集成電路制造工藝員（三級）考試真題及答案三

集成電路制造工藝員(三級)考試真題及答案三1、單選(江南博哥)早期，研究離子注入技術(shù)是用()來進行的。A.重離子加速器B.熱擴散爐C.質(zhì)子分析儀D.輕離子分析器答案：A2、單選()主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來進行薄膜沉積的。A.PVDB.CVDC濺射D.蒸發(fā)答案：B3、單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()oA.5~10nmB.20~30nmC.50~80nmD.100~200nm答案：B4、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()oA增大B減小C.不變D.變?yōu)?答案：B5^單選dryvacuumpump的意思是()。A.擴散泵B.誰循環(huán)泵C.干式真空泵D.路茲泵答案：C6、單選我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先失效，水呈()性。A.酸B堿C弱酸D溺堿答案：A7、單選當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。開始飽和的注入劑量稱為()。A.臨界劑量B.飽和劑量C.無損傷劑量D.零點劑量答案：A8、單選如果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為()oA.單晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D9、單選檢驗水中是否有鹽酸，可用()溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。A.氧化銅B.硝酸鎂C.硝酸銀D.氯化銅答案：C10、多選直流二極管輝光放電系統(tǒng)是由()構(gòu)成。A.抽真空的玻璃管B.抽真空后再充入某種低壓氣體的玻璃管C.兩個電極D.加速器E.增益管答案：B,C11、單選ESD產(chǎn)生()種不同的靜電總類。A.1B.4C.3D.2答案：D12、單選局域網(wǎng)中使用中繼器的作用是()oA.可以實現(xiàn)兩個以上同類網(wǎng)絡(luò)的聯(lián)接B.可以實現(xiàn)異種網(wǎng)絡(luò)的互連C.實現(xiàn)信號的收集、緩沖及格式的變換D.實現(xiàn)傳遞信號的放大和整形答案：D13、單選()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C14、單選光刻工藝中，脫水烘焙的最初溫度是()oA.150-200℃B.200C左右C.250C左右D.300C左右答案：A15、單選干氧氧化中，氧化爐內(nèi)的氣體壓力應(yīng)()一個大氣壓。A.稍高于B.大大于C.等于D.沒有要求答案：A16、單選靜電偏轉(zhuǎn)電極和靜電掃描器都是()電容器。A片狀B.針尖狀C.圓筒狀D.平行板答案：D17、單選在實際工作中，常常需要知道離子注入層內(nèi)損傷量按()的分布情況。A.長度B.深度C.寬度D.表面平整度答案：B18、多選擴散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴散，改變了晶片(),所以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布B.表面的雜質(zhì)分布C.整個晶體的雜質(zhì)分布D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型E.表面的導(dǎo)電類型答案：A,E19、單選()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,C1+,0+等離子。A.C12B.BC13C.C02D.H2答案：B20、單選射程在垂直入射方向的平面內(nèi)的投影長度稱之為()oA.投影射程B.射程縱向分量C.射程橫向分量D.有效射程答案：C21、單選擴散爐中的管道一般都是用()制作。A.陶瓷B.玻璃C石英D.金屬答案：C22、單選在空位擴散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴散屬于()oA.推擠擴散B.雜質(zhì)擴散C.填隙擴散D.自擴散答案：D23、單選()就是用功率密度很高的激光束照射半導(dǎo)體表面，使其中離子注入層在極短的時間內(nèi)達到高溫，消除損傷。A.熱退火B(yǎng).激光退火C.連續(xù)激光退火D.脈沖激光退火答案：B24、單選由于水中陰陽離子都有導(dǎo)電能力，所以水的()越高，水中離子數(shù)就越少。A.電阻率B.電導(dǎo)率C.電阻D.電導(dǎo)答案：A25、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()oA.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C26、單選半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是()oA錫B硫C硼D.磷答案：C27、單選樹脂的外形為()的球狀顆粒。A.淡黃色或褐色B.黑色或棕色C.淡紅色或褐色D.淡藍色或棕色答案：A28、單選以下屬于口腔醫(yī)務(wù)人員個人保護措施的是()A.手套B,口罩C.防護鏡D.保護性工作服E.以上均是答案：E29、單選有機性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝()oA.離子注入B.刻蝕C.擴散D.光刻答案：D30、單選濺鍍法，因為其階梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的()oA.鳥嘴B.空洞C.