化學(xué)選修3復(fù)習(xí)-課件

高中《化學(xué)》新人教版選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì).高中《化學(xué)》新人教版物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì).1第一章知識網(wǎng)絡(luò)能層構(gòu)造表示方法電負(fù)性電離能粒子半徑分區(qū).第一章知識網(wǎng)絡(luò)能層構(gòu)造表示方法電負(fù)性粒子半徑分區(qū).2能層n1234符號KLMN能級sspspdspdf軌道數(shù)1131351357最多容納的電子數(shù)2262610261014281832

2n2

能層、能級、原子軌道之間的關(guān)系：.能層n1234符號KLMN能級sspspdspdf軌道數(shù)13構(gòu)造原理關(guān)鍵點(diǎn)：一定要記住電子排入軌道的順序，這是本章最重要的內(nèi)容。從第四能層開始，該能層的ns與np能級之間插入了(n-1)層的d能級，第六能層開始還插入（n-2）f，其能量關(guān)系是：ns＜(n-2)f＜(n-1)d＜np.構(gòu)造原理關(guān)鍵點(diǎn)：.4幾種表示核外電子排布的式子(1)原子結(jié)構(gòu)示意圖(2)電子式(3)結(jié)構(gòu)式與結(jié)構(gòu)簡式在元素符號周圍用小黑點(diǎn)或“×”來表示最外層電子的式子。用一根短線表示一對共用電子對，其他電子一律省去。.幾種表示核外電子排布的式子(1)原子結(jié)構(gòu)示意圖(2)電子5(4)電子排布式在書寫電子排布式時(shí)，能層低的能級要寫在左邊，不能按填充順序?qū)?。簡化電子排布式?s22s22p63s23p63d64s2Fe：Fe：[Ar]3d64s2該元素前一個(gè)周期的惰性氣體原子的電子排布結(jié)構(gòu)，稱為“原子實(shí)”。.(4)電子排布式在書寫電子排布式時(shí)，能層低的能級要寫在左邊6(5)電子排布圖（軌道表示式）表示方法：用方框表示原子軌道，用箭頭表示電子。N：1s2s2p(6)外圍電子排布式（價(jià)電子排布式）指將過渡元素簡化電子排布式中的原子實(shí)省略剩下的式子或?qū)⒅髯濉?族元素的內(nèi)層電子排布省略后剩下的式子。Br：4s24p5Fe：3d64s2.(5)電子排布圖（軌道表示式）表示方法：用方框表示原子軌道7ⅠA01ⅡAⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA2p區(qū)3s區(qū)ⅢBⅣBⅤBⅥBⅦBⅧⅠBⅡB4d區(qū)ds區(qū)567鑭系f區(qū)錒系元素周期表的分區(qū)簡圖.ⅠA01ⅡAⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA2p區(qū)3s區(qū)ⅢBⅣBⅤBⅥB8

