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文檔簡介
一、公司規(guī)章制度和概況一、公司規(guī)章制度和概況11公司規(guī)章制度
公司規(guī)章制度包括:用工制度、薪酬、工作制度、加班、請假、法定節(jié)假、病假、事假、婚喪假和產假、探親假、干休假、社會保險及福利、撫恤金、獎勵、紀律處分、礦工、遲到和早退、工作鑒定、守則、員工證、安全防護用品、更衣室、員工出入工廠規(guī)定、參觀工廠規(guī)定、自行車和摩托車停放規(guī)定、衛(wèi)生制度、員工業(yè)余學習和脫產學習規(guī)定、門衛(wèi)制度、電腦、傳真機和復印機等設備的使用規(guī)定、電話使用規(guī)定、使用車輛的有關規(guī)定、南玻公司單身宿舍管理規(guī)定、安全措施等。詳細條款及其解釋請參見中國南玻集團股份有限公司員工手冊。1公司規(guī)章制度2
2南玻集團精細玻璃事業(yè)部
總經理副總經理總助總助開發(fā)部
加工部
質管辦
品質部
成膜二部
拋光部
成膜一部
辦公室
財務部
市場部
工程技術部
ITO生產線
右切割線
左切割線
拋光線
經營部
ITO生產線
拋光線
2南玻集團精細玻璃事業(yè)部
總經33深圳偉光導電膜有限公司深圳南方超薄浮法玻璃有限公司導電玻璃廠
從92年開始,南玻集團透過其下屬公司先后引進了日本和德國的大型磁控濺射鍍膜生產線,生產液晶顯示器用的透明導電膜玻璃。投資伊始,一批在真空鍍膜領域有多年從業(yè)經驗的專業(yè)人員,開始了又一輪向更高技術和更高質量的不懈追求。秉承南玻集團一貫的經營理念,對生產設備、生產環(huán)境和產品及服務質量的嚴謹控制和精益求精度,使得南玻集團的透明導電膜玻璃自投產以來,廣獲佳譽,深受用戶信賴,同時生產規(guī)模不斷擴大。98年產量將逾100萬平方米,已成為東南業(yè)地區(qū)最大的透明導電膜玻璃供應商之一。3深圳偉光導電膜有限公司4產品類型ITO導電玻璃的主要特點是透明度高、膜層導電性好、熱穩(wěn)定性、圖形加工性。
TN型ITO玻璃:
基片厚度:0.4mm,0.55mm,0.7mm,1.1mm.ITO厚度:12nm,15nm,20nm,25nm,30nm,35nm,40nm,45nm,50nm,70nm,125nm,150nm,200nm.STN型ITO玻璃:
基片厚度:0.4mm,0.55mm,0.7mm,1.1mm.ITO厚度:12nm,15nm,20nm,25nm,30nm,35nm,40nm,45nm,50nm,70nm,125nm,150nm,200nm.
觸膜屏ITO玻璃:
ITO膜厚12nm,基片厚度1.1-2mm.掃描儀玻璃:
3mm厚產品類型54應用領域和上、下游產業(yè)4應用領域和上、下游產業(yè)6在顯示器領域,據預測,下一世紀平板顯示器的市場將超過傳統的陰極射線管,進入所謂的平板顯示時代。目前,日常生活中所接觸到的平板顯示器件應用主要有各種電子產品上的液晶顯示器、筆記本電腦、可視電話、數碼相機、壁掛電視等。這些種類繁多的平板顯示器件的制造所需要的基本材料之中,透明導電玻璃是最主要的材料。目前,公司產品主要應用于TN型、STN型液晶顯示器件的透明電極和觸摸屏的導電層。觸摸屏從技術原理上可分五類:電阻技術觸摸屏、電容技術觸摸屏、表面聲波技術觸摸屏、紅外線掃描技術觸摸屏、矢量壓力傳感技術觸摸屏。我們的觸摸屏客戶主要生產四線電阻和五線電阻觸摸屏。上游材料超薄浮法玻璃主要從板硝子、皮爾金頓、旭硝子、格拉威寶、中央硝子等廠商購買;ITO靶材選用LH-ITO和JE-ITO。在顯示器領域,據預測,下一世紀平板顯示器的市75鍍膜生產線的功能生產線設備主要由玻璃清洗機、超凈百級室和連續(xù)濺射鍍膜系統組成。玻璃清洗機只是用于玻璃基片的清洗,使玻璃表面清潔以便鍍膜。連續(xù)濺射系統是生產線的核心設備,連續(xù)濺射鍍膜系統是一個龐大的真空系統,以德國萊寶-巴爾薩斯工藝系統的Aristo800鍍膜系統為例,其主要由以下部分組成:1裝卸片臺2進口室3緩沖室4高頻濺射室5直流濺射室6緩沖室7出口室8回框線裝卸片臺:清洗好的玻璃基片在此裝上框架小車,以便輸送進真空室鍍膜;鍍好的成品在此下車,送在線檢測。進口室(出口室):實現大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)的轉換。緩沖室:為進口室(出口室)快速破壞真空創(chuàng)造條件,還能避免來自進口室(出口室)頻頻破壞真空對濺射室的沖擊。高頻濺射室:高頻濺射SiO2阻擋膜層。直流濺射室:濺射ITO膜層。