裂痕D.位錯答案：B31、多選凈化室里廢氣收集管系統(tǒng)分為兩類，分別是()oA.一般排氣系統(tǒng)B.特殊排氣系統(tǒng)C.制程排氣系統(tǒng)D.專用排氣系統(tǒng)E.排氣排水系統(tǒng)答案：A,C32、單選在確定擴散率的實驗中，擴散層電阻的測量可以用()測量。A.SIMS技術(shù)B.擴展電阻技術(shù)C.微分電導(dǎo)率技術(shù)D.四探針技術(shù)答案：D33、多選下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()oA,硅土B石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案：B,C,E34、多選二氧化硅薄膜厚度的測量方法有()oA上匕色法B.雙光干涉法C.橢圓偏振光法D.腐蝕法E.電容-電壓法答案:A,B,C,D,E35、單選銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進行，而必須施以()OA.等離子體刻蝕B.反應(yīng)離子刻蝕C.濕法刻蝕D.濺射刻蝕答案：D36＞單選分析器是一種()分選器。A.電子B.中子C.離子D.質(zhì)子答案：C37、單選危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是()oA.2族金屬B.堿金屬C.合金金屬D.稀有金屬答案：B38、多選二氧化硅層中的鈉離子可能來源于()oA.玻璃器皿B.高溫器材C.人體沾污D.化學(xué)試劑E.去離子水答案：A,B,C,D,E39、單選一般分析擴散系數(shù)，考慮兩種條件，即恒定表面濃度條件和()oA.恒定總摻雜劑量B.不恒定總摻雜劑量C.恒定雜志濃度D.不恒定雜志濃度答案：A40、單選請在下列選項中選出硅化金屬的英文簡稱：()oA.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：C41、多選去正膠常用的溶劑有()A.丙酮B.氫氧化鈉溶液C.丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳氫化合物答案:A,B,C,D42、單選在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF4的()內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。A.氣體B.等離子體C.固體D.液體答案：B43、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是()OA.鈉B.鉀C.氫D硼答案：A44、單選用電容一電壓技術(shù)來測量擴散剖面分布是用了()的原理。A.pn結(jié)理論B.歐姆定律C.庫侖定律D.四探針技術(shù)答案：A45、單選在熱擴散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950?1100C的條件下，擴散時間大約()為宜。A.4?6hB.50min~2hC.10?40minD.5~10min答案：C46、單選由于離子交換樹脂反應(yīng)，它既可以去除水中雜質(zhì)離子，又可以將失效樹脂進行處理，恢復(fù)交換能力，所以稱為()反應(yīng)。A.置換B化學(xué)C.不可逆D.可逆答案：D47、單選真空蒸發(fā)又被人們稱為()oA.真空沉積B.真空鍍膜C.真空外延D.真空答案：B48、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關(guān)。A.能量淀積B.動量淀積C.能量振蕩D.動量振蕩答案：A49、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()oA.加強工藝操作B.加強人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備D.采用HC1氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡答案：A,B,C,D,E50、單選引出系統(tǒng)要求能引出分散性較好的強束流，還希望具有較()的氣阻。A.無序B.穩(wěn)定C.小D次答案：D51、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說法正確的是()oA.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)C.烘烤的溫度一般在300℃左右D.烘烤的時間越長越好答案：B52、單選真空鍍膜室內(nèi)，在蒸發(fā)源加熱器與襯底加熱器之間裝有活動擋板，用來()。A.隔擋氣體交換B.控制蒸發(fā)的過程C.輔助熱量交換D.溫度調(diào)節(jié)答案：B53、多選哪種方法可以增加缺陷的積累率而降低臨界注入量：()oA.低溫注入B.常溫注入C.高溫注入D.分子注入E.雙注入答案：A,D,E54、多選超大規(guī)模集成電路需要光刻工藝具備的要求有()oA.高分辨率B.高靈敏度C.精密的套刻對準D.大尺寸E.低缺陷答案：A,B,C,D,E55、單選在靶片前方設(shè)一抑制柵，作用是將()抑制回去，從而保證測量的準確性。A.二次電子B.二次中子C.二次質(zhì)子D.無序離子答案：A56、單選請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：()oA.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：D57、多選下列擴散雜質(zhì)源中，()不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是錯常用的施主雜質(zhì)。A硼B(yǎng)錫C.睇D.磷E.