最后1個(gè)電子填充在

軌道上，價(jià)電子的排布是

或

，位于周期表的

側(cè)，包括

和

族，容易失去電子形成

或

價(jià)離子。s區(qū)元素nsns1ns2左ⅠAⅡA+1+2.最后1個(gè)電子填充在軌道上，價(jià)電子的排布是9最后1個(gè)電子填充在

軌道上，價(jià)電子排布是

，位于周期表

側(cè)，包括

族元素。大部分為

元素。p區(qū)元素npns2np1～6右ⅢA～ⅦA、零族非金屬.最后1個(gè)電子填充在軌道上，價(jià)電子排布是10

s區(qū)和p區(qū)的共同特點(diǎn)是：最后1個(gè)電子都排布在

，除零族外，最外層電子的總數(shù)等于該元素的

。除零族外，s區(qū)和p區(qū)的元素都是

。最外層族序數(shù)主族元素.s區(qū)和p區(qū)的共同特點(diǎn)是：最后1個(gè)電子都排布在11它們的價(jià)層電子排布是

，最后1個(gè)電子基本都是填充在

軌道上，位于長周期的中部。這些元素都是

，常有可變化合價(jià)，為過渡元素。它包括

族元素。d區(qū)元素(n－1)d1～8ns2(n－1)d

金屬ⅢB～Ⅷ.它們的價(jià)層電子排布是，最后1個(gè)電12

價(jià)層電子排布是

，即次外層d軌道是

的，最外層軌道上有1～2個(gè)電子。它們既不同于s區(qū)，也不同于d區(qū)，稱為ds區(qū)，它包括

族，處于周期表d區(qū)和p區(qū)之間。它們都是

，也屬過渡元素。

ds區(qū)元素(n－1)d10ns1～2充滿ⅠB和ⅡB金屬.價(jià)層電子排布是，即次外層d軌道13電子層數(shù)：相同條件下，電子層數(shù)越多，半徑越大。核電荷數(shù):相同條件下，核電荷數(shù)越多，半徑越小。核外電子數(shù):核電荷數(shù)相同條件下，核外電子數(shù)越多，半徑越大。1、同周期元素的原子半徑隨核電荷數(shù)的增大而減?。ㄏ∮袣怏w除外）如：Na>Mg>Al>Si>P>S>Cl.2、同主族元素的原子半徑隨核電荷數(shù)的增大而增大。如：Li<Na<K<Rb<Cs3、同主族元素的離子半徑隨核電荷數(shù)的增大而增大。如：F--<Cl--<Br--<I--4、電子層結(jié)構(gòu)相同的離子半徑隨核電荷數(shù)的增大而減小。如：F->Na+>Mg2+>Al3+5、同一元素不同價(jià)態(tài)的微粒半徑，價(jià)態(tài)越高離子半徑越小。如Fe>Fe2+>Fe3+微粒半徑的比較判斷的依據(jù)具體規(guī)律.電子層數(shù)：相同條件下，電子層數(shù)越多，半徑越大。核電荷數(shù):相14第一電離能的變化規(guī)律：1）同周期：2）同主族：a.從左到右遞增趨勢最小的是第一種元素（氫和堿金屬），最大的是稀有氣體元素；b.第ⅡA元素＞ⅢA的元素；第ⅤA元素＞ⅥA元素ⅡA是全充滿的電子構(gòu)型

、ⅤA是半充滿的電子構(gòu)型。自上而下依次減小。.第一電離能的變化規(guī)律：1）同周期：2）同主族：a.從左到右遞15同一周期，主族元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大。表明吸引電子的能力逐漸增強(qiáng)（非金屬性，氧化性增強(qiáng)）。同一主族，從上到下呈現(xiàn)減小的趨勢。表明吸引電子的能力逐漸減弱（金屬性、還原性增強(qiáng)）。電負(fù)性的規(guī)律電負(fù)性的意義：1）電負(fù)性的大小可以判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱2）在化合物中，可以根據(jù)電負(fù)性的差值大小，估計(jì)化學(xué)鍵的類型。3）判斷元素的化合價(jià)的正、負(fù)。.同一周期，主族元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大。電負(fù)性的規(guī)律電負(fù)16金屬性強(qiáng)弱非金屬性強(qiáng)弱①與水反應(yīng)置換氫的難易②最高價(jià)氧化物的水化物堿性強(qiáng)弱③單質(zhì)的還原性或離子的氧化性（電解中在陰極上得電子的先后）④互相置換反應(yīng)⑤原電池反應(yīng)中正負(fù)極①與H2化合的難易及氫化物的穩(wěn)定性②最高價(jià)氧化物的水化物酸性強(qiáng)弱③單質(zhì)的氧化性或離子的還原性④互相置換反應(yīng)判斷依據(jù)元素的金屬性與非金屬性.金屬性強(qiáng)弱非金屬性強(qiáng)弱①與水反應(yīng)置換氫的難易①與H2化合的17第二章知識網(wǎng)絡(luò)雜化.第二章知識網(wǎng)絡(luò)雜化.18第二章知識網(wǎng)絡(luò)等電子體分子極性.第二章知識網(wǎng)絡(luò)等電子體分子極性.19幾種分子或離子的立體構(gòu)型.幾種分子或離子的立體構(gòu)型.20常見雜化軌道類型與分子構(gòu)型規(guī)律雜化軌道類型參加雜化的原子軌道分子構(gòu)型示例sp一個(gè)s軌道，一個(gè)p軌道直線形CO2、BeCl2、HgCl2

sp2

一個(gè)s軌道，二個(gè)p軌道平面三角形BF3、BCl3、CH2Osp3

一個(gè)s軌道，三個(gè)p軌道正四面體CH4、CCl4、NH4+

具體情況不同NH3(三角錐形)、H2S、H2O(V形).常見雜化軌道類型與分子構(gòu)型規(guī)律參加雜化的原子軌道分子構(gòu)型21鍵的極性和分子極性的關(guān)系：