回框線:裝有鍍膜成品的小車從出口室出來,通過回框線返回裝卸片臺。5鍍膜生產線的功能8切磨加工線功能把大片玻璃按規(guī)定要求切割、清洗、倒直角邊或圓邊處理。其中2mm-5mm倒角為辨認角,用于標識浮法流向和拋光-鍍膜面。在線檢查和復檢保證原片質量。拋光線功能南玻公司從幾個供貨商處采購玻璃原片,并按玻璃供應商的標準檢驗。對從切磨加工線送來的合格樣片進行拋光和篩選,使其平整度和表面質量達到STN型LCD的要求。切磨加工線功能9ITO基本知識在顯示器領域,平扳顯示器件FlatPanelDisplay(FPD)的市場將很快超過傳統的陰極射線管(CRT)顯示器,進入“平板顯示時代”。目前,日常生產活中所接觸到的平板顯示器件應用主要有各種電子產品上的液晶顯示器(LCD),筆記本電腦,可視電話,數碼相機,壁掛電視等,這些種類繁多的平板顯示器件的制造所需要的基本材料之中,透明導電玻璃是主要的材料之一。所謂透明導電玻璃,是在厚度為0.4--1.1mm的平板玻璃的表面鍍一層透明導電膜,通常透明導電膜的材料是摻氧化銦錫(ITO),一種n型半導體,故透明導電玻璃通常也稱為ITO玻璃。這種ITO膜具有透光性好,面電阻低的特點,其電阻率一般在3x10-14Ω/cm左右,已接近金屬的電阻率,是制造平板顯示器件的理想材料。ITO基本知識在顯示器領域,平扳顯示器件FlatPanel10ITO鍍膜線工業(yè)上,大批量的透明導電膜玻璃的制造技術都是采用濺射成膜技術。生產線設備主要由玻璃清洗機、超凈百級室和連續(xù)濺射鍍膜系統組成,其中連續(xù)濺射系統是生產線的核心設備。玻璃清洗機則用于玻璃基片的清洗,使玻璃表面清潔以便鍍膜。連續(xù)濺射鍍膜系統是一個龐大的真空系統,以德國萊寶-巴爾薩斯工藝系統(BalzersProcessSystem)的Aristo800鍍膜系統為例,其主要由以下部分組成:1.裝卸片臺2.進口室3.加熱室4.高頻濺射室5.直流濺射室6.冷卻室7.出口室8.回框線ITO鍍膜線工業(yè)上,大批量的透明導電膜玻璃的制造技術都是采用11ITO鍍膜線說明1.裝卸片臺(Mod1-2) 清洗好的玻璃基片在此裝上框架上車,以便輸送進真空室鍍膜。鍍膜好的成品也在此從框架小車上卸下,以送在線質檢員檢驗。2.進口室(Mod3) 用于實現大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)的轉換,裝好玻璃基片的框架小車由裝卸片臺進入進口室,并在此抽真空,真空度為粗真空,約10-2mbar數量級。3.加熱室(Mod4) 當進口室抽到預定的真空度以后,框架小車從進口室進入到加熱室,玻璃基片在此預加熱到200℃左右,并去除水分和部分雜質氣體。4.高頻濺射室(Mod5-8) 玻璃基片進入到高頻濺射室后,繼續(xù)得到加熱,在200~250℃左右開始進行高頻濺射鍍膜,此時在玻璃基片上鍍上一層二氧化硅(SiO2),約200埃左右的厚度。靶材安裝在Mod6和Mod7。5.Mod9
過渡加熱室。6.直流濺射室(Mod10-12) 鍍制好SiO2膜的玻璃基片經過一段過渡區(qū)域,在此區(qū)域,玻璃基片進一步得到加熱,基片溫度上升到320~380℃左右,然后進入到有八個銦錫合金靶的直流磁控濺射室,每一個靶上加上300~400V左右的直流電源,靶為陰極,直流濺射室充入一定的氬氣和少量的氧氣,氬氣和氧氣的純度ITO鍍膜線說明1.裝卸片臺(Mod1-2)12ITO鍍膜線說明(續(xù)) 為99.99%,濺射本底真空度不低于5.0Χ10-3mbar,在電場力和磁場力的作用下,陰極靶材表面產生輝光放電并受到正離子的轟擊而產生濺射,濺射出來的原子態(tài)銦錫與濺射室中氧發(fā)生反應,最后沉積在玻璃基片上形成氧化銦錫(ITO)薄膜,其膜層厚度通過控制直流電源的輸出功率來控制,通常ITO膜的厚度為200~2000埃。7.冷卻室(Mod13-14) 由于玻璃基片的溫度很高,需要緩慢的冷卻,以消除其應力,避免玻璃脆裂,冷卻方式為水冷。8.出口室(Mod15) 冷卻好的玻璃基片在出口室中完成從真空狀態(tài)到大氣狀態(tài)的轉換。9.回框線 裝有鍍膜成品的框架小車從出口室出來后,通過回框線返回裝卸片臺,供操作工人卸下鍍膜好的玻璃基片,玻璃基片的連續(xù)濺射鍍膜生產至此完成結束。ITO鍍膜線說明(續(xù)) 為99.99%,濺射本底真空度不低于13鍍膜線示意圖鍍膜線示意圖14員工培訓內容答案15濺射原理圖冷卻系統泵排氣Ar輝光放電區(qū)基板暗區(qū)真空室電源監(jiān)控系統基片裝卸機械靶材銅背板濺射原理圖冷卻系統泵排氣Ar輝光放電區(qū)基板暗區(qū)真空室電源監(jiān)控16濺射鍍膜原理ITO鍍膜采用的是濺射反應鍍膜工藝。