碑答案：C,D58、單選采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是()的。A.結(jié)晶形態(tài)B.非結(jié)晶形態(tài)C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的D.以上都不對答案：B59、單選在VLSI工藝中，常用的前烘方法是()oA.熱空氣對流法B.真空熱平板傳導(dǎo)法C.紅外線輻射法D.射頻感應(yīng)加熱法答案：B60、單選在熱擴散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴散溫度為()oA.600?750℃B.900-1050℃C.1100—1250℃D.950~1100℃答案：B61、多選對于非晶靶，離子注入的射程分布取決于()oA.入射離子的能量B.入射離子的質(zhì)量C.入射離子的原子序數(shù)D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度E.注入離子的總劑量答案：A,B,C,D,E62、多壺者賣光刻膠的顯影下列說法錯誤的是()oA.負膠受顯影液的影響比較小B.正膠受顯影液的影響比較小C.正膠的曝光區(qū)將會膨脹變形D.使用負膠可以得到更高的分辨率E.負膠的曝光區(qū)將會膨脹變形答案：A,C,D63、單選擴散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作()oA.晶振B.電容C.電感D.PN結(jié)答案：D64、單選下列哪些因素不會影響到顯影效果的是()oA.顯影液的溫度B.顯影液的濃度C.顯影液的溶解度D.顯影液的化學(xué)成分答案：C65、單選()是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。A.蒸鍍B,濺射C.離子注入D.CVD答案：A66、單選()是因為吸附原子在晶片表面上彼此碰撞并結(jié)合所形成的。A.晶核B.晶粒C核心D.核團答案：A67、多選關(guān)于正膠和負膠在顯影時的特點，下列說法正確的是()oA.負膠的感光區(qū)域溶解B.正膠的感光區(qū)域溶解C.負膠的感光區(qū)域不溶解D.正膠的感光區(qū)域不溶解E.負膠的非感光區(qū)域溶解答案：B,C,E68、單選當二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間()oA.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C69、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個要素組成，即經(jīng)營范圍、資源配置、競爭優(yōu)勢以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達到()oA.分力之和大于簡單相加的結(jié)果B.分力之和等于簡單相加C.共享開發(fā)工具、共享信息D.共同分擔(dān)著開發(fā)失敗的風(fēng)險答案：A70、多選靜電釋放帶來的問題有哪些()oA.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)生超過1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆?；驑O化并吸引中性顆粒到硅片表面答案：C,D,E71、單選半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是()oA錫B.硫C硼D.磷答案：D72、單選二氧化硅薄膜的折射率是表征其()學(xué)性質(zhì)的重要參數(shù)。A.電B.磁C.光D.熱答案：C73、單選在刻蝕()過程中假如我們在CF5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。A.銅B.鋁C.金D.二氧化硅答案：D74、單選晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢能為()OA.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動能答案：B75、單選用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的()。A.重要步驟B.次要步驟C.首要步驟D.不一定答案：C76、單選目前，最廣泛使用的退火方式是()oA.熱退火B(yǎng).激光退火C.電子束退火D.離子束退火答案：A77、單選菲克一維擴散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)()oA.傳輸率B.載流子濃度C.擴散梯度D.擴散系數(shù)答案：A78、單選當注入劑量增加到某個值時，損傷量不再增加，趨于飽和。飽和正是對應(yīng)連續(xù)()的形成。A.非晶層B.單晶層C.多晶層D.超晶層答案：A79、多選離子注入的主要氣體源中，易燃、易爆的有()oA.碑化氫B.二硼化氫C.三氟化硼D碓烷E.氧氣答案：A,B,D80、單選電子束蒸發(fā)的設(shè)備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為()oA.電子源B.電子泵C.電子管D.電子槍答案：D81、多選電氣測量儀表若按照電流的種類來分，有()。A.低壓儀表B.高壓儀表C.直流儀表D.交流儀表E.交直流儀表答案：C,D,E82、多選下列有關(guān)ARC工藝的說法正確的是()oA.ARC可以是硅的氮化物B.可用干法刻蝕除去C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成答案：A,B,C,D,E83、單選為了避免()在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕,必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。