.鍵的極性和分子極性的關(guān)系：.22二原子10電子三原子16電子三原子18電子四原子8電子四原子24電子五原子8電子五原子32電子常見的等電子體：N2COC22-CN－CO2N2OCS2AlO2-BeCl2SO2O3NO2-NH3H3O+SO3NO3-CO32-BF3SiO32-CH4NH4+SiF4CCl4SO42-PO43-.二原子10電子三原子16電子三原子18電子四原子8電子四原子23第三章知識網(wǎng)絡(luò).第三章知識網(wǎng)絡(luò).24第三章知識網(wǎng)絡(luò).第三章知識網(wǎng)絡(luò).25離子晶體典型晶胞影響配位數(shù)的因素NaCl型CsCl型ZnS型CaF2型幾何因素電荷因素鍵性因素.離子晶體典型晶胞影響配位數(shù)的因素NaCl型CsCl型ZnS型261.晶體的分類及性質(zhì)晶體類型粒子粒子間作用力陰、陽離子共價(jià)鍵分子原子金屬陽離子與自由電子離子鍵分子間作用力金屬鍵（還可能有共價(jià)鍵）（分子內(nèi)可能存在共價(jià)鍵）熔、沸點(diǎn)及硬度較高很高很低差異較大離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體.1.晶體的分類及性質(zhì)晶體類型粒子粒子間陰、陽離子共價(jià)27晶體類型溶解性克服力導(dǎo)電情況延展性1.晶體的分類及性質(zhì)大多數(shù)易溶于水等極性溶劑難溶于常見溶劑相似相溶難溶于常見溶劑晶體不導(dǎo)電熔融導(dǎo)電能溶于水的其水溶液能導(dǎo)電離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體

不導(dǎo)電（硅、鍺是半導(dǎo)體）

晶體不導(dǎo)電熔融不導(dǎo)電溶于水能電離的其水溶液能導(dǎo)電良導(dǎo)體良導(dǎo)體-----無無無良好熔溶共價(jià)鍵

----離子鍵分子間作用力金屬鍵----（離子鍵可能有共價(jià)鍵）（分子間作用力還可能有共價(jià)鍵）.晶體類型溶解性克服力導(dǎo)電情況延展性1.晶體的分類及性質(zhì)大多數(shù)281）若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體（金屬晶體熔點(diǎn)差別很大）。2）若晶體類型相同，則有：⑴離子晶體離子半徑越小，離子電荷數(shù)越高，晶格能越大，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。⑵原子晶體結(jié)構(gòu)相似，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵長越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。⑶分子晶體分子間作用力（包括范德華力和氫鍵）越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。⑷金屬晶體離子半徑越小，離子電荷數(shù)越高，金屬鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。（合金的熔點(diǎn)比它的各成分金屬的熔點(diǎn)低。）2.晶體熔沸點(diǎn)高低的判斷