要想把ITO靶材濺射出來,必須有“炮彈”去轟擊ITO靶面才行,但這種“炮彈”只能起轟擊作用,而不能跟ITO靶和金屬反應,這只能選擇惰性氣體,所以稱惰性氣體為工作氣體,而氬氣是比較經濟的惰性氣體,因此ITO鍍膜要加氬氣。ITO膜為氧化銦錫膜,鍍膜過程需發(fā)生氧化反應,所以稱氧氣為反應氣體。雖然ITO靶本身含有氧,但在ITO靶的濺射過程中,有部分濺射出氧會被抽走,需要補充氧氣,因此ITO鍍膜要加氧氣。ITO靶材背面要加磁鐵形成平行于ITO靶面的磁場,加熱器擋板接DC電源正極,ITO靶接DC電源的負極,形成垂直ITO靶面的電場。先抽真空和加熱后,放裝有玻璃的小車循環(huán),送適當的氧氣和氬氣到ITO靶區(qū),再開DC電源,則真空中原有的電子在電場和磁場的共同作用下作螺旋狀的加速運動,能量不斷增加,能量較高的電子與氬原子碰撞后,將其電離成氬離子(Ar+)和電子,當然也有部分Ar+與電子又會復合成氬原子,未被復合的氬離子(Ar+)被電場加速后象“炮彈”似地轟擊ITO靶面,使ITO靶材被濺射出來,同時產生二次電子,使放電得以維持。能量較高的電子與氧氣碰撞后,將氧分子分解成兩個氧原子,這兩個氧原子很快捕獲電子變成氧離子(O-2),當然也有部分氧原子又會合成氧分子,而未被復合的氧離子在電場作用下會向玻璃運動與ITO靶材濺射出的粒子反應生成ITO膜。濺射鍍膜原理ITO鍍膜采用的是濺射反應鍍膜工藝。要想把ITO172000A厚的ITO膜表面結構2000A厚的ITO膜表面結構18磁控濺射NSNS為什么要用磁控濺射沒有磁場時,電子沿直線運動,只有少部分電子使Ar原子電離,大部分電直接到達陽極.加入磁場后,電子呈螺旋狀前進,增加其到達陽極所走的路程,從而提高電子撞擊Ar原子的幾率,產生更多的Ar離子,同時磁場可以使等離子體向靶材表面靠近,這樣可以增加電流,降低電壓,提高濺射速率,從而可以高速成膜.磁控濺射NSNS為什么要用磁控濺射沒有磁場時,電子沿直線運19ITO玻璃玻璃基板ITOSiO2ITO玻璃的結構為什么要鍍SiO2起偏器檢偏器玻璃玻璃液晶層上電極下電極取向膜取向膜一般LCD用玻璃基片為鈣鈉浮法玻璃,其內部了鈉離子容易析出并穿過ITO膜層進入液晶層.由于液晶是一種高電阻率的有機材料,而鈉離子會對液晶分子造成破壞,從而影響顯示效果,因此要在基板表面鍍一層致密的SiO2層阻止鈉離子析出.液晶顯示器的結構原理圖ITO玻璃玻璃基板ITOSiO2ITO玻璃的結構為什么要鍍S20ITO膜層參數及影響因素鍍膜工藝的三大參數: 1.膜厚2.面電阻率3.透過率膜厚在小車運行速度相同的情況下,ITO膜厚近似與DC電源功率成正比,因此調整ITO膜厚只按正比例關系改變DC電源功率。Ar氣量也有一定影響,氣量太高則分子密度大,分子(離子)間的碰撞多,降低了Ar離子的速率,從而減小濺射速率.另一方面,氣量太低則產生的Ar離子數量少,也會減小濺射速率.因此應將Ar量調節(jié)到一個最佳值,使得濺射效率最高.小車的運行速度超快,也就是生產節(jié)拍超快,則鍍膜的時間超短,膜層也就超薄.面電阻率ITO膜厚增加時,電阻會降低,但膜厚達到4000埃后,電阻下降就不明顯了.O2含量的影響.氧含量太低則氧化不足,使表面電阻率偏高,氧含太高則吸收電子多,使Ar離子數減少,從而減小濺射速率,同樣使表面電阻率偏高.同時氧含量也會對膜層晶格結構造成影響,從而影響面電阻率.ITO膜層參數及影響因素鍍膜工藝的三大參數:21氧量0ITO膜層表面結構與氧量的關系(1)氧量0ITO膜層表面結構與氧量的關系(1)22氧量高則載流子移動速度增加但濃度減小,反之氧量低則載流子移動速度減小但濃度增加,因此要設定一個最適合的氧量.ITO膜層表面結構與氧量的關系(2)ITO膜層表面結構與氧量的關系(2)23加熱系統ITO膜為氧化銦錫膜,主要成分為氧化銦,少量的錫是作為雜質摻入的,銦的氧化和錫的摻入均需在一定溫度下進行,加熱既有利于銦的氧化以獲得較高的透過率,又利于錫的摻雜以獲得較低的電阻,因此ITO鍍膜要加熱。成膜溫度高則ITO膜的面電阻率低.這是因為電阻率和載流子的移動速度與濃度的乘積成反比,而溫度上升使結晶性改善,載流子的移動速度與濃度都會增加。ITO膜的刻蝕速率,非晶膜和晶態(tài)膜是完全不同的,非晶膜要快一些.使用濺射法時,由于濺射粒子本身具有能量,即使是室溫濺射,也會有微晶存在,完全的非晶膜是很難得到的。因此,為了得到性能良好,構造均勻的完全晶態(tài)的膜層,溫度應在200OC左右。加熱系統ITO膜為氧化銦錫膜,主要成分為氧化銦,少量的錫是作24ITO膜層表面結構與溫度的關系ITO膜層表面結構與溫度的關系25ITO膜層參數及影響因素(續(xù))基板的溫度也會影響膜層的結晶狀況,從而影響面電阻率.