A.多晶硅B.單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C84、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別裝在兩個()內(nèi)串接起來。A.交換柱B.混合床C.混合柱D.復(fù)合柱答案：A85、單選將具有交換能力的陽樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀或有機玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水()通過交換柱就能稱為高純度去離子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A86、單選激光退火目前有()激光退火兩種。A.一般和特殊B.脈沖和連續(xù)C.高溫和低溫D.快速和慢速答案：B87、多選在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在()oA.MOS柵極B.保護性元件C.電容器極板D.制造只讀存儲器PROME.晶圓背面電鍍答案：B,D88、單選硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過()到達晶片表面的。A.粒子的擴散B.化學(xué)反應(yīng)C.從氣體源通過強迫性的對流傳送D.被表面吸附答案：A89、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()oA.硝酸B.硝酸銅C硫酸D.磺酸答案：A90、單選在將清洗完的硅片放進擴散爐擴散時，需要將硅片先裝入()，然后再裝入擴散爐。A.耐熱陶瓷器皿B.金屬器皿C.石英舟D.玻璃器皿答案：C91、多選在對層間絕緣膜進行CMP時，層間絕緣膜的表面會隨下列那些因素產(chǎn)生變化()OA.電路圖形結(jié)構(gòu)的凹凸B,尺寸大小C.位置分布D.高度E.密集程度答案：A,B,C,D,E92、單選化合物半導(dǎo)體碎化錢常用的施主雜質(zhì)是()oA錫B.硼C.磷D.缽答案：A93、單選()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C94、單選()由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動擋板和底盤構(gòu)成。A.真空鍍膜機B.真空鍍膜室C.真空鍍膜器D.真空鍍膜儀答案：B95、單選大硅片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。A,薄膜厚度B.圖形寬度C.圖形長度D.圖形間隔答案：A96、單選離子從進入靶起到停止點所通過的總路程稱作()oA.離子距離B.靶厚C.射程D.注入深度答案：C97、單選在深紫外曝光中，需要使用CA光刻膠，CA的含義是()oA.化學(xué)增強B.化學(xué)減弱C.厚度增加D.厚度減少答案：A98、多選為了滿足半導(dǎo)體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足()OA.低電阻率B.易與p或n型硅形成歐姆接觸C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)D.易于光刻E.便于進行鍵合答案：A,B,D,E99、單選離子源產(chǎn)生的離子在()的加速電場作用下得到加速。A.分析器B.掃描器C.加速器D.偏轉(zhuǎn)器答案：C100、多選在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則A.使薄膜的介電常數(shù)變大B.可能引入雜質(zhì)C.可能使薄膜層間短路D.使薄膜介電常數(shù)變小E,可能使薄膜厚度增加答案：B,C51、、單或()是指每個入射離子濺射出的靶原子數(shù)。A.濺射率B.濺射系數(shù)C.濺射效率D.濺射比答案：A52、單選在半導(dǎo)體器件制造中，對清洗用水的純度有比較高的要求，要用經(jīng)過純化的()作為清潔用水。A.蒸儲水B啟來水C.去離子水D.礦泉水答案：C53、多選解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有()oA.加強工藝操作B.加強人體和環(huán)境衛(wèi)生C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備D.采用HC1氧化工藝E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無水跡答案:A,B,C,D,E54、單選晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢能為()。A.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動能答案：B55、多選關(guān)于正膠和負膠在顯影時的特點，下列說法正確的是()oA.負膠的感光區(qū)域溶解B.正膠的感光區(qū)域溶解C.負膠的感光區(qū)域不溶解D.正膠的感光區(qū)域不溶解E.負膠的非感光區(qū)域溶解答案：B,C,E56、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是()雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B57、單選在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()oA.電子振蕩放電B.離子自動放電C.低電壓弧光放電D.雙等離子電弧放電答案：A58、單選在酸性漿料中，最常使用的氧化劑為()oA,硝酸B.