.1）若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體293.一些常見晶體結(jié)構(gòu)：.3.一些常見晶體結(jié)構(gòu)：.30堆積方式晶胞類型空間利用率配位數(shù)實(shí)例面心立方最密堆積簡單立方堆積體心立方堆積六方最密堆積面心立方平行六面體體心立方簡單立方74%74%68%52％121286Cu、Ag、AuMg、Zn、Ti堿金屬、FePo4.堆積方式及性質(zhì).堆積方式晶胞類型空間利用率配位數(shù)實(shí)例面心立方最密堆積簡單立方315.各類型離子晶體晶胞的比較晶體類型晶胞類型晶胞結(jié)構(gòu)示意圖配位數(shù)C.N.距離最近且相等的相同離子每個(gè)晶胞含有離子數(shù)NaCl型ABCsCl型ZnS型AB2CaF2型Na+：6Cl-：6Cs+：Cl-：88Zn2+：S2-：44Ca2+：F-：48Na+：Cl-：Cs+：Cl-：Na+：Cl-：Cs+：Cl-：Zn2+：S2-：Ca2+：F-：12126644114484--------------.5.各類型離子晶體晶胞的比較晶體類型晶胞類型晶胞結(jié)構(gòu)示意圖配321..1..33..34練習(xí)題1.請判斷下列物質(zhì)的晶體類型：GeBr4（熔點(diǎn)為26.3C)_______C3N4(硬度比金剛石大)_______P4、S8、C60_______汞（Hg水銀）_______碘化鈉、醋酸鈉_______分子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體離子晶體.練習(xí)題1.請判斷下列物質(zhì)的晶體類型：分子晶體原子晶體分子352、分析下列物質(zhì)的物理性質(zhì)，判斷其晶體類型：A、碳化鋁，黃色晶體，熔點(diǎn)2200℃，熔融態(tài)不導(dǎo)電；________________B、溴化鋁，無色晶體，熔點(diǎn)98℃，熔融態(tài)不導(dǎo)電；________________C、五氟化釩，無色晶體，熔點(diǎn)19.5℃，易溶于乙醇、氯仿、丙酮中；_______________D、物質(zhì)A，無色晶體，熔融時(shí)或溶于水中都能導(dǎo)電_____________原子晶體分子晶體離子晶體分子晶體.2、分析下列物質(zhì)的物理性質(zhì)，判斷其晶體類型：原子晶體分子晶體36課本P64第47題.課本P64第47題.37二氧化碳晶胞示意圖.二氧化碳晶胞示意圖.38高中《化學(xué)》新人教版選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì).高中《化學(xué)》新人教版物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì).39第一章知識網(wǎng)絡(luò)能層構(gòu)造表示方法電負(fù)性電離能粒子半徑分區(qū).第一章知識網(wǎng)絡(luò)能層構(gòu)造表示方法電負(fù)性粒子半徑分區(qū).40能層n1234符號KLMN能級sspspdspdf軌道數(shù)1131351357最多容納的電子數(shù)2262610261014281832

2n2

能層、能級、原子軌道之間的關(guān)系：.能層n1234符號KLMN能級sspspdspdf軌道數(shù)141構(gòu)造原理關(guān)鍵點(diǎn)：一定要記住電子排入軌道的順序，這是本章最重要的內(nèi)容。從第四能層開始，該能層的ns與np能級之間插入了(n-1)層的d能級，第六能層開始還插入（n-2）f，其能量關(guān)系是：ns＜(n-2)f＜(n-1)d＜np.構(gòu)造原理關(guān)鍵點(diǎn)：.42幾種表示核外電子排布的式子(1)原子結(jié)構(gòu)示意圖(2)電子式(3)結(jié)構(gòu)式與結(jié)構(gòu)簡式在元素符號周圍用小黑點(diǎn)或“×”來表示最外層電子的式子。用一根短線表示一對共用電子對，其他電子一律省去。.幾種表示核外電子排布的式子(1)原子結(jié)構(gòu)示意圖(2)電子43(4)電子排布式在書寫電子排布式時(shí)，能層低的能級要寫在左邊，不能按填充順序?qū)?。簡化電子排布式?s22s22p63s23p63d64s2Fe：Fe：[Ar]3d64s2該元素前一個(gè)周期的惰性氣體原子的電子排布結(jié)構(gòu)，稱為“原子實(shí)”。.(4)電子排布式在書寫電子排布式時(shí)，能層低的能級要寫在左邊44(5)電子排布圖（軌道表示式）表示方法：用方框表示原子軌道，用箭頭表示電子。N：1s2s2p(6)外圍電子排布式（價(jià)電子排布式）指將過渡元素簡化電子排布式中的原子實(shí)省略剩下的式子或?qū)⒅髯濉?族元素的內(nèi)層電子排布省略后剩下的式子。Br：4s24p5Fe：3d64s2.(5)電子排布圖（軌道表示式）表示方法：用方框表示原子軌道45ⅠA01ⅡAⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA2p區(qū)3s區(qū)ⅢBⅣBⅤBⅥBⅦBⅧⅠBⅡB4d區(qū)ds區(qū)567鑭系f區(qū)錒系元素周期表的分區(qū)簡圖.ⅠA01ⅡAⅢAⅣAⅤAⅥAⅦA2p區(qū)3s區(qū)ⅢBⅣBⅤBⅥB46