透過率我們測量透過率時使用的是550nm的綠光,在膜厚100A--900A范圍內,透過率隨膜厚增加逐漸降低,之后又逐漸上升,到1500A以后再次逐漸降低,此后再升高,再降低,等等.另外,氧含量也會透過率產生影響.ITO膜層參數及影響因素(續(xù))26DC電源與RF電源DC電源用于磁控濺射ITO薄膜DC電源提供直流電壓降接交流380V恒功率控制10kW直流晶閘管整流RF電源用于射頻濺射SiO2薄膜RF電源提供高頻電壓信號接交流380V恒功率控制10kW1356MHz高頻信號源,電子管功放DC電源與RF電源DC電源用于磁控濺射ITO薄膜RF電源用于27靶材對于磁控濺射,由于磁場對等離子體有集束作用,靶材表面與磁場交界的部分受到等離子體較強的轟擊濺射,這部分稱為濺刻部分(erosion).在濺射區(qū)域,除了等離子體轟擊靶材表面產生的濺射particle外,還有二次電子,二粒正負離子,以及帶正電的等離子體本身的散亂反射.隨著濺射的進行,靶材濺刻部分除了濺射最深的一小部分外,會產生黑色的析出物(突起物),稱為Nodule.Nodule的產生不僅使放電阻抗增加從而降低成膜速率,而且會引起ITO膜層表面顆粒.關于Nodule有很多分析報告,基本上都認為它既不是堆積的飛來物,也不是表面的反應物,而是濺射過程中的殘留物,是靶材的一部分。解決方法包括:高密度化,使表面平滑,一體化(不是拼割的),防止濺刻部分有Particle附著,防止靶材邊緣打弧等。另外,在濺刻以外的地方會有濺射Particle附著形成一層膜,由于靶材是燒結體,此膜層的附著力較弱,容易剝離形成Particle污染玻璃表面.通過移動磁場,使整個靶材表面成為濺刻區(qū)可以解決這個問題。靶材的密度高則自身的電阻率低,放電電壓也就低,這樣不僅鍍膜的面電阻率低,而且可以減少打弧并抑制Nodule的產生,從而減少對玻璃表面的Particle污染。常壓燒結法ITO的密度,1985年為65%,1990年增加到85%,現在(注:1999年)已經開發(fā)了98%以上的靶材,并且有銷售。另外,最近開發(fā)了燒結密度為99%的靶材。靶材性能要求是,不管它是什么物質都要滿足下面的幾個項目:高密度;耐熱沖擊性能好;組織均一且無偏析;微細均一的結晶顆粒;雜質含量少。靶材對于磁控濺射,由于磁場對等離子體有集束作用,靶材表面28真空系統ITO鍍膜采用的是平面磁控濺射真空鍍膜設備。抽真空的目的是將真空室中不需要和有害的雜質氣體(如水氣、氮氣、二氧化碳等)抽走。這些雜質氣體既會造成濺射過程受影響甚至導致不能濺射,還會影響ITO膜質量,甚至失去透明導電性能,附著力也會極差,因此ITO鍍膜要抽真空。作為主要真空設備的系統抽粗真空主要由德國萊寶的SV630、D65B旋片泵和WSU2001、WSU1001、WSU501羅茨泵來完成,中真空由TMP1601、TMP1001渦輪分子泵抽得,在加熱室系統特別配置了一臺低溫冷泵,可降到絕對溫度170K以下,主要用來吸附框架小車及玻璃基片帶來的水分。除此之外,還配置了許多真空測量儀表,用于監(jiān)測和控制系統的真空度。真空系統ITO鍍膜采用的是平面磁控濺射真空鍍膜設備。抽真空的29旋片機械真空泵旋片機械泵起主要作用的部件有定子(泵殼)、轉子(泵軸)、旋片等。轉子位于泵殼里面,它與定子不同軸,實際好象兩個內切圓。轉子槽內裝有兩塊旋片(刮板),兩旋片中間裝有彈簧,使刮板永遠緊貼在泵殼內壁。上圖說明旋片機械泵的抽氣過程。兩個旋片交替地起著兩方面的作用,一方面從進氣口吸進氣體,另一方面壓縮已吸進的氣體,將它排出泵體。當泵連續(xù)順時針轉動時,實現了對容器抽氣的目的。旋片機械真空泵旋片機械泵起主要作用的部件有定30羅茨真空泵羅茨泵結構如圖所示。在泵內,有兩個“8”字型的轉子相互垂直地安裝在一對平行軸上,由傳動比為一的一對齒輪帶動做彼此反向的同步旋轉運動。在轉子之間,轉子與泵殼內壁之間,保持有一定的間隙,可以實現高轉速運行。由于轉子的不斷旋轉,被抽氣體從進氣口吸入到轉子與泵殼之間的空間V內,再經排氣口排出。由于吸氣后,空間V是全封閉狀態(tài),所以,在泵腔內氣體沒有壓縮和膨脹。但當轉子頂部轉過排氣口邊緣,空間V與排氣側相通時,由于排氣側氣體壓強較高,則有一部分氣體返沖到空間V中去,使氣體壓強突然增高。當轉子繼續(xù)轉動時,氣體排出體外。羅茨真空泵羅茨泵結構如圖所示。在泵內,有兩個“8”字型的轉子31渦輪分子泵渦輪分子泵是一種利用高速旋轉的渦輪葉片,不斷對被抽氣體分子施以定向的動量和壓縮作用,將氣體排走的泵。由動葉輪和靜葉輪組成的渦輪排是泵的主要組成部分。