硝酸銅C硫酸D.磺酸答案：A59、單選下列哪些元素在硅中是快擴散元素：()oA.NaB.BC.PD.As答案：A60、單選我們可以從測量去離子水的酸度來判別陰陽樹脂誰先失效，陰樹脂先失效，水呈()性。A.酸B堿C弱酸D搦堿答案：A61、單選企業(yè)的戰(zhàn)略一般由四個要素組成，即經(jīng)營范圍、資源配置、競爭優(yōu)勢以及協(xié)同合作，其中協(xié)同合作是指企業(yè)通過共同的努力達到()oA.分力之和大于簡單相加的結(jié)果B.分力之和等于簡單相加C.共享開發(fā)工具、共享信息D.共同分擔(dān)著開發(fā)失敗的風(fēng)險答案：A62、單選陽樹脂用鹽酸做再生液，濃度為()溶液可用原水配制。A.5%B.10%C.15%D.20%答案：B63、單選離子散射方向與入射方向的夾角，稱為()oA.漸近角B.偏折角C.散射角D.入射角答案：C64、多選下列有關(guān)ARC工藝的說法正確的是()oA.ARC可以是硅的氮化物B.可用干法刻蝕除去C.ARC膜可以通過PVD或者CVD的方法形成D.ARC在刻蝕中也可做為掩蔽層E.ARC膜也可以通過CVD的方法形成答案：A,B,C,D,E65、單選降低靶的溫度，有利于非晶層的形成，所以臨界注入量隨之()oA.增大B.減小C不變D.變?yōu)?答案：B66、多選下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有()oA.CF4B.BC13C.C12D.F2E.CHF3答案：B,C67、單選奉獻社會的實質(zhì)是()oA.獲得社會的好評B.盡社會義務(wù)C.不要回報的付出D.為人民服務(wù)答案：C68、單選在新一代的CMP中，有使用()磨料在金屬表面上形成軟質(zhì)皮膜并加以去除的趨勢。A.二氧化鎰B.鋁C.氧化鋁D.金剛石答案：A69、多選薄膜沉積的機構(gòu)包括那些步驟()0A.形成晶核B.晶粒成長C.晶粒凝結(jié)D.縫道填補E.沉積膜成長答案：A,B,C,D,E70、多選沾污是指半導(dǎo)體制造過程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片()的不希望有的物質(zhì)。A.功能B.成品率C.物理性能D.電學(xué)性能E.外觀答案：B,D71、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于()度，使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C72、單選通常熱擴散分為兩個大步驟，其中第一個步驟是()oA.再分布B.等表面濃度擴散C.預(yù)淀積D.等總摻雜劑量擴散答案：C73、單選早期，研究離子注入技術(shù)是用()來進行的。A.重離子加速器B.熱擴散爐C.質(zhì)子分析儀D.輕離子分析器答案：A74、單項選擇題硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過()到達晶片表面的。A.粒子的擴散B.化學(xué)反應(yīng)C.從氣體源通過強迫性的對流傳送D.被表面吸附答案：A75、單選將具有交換能力的陽樹脂和陰樹脂按一定比例混合后，裝在聚氯乙稀或有機玻璃做的圓柱形交換柱內(nèi)，自來水()通過交換柱就能稱為高純度去離子水。A.自上而下B.自下而上C.自左而右D.自右而左答案：A76、單選擴散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作()oA.晶振B.電容C.電感D.PN結(jié)答案：D77、單選買來的新樹脂往往是Na型或C1型，新樹脂使用前必須分別用酸(陽樹脂)，堿(陰樹脂)浸泡約()個小時，把Na型或C1型轉(zhuǎn)換成H型或0H型。A.3B.4C.5D.6答案：B78、單選()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C79、多選對于非晶靶，離子注入的射程分布取決于()oA.入射離子的能量B.入射離子的質(zhì)量C.入射離子的原子序數(shù)D.靶原子的質(zhì)量、原子序數(shù)、原子密度E.注入離子的總劑量答案：A,B,C,D,E80、單選離子注入裝置的主要部件有()、分析器、加速聚焦系統(tǒng)等。A.中子源B.離子源C.電子源D.質(zhì)子源答案：B81、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別裝在兩個()內(nèi)串接起來。A.交換柱B,混合床C.混合柱D.復(fù)合柱答案：A82、單選銅互連金屬多層布線中，磨料的粒徑一般為()oA.5~10nmB.20~30nmC.50~80nmD.100~200nm答案：B83、單選物理氣相沉積簡稱()oA.LVDB.PEDC.CVDD.PVD答案：D84、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是()oA.涂膠、前烘、曝光、堅膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅膜、曝光、顯影、去膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅膜、顯影、去膠答案：C85、單選請在下列選項中選出多晶硅化金屬的英文簡稱：()oA.OxideB.NitrideC.SilicideD.Polycide答案：D86、單選菲克一維擴散定律公式中的J是代表單位面積溶質(zhì)()oA.傳輸率B.載流子濃度C.擴散梯度D.擴散系數(shù)答案：A87、單選固體中的擴散模型主要有填隙機制和()oA.自擴散機制B.雜質(zhì)擴散機制C.空位機制D.菲克擴散方程機制答案：C88、單選TCP/IP協(xié)議中的TCP相當于OSI中的()。A.應(yīng)用層B.網(wǎng)絡(luò)層C.物理層D.