2）后線（BEOL）清洗關(guān)鍵問題：①表面粗糙度（0.07nm）②硅片表面的電性條件（例如器件表面的金屬離子污染物改變電性特征）③不要破壞柵區(qū)域（柵區(qū)暴露在外，柵氧很薄易受破壞應(yīng)保持柵氧的完整性）除了顆粒問題和金屬離子的問題，通常的問題是陰離子、多晶硅柵的完整性、接觸電阻、過孔的清潔程度等。關(guān)鍵問題：第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗十二月22462、清洗工藝設(shè)計(jì)（3）典型的清洗工藝根據(jù)是否用HF酸結(jié)尾分類：①HF結(jié)尾的②非HF結(jié)尾的

第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗472、清洗工藝設(shè)計(jì)（3）典型的清洗工藝比較：①HF結(jié)尾的

表面憎水性，不容易被烘干而易留水印。但這樣的表面由于氫的表面鈍化作用而異常穩(wěn)定。②非HF結(jié)尾的

表面親水性，可以被烘干而不留任何水印，同時(shí)還會(huì)生成（在清洗過程中形成）一層薄的氧化膜從而對(duì)其產(chǎn)生保護(hù)作用，通常用于氧化前的清洗。③對(duì)于HF結(jié)尾或非HF結(jié)尾的工藝的選擇，取決于晶片表面正在制造的器件的敏感度和通常的對(duì)清潔程度的要求。第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗48（3）典型的清洗工藝典型的非HF酸結(jié)尾的清洗工藝：②通常的化學(xué)清洗（例如硫酸/氫氣/氧氣）③氧化物去除④有機(jī)污染物和金屬的去除（SC-1）

⑤

堿金屬和氫氧化物的去除（SC-2）①顆粒去除（機(jī)械的）⑦硅片烘干

⑥水清洗步驟2、清洗工藝設(shè)計(jì)第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗491、概述2、清洗工藝設(shè)計(jì)3、清洗策略4、其它清洗方式5、硅片烘干第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗503、清洗策略（1）顆粒去除（VanDerWaals力和Capillary引力）①

氮?dú)鈽專ㄗ詈?jiǎn)單的方式）②晶片刷洗器（見圖）③高壓水清洗（去除靜電作用附著的顆粒）第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗51（2）有機(jī)殘余物有機(jī)殘余物是含碳的化合物，例如指紋中的油分。這些殘余物可以在溶劑浸泡池中被去除，例如丙酮或乙醇。①將晶片表面的溶劑完全烘干非常困難，所以如果可能，會(huì)盡量避免用溶劑清洗晶片。使用溶劑的缺點(diǎn)：②另外，溶劑經(jīng)常會(huì)有雜質(zhì)，從而使其本身成為了污染源。3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗52（3）無機(jī)殘余物無機(jī)殘余物是那些不含碳的物質(zhì)。這樣的例子有無機(jī)酸，如鹽酸，氫氟酸。關(guān)于晶片表面有機(jī)物和無機(jī)物的去除，有一系列的清洗方案。3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗53（4）氧化層的去除①硅片很容易氧化②很薄的二氧化硅薄膜足以阻止晶片表面在其它的工藝過程中發(fā)生正常的反應(yīng)。③可成為絕緣體，從而阻擋晶片表面與導(dǎo)電的金屬層之間良好的電性接觸。去除氧化層的必要性：3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗54（4）氧化層的去除①初始階段，當(dāng)晶片表面只有硅時(shí)，將其放入盛有最強(qiáng)的氫氟酸（49%）的池中清洗。氫氟酸將氧化物去除，卻不刻蝕硅片。②在以后的工藝中，用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強(qiáng)度從100:1到10:7（H2O:HF）變化。取決于氧化物的多少，典型的稀釋溶液是1:50到1:100。③一般地，柵氧化前的清洗用稀釋的氫氟酸溶液，并將其作為最后一步化學(xué)品的清洗，這叫做HF結(jié)尾。去除氧化層的方法：HF酸3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗55（5）化學(xué)清洗方案①

熱硫酸

在90~125攝氏度的范圍中，硫酸是非常有效的清洗劑，能去除硅片表面大多數(shù)無機(jī)物和顆粒。②氧化添加劑

通常有過氧化氫、硝酸和臭氧等。用來去除含碳的殘余物，化學(xué)反應(yīng)將碳轉(zhuǎn)化成二氧化碳，后者以氣體的形式離開反應(yīng)池。常見的清洗溶液是：（熱硫酸＋氧化劑）（通常的光刻膠去除劑）3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗56（5）化學(xué)清洗方案用于各個(gè)工藝過程之前，尤其是爐前工藝之前的硅片清洗，也通常用作光刻膠去除劑。例子：（硫酸＋過氧化氫）實(shí)施：①手動(dòng)在盛有常溫的硫酸容器中加入30%（體積）的過氧化氫。放熱反應(yīng)。②自動(dòng)