動葉輪和靜葉輪的形狀與尺寸相同,但葉面角相反。每個動葉輪上都開有徑向的氣槽,構成輻射狀的葉片。葉輪旋轉時,它和氣體間有相對運動速率v,氣體分子經第一個動葉輪作用后,除了少數未與葉片相碰撞直接飛過去外,大部分與動葉輪碰撞并獲得近于葉輪的切向速率。這些分子如果直接進入第二個動葉輪,由于它們與動葉輪間幾乎沒有相對速率,因此動葉輪對它們就不起作用。而當它們進入靜葉輪后,則因兩者有相對速率,就能發(fā)生碰撞并有往下飛行的運動分量。動葉輪與靜葉輪間隔排列,這就是渦輪分子泵的抽氣原理。渦輪分子泵渦輪分子泵是一種利用高速旋轉的渦輪葉片,不斷對被抽32潔凈室簡介潔凈室的潔凈度潔凈室的潔凈度用潔凈等級來表示,分別為10級、100級、1000級、10,000級、100,000級。數值越小則潔凈度越高,例如:100級高于1000級、1000級高于10000級等。在不同級的潔凈室中,相同體積中所含的粉塵數不同(指粒度>0.5μ的粉塵)。以萬級潔凈室為例,其空氣的潔凈度比100級潔凈室低100倍。凈化級別高的潔凈室內空氣壓力也高。一旦打開不同級別間潔凈室的門,空氣會從潔凈度高的室流向潔凈度低的室,這樣高潔凈度的室不會被污染。盡管如此,還是應避免經常打開不同級別潔凈室間的門。進入潔凈室的空氣須經過初效過濾器、中效過濾器及高效過濾器并用高壓風機吹入。經過這三級過濾后,大于0.5um的粉塵被去除了99.999999%。潔凈級的高低取決于潔凈室中高效過濾器分布的疏密。100級潔凈室的天花必須滿布高效過濾器,10000級潔凈室則滿布中效過濾器。在空調凈化等硬件設施一定的情況下,潔凈室中的粉塵來源于人的占80%,來源于通風的占15%,其余的5%來源于建筑物。人本身就是一個重要的污染源,人身著普通服裝走動時每分鐘所發(fā)出的粉塵量約為300萬粒,經過風淋室可除去其10~30%的粉塵。因此進入潔凈室的人必須按規(guī)定的方式穿戴潔凈工作服并經過風淋室。絕對禁止同時打開風淋室的兩道門。潔凈室簡介潔凈室的潔凈度潔凈室的潔凈度用潔凈等級來表示,分別33演講完畢,謝謝觀看!演講完畢,謝謝觀看!34一、公司規(guī)章制度和概況一、公司規(guī)章制度和概況351公司規(guī)章制度
公司規(guī)章制度包括:用工制度、薪酬、工作制度、加班、請假、法定節(jié)假、病假、事假、婚喪假和產假、探親假、干休假、社會保險及福利、撫恤金、獎勵、紀律處分、礦工、遲到和早退、工作鑒定、守則、員工證、安全防護用品、更衣室、員工出入工廠規(guī)定、參觀工廠規(guī)定、自行車和摩托車停放規(guī)定、衛(wèi)生制度、員工業(yè)余學習和脫產學習規(guī)定、門衛(wèi)制度、電腦、傳真機和復印機等設備的使用規(guī)定、電話使用規(guī)定、使用車輛的有關規(guī)定、南玻公司單身宿舍管理規(guī)定、安全措施等。詳細條款及其解釋請參見中國南玻集團股份有限公司員工手冊。1公司規(guī)章制度36
2南玻集團精細玻璃事業(yè)部
總經理副總經理總助總助開發(fā)部
加工部
質管辦
品質部
成膜二部
拋光部
成膜一部
辦公室
財務部
市場部
工程技術部
ITO生產線
右切割線
左切割線
拋光線
經營部
ITO生產線
拋光線
2南玻集團精細玻璃事業(yè)部
總經373深圳偉光導電膜有限公司深圳南方超薄浮法玻璃有限公司導電玻璃廠
從92年開始,南玻集團透過其下屬公司先后引進了日本和德國的大型磁控濺射鍍膜生產線,生產液晶顯示器用的透明導電膜玻璃。投資伊始,一批在真空鍍膜領域有多年從業(yè)經驗的專業(yè)人員,開始了又一輪向更高技術和更高質量的不懈追求。秉承南玻集團一貫的經營理念,對生產設備、生產環(huán)境和產品及服務質量的嚴謹控制和精益求精度,使得南玻集團的透明導電膜玻璃自投產以來,廣獲佳譽,深受用戶信賴,同時生產規(guī)模不斷擴大。98年產量將逾100萬平方米,已成為東南業(yè)地區(qū)最大的透明導電膜玻璃供應商之一。3深圳偉光導電膜有限公司38產品類型ITO導電玻璃的主要特點是透明度高、膜層導電性好、熱穩(wěn)定性、圖形加工性。
TN型ITO玻璃:
基片厚度:0.4mm,0.55mm,0.7mm,1.1mm.ITO厚度:12nm,15nm,20nm,25nm,30nm,35nm,40nm,45nm,50nm,70nm,125nm,150nm,200nm.STN型ITO玻璃:
基片厚度:0.4mm,0.55mm,0.7mm,1.1mm.ITO厚度:12nm,15nm,20nm,25nm,30nm,35nm,40nm,45nm,50nm,70nm,125nm,150nm,200nm.