最后1個(gè)電子填充在

軌道上，價(jià)電子的排布是

或

，位于周期表的

側(cè)，包括

和

族，容易失去電子形成

或

價(jià)離子。s區(qū)元素nsns1ns2左ⅠAⅡA+1+2.最后1個(gè)電子填充在軌道上，價(jià)電子的排布是47最后1個(gè)電子填充在

軌道上，價(jià)電子排布是

，位于周期表

側(cè)，包括

族元素。大部分為

元素。p區(qū)元素npns2np1～6右ⅢA～ⅦA、零族非金屬.最后1個(gè)電子填充在軌道上，價(jià)電子排布是48

s區(qū)和p區(qū)的共同特點(diǎn)是：最后1個(gè)電子都排布在

，除零族外，最外層電子的總數(shù)等于該元素的

。除零族外，s區(qū)和p區(qū)的元素都是

。最外層族序數(shù)主族元素.s區(qū)和p區(qū)的共同特點(diǎn)是：最后1個(gè)電子都排布在49它們的價(jià)層電子排布是

，最后1個(gè)電子基本都是填充在

軌道上，位于長周期的中部。這些元素都是

，常有可變化合價(jià)，為過渡元素。它包括

族元素。d區(qū)元素(n－1)d1～8ns2(n－1)d

金屬ⅢB～Ⅷ.它們的價(jià)層電子排布是，最后1個(gè)電50

價(jià)層電子排布是

，即次外層d軌道是

的，最外層軌道上有1～2個(gè)電子。它們既不同于s區(qū)，也不同于d區(qū)，稱為ds區(qū)，它包括

族，處于周期表d區(qū)和p區(qū)之間。它們都是

，也屬過渡元素。

ds區(qū)元素(n－1)d10ns1～2充滿ⅠB和ⅡB金屬.價(jià)層電子排布是，即次外層d軌道51電子層數(shù)：相同條件下，電子層數(shù)越多，半徑越大。核電荷數(shù):相同條件下，核電荷數(shù)越多，半徑越小。核外電子數(shù):核電荷數(shù)相同條件下，核外電子數(shù)越多，半徑越大。1、同周期元素的原子半徑隨核電荷數(shù)的增大而減?。ㄏ∮袣怏w除外）如：Na>Mg>Al>Si>P>S>Cl.2、同主族元素的原子半徑隨核電荷數(shù)的增大而增大。如：Li<Na<K<Rb<Cs3、同主族元素的離子半徑隨核電荷數(shù)的增大而增大。如：F--<Cl--<Br--<I--4、電子層結(jié)構(gòu)相同的離子半徑隨核電荷數(shù)的增大而減小。如：F->Na+>Mg2+>Al3+5、同一元素不同價(jià)態(tài)的微粒半徑，價(jià)態(tài)越高離子半徑越小。如Fe>Fe2+>Fe3+微粒半徑的比較判斷的依據(jù)具體規(guī)律.電子層數(shù)：相同條件下，電子層數(shù)越多，半徑越大。核電荷數(shù):相52第一電離能的變化規(guī)律：1）同周期：2）同主族：a.從左到右遞增趨勢最小的是第一種元素（氫和堿金屬），最大的是稀有氣體元素；b.第ⅡA元素＞ⅢA的元素；第ⅤA元素＞ⅥA元素ⅡA是全充滿的電子構(gòu)型

、ⅤA是半充滿的電子構(gòu)型。自上而下依次減小。.第一電離能的變化規(guī)律：1）同周期：2）同主族：a.從左到右遞53同一周期，主族元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大。表明吸引電子的能力逐漸增強(qiáng)（非金屬性，氧化性增強(qiáng)）。同一主族，從上到下呈現(xiàn)減小的趨勢。表明吸引電子的能力逐漸減弱（金屬性、還原性增強(qiáng)）。電負(fù)性的規(guī)律電負(fù)性的意義：1）電負(fù)性的大小可以判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱2）在化合物中，可以根據(jù)電負(fù)性的差值大小，估計(jì)化學(xué)鍵的類型。3）判斷元素的化合價(jià)的正、負(fù)。.同一周期，主族元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大。電負(fù)性的規(guī)律電負(fù)54金屬性強(qiáng)弱非金屬性強(qiáng)弱①與水反應(yīng)置換氫的難易②最高價(jià)氧化物的水化物堿性強(qiáng)弱③單質(zhì)的還原性或離子的氧化性（電解中在陰極上得電子的先后）④互相置換反應(yīng)⑤原電池反應(yīng)中正負(fù)極①與H2化合的難易及氫化物的穩(wěn)定性②最高價(jià)氧化物的水化物酸性強(qiáng)弱③單質(zhì)的氧化性或離子的還原性④互相置換反應(yīng)判斷依據(jù)元素的金屬性與非金屬性.金屬性強(qiáng)弱非金屬性強(qiáng)弱①與水反應(yīng)置換氫的難易①與H2化合的55第二章知識網(wǎng)絡(luò)雜化.第二章知識網(wǎng)絡(luò)雜化.56第二章知識網(wǎng)絡(luò)等電子體分子極性.第二章知識網(wǎng)絡(luò)等電子體分子極性.57幾種分子或離子的立體構(gòu)型.幾種分子或離子的立體構(gòu)型.58常見雜化軌道類型與分子構(gòu)型規(guī)律雜化軌道類型參加雜化的原子軌道分子構(gòu)型示例sp一個(gè)s軌道，一個(gè)p軌道直線形CO2、BeCl2、HgCl2