傳輸層答案：D89、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對()的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.單晶硅D.多晶硅答案：A90、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關(guān)。A.能量淀積B.動量淀積C.能量振蕩D.動量振蕩答案：A91、單選()的氣體源中一般包含H+,C+,B+,C1+,0+等離子。A.C12B.BC13C.C02D.H2答案：B92、單選濺鍍法，因為其階梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的()oA.鳥嘴B.空洞C.裂痕D.位錯答案：B93、多選二氧化硅膜的質(zhì)量要求有()oA.薄膜表面無斑點B.薄膜中的帶電離子含量符合要求C.薄膜表面無針孔D.薄膜的厚度達到規(guī)定指標E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密答案：A,B,C,D,E94、單選由于離子交換樹脂反應(yīng)，它既可以去除水中雜質(zhì)離子，又可以將失效樹脂進行處理，恢復(fù)交換能力，所以稱為()反應(yīng)。A.置換B.化學(xué)C.不可逆D.可逆答案：D95、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為()oA.懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質(zhì)答案：D96、單選半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是()oA,錫B硫C硼D.磷答案：C97、單選刻蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被()覆蓋及保護的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C98、單選半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是()oA錫B.硫C硼D.磷答案：D99、單選我們可以通過簡單的結(jié)深測量和()測量來獲得擴散層的重要信息。A.橫向電阻B.平均電阻率C.薄層電阻D.擴展電阻答案：C100、單選對于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用()方法引入到硅片中。A.離子注入B.濺射C.淀積D.擴散答案：D集成電路制造工藝員(三級)測試題1、單選在熱擴散工藝中的預(yù)淀積步驟中，磷的擴散溫度為OOA.600?750℃B.900?1050℃C.1100—1250℃D.950?1100C答案：B2、多選在半導(dǎo)體工藝中，淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有()oA.均勻性B.表面平整度C.自由應(yīng)力D.純凈度E.電容答案:A,B,C,D,E3、多選樹脂使用過程中需保持一定溫度，陽樹脂和陰樹脂分別不能高于()度，使用溫度不能過低，低于0度會使樹脂凍裂。A.80B.60C.40D.20E.10答案：A,C4、單選在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有()oA.電子振蕩放電B.離子自動放電C.低電壓弧光放電D.雙等離子電弧放電答案：A5、藝選下列擴散雜質(zhì)源中，()不僅是硅常用的施主雜質(zhì)，也是錯常用的施主雜質(zhì)。A硼B(yǎng).錫C錦D.磷E.碑答案：C,D6、單選用高能粒子從某種物質(zhì)的表面撞擊出原子的物理過程叫()oA.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C7、單選濺鍍法，因為其階梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的()。A.鳥嘴B.空洞C.裂痕D.位錯答案：B8、單選激光退火目前有()激光退火兩種。A.一般和特殊B.脈沖和連續(xù)C.rWj溫和低溫D.快速和慢速答案：B9、單選大硅片上生長的()的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。A,薄膜厚度B.圖形寬度C.圖形長度D.圖形間隔答案：A10、單選為了保證保護裝置能可靠地動作，27.5A的接地電流只能保證斷開動作電流不超過多少的繼電保護裝置。()A.18.3AB.13.8AC.11AD.9.2A答案：A11、單選下列幾種氧化方法相比，哪種方法制得的二氧化硅薄膜的電阻率會高些()。A.干氧氧化B,濕氧氧化C.水汽氧化D.與氧化方法無關(guān)答案：A12、多選離子注入的主要氣體源中，易燃、易爆的有()oA.碑化氫B.二硼化氫C.三氟化硼D碓烷E.氧氣答案：A,B,D13、單選()方法是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)中用來沉積不同金屬的應(yīng)用最為廣泛的技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C14、單選多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對()的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時對柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。A.二氧化硅B.氮化硅C.單晶硅D.多晶硅答案：A15、多選電氣測量儀表若按照電流的種類來分，有()oA.低壓儀表B.高壓儀表C.直流儀表D.交流儀表E.交直流儀表答案：C,D,E16、單或加果固體中的原子排列情況是紊亂的，就稱之為()=A.