觸膜屏ITO玻璃:
ITO膜厚12nm,基片厚度1.1-2mm.掃描儀玻璃:
3mm厚產品類型394應用領域和上、下游產業(yè)4應用領域和上、下游產業(yè)40在顯示器領域,據預測,下一世紀平板顯示器的市場將超過傳統的陰極射線管,進入所謂的平板顯示時代。目前,日常生活中所接觸到的平板顯示器件應用主要有各種電子產品上的液晶顯示器、筆記本電腦、可視電話、數碼相機、壁掛電視等。這些種類繁多的平板顯示器件的制造所需要的基本材料之中,透明導電玻璃是最主要的材料。目前,公司產品主要應用于TN型、STN型液晶顯示器件的透明電極和觸摸屏的導電層。觸摸屏從技術原理上可分五類:電阻技術觸摸屏、電容技術觸摸屏、表面聲波技術觸摸屏、紅外線掃描技術觸摸屏、矢量壓力傳感技術觸摸屏。我們的觸摸屏客戶主要生產四線電阻和五線電阻觸摸屏。上游材料超薄浮法玻璃主要從板硝子、皮爾金頓、旭硝子、格拉威寶、中央硝子等廠商購買;ITO靶材選用LH-ITO和JE-ITO。在顯示器領域,據預測,下一世紀平板顯示器的市415鍍膜生產線的功能生產線設備主要由玻璃清洗機、超凈百級室和連續(xù)濺射鍍膜系統組成。玻璃清洗機只是用于玻璃基片的清洗,使玻璃表面清潔以便鍍膜。連續(xù)濺射系統是生產線的核心設備,連續(xù)濺射鍍膜系統是一個龐大的真空系統,以德國萊寶-巴爾薩斯工藝系統的Aristo800鍍膜系統為例,其主要由以下部分組成:1裝卸片臺2進口室3緩沖室4高頻濺射室5直流濺射室6緩沖室7出口室8回框線裝卸片臺:清洗好的玻璃基片在此裝上框架小車,以便輸送進真空室鍍膜;鍍好的成品在此下車,送在線檢測。進口室(出口室):實現大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)的轉換。緩沖室:為進口室(出口室)快速破壞真空創(chuàng)造條件,還能避免來自進口室(出口室)頻頻破壞真空對濺射室的沖擊。高頻濺射室:高頻濺射SiO2阻擋膜層。直流濺射室:濺射ITO膜層?;乜蚓€:裝有鍍膜成品的小車從出口室出來,通過回框線返回裝卸片臺。5鍍膜生產線的功能42切磨加工線功能把大片玻璃按規(guī)定要求切割、清洗、倒直角邊或圓邊處理。其中2mm-5mm倒角為辨認角,用于標識浮法流向和拋光-鍍膜面。在線檢查和復檢保證原片質量。拋光線功能南玻公司從幾個供貨商處采購玻璃原片,并按玻璃供應商的標準檢驗。對從切磨加工線送來的合格樣片進行拋光和篩選,使其平整度和表面質量達到STN型LCD的要求。切磨加工線功能43ITO基本知識在顯示器領域,平扳顯示器件FlatPanelDisplay(FPD)的市場將很快超過傳統的陰極射線管(CRT)顯示器,進入“平板顯示時代”。目前,日常生產活中所接觸到的平板顯示器件應用主要有各種電子產品上的液晶顯示器(LCD),筆記本電腦,可視電話,數碼相機,壁掛電視等,這些種類繁多的平板顯示器件的制造所需要的基本材料之中,透明導電玻璃是主要的材料之一。所謂透明導電玻璃,是在厚度為0.4--1.1mm的平板玻璃的表面鍍一層透明導電膜,通常透明導電膜的材料是摻氧化銦錫(ITO),一種n型半導體,故透明導電玻璃通常也稱為ITO玻璃。這種ITO膜具有透光性好,面電阻低的特點,其電阻率一般在3x10-14Ω/cm左右,已接近金屬的電阻率,是制造平板顯示器件的理想材料。ITO基本知識在顯示器領域,平扳顯示器件FlatPanel44ITO鍍膜線工業(yè)上,大批量的透明導電膜玻璃的制造技術都是采用濺射成膜技術。生產線設備主要由玻璃清洗機、超凈百級室和連續(xù)濺射鍍膜系統組成,其中連續(xù)濺射系統是生產線的核心設備。玻璃清洗機則用于玻璃基片的清洗,使玻璃表面清潔以便鍍膜。連續(xù)濺射鍍膜系統是一個龐大的真空系統,以德國萊寶-巴爾薩斯工藝系統(BalzersProcessSystem)的Aristo800鍍膜系統為例,其主要由以下部分組成:1.裝卸片臺2.進口室3.加熱室4.高頻濺射室5.直流濺射室6.冷卻室7.出口室8.回框線ITO鍍膜線工業(yè)上,大批量的透明導電膜玻璃的制造技術都是采用45ITO鍍膜線說明1.裝卸片臺(Mod1-2) 清洗好的玻璃基片在此裝上框架上車,以便輸送進真空室鍍膜。鍍膜好的成品也在此從框架小車上卸下,以送在線質檢員檢驗。2.進口室(Mod3) 用于實現大氣狀態(tài)和真空狀態(tài)的轉換,裝好玻璃基片的框架小車由裝卸片臺進入進口室,并在此抽真空,真空度為粗真空,約10-2mbar數量級。3.加熱室(Mod4) 當進口室抽到預定的真空度以后,框架小車從進口室進入到加熱室,玻璃基片在此預加熱到200℃左右,并去除水分和部分雜質氣體。4.高頻濺射室(Mod5-8) 玻璃基片進入到高頻濺射室后,繼續(xù)得到加熱,在200~250℃左右開始進行高頻濺射鍍膜,此時在玻璃基片上鍍上一層二氧化硅(SiO2),約200埃左右的厚度。靶材安裝在Mod6和Mod7。5.Mod9