sp2

一個(gè)s軌道，二個(gè)p軌道平面三角形BF3、BCl3、CH2Osp3

一個(gè)s軌道，三個(gè)p軌道正四面體CH4、CCl4、NH4+

具體情況不同NH3(三角錐形)、H2S、H2O(V形).常見雜化軌道類型與分子構(gòu)型規(guī)律參加雜化的原子軌道分子構(gòu)型59鍵的極性和分子極性的關(guān)系：

.鍵的極性和分子極性的關(guān)系：.60二原子10電子三原子16電子三原子18電子四原子8電子四原子24電子五原子8電子五原子32電子常見的等電子體：N2COC22-CN－CO2N2OCS2AlO2-BeCl2SO2O3NO2-NH3H3O+SO3NO3-CO32-BF3SiO32-CH4NH4+SiF4CCl4SO42-PO43-.二原子10電子三原子16電子三原子18電子四原子8電子四原子61第三章知識網(wǎng)絡(luò).第三章知識網(wǎng)絡(luò).62第三章知識網(wǎng)絡(luò).第三章知識網(wǎng)絡(luò).63離子晶體典型晶胞影響配位數(shù)的因素NaCl型CsCl型ZnS型CaF2型幾何因素電荷因素鍵性因素.離子晶體典型晶胞影響配位數(shù)的因素NaCl型CsCl型ZnS型641.晶體的分類及性質(zhì)晶體類型粒子粒子間作用力陰、陽離子共價(jià)鍵分子原子金屬陽離子與自由電子離子鍵分子間作用力金屬鍵（還可能有共價(jià)鍵）（分子內(nèi)可能存在共價(jià)鍵）熔、沸點(diǎn)及硬度較高很高很低差異較大離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體.1.晶體的分類及性質(zhì)晶體類型粒子粒子間陰、陽離子共價(jià)65晶體類型溶解性克服力導(dǎo)電情況延展性1.晶體的分類及性質(zhì)大多數(shù)易溶于水等極性溶劑難溶于常見溶劑相似相溶難溶于常見溶劑晶體不導(dǎo)電熔融導(dǎo)電能溶于水的其水溶液能導(dǎo)電離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體

不導(dǎo)電（硅、鍺是半導(dǎo)體）

晶體不導(dǎo)電熔融不導(dǎo)電溶于水能電離的其水溶液能導(dǎo)電良導(dǎo)體良導(dǎo)體-----無無無良好熔溶共價(jià)鍵

----離子鍵分子間作用力金屬鍵----（離子鍵可能有共價(jià)鍵）（分子間作用力還可能有共價(jià)鍵）.晶體類型溶解性克服力導(dǎo)電情況延展性1.晶體的分類及性質(zhì)大多數(shù)661）若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體＞離子晶體＞分子晶體（金屬晶體熔點(diǎn)差別很大）。2）若晶體類型相同，則有：⑴離子晶體離子半徑越小，離子電荷數(shù)越高，晶格能越大，離子鍵越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。⑵原子晶體結(jié)構(gòu)相似，原子半徑越小，共價(jià)鍵鍵長越短，鍵能越大，熔點(diǎn)越高。⑶分子晶體分子間作用力（包括范德華力和氫鍵）越強(qiáng)，熔點(diǎn)越高。⑷金屬晶體離子半徑越小，離子電荷數(shù)越高，金屬鍵就越強(qiáng)，熔點(diǎn)就越高。（合金的熔點(diǎn)比它的各成分金屬的熔點(diǎn)低。）2.晶體熔沸點(diǎn)高低的判斷

.1）若晶體類型不同，一般情況下