硫酸被加熱到有效清洗的溫度范圍內(nèi)。在清洗每一批晶片前，再加入少量（50~100毫升）的過氧化氫。3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗57（6）RCA清洗方案誕生于在二十世紀(jì)六十年代中，一名RCA公司的工程師，WarnerKern采用過氧化氫與酸或堿同時(shí)使用的方法，后來證明這種方法非常有效。RCA清洗方案是一種兩步的清洗工藝以去除晶片表面的有機(jī)和無機(jī)殘留物。3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗58（6）RCA清洗方案SC-1去除有機(jī)殘余物，金屬。SC-2去除堿金屬離子，氫氧根。根據(jù)不同的應(yīng)用，SC-1和SC-2前后順序也可顛倒。如果晶片表面不允許有氧化物存在，則需加入氫氟酸清洗這一步。它可以放在SC-1和SC-2之前進(jìn)行，或者在兩者之間，或者在RCA清洗之后。3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗59（7）水沖洗每一步濕法清洗的后面都跟著一點(diǎn)去離子水的沖洗。清水沖洗具有從表面上去除化學(xué)清洗液和終止氧化物的刻蝕反應(yīng)的雙重功效。未來的焦點(diǎn)集聚在提高沖洗效果和減少水的用量上。①溢流式清洗器②噴灑式?jīng)_洗③排放式?jīng)_洗清洗方式：3、清洗策略第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗60第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗1、概述2、清洗工藝設(shè)計(jì)3、清洗策略4、其它清洗方式5、硅片烘干614、其它清洗方式理想的清洗工藝是應(yīng)用那些絕對(duì)安全、易于并比較經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行處理的化學(xué)品，并且在室溫下進(jìn)行。這種工藝并不存在。室溫下化學(xué)反應(yīng)的研究正在進(jìn)行。其中一種是將臭氧與另外兩種濃度的氫氟酸溶液（圖5.27）在室溫下注入盛有超純凈水的清洗池。超聲波作為輔助以提高清洗的有效性。①噴灑清洗②干法清洗（刻蝕液蒸汽）③低溫清洗第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗621、概述2、清洗工藝設(shè)計(jì)3、清洗策略4、其它清洗方式5、硅片烘干第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗635、硅片烘干（參考教材）（1）旋轉(zhuǎn)淋洗烘干機(jī)（2）異丙醇蒸汽烘干法（3）表面張力烘干法第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述三、硅片清洗65第3章污染控制、芯片制造基本工藝概述一、芯片制造中的污染源二、潔凈室的建設(shè)三、硅片清洗四、芯片制造概述五、工藝良品率66第3章污染控制、芯片制造基本工藝四、芯片制造基本工藝概述1、晶圓術(shù)語（*****）2、芯片制造的基礎(chǔ)工藝（****）（1）增層（2）光刻（3）摻雜（4）熱處理672、芯片制造的基礎(chǔ)工藝（****）（1）增層實(shí)現(xiàn)方式分：生長(zhǎng)法淀積法生長(zhǎng)法：例如氧化工藝、氮化硅工藝淀積法：例如CVD、蒸發(fā)工藝、濺射工藝層別熱氧化工藝CVD蒸發(fā)工藝濺射工藝絕緣層二氧化硅二氧化硅氮化硅二氧化硅二氧化硅半導(dǎo)體層外延單晶硅多晶硅導(dǎo)體層鋁鋁/硅合金鋁銅合金鎳鉻鐵合金黃金鎢鈦鉬鋁/硅合金鋁銅合金第3章污染控制、芯片制造基本工藝四、芯片制造基本工藝概述682、芯片制造的基礎(chǔ)工藝（****）（2）光刻光刻是通過一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去的工藝（如圖）。光刻是所有四個(gè)基本工藝中最關(guān)鍵的。正膠法：開孔負(fù)膠法：留島第3章污染控制、芯片制造基本工藝四、芯片制造基本工藝概述692、芯片制造的基礎(chǔ)工藝（****）（3）摻雜它有兩種工藝方法：熱擴(kuò)散（thermaldiffusion）和離子注入（implantation）目的：摻雜工藝的目的是在晶圓表層內(nèi)建立兜形區(qū)（圖4.9）。摻雜是將特定量的雜質(zhì)通過薄膜開口引入晶圓表層的工藝制程定義：第3章污染控制、芯片制造基本工藝四、芯片制造基本工藝概述702、芯片制造的基礎(chǔ)工藝（****）（3）摻雜熱擴(kuò)散：熱擴(kuò)散是在1000攝氏度左右的高溫下發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)態(tài)下的摻雜原子通過擴(kuò)散化學(xué)反應(yīng)遷移到暴露的晶圓表面，形成一層薄膜。在芯片應(yīng)用中，熱擴(kuò)散也被稱為固態(tài)擴(kuò)散，因?yàn)榫A材料是固態(tài)的。熱擴(kuò)散是一個(gè)化學(xué)