過渡加熱室。6.直流濺射室(Mod10-12) 鍍制好SiO2膜的玻璃基片經過一段過渡區(qū)域,在此區(qū)域,玻璃基片進一步得到加熱,基片溫度上升到320~380℃左右,然后進入到有八個銦錫合金靶的直流磁控濺射室,每一個靶上加上300~400V左右的直流電源,靶為陰極,直流濺射室充入一定的氬氣和少量的氧氣,氬氣和氧氣的純度ITO鍍膜線說明1.裝卸片臺(Mod1-2)46ITO鍍膜線說明(續(xù)) 為99.99%,濺射本底真空度不低于5.0Χ10-3mbar,在電場力和磁場力的作用下,陰極靶材表面產生輝光放電并受到正離子的轟擊而產生濺射,濺射出來的原子態(tài)銦錫與濺射室中氧發(fā)生反應,最后沉積在玻璃基片上形成氧化銦錫(ITO)薄膜,其膜層厚度通過控制直流電源的輸出功率來控制,通常ITO膜的厚度為200~2000埃。7.冷卻室(Mod13-14) 由于玻璃基片的溫度很高,需要緩慢的冷卻,以消除其應力,避免玻璃脆裂,冷卻方式為水冷。8.出口室(Mod15) 冷卻好的玻璃基片在出口室中完成從真空狀態(tài)到大氣狀態(tài)的轉換。9.回框線 裝有鍍膜成品的框架小車從出口室出來后,通過回框線返回裝卸片臺,供操作工人卸下鍍膜好的玻璃基片,玻璃基片的連續(xù)濺射鍍膜生產至此完成結束。ITO鍍膜線說明(續(xù)) 為99.99%,濺射本底真空度不低于47鍍膜線示意圖鍍膜線示意圖48員工培訓內容答案49濺射原理圖冷卻系統泵排氣Ar輝光放電區(qū)基板暗區(qū)真空室電源監(jiān)控系統基片裝卸機械靶材銅背板濺射原理圖冷卻系統泵排氣Ar輝光放電區(qū)基板暗區(qū)真空室電源監(jiān)控50濺射鍍膜原理ITO鍍膜采用的是濺射反應鍍膜工藝。要想把ITO靶材濺射出來,必須有“炮彈”去轟擊ITO靶面才行,但這種“炮彈”只能起轟擊作用,而不能跟ITO靶和金屬反應,這只能選擇惰性氣體,所以稱惰性氣體為工作氣體,而氬氣是比較經濟的惰性氣體,因此ITO鍍膜要加氬氣。ITO膜為氧化銦錫膜,鍍膜過程需發(fā)生氧化反應,所以稱氧氣為反應氣體。雖然ITO靶本身含有氧,但在ITO靶的濺射過程中,有部分濺射出氧會被抽走,需要補充氧氣,因此ITO鍍膜要加氧氣。ITO靶材背面要加磁鐵形成平行于ITO靶面的磁場,加熱器擋板接DC電源正極,ITO靶接DC電源的負極,形成垂直ITO靶面的電場。先抽真空和加熱后,放裝有玻璃的小車循環(huán),送適當的氧氣和氬氣到ITO靶區(qū),再開DC電源,則真空中原有的電子在電場和磁場的共同作用下作螺旋狀的加速運動,能量不斷增加,能量較高的電子與氬原子碰撞后,將其電離成氬離子(Ar+)和電子,當然也有部分Ar+與電子又會復合成氬原子,未被復合的氬離子(Ar+)被電場加速后象“炮彈”似地轟擊ITO靶面,使ITO靶材被濺射出來,同時產生二次電子,使放電得以維持。能量較高的電子與氧氣碰撞后,將氧分子分解成兩個氧原子,這兩個氧原子很快捕獲電子變成氧離子(O-2),當然也有部分氧原子又會合成氧分子,而未被復合的氧離子在電場作用下會向玻璃運動與ITO靶材濺射出的粒子反應生成ITO膜。濺射鍍膜原理ITO鍍膜采用的是濺射反應鍍膜工藝。要想把ITO512000A厚的ITO膜表面結構2000A厚的ITO膜表面結構52磁控濺射NSNS為什么要用磁控濺射沒有磁場時,電子沿直線運動,只有少部分電子使Ar原子電離,大部分電直接到達陽極.加入磁場后,電子呈螺旋狀前進,增加其到達陽極所走的路程,從而提高電子撞擊Ar原子的幾率,產生更多的Ar離子,同時磁場可以使等離子體向靶材表面靠近,這樣可以增加電流,降低電壓,提高濺射速率,從而可以高速成膜.磁控濺射NSNS為什么要用磁控濺射沒有磁場時,電子沿直線運53ITO玻璃玻璃基板ITOSiO2ITO玻璃的結構為什么要鍍SiO2起偏器檢偏器玻璃玻璃液晶層上電極下電極取向膜取向膜一般LCD用玻璃基片為鈣鈉浮法玻璃,其內部了鈉離子容易析出并穿過ITO膜層進入液晶層.由于液晶是一種高電阻率的有機材料,而鈉離子會對液晶分子造成破壞,從而影響顯示效果,因此要在基板表面鍍一層致密的SiO2層阻止鈉離子析出.液晶顯示器的結構原理圖ITO玻璃玻璃基板ITOSiO2ITO玻璃的結構為什么要鍍S54ITO膜層參數及影響因素鍍膜工藝的三大參數: 1.膜厚2.面電阻率3.