單晶靶B.超晶靶C.多晶靶D.非晶靶答案：D17、多選為了滿足半導(dǎo)體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應(yīng)該滿足()OA.低電阻率B,易與p或n型硅形成歐姆接觸C.可與硅或二氧化硅反應(yīng)D.易于光刻E.便于進行鍵合答案：A,B,D,E18、單選陽樹脂用鹽酸做再生液，濃度為()溶液可用原水配制。A.5%B.10%C.15%D.20%答案：B19、單選目前，最廣泛使用的退火方式是()oA.熱退火B(yǎng).激光退火C.電子束退火D.離子束退火答案：A20、單選在空位擴散中，如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子，擴散稱為()oA.填隙擴散B.雜質(zhì)擴散C.推擠擴散D.自擴散答案：B21、單選離子源腔體中的氣體放電形成()而引出正離子的。A.等離子體B.不等離子體C.正離子體D.液電流答案：A22、多選靜電釋放帶來的問題有哪些()oA.金屬電遷移B.金屬尖刺現(xiàn)象C.芯片產(chǎn)生超過1A的峰值電流D.柵氧化層擊穿E.吸引帶電顆粒或極化并吸引中性顆粒到硅片表面答案：C,D,E23、單選dryvacuumpump的意思是()。A.擴散泵B.誰循環(huán)泵C.干式真空泵D.路茲泵答案：C24、單選下列關(guān)于曝光后烘烤的說法正確的是()oA.烘烤的目的是除去光刻膠中的水分B.烘烤可以減輕曝光中的駐波效應(yīng)C.烘烤的溫度一般在300℃左右D.烘烤的時間越長越好答案：B25、單選離子源的作用是使所需要的雜質(zhì)原子電離成()離子，并通過一個引出系統(tǒng)形成離子束。A.正B.負C中性D.以上答案都可以答案：A26、多選關(guān)于正膠和負膠在顯影時的特點，下列說法正確的是()oA.負膠的感光區(qū)域溶解B.正膠的感光區(qū)域溶解C.負膠的感光區(qū)域不溶解D.正膠的感光區(qū)域不溶解E.負膠的非感光區(qū)域溶解答案：B,C,E27、單選在深紫外曝光中，需要使用()光刻膠。A.DQNB.CAC.ARCD.PMMA答案：A28、單選通常選熔斷器熔斷電流為電路額定電流的()oA.1?1.8倍B.1,3?1.8倍C.1.3?2.1倍D.1.5?2.3倍答案：C29、單選在生產(chǎn)過程中必須使用()來完成淺溝槽隔離STI。A.單晶硅刻蝕B.多晶硅刻蝕C.二氧化硅刻蝕D.氮化硅刻蝕答案：A30、單選靜電釋放的英文簡述為()oA.ESCB.SEDC.ESDD.SEM答案：C31＞單選分析器是一種()分選器。A.電子B.中子C.離子D.質(zhì)子答案：C32、單選復(fù)合床和混合床可以串聯(lián)使用。復(fù)合床就是指將陽樹脂和陰樹脂分別裝在兩個()內(nèi)串接起來。A.交換柱B.混合床C.混合柱D.復(fù)合柱答案：A33、單選在磁分析器中常用()分析磁鐵。A柱形B.扇形C.方形D.圓形答案：B34、單選懸浮在空氣中的顆粒稱為()oA,懸浮物B.塵埃C.污染顆粒D.浮質(zhì)答案：D35、多選涂膠之前，要保證晶片的質(zhì)量以及涂膠工序的順利進行，下列操作正確的是()OA.進行去水烘烤以保證晶片干燥B.在晶片表面涂上增粘劑以保證晶片黏附性好C.剛剛處理好的晶片應(yīng)立即涂膠D.貯存的晶片在涂膠前必須再次清洗及干燥E.也可以直接使用貯存的晶片答案：A,B,C,D36、單選檢驗水中是否有鹽酸，可用()溶液滴入水中，如果出現(xiàn)白色沉淀，就表示水中有鹽酸。A.氧化銅B.硝酸鎂C.硝酸銀D.氯化銅答案：C37、單選通常熱擴散分為兩個大步驟，其中第一個步驟是()oA.再分布B.等表面濃度擴散C.預(yù)淀積D.等總摻雜劑量擴散答案：C38、單選用電容一電壓技術(shù)來測量擴散剖面分布是用了()的原理。A.pn結(jié)理論B.歐姆定律C.庫侖定律D.四探針技術(shù)答案：A39、單選由靜電釋放產(chǎn)生的電流泄放最大電壓可以達()oA.幾伏B.幾十伏C.幾百伏D.幾萬伏答案：D40、單選電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是()和中性粒子組成的集合體。A.離子B.原子團C.電子D.帶電粒子答案：D41、多選下列物質(zhì)中是結(jié)晶形態(tài)二氧化硅的有()oA,硅土B.石英C.磷石英D.玻璃E.水晶答案:B,C,E42、單選物理氣相沉積簡稱()oA.LVDB.PEDC.CVDD.PVD答案：D43、單選鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是()雜質(zhì)。A.替位式B.間隙式C施主D.可能是替位式也可能是間隙式答案：B44、單選由于干法刻蝕中是同時對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進行刻蝕的，所以其()就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進行刻蝕的濕法還來得差。A.刻蝕速率B.選擇性C.各向同性D.各向異性答案：B45、單選光刻的主要工藝流程按照操作順序是()oA.涂膠、前烘、曝光、堅膜、顯影、去膠B.涂膠、前烘、堅膜、曝光、顯影、去膠C.涂膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、去膠D.前烘、涂膠、曝光、堅膜、顯影、去膠答案：C46、多選二氧化硅層中的鈉離子可能來源于()oA.玻璃器皿B.高溫器材C.人體沾污D.化學(xué)試劑E.去離子水答案：A,B,C,D,E47、單選下列哪些因素不會影響到顯影效果的是()oA.顯影液的溫度B.顯影液的濃度C.顯影液的溶解度D.顯影液的化學(xué)成分答案：C48、單選有機性氣體大多產(chǎn)生在下列哪道工藝()oA.離子注入B.刻蝕C.擴散D.光刻答案：D49、單選()是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。A.蒸鍍B.濺射C.離子注入D.CVD答案：A50、單選在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF4的()內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。A.氣體B.等離子體C.固體D.液體答案：B51、單選當二氧化硅膜很薄時，膜厚與時間()。A.t2成正比B.t2成反比C.t成正比D.t成反比答案：C52、單選()是與氣體輝光放電現(xiàn)象密切想關(guān)的一種薄膜淀積技術(shù)。A.蒸鍍B.離子注入C.濺射D.沉積答案：C53、單選決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團，以便于進行凝結(jié)的主要因素主宰于所形成的核團是否()而定。A.動能最低B.穩(wěn)定C.運動D.靜止答案：B54、單選不可以對SiO2進行干法刻蝕所使用的氣體是()oA.CHF3B.C2F6C.C3F8D.HF答案:D55、單選硅-二氧化硅系統(tǒng)中含有的最主要而對器件穩(wěn)定性影響最大的離子是()OA.鈉B.鉀C.氫D.硼答案：A56、單選為了避免()在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。A.多晶硅B.單晶硅C.鋁硅銅合金D.銅答案：C57、單選刻蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被()覆蓋及保護的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。A.二氧化硅B.氮化硅C.光刻膠D.去離子水答案：C58、單選硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過()到達晶片表面的。A.粒子的擴散B.化學(xué)反應(yīng)C.從氣體源通過強迫性的對流傳送D.被表面吸附答案：A59、多選擴散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴散，改變了晶片()，所以晶片才能被人們所使用。A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布B.表面的雜質(zhì)分布C.整個晶體的雜質(zhì)分布D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型E.表面的導(dǎo)電類型答案：A,E60、單選當熱氧化的最初階段，()為限制反應(yīng)速率的主要原因。A.溫度B.硅-二氧化硅界面處的化學(xué)反應(yīng)C.氧的擴散速率D.壓力答案：B61、多選去正膠常用的溶劑有()A.丙酮B.氫氧化鈉溶液C.丁酮D.甲乙酮E.熱的氯化碳氫化合物答案：A,B,C,D62、多選干氧氧化法具備以下一系列的優(yōu)點()。A.生長的二氧化硅薄膜均勻性好B.生長的二氧化硅干燥C.生長的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密D.生長的二氧化硅是很理想的鈍化膜E.生長的二氧化硅掩蔽能力強答案：A,B,C,D,E63、單選沾污引起的電學(xué)缺陷引起(),硅片上的管芯報廢以及很高的芯片制造成本。A.不會影響成品率B.晶圓缺陷C.成品率損失D.晶圓損失答案：C64、多選凈化室將硅片制造設(shè)備與外部環(huán)境隔離，免受諸如()的沾污。A.顆粒B.金屬C.有機分子D.靜電釋放(ESD)E.水答案：A,B,C,D65、單選在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是()。A.刻蝕B.氧化C.淀積D.光刻答案：D66、單選()是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。A.刻蝕速率B.刻蝕深度C.移除速率D.刻蝕時間答案：A67、單選為了解決中性束對注入均勻性的影響，可在系統(tǒng)中設(shè)有()，使離子束偏轉(zhuǎn)后再達到靶室。A.磁分析器B.正交電磁場分析器C.靜電偏轉(zhuǎn)電極D.束流分析儀答案：C68、多選下列有關(guān)曝光系統(tǒng)的說法正確的是()oA.投影式同接觸式相比，掩模版的利用率比較高B.接觸式的分辨率優(yōu)于接近式C.接近式的分辨率受到衍射的影響D.投影式曝光系統(tǒng)中不會產(chǎn)生衍射現(xiàn)象E.投影式曝光是目前采用的主要曝光系統(tǒng)答案:A,B,C,E69、單選買來的新樹脂往往是Na型或Cl型，新樹脂使用前必須分別用酸(陽樹脂)，堿(陰樹脂)浸泡約()個小時，把Na型或C1型轉(zhuǎn)換成H型或0H型。A.3B.4C.5D.6答案：B70、單選樹脂的外形為()的球狀顆粒。A,淡黃色或褐色B.黑色或棕色C.淡紅色或褐色D.淡藍色或棕色答案：A71、單選晶體中，每個原子在晶格中有一定的平衡位置，原子在此位置時其勢能為()OA.極大值B.極小值C.既不極大也不極小D.小于動能答案：B72、單選損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的()的分布密切相關(guān)。A.能量淀積B.動量淀積C.能量振蕩D.動量振蕩答案：A73、單選在刻蝕()過程中假如我們在CF5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。A.銅B鋁C.金D.二氧化硅答案：D74、單選下列哪些元素在硅中是快擴散元素：()oA.NaB.BC.PD.As答案：A75、多選在半導(dǎo)體工藝中，如果淀積的薄膜不是連續(xù)的，存在一些空隙，則()OA,使薄膜的介電常數(shù)變大B.可能引入雜質(zhì)C.可能使薄膜層間短路D.使薄膜介電常數(shù)