透過率膜厚在小車運行速度相同的情況下,ITO膜厚近似與DC電源功率成正比,因此調整ITO膜厚只按正比例關系改變DC電源功率。Ar氣量也有一定影響,氣量太高則分子密度大,分子(離子)間的碰撞多,降低了Ar離子的速率,從而減小濺射速率.另一方面,氣量太低則產生的Ar離子數量少,也會減小濺射速率.因此應將Ar量調節(jié)到一個最佳值,使得濺射效率最高.小車的運行速度超快,也就是生產節(jié)拍超快,則鍍膜的時間超短,膜層也就超薄.面電阻率ITO膜厚增加時,電阻會降低,但膜厚達到4000埃后,電阻下降就不明顯了.O2含量的影響.氧含量太低則氧化不足,使表面電阻率偏高,氧含太高則吸收電子多,使Ar離子數減少,從而減小濺射速率,同樣使表面電阻率偏高.同時氧含量也會對膜層晶格結構造成影響,從而影響面電阻率.ITO膜層參數及影響因素鍍膜工藝的三大參數:55氧量0ITO膜層表面結構與氧量的關系(1)氧量0ITO膜層表面結構與氧量的關系(1)56氧量高則載流子移動速度增加但濃度減小,反之氧量低則載流子移動速度減小但濃度增加,因此要設定一個最適合的氧量.ITO膜層表面結構與氧量的關系(2)ITO膜層表面結構與氧量的關系(2)57加熱系統ITO膜為氧化銦錫膜,主要成分為氧化銦,少量的錫是作為雜質摻入的,銦的氧化和錫的摻入均需在一定溫度下進行,加熱既有利于銦的氧化以獲得較高的透過率,又利于錫的摻雜以獲得較低的電阻,因此ITO鍍膜要加熱。成膜溫度高則ITO膜的面電阻率低.這是因為電阻率和載流子的移動速度與濃度的乘積成反比,而溫度上升使結晶性改善,載流子的移動速度與濃度都會增加。ITO膜的刻蝕速率,非晶膜和晶態(tài)膜是完全不同的,非晶膜要快一些.使用濺射法時,由于濺射粒子本身具有能量,即使是室溫濺射,也會有微晶存在,完全的非晶膜是很難得到的。因此,為了得到性能良好,構造均勻的完全晶態(tài)的膜層,溫度應在200OC左右。加熱系統ITO膜為氧化銦錫膜,主要成分為氧化銦,少量的錫是作58ITO膜層表面結構與溫度的關系ITO膜層表面結構與溫度的關系59ITO膜層參數及影響因素(續(xù))基板的溫度也會影響膜層的結晶狀況,從而影響面電阻率.透過率我們測量透過率時使用的是550nm的綠光,在膜厚100A--900A范圍內,透過率隨膜厚增加逐漸降低,之后又逐漸上升,到1500A以后再次逐漸降低,此后再升高,再降低,等等.另外,氧含量也會透過率產生影響.ITO膜層參數及影響因素(續(xù))60DC電源與RF電源DC電源用于磁控濺射ITO薄膜DC電源提供直流電壓降接交流380V恒功率控制10kW直流晶閘管整流RF電源用于射頻濺射SiO2薄膜RF電源提供高頻電壓信號接交流380V恒功率控制10kW1356MHz高頻信號源,電子管功放DC電源與RF電源DC電源用于磁控濺射ITO薄膜RF電源用于61靶材對于磁控濺射,由于磁場對等離子體有集束作用,靶材表面與磁場交界的部分受到等離子體較強的轟擊濺射,這部分稱為濺刻部分(erosion).在濺射區(qū)域,除了等離子體轟擊靶材表面產生的濺射particle外,還有二次電子,二粒正負離子,以及帶正電的等離子體本身的散亂反射.隨著濺射的進行,靶材濺刻部分除了濺射最深的一小部分外,會產生黑色的析出物(突起物),稱為Nodule.Nodule的產生不僅使放電阻抗增加從而降低成膜速率,而且會引起ITO膜層表面顆粒.關于Nodule有很多分析報告,基本上都認為它既不是堆積的飛來物,也不是表面的反應物,而是濺射過程中的殘留物,是靶材的一部分。解決方法包括:高密度化,使表面平滑,一體化(不是拼割的),防止濺刻部分有Particle附著,防止靶材邊緣打弧等。另外,在濺刻以外的地方會有濺射Particle附著形成一層膜,由于靶材是燒結體,此膜層的附著力較弱,容易剝離形成Particle污染玻璃表面.通過移動磁場,使整個靶材表面成為濺刻區(qū)可以解決這個問題。靶材的密度高則自身的電阻率低,放電電壓也就低,這樣不僅鍍膜的面電阻率低,而且可以減少打弧并抑制Nodule的產生,從而減少對玻璃表面的Particle污染。常壓燒結法ITO的密度,1985年為65%,1990年增加到85%,現在(注:1999年)已經開發(fā)了98%以上的靶材,并且有銷售。另外,最近開發(fā)了燒結密度為99%的靶材。靶材性能要求是,不管它是什么物質都要滿足下面的幾個項目:高密度;耐熱沖擊性能好;組織均一且無偏析;微細均一的結晶顆粒;雜質含量少。靶材對于磁控濺射,由于磁場對等離子體
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